JPH05279189A - ルチル単結晶の育成方法 - Google Patents
ルチル単結晶の育成方法Info
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- JPH05279189A JPH05279189A JP10359492A JP10359492A JPH05279189A JP H05279189 A JPH05279189 A JP H05279189A JP 10359492 A JP10359492 A JP 10359492A JP 10359492 A JP10359492 A JP 10359492A JP H05279189 A JPH05279189 A JP H05279189A
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- Japan
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- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 17
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- 238000005231 Edge Defined Film Fed Growth Methods 0.000 claims description 5
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ルチル単結晶の育成方法において、複数枚の
単結晶を同一条件により育成する。 【構成】 制御される雰囲気の高温炉内で、原料融液を
保持しているルツボ内にスリットを有する型（ダイ）を
設け、前記スリットを介して融液を型の上面まで上昇さ
せ、型通りの形状の単結晶をＥＦＧ方により引き上げる
ルチル単結晶の育成方法において、ルツボの形状に相似
した全体形状の型本体10を設けると共に、前記型本体の
上面にスリット４を有する個々の型11，12，13，14，15
を複数設けた。
単結晶を同一条件により育成する。 【構成】 制御される雰囲気の高温炉内で、原料融液を
保持しているルツボ内にスリットを有する型（ダイ）を
設け、前記スリットを介して融液を型の上面まで上昇さ
せ、型通りの形状の単結晶をＥＦＧ方により引き上げる
ルチル単結晶の育成方法において、ルツボの形状に相似
した全体形状の型本体10を設けると共に、前記型本体の
上面にスリット４を有する個々の型11，12，13，14，15
を複数設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＥＦＧ（Edge-defined F
ilm-fed Grouth）法によるルチル単結晶の育成方法に関
する。
ilm-fed Grouth）法によるルチル単結晶の育成方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ルチル（Ｔi Ｏ2 ）単結晶は偏光子用材
料として知られており、ＦＺ（Floating Zone ）法又は
ベルヌーイ法等にて製造されている。一方、結晶成長法
としてのＥＦＧ法は、型通りの形状に結晶を引き上げる
ことができるものとして知られている。この原理を図３
によって説明すると、イリジウムのルツボ１の内部に融
液２を充填し、この融液内にスリット４を有するダイ３
を装着したものである。この場合、融液２はスリットダ
イ３に設けたスリット４を通って毛細管現象にてダイの
上面まで上昇する。このダイ上面に現われた融液に種結
晶５を付着させて一定速度で引き上げながら冷却するこ
とにより、ダイ（型）通りの結晶６を得るものである。
このＥＦＧ法で良質な板状単結晶多数枚を同時育成する
ためには、各板状結晶の育成開始条件及び結晶周辺の温
度分布が全てある範囲内に入ることが必要となる。その
ために通常はルツボ及び型上方の保温の適正化により、
温度分布の均一性を保っている。
料として知られており、ＦＺ（Floating Zone ）法又は
ベルヌーイ法等にて製造されている。一方、結晶成長法
としてのＥＦＧ法は、型通りの形状に結晶を引き上げる
ことができるものとして知られている。この原理を図３
によって説明すると、イリジウムのルツボ１の内部に融
液２を充填し、この融液内にスリット４を有するダイ３
を装着したものである。この場合、融液２はスリットダ
イ３に設けたスリット４を通って毛細管現象にてダイの
上面まで上昇する。このダイ上面に現われた融液に種結
晶５を付着させて一定速度で引き上げながら冷却するこ
とにより、ダイ（型）通りの結晶６を得るものである。
このＥＦＧ法で良質な板状単結晶多数枚を同時育成する
ためには、各板状結晶の育成開始条件及び結晶周辺の温
度分布が全てある範囲内に入ることが必要となる。その
ために通常はルツボ及び型上方の保温の適正化により、
温度分布の均一性を保っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来方式におい
て、板状ルチル単結晶の多数枚を同時育成する場合に
は、ルチル融液及び育成結晶が赤外線を吸収し易いた
め、赤外線を発生するルツボ壁との距離によりルチル育
成結晶の温度が異なり、育成に適した型上面温度も異な
ることになる。本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
であり、多数枚の同時育成の可能なルチル単結晶の育成
方法を提供することを目的としている。
て、板状ルチル単結晶の多数枚を同時育成する場合に
は、ルチル融液及び育成結晶が赤外線を吸収し易いた
め、赤外線を発生するルツボ壁との距離によりルチル育
成結晶の温度が異なり、育成に適した型上面温度も異な
ることになる。本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
であり、多数枚の同時育成の可能なルチル単結晶の育成
方法を提供することを目的としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明では型10の全体の
形状を図１に示すように円柱状とし、この上部に個々の
型11，12，13，14，15を有している。各型にはスリット
21，22，23，24，25がある。なお、図１は奇数枚の板状
結晶を育成させる場合のものであり、型11から左右に1
2，13，14，15と進む程、型の長さは短くなっている。
ここで型10は円形ルツボ１の中心位置に入っており、し
たがってルツボ内の内側からは等距離にある。この場
合、ルツボの加熱で赤外線を発するが、ルチルはこの赤
外線を吸収する。しかし型10の全体形状は円柱状をなし
ているため、赤外線の影響は同等に受ける。したがって
図に示した型のスリットの幅は全て同一とすればよい。
即ち、赤外線による影響は全て同一であるため、ルチル
融液による型上面の温度も全ての型にて同一となり、し
たがって同一条件にてルチル単結晶を得ることができ
る。
形状を図１に示すように円柱状とし、この上部に個々の
型11，12，13，14，15を有している。各型にはスリット
21，22，23，24，25がある。なお、図１は奇数枚の板状
結晶を育成させる場合のものであり、型11から左右に1
2，13，14，15と進む程、型の長さは短くなっている。
ここで型10は円形ルツボ１の中心位置に入っており、し
たがってルツボ内の内側からは等距離にある。この場
合、ルツボの加熱で赤外線を発するが、ルチルはこの赤
外線を吸収する。しかし型10の全体形状は円柱状をなし
ているため、赤外線の影響は同等に受ける。したがって
図に示した型のスリットの幅は全て同一とすればよい。
即ち、赤外線による影響は全て同一であるため、ルチル
融液による型上面の温度も全ての型にて同一となり、し
たがって同一条件にてルチル単結晶を得ることができ
る。
【０００５】図２は型10を４辺形状とし、その上部に型
31，32，33，34，35を設けた、奇数枚の板状結晶を育成
する場合のものである。41，42，43，44，45はスリット
である。図２の型10を円形ルツボ内に入れたとき４辺形
状の角部はルツボ内壁から最も近い位置にある。したが
ってルツボの内壁から最も影響の受け易い部分は、（3
4，35），（32，33）の順となり、最も影響を受けない
部分は真中にある31の部分である。ここで最も影響を受
ける型34，35は赤外線により最も高温による部分である
ため、そのスリット幅44，45は最小にして融液の量を最
小にし、以下型32，33のスリット幅42，43をやや大きく
し、真中にあるスリット幅41を最も大きくする。これに
より全ての型上面の温度を同一にし、同一条件にて単結
晶を育成する。
31，32，33，34，35を設けた、奇数枚の板状結晶を育成
する場合のものである。41，42，43，44，45はスリット
である。図２の型10を円形ルツボ内に入れたとき４辺形
状の角部はルツボ内壁から最も近い位置にある。したが
ってルツボの内壁から最も影響の受け易い部分は、（3
4，35），（32，33）の順となり、最も影響を受けない
部分は真中にある31の部分である。ここで最も影響を受
ける型34，35は赤外線により最も高温による部分である
ため、そのスリット幅44，45は最小にして融液の量を最
小にし、以下型32，33のスリット幅42，43をやや大きく
し、真中にあるスリット幅41を最も大きくする。これに
より全ての型上面の温度を同一にし、同一条件にて単結
晶を育成する。
【０００６】
【実施例】以下に実施例を説明する。実施例１ 直径50mm，高さ25mmのイリジウムルツボに加工（スリッ
ト幅：0.5mm ）された20mm□×25mmのイリジウム角材を
設置し、厚さ２mm，幅20mmの板状結晶を５枚同時に育成
した。中心部の板状結晶は殆ど形状変動がなく育成でき
たが、その両側各２枚は形状変動が大きく、５枚同時に
安定な育成は困難であった。それに比べ、同様のルツボ
に加工（スリット幅：0.5mm ）された直径20mm，高さ25
mmのイリジウム円柱を設置し、厚さ２mmで幅が20mm，17
mm，13mmの板状結晶を各１，２，２枚育成した。中心部
及び両側各２枚とも形状変動は殆どなく、５枚同時に安
定な育成が困難であった。実施例２ 直径50mm，高さ25mmのイリジウムルツボに、スリット幅
を中心部から外側に各々0.5mm ，0.3mm ，0.2mm 加工し
た20mm□×25mmのイリジウム角材を設置し、厚さ２mm，
幅20mmの板状単結晶を５枚同時に育成した。中心部及び
両側各２枚とも形状変動は殆どなく、５枚同時に安定な
育成が可能であった。
ト幅：0.5mm ）された20mm□×25mmのイリジウム角材を
設置し、厚さ２mm，幅20mmの板状結晶を５枚同時に育成
した。中心部の板状結晶は殆ど形状変動がなく育成でき
たが、その両側各２枚は形状変動が大きく、５枚同時に
安定な育成は困難であった。それに比べ、同様のルツボ
に加工（スリット幅：0.5mm ）された直径20mm，高さ25
mmのイリジウム円柱を設置し、厚さ２mmで幅が20mm，17
mm，13mmの板状結晶を各１，２，２枚育成した。中心部
及び両側各２枚とも形状変動は殆どなく、５枚同時に安
定な育成が困難であった。実施例２ 直径50mm，高さ25mmのイリジウムルツボに、スリット幅
を中心部から外側に各々0.5mm ，0.3mm ，0.2mm 加工し
た20mm□×25mmのイリジウム角材を設置し、厚さ２mm，
幅20mmの板状単結晶を５枚同時に育成した。中心部及び
両側各２枚とも形状変動は殆どなく、５枚同時に安定な
育成が可能であった。
【０００７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればル
ツボ内に入れる型の形状が、このルツボと同一形状とす
るか、又は同一形状でないときルツボの内壁からの距離
の大小に応じてスリットの幅を調整するように構成した
ので、複数枚のルチル単結晶を同一条件にて製造するこ
とができる。
ツボ内に入れる型の形状が、このルツボと同一形状とす
るか、又は同一形状でないときルツボの内壁からの距離
の大小に応じてスリットの幅を調整するように構成した
ので、複数枚のルチル単結晶を同一条件にて製造するこ
とができる。
【図１】本発明にて使用する型の一実施例の構成図。
【図２】型の他の実施例の構成図。
【図３】ＥＦＧ法を説明する図。
１ ルツボ ２ 融液 ３ 型（ダイ） ４ スリット ５ 種結晶 ６ 育成結晶10 型本体 11〜15，31〜35 個々の型 21〜25，41〜45 個々のスリット
Claims (2)
- 【請求項１】 制御される雰囲気の高温炉内で、原料融
液を保持しているルツボ内にスリットを有する型（ダ
イ）を設け、前記スリットを介して融液を型の上面まで
上昇させ、型通りの形状の単結晶をＥＦＧ法により引き
上げるルチル単結晶の育成方法において、ルツボの形状
に相似した全体形状の型本体をルツボ内に設けると共
に、前記型本体の上面にスリットを有する個々の型を複
数設けたことを特徴とするルチル単結晶の育成方法。 - 【請求項２】 制御される雰囲気の高温炉内で、原料融
液を保持しているルツボ内にスリットを有する型（ダ
イ）を設け、前記スリットを介して融液を型の上面まで
上昇させ、型通りの形状の単結晶をＥＦＧ法により引き
上げるルチル単結晶の育成方法において、ルツボの形状
と異なる全体形状の型本体をルツボ内に設けると共に、
前記型本体の上面には場所によって開口率の異なるスリ
ットを有する個々の型を複数設けたことを特徴とするル
チル単結晶の育成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10359492A JPH05279189A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | ルチル単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10359492A JPH05279189A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | ルチル単結晶の育成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05279189A true JPH05279189A (ja) | 1993-10-26 |
Family
ID=14358099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10359492A Pending JPH05279189A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | ルチル単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05279189A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102560630A (zh) * | 2012-01-12 | 2012-07-11 | 徐州协鑫光电科技有限公司 | 导模法同步生长多条晶体的热场及方法 |
| WO2016043176A1 (ja) * | 2014-09-19 | 2016-03-24 | 並木精密宝石株式会社 | 複数のサファイア単結晶とその製造方法 |
| JP2016060692A (ja) * | 2016-01-14 | 2016-04-25 | 並木精密宝石株式会社 | 複数のサファイア単結晶とその製造方法 |
| WO2017038745A1 (ja) * | 2015-09-04 | 2017-03-09 | 並木精密宝石株式会社 | 複数のサファイア単結晶及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-03-30 JP JP10359492A patent/JPH05279189A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102560630A (zh) * | 2012-01-12 | 2012-07-11 | 徐州协鑫光电科技有限公司 | 导模法同步生长多条晶体的热场及方法 |
| WO2016043176A1 (ja) * | 2014-09-19 | 2016-03-24 | 並木精密宝石株式会社 | 複数のサファイア単結晶とその製造方法 |
| JP5895280B1 (ja) * | 2014-09-19 | 2016-03-30 | 並木精密宝石株式会社 | 複数のサファイア単結晶の製造方法 |
| WO2017038745A1 (ja) * | 2015-09-04 | 2017-03-09 | 並木精密宝石株式会社 | 複数のサファイア単結晶及びその製造方法 |
| JP2016060692A (ja) * | 2016-01-14 | 2016-04-25 | 並木精密宝石株式会社 | 複数のサファイア単結晶とその製造方法 |
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