JP2947529B2 - 整形結晶の製造方法及び製造装置 - Google Patents
整形結晶の製造方法及び製造装置Info
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- JP2947529B2 JP2947529B2 JP5297291A JP5297291A JP2947529B2 JP 2947529 B2 JP2947529 B2 JP 2947529B2 JP 5297291 A JP5297291 A JP 5297291A JP 5297291 A JP5297291 A JP 5297291A JP 2947529 B2 JP2947529 B2 JP 2947529B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、整形結晶（Ｓｈａｐｅ
ｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）の製造方法及び製造装置、特にシ
リコン結晶リボンの製造に好適な整形結晶の製造方法及
び製造装置に関するものである。
ｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）の製造方法及び製造装置、特にシ
リコン結晶リボンの製造に好適な整形結晶の製造方法及
び製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の分野の技術としては、例
えば（１）「高橋 清他編 太陽光発電、Ｐ．１８２、
（株）森北出版、昭和５７年１１月５日発行」、もしく
は（２）「電気学会編 太陽電池ハンドブック、Ｐ．３
５〜Ｐ．４０、（株）コロナ社、昭和６０年７月３０日
発行」に記載されたものが知られている。
えば（１）「高橋 清他編 太陽光発電、Ｐ．１８２、
（株）森北出版、昭和５７年１１月５日発行」、もしく
は（２）「電気学会編 太陽電池ハンドブック、Ｐ．３
５〜Ｐ．４０、（株）コロナ社、昭和６０年７月３０日
発行」に記載されたものが知られている。
【０００３】図７は前記文献（１）に記載されたＥＦＧ
法（Ｅｄｇｅ−ｄｅｆｉｎｅｄ Ｆｉｌｍ−Ｆｅｄ Ｇ
ｒｏｗｔｈ）と呼ばれる従来のシリコン結晶リボンの製
造方法を示す模式図で、石英ルツボの中で融解したシリ
コンの融液をキャピラリ・ダイにより整形し、１０ｍｍ
〜５０ｍｍ／分の速度で引き上げることによりシリコン
結晶リボンを製造するように構成している。
法（Ｅｄｇｅ−ｄｅｆｉｎｅｄ Ｆｉｌｍ−Ｆｅｄ Ｇ
ｒｏｗｔｈ）と呼ばれる従来のシリコン結晶リボンの製
造方法を示す模式図で、石英ルツボの中で融解したシリ
コンの融液をキャピラリ・ダイにより整形し、１０ｍｍ
〜５０ｍｍ／分の速度で引き上げることによりシリコン
結晶リボンを製造するように構成している。
【０００４】また、図８は前記文献（２）に記載された
横引き法と呼ばれる従来のシリコン結晶リボンの製造方
法を示す模式図で、シリコンの融液をローラを用いて１
００ｍｍ〜９００ｍｍ／分の速度で横に引いて取り出す
ことによりシリコン結晶リボンを製造するように構成し
ている。
横引き法と呼ばれる従来のシリコン結晶リボンの製造方
法を示す模式図で、シリコンの融液をローラを用いて１
００ｍｍ〜９００ｍｍ／分の速度で横に引いて取り出す
ことによりシリコン結晶リボンを製造するように構成し
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のシリコン結晶リボンの製造方法においては、前記し
たように量産を前提として１０ｍｍ〜数１００ｍｍ／分
の速度で融液の固化を行うため、出来上がった結晶は数
ｍｍ以下の細かな結晶粒からなる多結晶であり品質が悪
い。その結果、太陽電池として用いたときに光電変換効
率が低く、実用化が困難であるという問題点があった。
来のシリコン結晶リボンの製造方法においては、前記し
たように量産を前提として１０ｍｍ〜数１００ｍｍ／分
の速度で融液の固化を行うため、出来上がった結晶は数
ｍｍ以下の細かな結晶粒からなる多結晶であり品質が悪
い。その結果、太陽電池として用いたときに光電変換効
率が低く、実用化が困難であるという問題点があった。
【０００６】本発明は、上記従来の問題点を解決して、
高品質のシリコン結晶リボンを量産することが可能な整
形結晶の製造方法及び製造装置を提供することを目的と
する。
高品質のシリコン結晶リボンを量産することが可能な整
形結晶の製造方法及び製造装置を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記問題点を解決するた
めに、本発明における整形結晶の製造方法は、所定の雰
囲気に設定された整形容器中で結晶の原材料を加熱して
融液にする工程と、融液を整形容器中に配置された整形
治具に収容する工程と、整形治具の一端より融液を冷却
して結晶化する工程とからなることを特徴とするもので
ある。
めに、本発明における整形結晶の製造方法は、所定の雰
囲気に設定された整形容器中で結晶の原材料を加熱して
融液にする工程と、融液を整形容器中に配置された整形
治具に収容する工程と、整形治具の一端より融液を冷却
して結晶化する工程とからなることを特徴とするもので
ある。
【０００８】また、前記問題点を解決するために、本発
明における整形結晶の製造装置は、結晶の原材料を収容
する整形容器と、整形容器中に配置され、融液を収容す
る整形治具と、整形容器中に配置され、融液を整形治具
に収容させる部材と、整形容器内の温度を制御する温度
制御装置と、整形容器を収納し、整形容器の雰囲気を管
理する筐体とを備えることを特徴とするものである。
明における整形結晶の製造装置は、結晶の原材料を収容
する整形容器と、整形容器中に配置され、融液を収容す
る整形治具と、整形容器中に配置され、融液を整形治具
に収容させる部材と、整形容器内の温度を制御する温度
制御装置と、整形容器を収納し、整形容器の雰囲気を管
理する筐体とを備えることを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】本発明によれば、以上のように整形結晶の製造
方法を構成したので、整形容器に結晶の原材料を収容
し、真空等の雰囲気に設定するとともに、原材料を加熱
して融解する。そして、整形治具を移動する等により融
液を整形治具中に収容した後、整形治具の一端より徐々
に冷却を行って結晶を形成する。
方法を構成したので、整形容器に結晶の原材料を収容
し、真空等の雰囲気に設定するとともに、原材料を加熱
して融解する。そして、整形治具を移動する等により融
液を整形治具中に収容した後、整形治具の一端より徐々
に冷却を行って結晶を形成する。
【００１０】また、本発明によれば、以上のように整形
結晶の製造装置を構成したので、整形容器に結晶の原材
料を収容し、筐体内を真空等に保った後に温度制御装置
を動作させて原材料を加熱し融液にする。そして、整形
治具を移動させる等により整形治具中に融液を収容した
後、温度制御装置を制御して整形治具の一端より徐々に
温度を低下させ、結晶を形成する。
結晶の製造装置を構成したので、整形容器に結晶の原材
料を収容し、筐体内を真空等に保った後に温度制御装置
を動作させて原材料を加熱し融液にする。そして、整形
治具を移動させる等により整形治具中に融液を収容した
後、温度制御装置を制御して整形治具の一端より徐々に
温度を低下させ、結晶を形成する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。 （第１実施例）図１は本発明の第１の実施例における整
形結晶の製造装置の構成図である。図において、１は装
置筐体、２は本体２ａと蓋２ｂとから構成される保温容
器、３は本体３ａと蓋３ｂとから構成される整形容器、
４は整形治具、５は整形容器３の内部を移動して整形治
具４を移動させるピストン、６は外力Ｆを加えてピスト
ン５を移動させる加圧棒、７はヒータ、８はヒータ７を
制御する温度制御装置、９は真空ポンプ、１０はガスボ
ンベ、１１は原材料又はその融液である。
ながら詳細に説明する。 （第１実施例）図１は本発明の第１の実施例における整
形結晶の製造装置の構成図である。図において、１は装
置筐体、２は本体２ａと蓋２ｂとから構成される保温容
器、３は本体３ａと蓋３ｂとから構成される整形容器、
４は整形治具、５は整形容器３の内部を移動して整形治
具４を移動させるピストン、６は外力Ｆを加えてピスト
ン５を移動させる加圧棒、７はヒータ、８はヒータ７を
制御する温度制御装置、９は真空ポンプ、１０はガスボ
ンベ、１１は原材料又はその融液である。
【００１２】 図２は本発明の第１の実施例における整
形容器及び整形治具の長手方向の水平断面図であり、図
３は整形治具の横方向の断面図である。図２及び図３に
示されているように、整形治具４は整形容器３内に配置
される。整形容器３及び整形治具４はカーボンや石英ガ
ラスで形成されている。この整形治具は結晶との濡性を
防ぎ、結晶を整形治具から容易に取り出せるようにする
ために、表面を化学洗浄、真空ベーキングによる洗浄を
行っておく。
形容器及び整形治具の長手方向の水平断面図であり、図
３は整形治具の横方向の断面図である。図２及び図３に
示されているように、整形治具４は整形容器３内に配置
される。整形容器３及び整形治具４はカーボンや石英ガ
ラスで形成されている。この整形治具は結晶との濡性を
防ぎ、結晶を整形治具から容易に取り出せるようにする
ために、表面を化学洗浄、真空ベーキングによる洗浄を
行っておく。
【００１３】 整形治具４は図３（ｂ）に示されている
ように、板状の基部４ｂと段部４ｃとを有する多数のト
レイ４ａから構成されている。このトレイ４ａを複数枚
重ねると、それぞれのトレイの間には基部４ｂと段部４
ｃとの厚みの差により、結晶融液を収容する隙間が形成
される。この隙間の高さ（図３における垂直方向の長
さ）は基部４ｂの長さに相当し、この隙間の奥行はトレ
イ４ａの奥行、すなわち、トレイ４ａの整形容器３の長
手方向の長さに相当する。この隙間の巾は製造する結晶
リボンの厚さに対応するもので、例えば５００μｍに設
定する。本実施例においては、図３（ａ）に示すよう
に、トレイ４ａを整形容器３の横方向（長手方向と直交
する方向）に重ねて配置した。この場合のトレイ４ａの
数は例えば２００枚である。
ように、板状の基部４ｂと段部４ｃとを有する多数のト
レイ４ａから構成されている。このトレイ４ａを複数枚
重ねると、それぞれのトレイの間には基部４ｂと段部４
ｃとの厚みの差により、結晶融液を収容する隙間が形成
される。この隙間の高さ（図３における垂直方向の長
さ）は基部４ｂの長さに相当し、この隙間の奥行はトレ
イ４ａの奥行、すなわち、トレイ４ａの整形容器３の長
手方向の長さに相当する。この隙間の巾は製造する結晶
リボンの厚さに対応するもので、例えば５００μｍに設
定する。本実施例においては、図３（ａ）に示すよう
に、トレイ４ａを整形容器３の横方向（長手方向と直交
する方向）に重ねて配置した。この場合のトレイ４ａの
数は例えば２００枚である。
【００１４】 次に、図１〜図３を参照して本発明の第
１実施例による整形結晶の製造方法を説明する。 （イ）まず、整形容器３の一端（図では左端）にシリコ
ン結晶製造用の原材料１１（多結晶シリコン顆粒等）を
配置する。そして、真空ポンプ９及びヒータ７を動作さ
せて、原材料１１の表面の不純物、整形容器３内の水分
や酸素等を除去して、筐体１の内部に整形結晶と整形治
具４とが化学的に結合しない清浄な雰囲気を作りなが
ら、原材料を融液にする。
１実施例による整形結晶の製造方法を説明する。 （イ）まず、整形容器３の一端（図では左端）にシリコ
ン結晶製造用の原材料１１（多結晶シリコン顆粒等）を
配置する。そして、真空ポンプ９及びヒータ７を動作さ
せて、原材料１１の表面の不純物、整形容器３内の水分
や酸素等を除去して、筐体１の内部に整形結晶と整形治
具４とが化学的に結合しない清浄な雰囲気を作りなが
ら、原材料を融液にする。
【００１５】（ロ）次に、原材料が融解したら、空気圧
等の外力Ｆを加圧棒６に加えてピストン５を移動させ整
形治具４を融液１１の方向へ移動させる。このとき、融
液１１はトレイ４ａの基部４ｂと段部４ｃにより形成さ
れる隙間以外に逃げ場がないため、図２に矢印で示され
ているように、前記隙間に移動し、図３（ａ）に示され
ているように、前記隙間に収容される。
等の外力Ｆを加圧棒６に加えてピストン５を移動させ整
形治具４を融液１１の方向へ移動させる。このとき、融
液１１はトレイ４ａの基部４ｂと段部４ｃにより形成さ
れる隙間以外に逃げ場がないため、図２に矢印で示され
ているように、前記隙間に移動し、図３（ａ）に示され
ているように、前記隙間に収容される。
【００１６】（ハ）次に、ヒータ７を制御して整形治具
４の一端より徐々に冷却を行って、整形治具におけるト
レイ４ａの隙間に収容された融液１１を固化させる。本
実施例において、０．２ｍｍ〜５ｍｍ／分程度の速度で
冷却を行ったところ、結晶粒界の大きい（数ｍｍ〜数１
０ｍｍ）多結晶シリコンのリボン結晶が得られた。ま
た、２ｍｍ／分の冷却速度でリボン結晶のサイズが１０
０ｍｍ×１００ｍｍ×０．５ｍｍのものが１時間当たり
１００枚得られ、低成長速度下での量産性が確認され
た。
４の一端より徐々に冷却を行って、整形治具におけるト
レイ４ａの隙間に収容された融液１１を固化させる。本
実施例において、０．２ｍｍ〜５ｍｍ／分程度の速度で
冷却を行ったところ、結晶粒界の大きい（数ｍｍ〜数１
０ｍｍ）多結晶シリコンのリボン結晶が得られた。ま
た、２ｍｍ／分の冷却速度でリボン結晶のサイズが１０
０ｍｍ×１００ｍｍ×０．５ｍｍのものが１時間当たり
１００枚得られ、低成長速度下での量産性が確認され
た。
【００１７】 なお、本実施例において筐体１の内部は
真空状態にした後、ガスボンベ８よりアルゴン、ヘリウ
ム等の不活性ガスを導入してもよい。また、トレイ４ａ
の一端にトレイ間の隙間の厚さを有する板状の種結晶を
セットしておけば、板状の単結晶シリコンを製造するこ
とができる。さらに、トレイ４ａを整形容器３内の垂直
方向に重ねて配置してもよい。このように配置すれば、
融液の対流を抑制することができるので、より良質の結
晶を製造することができるし、結晶シートの大面積化が
可能になる。
真空状態にした後、ガスボンベ８よりアルゴン、ヘリウ
ム等の不活性ガスを導入してもよい。また、トレイ４ａ
の一端にトレイ間の隙間の厚さを有する板状の種結晶を
セットしておけば、板状の単結晶シリコンを製造するこ
とができる。さらに、トレイ４ａを整形容器３内の垂直
方向に重ねて配置してもよい。このように配置すれば、
融液の対流を抑制することができるので、より良質の結
晶を製造することができるし、結晶シートの大面積化が
可能になる。
【００１８】（第２実施例） 図４は本発明の第２の実施例による整形結晶の製造方法
における整形容器及び整形治具の長手方向の垂直断面図
である。本実施例においては、各トレイ４ａの一端の近
傍に少なくとも１個ずつ孔４ｄが設けられており、かつ
各トレイ４ａは整形容器３内に垂直方向に重ねて配置さ
れている。また、ピストン５は整形治具４の上を移動す
るように構成されている。ここで、孔４ｄを切欠にして
もよい。
における整形容器及び整形治具の長手方向の垂直断面図
である。本実施例においては、各トレイ４ａの一端の近
傍に少なくとも１個ずつ孔４ｄが設けられており、かつ
各トレイ４ａは整形容器３内に垂直方向に重ねて配置さ
れている。また、ピストン５は整形治具４の上を移動す
るように構成されている。ここで、孔４ｄを切欠にして
もよい。
【００１９】 本実施例においては、原材料１１を整形
容器３の上部に配置し、加熱して融解した後、ピストン
５を移動させると、整形容器３、整形治具４及び蓋３ａ
に囲まれた融液１１は、トレイ４ａの一端の近傍に設け
た孔４ｄとそれに連通しているトレイ４ａ間の隙間以外
に逃げ場がないため、この孔４ｄを通ってトレイ４ａ間
の隙間に収容される。本実施例においては、第１実施例
に比較して可動部が小さくなり、かつ整形容器が小さく
なる。
容器３の上部に配置し、加熱して融解した後、ピストン
５を移動させると、整形容器３、整形治具４及び蓋３ａ
に囲まれた融液１１は、トレイ４ａの一端の近傍に設け
た孔４ｄとそれに連通しているトレイ４ａ間の隙間以外
に逃げ場がないため、この孔４ｄを通ってトレイ４ａ間
の隙間に収容される。本実施例においては、第１実施例
に比較して可動部が小さくなり、かつ整形容器が小さく
なる。
【００２０】（第３実施例） 図５は本発明の第３の実施例による整形結晶の製造方法
における整形容器及び整形治具の長手方向の垂直断面図
である。本実施例においては、各トレイ４ａには一端か
ら他端の間の所定の位置（図においては６カ所）に、融
液を整形治具４に収容させる部材である孔４ｄが設けら
れており、かつ各トレイは整形容器３内に垂直方向に重
ねて配置されている。また、ピストンは設けられていな
い。ここで、孔４ｄは融液１１をトレイ４ａ間の隙間に
収容させる作用を有するものであればよく、その形状、
数等は任意である。
における整形容器及び整形治具の長手方向の垂直断面図
である。本実施例においては、各トレイ４ａには一端か
ら他端の間の所定の位置（図においては６カ所）に、融
液を整形治具４に収容させる部材である孔４ｄが設けら
れており、かつ各トレイは整形容器３内に垂直方向に重
ねて配置されている。また、ピストンは設けられていな
い。ここで、孔４ｄは融液１１をトレイ４ａ間の隙間に
収容させる作用を有するものであればよく、その形状、
数等は任意である。
【００２１】本実施例においては、原材料を整形容器３
の上部に配置し、容器３の一端より原材料を部分的に加
熱すると、加熱された領域の原材料が融解し、その部分
の近くの孔４ｄを通ってトレイ４ａ間の隙間に収容され
る。そして、加熱領域を図の矢印のように移動させる
と、隙間に収容された融液は加熱領域の移動によって順
次冷却されるので固化して結晶になる。図においては、
容器３のほぼ中央部が加熱中で融液が形成されており、
中央より右は加熱が終了し、冷却されて結晶が形成され
た状態を示している。加熱領域を一端から他端に移動さ
せることにより、一端から他端に順次結晶を形成するこ
とができる。
の上部に配置し、容器３の一端より原材料を部分的に加
熱すると、加熱された領域の原材料が融解し、その部分
の近くの孔４ｄを通ってトレイ４ａ間の隙間に収容され
る。そして、加熱領域を図の矢印のように移動させる
と、隙間に収容された融液は加熱領域の移動によって順
次冷却されるので固化して結晶になる。図においては、
容器３のほぼ中央部が加熱中で融液が形成されており、
中央より右は加熱が終了し、冷却されて結晶が形成され
た状態を示している。加熱領域を一端から他端に移動さ
せることにより、一端から他端に順次結晶を形成するこ
とができる。
【００２２】本実施例においては、融液を整形治具に収
容させるための機械的可動部材を必要としない。なお、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それらを本発
明の範囲から排除するものではない。例えば、各実施例
においてトレイ４ａにより形成される隙間は融液の浸入
する方向（第１実施例においては整形治具４の移動する
方向）に貫通していなくてもよい。また、トレイ４ａに
おける基部４ｂの断面の形状を曲線にして断面が曲線状
の隙間を形成し曲面状の結晶シートを製造するように構
成してよい。さらに、整形治具４を構成する多数のトレ
イ４ａの形状をすべて同一にしなくてもよい。また、整
形治具の凹部を複数の板状トレイの隙間により形成する
のではなく、例えば、図６（ａ）〜（ｃ）に示されてい
るように形成してもよい。
容させるための機械的可動部材を必要としない。なお、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それらを本発
明の範囲から排除するものではない。例えば、各実施例
においてトレイ４ａにより形成される隙間は融液の浸入
する方向（第１実施例においては整形治具４の移動する
方向）に貫通していなくてもよい。また、トレイ４ａに
おける基部４ｂの断面の形状を曲線にして断面が曲線状
の隙間を形成し曲面状の結晶シートを製造するように構
成してよい。さらに、整形治具４を構成する多数のトレ
イ４ａの形状をすべて同一にしなくてもよい。また、整
形治具の凹部を複数の板状トレイの隙間により形成する
のではなく、例えば、図６（ａ）〜（ｃ）に示されてい
るように形成してもよい。
【００２３】さらに、本発明はシリコンに限らず、例え
ば、ＮａＣｌ等のアルカリハライド、ＣａＦ2 等の２−
７族化合物、ＣｄＴｅ等の２−６族化合物、ＧａＡｓ等
の３−５族化合物、Ｇｕ等の金属、ＰｂＭｏＯ4 ，Ｌｉ
ＮｂＯ3 等の酸化物の製造に適用することができる。た
だし、その際、例えばアルカリハライドの場合には、石
英ガラスで形成した整形治具を用い、塩素ガス雰囲気中
で製造する等、製造する結晶に応じて雰囲気及び整形容
器、整形治具の材料を選定する必要があることはいうま
でもない。
ば、ＮａＣｌ等のアルカリハライド、ＣａＦ2 等の２−
７族化合物、ＣｄＴｅ等の２−６族化合物、ＧａＡｓ等
の３−５族化合物、Ｇｕ等の金属、ＰｂＭｏＯ4 ，Ｌｉ
ＮｂＯ3 等の酸化物の製造に適用することができる。た
だし、その際、例えばアルカリハライドの場合には、石
英ガラスで形成した整形治具を用い、塩素ガス雰囲気中
で製造する等、製造する結晶に応じて雰囲気及び整形容
器、整形治具の材料を選定する必要があることはいうま
でもない。
【００２４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、次のような効果を奏する。 （１）結晶面は容器により外界から保護されているた
め、不純物による結晶の汚染を防ぐことができる。した
がって、高品質の結晶を製造することができる。 （２）整形治具に多数の凹部（融液収容部）を設けるこ
とにより、低成長速度にもかかわらず短時間に多量の結
晶を製造することがてきる。
れば、次のような効果を奏する。 （１）結晶面は容器により外界から保護されているた
め、不純物による結晶の汚染を防ぐことができる。した
がって、高品質の結晶を製造することができる。 （２）整形治具に多数の凹部（融液収容部）を設けるこ
とにより、低成長速度にもかかわらず短時間に多量の結
晶を製造することがてきる。
【００２５】 （３）整形治具の構造や形状を変えるこ
とにより、多種多様な形状を有する結晶を製造すること
ができる。
とにより、多種多様な形状を有する結晶を製造すること
ができる。
【図１】 本発明の第１の実施例における整形結晶の製
造装置の構成図である。
造装置の構成図である。
【図２】 本発明の第１の実施例における整形容器及び
整形治具の長手方向の水平断面図である。
整形治具の長手方向の水平断面図である。
【図３】 本発明の第１の実施例における整形治具の横
方向の断面図である。
方向の断面図である。
【図４】 本発明の第２の実施例における整形容器及び
整形治具の長手方向の垂直断面図である。
整形治具の長手方向の垂直断面図である。
【図５】 本発明の第３の実施例における整形容器及び
整形治具の長手方向の垂直断面図である。
整形治具の長手方向の垂直断面図である。
【図６】 本発明の整形結晶の製造方法及び製造装置に
おける整形治具の横方向の断面図である。
おける整形治具の横方向の断面図である。
【図７】 従来のＥＦＧ法によるシリコン結晶リボンの
製造方法を示す模式図である。
製造方法を示す模式図である。
【図８】 従来の横引き法によるシリコン結晶リボンの
製造方法を示す模式図である。
製造方法を示す模式図である。
１ 装置筐体 ２ 保温容器 ３ 整形容器 ４ 整形治具 ５ ピストン ６ 加圧棒 ７ ヒータ ８ 温度制御装置 ９ 真空ポンプ １０ ガスボンベ １１ 原材料又はその融液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−36390（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−80283（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00
Claims (6)
- 【請求項１】 （ａ）所定の雰囲気に設定された整形容
器内で結晶の原材料を加熱して融液にする工程と、
（ｂ）該融液を前記整形容器内に配置された整形治具に
収容する工程と、（ｃ）該整形治具の一端より前記融液
を冷却して結晶化する工程とからなることを特徴とする
整形結晶の製造方法。 - 【請求項２】 所定の形状を有する少なくとも１個所の
凹部を形成した整形治具を用い、該凹部に融液を収容す
ることを特徴とする請求項１記載の整形結晶の製造方
法。 - 【請求項３】 （ａ）複数枚の板状トレイを互いに間隙
を設けて水平方向又は垂直方向に重ねて配置することに
より凹部を形成した整形治具を、前記整形容器内の一端
から他端へ水平面内で移動可能に構成し、 （ｂ）前記整形容器内の一端に前記原材料を配置し、 （ｃ）前記整形治具を前記整形容器内の他端から移動さ
せることにより前記融液を前記凹部に収容することを特
徴とする請求項２記載の整形結晶の製造方法。 - 【請求項４】 （ａ）複数枚の板状トレイを互いに間隙
を設けて垂直方向に重ねて配置することにより凹部を形
成し、かつそれぞれの端部又はその近傍に孔又は切欠を
有する整形治具を用い、 （ｂ）前記整形治具の上に前記原材料を配置し、 （ｃ）前記整形治具の上を移動する部材により前記融液
を前記孔又は切欠を通して前記凹部に収容することを特
徴とする請求項２記載の整形結晶の製造方法。 - 【請求項５】 （ａ）複数枚の板状トレイを互いに間隙
を設けて垂直方向に重ねて配置することにより凹部を形
成し、かつそれぞれの一端から他端の間の所定の位置に
孔を有する整形治具を用い、 （ｂ）前記整形治具の上に前記原材料を配置し、 （ｃ）前記整形治具の一端から他端へ順次、加熱領域を
移動させることにより、前記融液を前記孔を通して前記
凹部に収容するとともに、前記整形治具の一端より前記
融液を順次、冷却することを特徴とする請求項２記載の
整形結晶の製造方法。 - 【請求項６】 （ａ）結晶の原材料を収容する整形容器
と、（ｂ）該整形容器中に配置され、結晶融液を収容す
る整形治具と、（ｃ）前記整形容器中に配置され、前記
結晶融液を前記整形治具に収容させる部材と、（ｄ）前
記整形容器内の温度を制御する温度制御装置と、（ｅ）
前記整形容器を収納し、前記整形容器の雰囲気を管理す
る筐体とを備えたことを特徴とする整形結晶の製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5297291A JP2947529B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 整形結晶の製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5297291A JP2947529B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 整形結晶の製造方法及び製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04292494A JPH04292494A (ja) | 1992-10-16 |
| JP2947529B2 true JP2947529B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=12929808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5297291A Expired - Lifetime JP2947529B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 整形結晶の製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2947529B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7601618B2 (en) | 2007-06-29 | 2009-10-13 | Commissariat A L'energie Atomique | Method for producing semi-conditioning material wafers by moulding and directional crystallization |
| WO2013105019A1 (fr) | 2012-01-09 | 2013-07-18 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de preparation de silicium a l'etat solide |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3596828B2 (ja) * | 1995-07-17 | 2004-12-02 | キヤノン株式会社 | 基体の製造方法 |
| FR2931297B1 (fr) | 2008-05-16 | 2010-08-27 | Commissariat Energie Atomique | Film autosupporte et plaquette en silicium obtenue par frittage |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP5297291A patent/JP2947529B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7601618B2 (en) | 2007-06-29 | 2009-10-13 | Commissariat A L'energie Atomique | Method for producing semi-conditioning material wafers by moulding and directional crystallization |
| WO2013105019A1 (fr) | 2012-01-09 | 2013-07-18 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de preparation de silicium a l'etat solide |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04292494A (ja) | 1992-10-16 |
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