SU463394A1 - Способ получени полупроводниковых структур - Google Patents
Способ получени полупроводниковых структурInfo
- Publication number
- SU463394A1 SU463394A1 SU1865785A SU1865785A SU463394A1 SU 463394 A1 SU463394 A1 SU 463394A1 SU 1865785 A SU1865785 A SU 1865785A SU 1865785 A SU1865785 A SU 1865785A SU 463394 A1 SU463394 A1 SU 463394A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- layer
- aluminum
- semiconductor structures
- content
- obtaining semiconductor
- Prior art date
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
чивающее кристаллизацию дополнительного сло . После окончани эпитаксии этот слой стравливаетс в специально подобранном химическом травителе, скорость растворени рабочего сло в котором значитепьно меньше.
Предложенный способ позвол ет получать поверхность эпитаксиальнык структур по 14 классу и использовать полученные структуры дл фотолитографических, диффузионных и других технологических процессов без дополнительной механической обработки поверхности структуры.
При получении структур в системе алюминий-галлий-мышь к после кристаллизации последнего сло с содержанием, арсенида алюмини менее 60% в раствор-расплав, и-з которого производитс выращивание по- следнего сло , вводитс дополнительное количество алюмини ,которое обеспечивает кристаплийавдЕю твердого раствора апюми- ни -галли -мышь ка с содержанием арсенида алюмини более 80-90%. Выращивание дополнительного сло производитс при выключенной печи.
После окончани процесса эпитаксии этот дополнительный слой стравливаетс , например , в сол ной кислоте, скорость растворени в которой слоев твердых растворов с содержанием арсенида алюмини более 8О- -90% на несколько пор дков больше, чем
скорость растворени слоев твердого раствора с содержанием 0-60% арсенида алюмини .
Полученна после страв-пивани поверхность имеет хорощее качество и не нуждаетс в дополнительной механической обработке .
Claims (2)
1.Способ получени полупроводниковых структур методом последовательной кристаллизании из растворов-расплавов, отличающийс тем, что, с целью получени гладкой рабочей поверхности, поверх последнего рабочего сло структуры выращивают и после окончани процесса эпитак- сии химически стравливают доаолнительный слой материала, скорость травлени которого более чем на пор док превосходит скорость травлени материала последнего рабочего сло .
2.Способ по п. 1, отличающийс тем, что при получении структур в системе алюминий-галлий-мышь к
с содержанием арсенида алюмини в последнем рабочем, слое не более 60% поверх него выращивают слой твердого раствора алюминий- аллий-мыщь к с содержанием арсенида алюмини 80-90%.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1865785A SU463394A1 (ru) | 1973-01-02 | 1973-01-02 | Способ получени полупроводниковых структур |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1865785A SU463394A1 (ru) | 1973-01-02 | 1973-01-02 | Способ получени полупроводниковых структур |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU463394A1 true SU463394A1 (ru) | 1977-01-05 |
Family
ID=20537541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU1865785A SU463394A1 (ru) | 1973-01-02 | 1973-01-02 | Способ получени полупроводниковых структур |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU463394A1 (ru) |
-
1973
- 1973-01-02 SU SU1865785A patent/SU463394A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SU463394A1 (ru) | Способ получени полупроводниковых структур | |
| US3966513A (en) | Method of growing by epitaxy from the vapor phase a material on substrate of a material which is not stable in air | |
| Ebisuzaki | Preparation of monocrystalline cuprous oxide | |
| Wagner | A solid-liquid-vapor etching process | |
| SU639358A1 (ru) | Способ получени р-п структур | |
| US3635753A (en) | Growth of needlelike vls crystals | |
| JP2751359B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼―▲ｖ▼族化合物単結晶 | |
| JPS5853826A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| Brown | Criteria for tipping during the liquid phase epitaxial growth of indium phosphide | |
| DE2147657C3 (de) | Verfahren zum Sättigen einer Schmelze mit gasförmigem Material | |
| JPS5543882A (en) | Gaseous-phase growing of compound semiconductor epitaxial film | |
| JPS6020509A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPH0218576B2 (ru) | ||
| JPH04365325A (ja) | ＧａＰ基板結晶の前処理方法 | |
| JPS60200893A (ja) | ルツボ | |
| JPS61198789A (ja) | 光半導体素子の連続製造方法 | |
| JPS5618000A (en) | Vapor phase growing method for 3-5 group compound semiconductor | |
| JPS5810852B2 (ja) | ヒシヨウシツチタンサンビスマス ノ エツチングエキ | |
| JPS5478377A (en) | Method and apparatus for growing semiconductor crystal | |
| JPS57143822A (en) | Method for growth of pluralistically mixed crystal semiconductor | |
| JPH02219216A (ja) | Ｍｏｃｖｄ法による結晶成長方法 | |
| JPS6129121A (ja) | ＧａＡｓ液相エピタシヤル成長法 | |
| JPS60118696A (ja) | リン化インジウム単結晶の育成方法 | |
| JPS54127897A (en) | Manufacture of coarse calcium hypochlorite dihydrate | |
| JPS62235725A (ja) | 気相エピタキシヤル成長装置 |