JPH04365325A - ＧａＰ基板結晶の前処理方法 - Google Patents
ＧａＰ基板結晶の前処理方法Info
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- JPH04365325A JPH04365325A JP14183791A JP14183791A JPH04365325A JP H04365325 A JPH04365325 A JP H04365325A JP 14183791 A JP14183791 A JP 14183791A JP 14183791 A JP14183791 A JP 14183791A JP H04365325 A JPH04365325 A JP H04365325A
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- etching
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- etching solution
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体デバイス等の製
造工程において、エピタキシャル成長を行うべきＧａＰ
基板に施す前処理の方法に関するものである。
造工程において、エピタキシャル成長を行うべきＧａＰ
基板に施す前処理の方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来ＧａＰ基板結晶の前処理には、硝酸
と塩酸とを混合したいわゆる王水をエッチング液として
使用していた。すなわち、ＧａＰ基板結晶を王水中で化
学的にエッチングすることにより、基板結晶の表面に残
留する機械的な歪等を除去し、エピタキシャル成長に適
した良好な鏡面状の基板表面を得ていた。
と塩酸とを混合したいわゆる王水をエッチング液として
使用していた。すなわち、ＧａＰ基板結晶を王水中で化
学的にエッチングすることにより、基板結晶の表面に残
留する機械的な歪等を除去し、エピタキシャル成長に適
した良好な鏡面状の基板表面を得ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来（１００）面また
は（１１１）Ｂ面を有するＧａＰ基板結晶の前処理方法
において、エッチング液である王水を混合の直後に使用
した場合と混合後に時間をおいてから使用した場合とで
は同じ組成、同じ方法でエッチングしてもエッチング量
やエッチング後の基板結晶の表面状態には差があり、常
に同一の前処理結果を得ることは難しかった。この発明
は上記のような従来の前処理方法の欠点を解決し、ばら
つきが少なく再現性が良好なＧａＰ基板結晶の前処理方
法を提供する。
は（１１１）Ｂ面を有するＧａＰ基板結晶の前処理方法
において、エッチング液である王水を混合の直後に使用
した場合と混合後に時間をおいてから使用した場合とで
は同じ組成、同じ方法でエッチングしてもエッチング量
やエッチング後の基板結晶の表面状態には差があり、常
に同一の前処理結果を得ることは難しかった。この発明
は上記のような従来の前処理方法の欠点を解決し、ばら
つきが少なく再現性が良好なＧａＰ基板結晶の前処理方
法を提供する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明は、（１００）
面または（１１１）Ｂ面を有するＧａＰ基板結晶の前処
理方法であって、硝酸１に対し塩酸を体積比で０．３以
上３以下の割合で含むエッチング液を調製する工程、上
記エッチング液を２時間以上室温中に置く工程、および
上記エッチング液を３０±３℃に保ってＧａＰ基板結晶
を化学的にエッチングする工程を含むことを特徴とする
。
面または（１１１）Ｂ面を有するＧａＰ基板結晶の前処
理方法であって、硝酸１に対し塩酸を体積比で０．３以
上３以下の割合で含むエッチング液を調製する工程、上
記エッチング液を２時間以上室温中に置く工程、および
上記エッチング液を３０±３℃に保ってＧａＰ基板結晶
を化学的にエッチングする工程を含むことを特徴とする
。
【０００５】
【作用】本発明者は実験の結果、次のことを見出した。
硝酸と塩酸とを混合した結果化学反応により生じた活性
な成分がＧａＰ基板結晶をエッチングするのであるが、
この化学反応の進行は比較的遅い。そのためにエッチン
グ液の混合後、時間の経過とともに上記の活性な成分の
濃度が次第に変化して行く。したがって、エッチング液
を混合した後の時間によって、エッチングの結果に差が
生じていた。
な成分がＧａＰ基板結晶をエッチングするのであるが、
この化学反応の進行は比較的遅い。そのためにエッチン
グ液の混合後、時間の経過とともに上記の活性な成分の
濃度が次第に変化して行く。したがって、エッチング液
を混合した後の時間によって、エッチングの結果に差が
生じていた。
【０００６】この発明のＧａＰ基板結晶の前処理方法で
は、硝酸と塩酸を混合してエッチング液を調製した後２
時間以上室温中に置くので、化学反応により生じた活性
な成分の濃度が一定になる。この状態でＧａＰ基板結晶
をエッチングすると、エッチング量およびエッチング後
の基板表面の状態がほぼ一定の良好なエッチング結果が
得られるのである。
は、硝酸と塩酸を混合してエッチング液を調製した後２
時間以上室温中に置くので、化学反応により生じた活性
な成分の濃度が一定になる。この状態でＧａＰ基板結晶
をエッチングすると、エッチング量およびエッチング後
の基板表面の状態がほぼ一定の良好なエッチング結果が
得られるのである。
【０００７】
［実施例］ ビーカー中に硝酸：塩酸：水を体積比で
１：２：１の割合で混合してエッチング液を調製し、そ
のまま室温中で２時間放置した。このエッチング液を３
０℃に保ち、この中に表面の一部をマスキングした（１
００）面を有するＧａＰ基板結晶を投入した。２分間エ
ッチングした後、マスキングを剥し段差を測定すること
によりエッチング速度を求めた。エッチング速度は０．
８μｍ／分であった。エッチング後基板結晶の表面状態
は良好であった。次に、同様にして調製したエッチング
液を室温中で５時間放置した後、（１００）面を有する
ＧａＰ基板結晶をエッチングしたところ、エッチング速
度は０．８μｍ／分と、２時間放置の場合と同じであっ
た。基板結晶の表面状態も良好であった。（１１１）Ｂ
面のＧａＰ基板結晶に対してもエッチング速度は異なる
ものの、同様の結果が得られた。
１：２：１の割合で混合してエッチング液を調製し、そ
のまま室温中で２時間放置した。このエッチング液を３
０℃に保ち、この中に表面の一部をマスキングした（１
００）面を有するＧａＰ基板結晶を投入した。２分間エ
ッチングした後、マスキングを剥し段差を測定すること
によりエッチング速度を求めた。エッチング速度は０．
８μｍ／分であった。エッチング後基板結晶の表面状態
は良好であった。次に、同様にして調製したエッチング
液を室温中で５時間放置した後、（１００）面を有する
ＧａＰ基板結晶をエッチングしたところ、エッチング速
度は０．８μｍ／分と、２時間放置の場合と同じであっ
た。基板結晶の表面状態も良好であった。（１１１）Ｂ
面のＧａＰ基板結晶に対してもエッチング速度は異なる
ものの、同様の結果が得られた。
【０００８】［比較例］ ビーカー中に硝酸：塩酸：
水を体積比で１：２：１の割合で混合してエッチング液
を調製し、そのまま室温中で０．５時間放置した。この
エッチング液を３０℃に保ち、（１００）面のＧａＰ基
板結晶をエッチングしたところエッチング速度は０．５
５μｍ／分であった。また、エッチング液を調製した後
、直ちにＧａＰ基板結晶をエッチングしたところ、エッ
チング速度は０．２５μｍ／分であった。以上の結果を
図１に示す。放置時間２時間未満では、エッチング後の
基板結晶表面に多くのエッチピットが見られた。（１１
１）Ｂ面のＧａＰ基板結晶に対してもエッチング速度は
異なるものの、同様の結果であった。
水を体積比で１：２：１の割合で混合してエッチング液
を調製し、そのまま室温中で０．５時間放置した。この
エッチング液を３０℃に保ち、（１００）面のＧａＰ基
板結晶をエッチングしたところエッチング速度は０．５
５μｍ／分であった。また、エッチング液を調製した後
、直ちにＧａＰ基板結晶をエッチングしたところ、エッ
チング速度は０．２５μｍ／分であった。以上の結果を
図１に示す。放置時間２時間未満では、エッチング後の
基板結晶表面に多くのエッチピットが見られた。（１１
１）Ｂ面のＧａＰ基板結晶に対してもエッチング速度は
異なるものの、同様の結果であった。
【０００９】図１に見られるように、エッチング液を調
製した後２時間以上室温で放置すると、ＧａＰ基板結晶
のエッチング速度が一定になる。２時間以下では時間の
経過とともにエッチング速度が変化し、再現性のよいエ
ッチングができない。次に、実施例では硝酸：塩酸：水
を体積比で１：２：１の割合で混合したが、混合比はこ
の値に限られるものではなく、硝酸と塩酸の体積比が１
：０．３〜１：３の範囲であれば実施例と同様の良好な
結果が得られる。
製した後２時間以上室温で放置すると、ＧａＰ基板結晶
のエッチング速度が一定になる。２時間以下では時間の
経過とともにエッチング速度が変化し、再現性のよいエ
ッチングができない。次に、実施例では硝酸：塩酸：水
を体積比で１：２：１の割合で混合したが、混合比はこ
の値に限られるものではなく、硝酸と塩酸の体積比が１
：０．３〜１：３の範囲であれば実施例と同様の良好な
結果が得られる。
【００１０】エッチング液中に水は加えなくてもよいし
、硝酸１に対して体積比１０までの水を加えても良好な
エッチング結果が得られる。１０を越えるとエッチング
速度が遅くなるとともに、エッチング後の基板結晶の表
面状態が悪くなる。水の添加量は好ましくは硝酸１に対
して５までである。また、エッチング温度は３０±３℃
が好適である。２７℃未満では基板結晶表面に多くのエ
ッチピットが現れ、一方３３℃を越えると基板結晶表面
に気泡の跡が残るため、いずれも良好な結果は得られな
い。
、硝酸１に対して体積比１０までの水を加えても良好な
エッチング結果が得られる。１０を越えるとエッチング
速度が遅くなるとともに、エッチング後の基板結晶の表
面状態が悪くなる。水の添加量は好ましくは硝酸１に対
して５までである。また、エッチング温度は３０±３℃
が好適である。２７℃未満では基板結晶表面に多くのエ
ッチピットが現れ、一方３３℃を越えると基板結晶表面
に気泡の跡が残るため、いずれも良好な結果は得られな
い。
【００１１】
【発明の効果】この発明によれば、エッチングを行う２
時間以上前に硝酸と塩酸を混合するため、使用する時に
はエッチング液中の化学反応は飽和していて、エッチン
グ量はエッチングを行う時間のみに依存する。したがっ
て、（１００）面または（１１１）Ｂ面を有するＧａＰ
基板結晶を用いる全てのエピタキシャル成長の基板前処
理において、この発明の方法を用いることにより、容易
にエッチング量が制御された、均一性の高いエッチング
を行うことが可能となるため、品質の向上、歩留まりの
向上に効果的である。
時間以上前に硝酸と塩酸を混合するため、使用する時に
はエッチング液中の化学反応は飽和していて、エッチン
グ量はエッチングを行う時間のみに依存する。したがっ
て、（１００）面または（１１１）Ｂ面を有するＧａＰ
基板結晶を用いる全てのエピタキシャル成長の基板前処
理において、この発明の方法を用いることにより、容易
にエッチング量が制御された、均一性の高いエッチング
を行うことが可能となるため、品質の向上、歩留まりの
向上に効果的である。
【図１】塩酸と硝酸の混合後の時間と、エッチング速度
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 【請求項１】 （１００）面または（１１１）Ｂ面を
有するＧａＰ基板結晶の前処理方法であって、硝酸１に
対し塩酸を体積比で０．３以上３以下の割合で含むエッ
チング液を調製する工程、上記エッチング液を２時間以
上室温中に置く工程、および上記エッチング液を３０±
３℃に保ってＧａＰ基板結晶を化学的にエッチングする
工程を含むことを特徴とするＧａＰ基板結晶の前処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14183791A JPH04365325A (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | ＧａＰ基板結晶の前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14183791A JPH04365325A (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | ＧａＰ基板結晶の前処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04365325A true JPH04365325A (ja) | 1992-12-17 |
Family
ID=15301300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14183791A Pending JPH04365325A (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | ＧａＰ基板結晶の前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04365325A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005061416A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Eaton Corp | 燃料タンク内への燃料蒸気排出バルブの取付方法 |
-
1991
- 1991-06-13 JP JP14183791A patent/JPH04365325A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005061416A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Eaton Corp | 燃料タンク内への燃料蒸気排出バルブの取付方法 |
| JP4517350B2 (ja) * | 2003-08-13 | 2010-08-04 | イートン コーポレーション | 燃料タンク内への燃料蒸気排出バルブの取付方法 |
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