SU1074327A1 - Травитель дл кремни - Google Patents
Травитель дл кремни Download PDFInfo
- Publication number
- SU1074327A1 SU1074327A1 SU813377315A SU3377315A SU1074327A1 SU 1074327 A1 SU1074327 A1 SU 1074327A1 SU 813377315 A SU813377315 A SU 813377315A SU 3377315 A SU3377315 A SU 3377315A SU 1074327 A1 SU1074327 A1 SU 1074327A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- silicon
- acetonitrile
- etchant
- etching
- xenon difluoride
- Prior art date
Links
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ КРЕМНИЯ, включающий дифторид ксенона, о т л ич а ю щ.и и с тем, что, с целью повышени устойчивости травител , он содержит ацетонитрил при следующем соотношении компонентов мас.%: Дифторид ксенона 1-6 Ацетонитрил94-99
Description
Изобретение относитс к полупроводниковой технике и может быть использовано в технологии изготовлени полупроводниковых приборов и инч егральных схем. В насто щее врем дл травлени кремни широко используютс травители на основе смеси концентрированных кислот при следующем содержании компо нентов, об.%: Плавикова кислота 10-30 Азотна кислота 25-50 Уксусна кислота 30-70 правление провод т в стандартных травильных установках при непрерывном перемещивании раствора с целью принудительного массопереноса при темпера .турах 293-333 К. Однако указанные травители облада ют принципиальными недостатками, заключающимис в следующем. Травители отличаютс нестабильностью вследствие выделени окислов азота. Хранители содержат высокотоксичны вещества. Обычньми приемами, устран ющими указанные недостатки, дл ют С: использбвание только свежепригото ленных растворов, создание на пред-; при ти х, производ щих полупроводниковые приборы и интегральные схемы, эффективных очистных сооружений. Эти обсто тельства привод т к зна чительному усложнению и удорожанию технологических процессов. . Наиболее близким техническим реше нием вл етс травитель дл кремни , включающий дифторид ксенона. Данный травитель содержит, мас.%: Дифторид ксенона 0,1-2 Вода98-99, Травление полупроводниковых кристаллов ведут при температуре 2883 (23К. Принципиальным недостатком указан ного трашйтел вл етс высока скорость разложени активного компонента вследствие гидролиза, что приводит к увеличению расхода дифторида ксенона. Целью изобретени вл етс повьше ние устойчивости травител . Цель достигаетс тем, что травитель дл кремни , включающий дифтори ксенона, дополнительно содержит ацетонитрил при следующем соотношении компонентов, мас.%: 7 Дифторид ксенона Ацетонитрил Процесс травлени проводитс при температурах 293-313 К. Указанные экепериментальные услови обусловлены следующими обсто тельствами . Диапазон температур 293-313 К вл етс наиболее оптимальным дл технологических процессов обработки кремниевых пластин, так как исключает необходимость использовани дополнительной аппаратуры дл стабилизации температуры травител . При C,gp 1% происходит значительное уменьшение скорости травлени кремни . При CXBF, 6% в области температур 35-40с -увеличиваетс скорость разложени дифторида ксенона и процесс становитс нестабильным.. Пример. Раствор травител готов т растворением навесок днфторида ксенона в ацетонитриле. Определение времени разложени дифторида ксенона и травление монокристаллов кремни провод т в тефлоновом реакторе при непрерывном перемешивании раствора травител . Температуру травител задают и поддерживают посто нной с помощью ультратермостата И-10. Определение времени разложени дифторида ксенона провод т периодическим титрованием проб раствора иодометрическим методом. В таблице приведены времена полуразложени дифторида ксенона ), растворенного в воде и ацетонитриле. Как видно из таблицы, растворы дифторида ксенона в ацетонитриле обладают значительно большей устойчивостью, чем водные. Дл травлени монокристаллов кремни испытаны травители следующих составов , мас.%: IXeF 1,0 Ацетонитрил IIXeFj 2,5 Ацетонитрил IIIXeFj 6,0 Ацетонитрил 94 Испытани провод т при температурах 293, 303, . По изменению массы образца за врем опыта определ ют скорость травлени кремни и с помощью металлографического микроскопа контролируют качество поверхности . Скорость травлени кремни в (А/мин) составл ет в травителе I1UO, 150, 300 II200, 36Q, 720 III700, 11QO, 2100 дл температур 293, 303 и соответственно. При использованигт полированных образцов поверхность кремни после травлени в данном травителе остает с зеркальной и гладкой, рельеф поверхности практически не мен етс . При использовании данного травит л могут быть получены следующие те нико-экономические преимущества по сравнению с прототипом. Данный состав позвол ет значител но увеличить коэффициент полезного использовани травителей на основе дифторида ксенона за счет уменьщени скорости разложени дифторида ксено на по сравнению с известным травиТ°К
293 298 303 313
Vi(XeFj +HjO)
/(XeFj +ацетонитрил)
мин
мин
40 27
2,1x10
6,6x10 3,2x102 274 телем (см. таблицу). Так, при комнатной температуре скорость разложе-ни дифторида ксенона в ацетонйтриле почти в 1000 раз ниже, чем в известном травителе. При использовании данного состава по вл етс возможность достаточно длительного хранени неиспользованного травител . При комнатной температуре врем хранени травител , соответствующее уменьшению концентрации активного компсУнента на 50%, составл ет 15 суток, тогда как в базовом травителе это врем составл ет лиш 40 мин. Использование ацетонитрила в качестве растворител позвол ет повысить чистоту травител и избавитьс От вредных примесей, характерньк дл водных растворов, таких, например, как ионы щелочных и щелочно-земельных металлов.
Claims (1)
- ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ КРЕМНИЯ, включающий дифторид ксенона, о т л ичающийся тем, что, с целью < повышения устойчивости травителя, он содержит ацетонитрил при следующем соотношении компонентов, мас.2: Дифторид ксенона 1-6Ацетонитрил 94-99 гполупробыть ис1010-3025-5030-70 стандартных
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU813377315A SU1074327A1 (ru) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | Травитель дл кремни |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU813377315A SU1074327A1 (ru) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | Травитель дл кремни |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1074327A1 true SU1074327A1 (ru) | 1986-09-30 |
Family
ID=20990736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU813377315A SU1074327A1 (ru) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | Травитель дл кремни |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1074327A1 (ru) |
-
1981
- 1981-12-30 SU SU813377315A patent/SU1074327A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Халис П. Практическое применение химического травлени . - В кн. Травление полуйроводников. М. Мир, 1965, с. 182-188. Авторское свидетельство СССР 860645, кл. Н 01 L 21/306, 1981. О) С (54) * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5496485A (en) | Etching compositions | |
US4339340A (en) | Surface-treating agent adapted for intermediate products of a semiconductor device | |
KR19980070026A (ko) | 전자 표시 장치 및 기판용 세정 및 식각 조성물 | |
US10689573B2 (en) | Wet etching composition for substrate having SiN layer and Si layer and wet etching method using same | |
JPS6039176A (ja) | エッチング剤組成物 | |
JPS61266581A (ja) | Nh4f/hf系の二酸化ケイ素エッチング液およびその製法 | |
EP0691676B1 (en) | Wet-etching composition for semiconductors excellent in wettability | |
SU1074327A1 (ru) | Травитель дл кремни | |
US4761245A (en) | Etching solutions containing ammonium fluoride and an alkylphenol polyglycidol ether surfactant | |
US3676240A (en) | Method of etching materials capable of being etched with hydrofluoric acid | |
JP2808799B2 (ja) | 窒化シリコン膜のエッチング方法 | |
CA1313612C (en) | Etching solutions containing ammonium fluoride | |
JP2569574B2 (ja) | 半導体処理剤 | |
JPH05275406A (ja) | 硫酸組成物 | |
KR19980084299A (ko) | 세정 능력을 갖는 산화막 식각용액 제조방법 | |
JP3960161B2 (ja) | チタン酸化物溶解用組成物及びそれを用いた溶解方法 | |
SU1059033A1 (ru) | Полирующий травитель дл антимонида инди | |
JP3353359B2 (ja) | 低表面張力硫酸組成物 | |
JPH0779072B2 (ja) | 貯蔵安定性研磨ケイ素ウェファ表面の製造方法 | |
JPS62115833A (ja) | 半導体基板表面処理剤 | |
JPH0418729A (ja) | シリコンウエーハの酸化膜形成前処理方法及びシリコンウエーハの酸化液 | |
JP6319536B1 (ja) | SiN層およびSi層を有する基板用ウェットエッチング組成物およびこれを用いたウェットエッチング方法 | |
RU2023751C1 (ru) | Раствор для химического полирования ниобия | |
SU1172946A1 (ru) | Способ удалени налета с поверхности профилированных кристаллов сапфира | |
SU398702A1 (ru) | Раствор для стравливания гальванических покрытий сплавами олово—свинец |