SU1172946A1 - Способ удалени налета с поверхности профилированных кристаллов сапфира - Google Patents

Abstract

СПОСОБ УДАЛЕНИЯ НАЖТА С ПОВЕРХНОСТИ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ САПФИРА ПУТЕМ ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ СМЕСЬЮ, содержащей серную кислоту, отличающийс  тем, что, с целью упрощени  технологии , повьппени  качества поверхности и прозрачности кристаллов, смесь дополнительно содержит азотную кислоту и воду при следующем соотноше- . НИИ компонентов, об.ч.: Серна  кислота (конц.) 3 Азотна  кислота (конц.) 5 Вода .2 Травление ведут при 40-80 С в течение 0,5-0,2 ч, после чего кристаллы прополаскивают в концентрирован о ном водном растворе аммиака в тече . ние 0,5-0,7 ч при комнатной темпера (Л туре и отжигают в атмосфере воздуха при 800-1000 0 в течение 0,5-1,5 ч. ю 4i

Description

Изобретение относитс  к способам физико-химической обработки профилированных кристаллов сапфира, выращен ных методом Степанова А.В., которые могут быть использованы в качестве конструктивного материала, например дл  изготовлени  газоразр дных натри евых ламп высокого давлени . Цель изобретени  - упрощение технологии , повышение качества поверхности и прозрачности кристаллов. Пример. Способ состоит из последовательного применени  трех операций. Химическое травление в смеси концентрированных кислот, состо щей из 3 об.ч. Нг304, 5 об.ч. HNO и 2 об.ч HjO при 40-80 с в течение соответственно 0,5 - 0,2 ч приводит к растворению осевших из пара металлов, основных и атмосферных окислов. Прополаскивание в концентрированном растворе NH40H при комнатной температуре 0,5 - 0,7 ч способствует растворению кислотных и атмосферных ;окислов.. Отжиг на воздухе при 800-1000°С соо ветственно в течение 1,5-0,5 ч приводит к возгонке летучих соединений, которые, в частности, могут образоватьс  при взаимоде 4ствии налета с воздухом. Химический состав налета практически ке исследован, однозначно опре делить химические и физические процессы , происход щие при этих обработках , в насто щее врем  не представл етс  возможным. Вне указанных режимов обработка не приводит к получению поверхности нужного качества. Увеличение температуры травлени  вьше , времени травлени  и отжига свыше 0,5 ч и 1,5 часа соответственно, температуры отжига свыше 1000°С не приводит к увеличению светопропускани  более, чем на 1%, и влечет за собой быстрый износ дорогосто щего технологического оборудовани . В табл. 1 представлена зависимость светопропускани  от времени травлени  и отжига. В табл. 2 приведена зависимость светопропускани  от температур травлени  и отжига. Предлагаемый способ обработки экспериментально опробован на сапфировых: трубках, предназначенных дл  изготовлени  газоразр дных натриевых ламп высокого давлени , к которым предъ вл ютс  высокие требовани  по светопропусканию. Этот способ позволил обеспечить светопропускание не ниже 92%, что в 4 раза выше, чем светопропускание необработанных трубок . Кроме того, известный способ гарантирует эффективность очистки поверхности сапфировых лент лишь в 50 случаев - у другой половины протравленных кристаллов поверхность становитс  матовой, т.е. половина обработанных кристаллов непригодна дл  дальнейшего применени , там где требуетс  прозрачность профилированных кристаллов пор дка 92%. В предлагаемом способе достигаетс  100%-на  эффективност удалени  налета с поверхности сапфировых трубок и достижени  требуемых качества поверхности и значений прозрачности. tТаблица1

80

0,2

0,1

80 80 0,1

1000

1,5

92

0,4

90 85 0,2

Таблица2

Claims (1)

1. СПОСОБ УДАЛЕНИЯ НАЛЕТА

   С ПОВЕРХНОСТИ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ САПФИРА ПУТЕМ ХИМИЧЕСКОГО

   ТРАВЛЕНИЯ СМЕСЬЮ, содержащей серную кислоту, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии, повышения качества поверхности и прозрачности кристаллов, смесь дополнительно содержит азотную кислоту и воду при следующем соотноше- . нии компонентов, об.ч.:

   Серная кислота (конц.)3

   Азотная кислота (конц.)5

   Вода .2

   Травление ведут при 40-80 С в течение 0,5-0,2 ч, после чего кристаллы прополаскивают в концентрированном водном растворе аммиака в течение 0,5-0,7 ч при комнатной температуре и отжигают в атмосфере воздуха при 800-1000°С в течение 0,5-1,5 ч.

   1 1172946 2