SU1059033A1 - Полирующий травитель дл антимонида инди - Google Patents

Полирующий травитель дл антимонида инди Download PDF

Info

Publication number
SU1059033A1
SU1059033A1 SU823425099A SU3425099A SU1059033A1 SU 1059033 A1 SU1059033 A1 SU 1059033A1 SU 823425099 A SU823425099 A SU 823425099A SU 3425099 A SU3425099 A SU 3425099A SU 1059033 A1 SU1059033 A1 SU 1059033A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
acid
hydrogen peroxide
etching
oxidizing agent
etching rate
Prior art date
Application number
SU823425099A
Other languages
English (en)
Inventor
Людмила Павловна Сорокина
Владимир Петрович Улин
Original Assignee
Ордена Ленина физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе
Ленинградский Институт Точной Механики И Оптики
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ордена Ленина физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе, Ленинградский Институт Точной Механики И Оптики filed Critical Ордена Ленина физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе
Priority to SU823425099A priority Critical patent/SU1059033A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1059033A1 publication Critical patent/SU1059033A1/ru

Links

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

ПОЛИРУЮЩИЙ ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ АНТШЮНИДА ИНДИЯ, включающий концентрированную плавиковую кислоту и окислитель , о т л и ч а ю щ и и с   тем, что, с целью улучшени  качества обработки поверхности и снижени  скорости травлени , он дополнительно содержит 7,6-10,4%-ный водный раствор щавелевой кислоты и в качестве окислител  перекись водорода и концентрированную серную кислоту при следук цем соотношении компонентов, об.ч.: Плавикова  кислота 2-4 Перекись водорода О,3-1,5 Серна  кислота 2-4 7,6-10,4%-ный водный раствор щавелевой кислоты 0,5-1,5

Description

сд
о. :А: со Изобретение относитс  к полупроводниковой технологии и, в частност может быть использовано при создани полупроводниковых приборов с гомогетероп еходами . Известен травитель дл  обработки поверхности полупроводников, в част ности антимонида инди , содержащий винную и плавиковую кислоты и в к чвстве окислител  перекись водорода и азотную К11слоту 1 . Недостатками этого травител   вл ютс  возможность образовани  окис ного сло  при травлении поверхности из-за того, что скорость окислени  может превьп ать скорость растворени продуктов реакции, а также слишком высока  скорость травлени , усложн  « ца  технологию обработки. Наиболее близким к изобретению   л етс  полирующий травитель дл  обр ботки антимонида инди , включающий плавиковую кислоту и окислитель, в качестве которого используетс  азот на  кислота. Кроме того, травитель содержит, уксусную кислоту при объем ном соотношении компонентов 3:5:3 Щ Недостатком известного травител   вл етс  обра.зование неровности по«ерхностй после травлени  вследстви выделени  газообразной закиси азота На месте образовани  пузырьков газа травление временно прекращаетс , чт при большой скорости травлени  приводит к созданию неровностей (типа апельсиновой корки) . . Кроме того, очень высока  скорос /травлени  (около 800 мкм/мин) не позвол ет контролировать малые тоЯщины удал емых слоев, Цель изобретени  - улучшение ка чества обработки по.верхности и сниж ние скорости травлени  Поставленна  цель достигаетс  тем, что травитель дл  антимонида инди , содержащий концентрировайную плавиковую кислоту и окислитель , дополнительно содержит 7,610 ,4%-ный водный раствор щавелевой кислоты и в качестве окислител  перекись водорода и концентри ровайную серную кислоту при следующем соотношении компрнентов, об.ч.ч Плавикова  кислота Перекись водорода О , ,5 Серна  кислота 2-4 7,6-10,4%-ныЙ водный раствор Ща;велевой кислоты. 0,5-1,5Азотна  кйслоФа  вл етс  сильным окислителем дй  антимонида инди , ее присутствие в травйтеле обусдавлнвает высокую скорость травлени , и образование газообразных продуктов реакции. . S качестве окислител  в травитал ввод т перекись водорода совместно с серной кислотой, что приводит к образованию в растворе перекисного йоединени  Предлагаемое соотуношение объемов , серной кислоты и перекиси водорода (2-4) и (о, 3-1,5) обеспечивает окисление компонентов антимонИда инди  до катионов. При снижении концентрации серной кислоты ниже указанной величины концентраци  H,2SO5 . йедостаточна дл  под держани  необходимого потенциала окислени . При повышении концентраци. серной кислоты в травителе выше 4 об,ч, происходит уменьшение концентрации перекиси водорода, в результа в чего сурьма и, например, мышь к не окисл ютс . Тот же результат получаетс  при снижении концентрации перекиси водорода ниже 0,3 об.ч. Увеличение концентрации перекиси водорода выше 1,5 об.ч. приводит к чрезмерному ув«гличению скорости травлени  и ухуди ению качества поверхности. плавикова  ки слота служит дл  об.разовани  комплексов с ионами5Ъ(9ЬГ4). В предлагаемом травителе концентраци  о иь-ом га а плавиковой кислоты увеличена по. сравнению с известньлм. Ее содержание в пределах 2-4 об.ч. создает необходимую концентрацию ионов F . Увеличение концентрации плавиковой кислоты выше 4 об.ч. приводит к нежелательному снижению концентрации окислител . Щавелева  кислота  вл етс  ког«тлексообразователем дл  ионов1ц . Кроме того, ее присутствие необходимо дл  снижени  скорости травлени . Увеличение ее содержани  выше 1,5 об.ч. приводит к нежелательному уменьшению концентрации окислител . Уменьшение количества щавелевой кислоты ниже 0,5 об.ч. приводит к увеличению скорости травлени  и неполному св зыванию в комплексы ионов 1ь . Указанные предетал концентрации водного раствора щавелевой кислоты (7,6-10,4 вес.%) обеспечивают описанное действие травител  и установлеша в св зи с зависимостью растворитсти кристаллической щавелевой {сйс юты от температуры. Нижний предел - это растворимость щавелевой кислоты при , а верхний - при , Интервал темпр.ратур 17-25°С ЯЕг,Л8етс  наиболее характерным дл  производственных помещений. Колебани  концентрации в указанных пределах не:вли ют на качество поверхности и практически не вли ют на скорость травлени . П р и м е р 1. Дл  приготовлени  травител  использовали стандартные .кислоты: плавиковую ч.д.а.- (гоСТ 10484-бЗ) , перекись водорода х.ч. (гост 109929-64) , серную ч.д.а. чГОСТ 4204-77), щавелевую ч.д.а. (1Ч)СТ: 5873-68) .
Предварительно готовили насыщенный при 20 С водный раствор щавелевой кислоты с концентрацией 8,бвес.% , С помощью мерного цилиндра отмер ли 4 см плавиковой, 1,5 смЗ щавелевой и 4 смЗ серной кислот и 1,5 смЗ перекиси- водорода. Отмеренные объе1«2 смешивали во фторопластовом стакане. Пластину монокристалла, подвергаемого травлению, после взвешивани  с точностью до 0,5 мг на аналитических весах ВЛА-200Г-М обезжиривали и наклеивали на кварцевую пластину с помощью пициина, затем помещали кварцевой пластиной вниз на дно фторопластового стакана. Травление производили в течение 60 мин при вращении. По изменению веса пластины до и после травлени  вычисл ли скорость травлени . При таком составе травител  поверхность монокристалла гладка , блест ща , с величиной микронеровностей менее :t 0,05 мкм, скорость травлени  антимонида инди  9 мкм/мин.
Пример 2. Готовили трави- : . тель, содержащий 3 см плавиковой, 1 смЗ щавелевой и 3 см серной кислот и 1 см перекиси водорода, и проводили травление пластины, как описано в примере 1, После обработки поверхность монокристалла гладка , блест ща , с величиной микронеровностей ниже i 0,05 мкм, а скорость травлени  при таком составе травител  равна 8 мкм/мин.
Пример 3. Готовили травитель ,. содержаь й 2 см плавиковой,: О,5 см щавелевой и 2 см® серной. кислот и 0,3 см перекиси водорода, и проводили травление пластины, как описано в примерда 1. После обработки поверхность монокристашла гладка , блест ща , с величиной микронеровностей ниже ± 0,05 мкм, а скорость травлени  при таком соотношении компонентов равна 3 мкм/мин.
Пример 4. Готовили травитель , содержащий 4 см плавиковой, 1,5 см щавелевой и 4 см кислот и О,3 ск перекиси водорода, и проводили травление пластины,как описано в примере 1. После травлени  поверхность монокристалла гладка , блест ща , с величиной микронеровностей ниже iO,05 мкм, а скорост травлени  при таком соотношении компонентов равна 1 шсм/NEKH. j В р и м е р 5. Готовили трави- тель, содержащий 2 см плавиковой, 6, щавелевой и 2 см серной кислот и 1,5 смЗ перекиси водорода, и проводили травление пластины, как описано в примере 1. После травлени  поверхность «онокристалла ,гладкаи1, блест щем, с величиной микронеровностей ниже t 0,05 мкм, а скорость тралени  при таком соотношении компонентов pciBHa 14 .
i
Результаты исгытаний различных составов приведены в таблице.
как видно из таблицы, предпагае- 60с известным травителем на 1,5-2 покый травитель обеспечивает получениер дкаi
:;ч но1м ЙГн:ГанГтеГн жГо:оГ;;.к снижение СКОРОСТИ хразлени позво
и имеет скорость травлений, равную :л от изготавливать р д .
1-14 MKM/tviHH т.е. меньше по сравнению65бующих при их создании контролируемо
.1059033
ix) удалени  малых толщин, например ччо дает возможность использовать его
дифракционные решетки.-дл  р да целей, например химической
Кроме этогоf предлагаема  трави-.полировки подложек перед эпитаксиальтель В вависимости от состава обеспё-ным вырапдаванием Тлр 1 чивавт .различныеqjcopocTH травлени , 3 мкм/ми и.

Claims (1)

  1. ( ПОЛИРУЮЩИЙ ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, включающий концен трированную плавиковую кислоту и окислитель , отличающийся тем, что, с целью улучшения качества обработки поверхности и снижения скорости травления, он дополнительно содержит 7,6-10,4%-ный водный раствор щавелевой кислоты и в качестве окислителя перекись водорода и концентри-
    рованную серную кислоту при следующем соотношении компонентов , O6.4.S Плавиковая кислота 2-4 Перекись водорода 0,3-1,5 Серная кислота 7,6-10,4%-ный 2-4 водный раствор щавелевой кислоты 0,5-1,5 <© 9
SU823425099A 1982-04-16 1982-04-16 Полирующий травитель дл антимонида инди SU1059033A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823425099A SU1059033A1 (ru) 1982-04-16 1982-04-16 Полирующий травитель дл антимонида инди

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823425099A SU1059033A1 (ru) 1982-04-16 1982-04-16 Полирующий травитель дл антимонида инди

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1059033A1 true SU1059033A1 (ru) 1983-12-07

Family

ID=21007276

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU823425099A SU1059033A1 (ru) 1982-04-16 1982-04-16 Полирующий травитель дл антимонида инди

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1059033A1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7897061B2 (en) * 2006-02-01 2011-03-01 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for CMP of phase change alloys
US8778211B2 (en) 2012-07-17 2014-07-15 Cabot Microelectronics Corporation GST CMP slurries
RU2699347C1 (ru) * 2019-04-17 2019-09-04 Акционерное общество "НПО "Орион" Состав меза-травителя для антимонида индия ориентации (100)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Авторское свидетельство СССР 232003, кл. С 23 F 1/02, 1967. 2. Форст Дж. Травление полупроводников. М., Мир, 1965, с. 214-216 (прототип). 1 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7897061B2 (en) * 2006-02-01 2011-03-01 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for CMP of phase change alloys
US8778211B2 (en) 2012-07-17 2014-07-15 Cabot Microelectronics Corporation GST CMP slurries
RU2699347C1 (ru) * 2019-04-17 2019-09-04 Акционерное общество "НПО "Орион" Состав меза-травителя для антимонида индия ориентации (100)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100248113B1 (ko) 전자 표시 장치 및 기판용 세정 및 식각 조성물
US5496485A (en) Etching compositions
CA1196560A (en) Metal stripping composition and process
DE1298383B (de) Verfahren und Mittel zum chemischen Aufloesen von Kupfer
US4306933A (en) Tin/tin-lead stripping solutions
DE112010003900T5 (de) Lösung zum Ätzen von Silizium und Ätz-Verfahren
KR20110113902A (ko) 박막 트랜지스터 액정표시장치용 식각조성물
SU1059033A1 (ru) Полирующий травитель дл антимонида инди
KR20120124919A (ko) 유리 손상이 없는 구리 / 몰리브데늄막 또는 몰리브데늄 / 구리 / 몰리브데늄 3중 막의 식각 조성물
KR920002710B1 (ko) 화학동도금방법
US6806206B2 (en) Etching method and etching liquid
KR20070005275A (ko) 평판디스플레이 금속 전극용 식각액 조성물
CZ213093A3 (en) Method of pickling titanium products or half-finished products
KR910002955B1 (ko) 지르코늄 금속물품을 에칭하는 방법
DE2752482A1 (de) Aetzmittel zum aetzen von silicium
JPS56138929A (en) Component solution for etching
EP0222400B1 (de) Verfahren zum Schutz von polierten Siliciumoberflächen
EP0681318B1 (de) Verfahren zur Behandlung von Halbleitermaterial mit einer säurehaltigen Flüssigkeit
JPS5462930A (en) Chemical plating pretreatment method
EP0067984B1 (de) Verfahren zum Ätzen von Chrom und Ätzmittelmischungen zur Durchführung des Verfahrens
SU816983A1 (ru) Травильный раствор
JPS6365620B2 (ru)
DE102007061687A1 (de) Verfahren zum Mattierungsätzen von Siliziumsubstraten und Mittel zur Durchführung des Verfahrens
SU566866A1 (ru) Раствор дл травлени алюмини
WO1992019792A1 (de) Ätzlösung