SU1059033A1 - Полирующий травитель дл антимонида инди - Google Patents
Полирующий травитель дл антимонида инди Download PDFInfo
- Publication number
- SU1059033A1 SU1059033A1 SU823425099A SU3425099A SU1059033A1 SU 1059033 A1 SU1059033 A1 SU 1059033A1 SU 823425099 A SU823425099 A SU 823425099A SU 3425099 A SU3425099 A SU 3425099A SU 1059033 A1 SU1059033 A1 SU 1059033A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- acid
- hydrogen peroxide
- etching
- oxidizing agent
- etching rate
- Prior art date
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
ПОЛИРУЮЩИЙ ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ АНТШЮНИДА ИНДИЯ, включающий концентрированную плавиковую кислоту и окислитель , о т л и ч а ю щ и и с тем, что, с целью улучшени качества обработки поверхности и снижени скорости травлени , он дополнительно содержит 7,6-10,4%-ный водный раствор щавелевой кислоты и в качестве окислител перекись водорода и концентрированную серную кислоту при следук цем соотношении компонентов, об.ч.: Плавикова кислота 2-4 Перекись водорода О,3-1,5 Серна кислота 2-4 7,6-10,4%-ный водный раствор щавелевой кислоты 0,5-1,5
Description
сд
;о
о. :А: со Изобретение относитс к полупроводниковой технологии и, в частност может быть использовано при создани полупроводниковых приборов с гомогетероп еходами . Известен травитель дл обработки поверхности полупроводников, в част ности антимонида инди , содержащий винную и плавиковую кислоты и в к чвстве окислител перекись водорода и азотную К11слоту 1 . Недостатками этого травител вл ютс возможность образовани окис ного сло при травлении поверхности из-за того, что скорость окислени может превьп ать скорость растворени продуктов реакции, а также слишком высока скорость травлени , усложн « ца технологию обработки. Наиболее близким к изобретению л етс полирующий травитель дл обр ботки антимонида инди , включающий плавиковую кислоту и окислитель, в качестве которого используетс азот на кислота. Кроме того, травитель содержит, уксусную кислоту при объем ном соотношении компонентов 3:5:3 Щ Недостатком известного травител вл етс обра.зование неровности по«ерхностй после травлени вследстви выделени газообразной закиси азота На месте образовани пузырьков газа травление временно прекращаетс , чт при большой скорости травлени приводит к созданию неровностей (типа апельсиновой корки) . . Кроме того, очень высока скорос /травлени (около 800 мкм/мин) не позвол ет контролировать малые тоЯщины удал емых слоев, Цель изобретени - улучшение ка чества обработки по.верхности и сниж ние скорости травлени Поставленна цель достигаетс тем, что травитель дл антимонида инди , содержащий концентрировайную плавиковую кислоту и окислитель , дополнительно содержит 7,610 ,4%-ный водный раствор щавелевой кислоты и в качестве окислител перекись водорода и концентри ровайную серную кислоту при следующем соотношении компрнентов, об.ч.ч Плавикова кислота Перекись водорода О , ,5 Серна кислота 2-4 7,6-10,4%-ныЙ водный раствор Ща;велевой кислоты. 0,5-1,5Азотна кйслоФа вл етс сильным окислителем дй антимонида инди , ее присутствие в травйтеле обусдавлнвает высокую скорость травлени , и образование газообразных продуктов реакции. . S качестве окислител в травитал ввод т перекись водорода совместно с серной кислотой, что приводит к образованию в растворе перекисного йоединени Предлагаемое соотуношение объемов , серной кислоты и перекиси водорода (2-4) и (о, 3-1,5) обеспечивает окисление компонентов антимонИда инди до катионов. При снижении концентрации серной кислоты ниже указанной величины концентраци H,2SO5 . йедостаточна дл под держани необходимого потенциала окислени . При повышении концентраци. серной кислоты в травителе выше 4 об,ч, происходит уменьшение концентрации перекиси водорода, в результа в чего сурьма и, например, мышь к не окисл ютс . Тот же результат получаетс при снижении концентрации перекиси водорода ниже 0,3 об.ч. Увеличение концентрации перекиси водорода выше 1,5 об.ч. приводит к чрезмерному ув«гличению скорости травлени и ухуди ению качества поверхности. плавикова ки слота служит дл об.разовани комплексов с ионами5Ъ(9ЬГ4). В предлагаемом травителе концентраци о иь-ом га а плавиковой кислоты увеличена по. сравнению с известньлм. Ее содержание в пределах 2-4 об.ч. создает необходимую концентрацию ионов F . Увеличение концентрации плавиковой кислоты выше 4 об.ч. приводит к нежелательному снижению концентрации окислител . Щавелева кислота вл етс ког«тлексообразователем дл ионов1ц . Кроме того, ее присутствие необходимо дл снижени скорости травлени . Увеличение ее содержани выше 1,5 об.ч. приводит к нежелательному уменьшению концентрации окислител . Уменьшение количества щавелевой кислоты ниже 0,5 об.ч. приводит к увеличению скорости травлени и неполному св зыванию в комплексы ионов 1ь . Указанные предетал концентрации водного раствора щавелевой кислоты (7,6-10,4 вес.%) обеспечивают описанное действие травител и установлеша в св зи с зависимостью растворитсти кристаллической щавелевой {сйс юты от температуры. Нижний предел - это растворимость щавелевой кислоты при , а верхний - при , Интервал темпр.ратур 17-25°С ЯЕг,Л8етс наиболее характерным дл производственных помещений. Колебани концентрации в указанных пределах не:вли ют на качество поверхности и практически не вли ют на скорость травлени . П р и м е р 1. Дл приготовлени травител использовали стандартные .кислоты: плавиковую ч.д.а.- (гоСТ 10484-бЗ) , перекись водорода х.ч. (гост 109929-64) , серную ч.д.а. чГОСТ 4204-77), щавелевую ч.д.а. (1Ч)СТ: 5873-68) .
Предварительно готовили насыщенный при 20 С водный раствор щавелевой кислоты с концентрацией 8,бвес.% , С помощью мерного цилиндра отмер ли 4 см плавиковой, 1,5 смЗ щавелевой и 4 смЗ серной кислот и 1,5 смЗ перекиси- водорода. Отмеренные объе1«2 смешивали во фторопластовом стакане. Пластину монокристалла, подвергаемого травлению, после взвешивани с точностью до 0,5 мг на аналитических весах ВЛА-200Г-М обезжиривали и наклеивали на кварцевую пластину с помощью пициина, затем помещали кварцевой пластиной вниз на дно фторопластового стакана. Травление производили в течение 60 мин при вращении. По изменению веса пластины до и после травлени вычисл ли скорость травлени . При таком составе травител поверхность монокристалла гладка , блест ща , с величиной микронеровностей менее :t 0,05 мкм, скорость травлени антимонида инди 9 мкм/мин.
Пример 2. Готовили трави- : . тель, содержащий 3 см плавиковой, 1 смЗ щавелевой и 3 см серной кислот и 1 см перекиси водорода, и проводили травление пластины, как описано в примере 1, После обработки поверхность монокристалла гладка , блест ща , с величиной микронеровностей ниже i 0,05 мкм, а скорость травлени при таком составе травител равна 8 мкм/мин.
Пример 3. Готовили травитель ,. содержаь й 2 см плавиковой,: О,5 см щавелевой и 2 см® серной. кислот и 0,3 см перекиси водорода, и проводили травление пластины, как описано в примерда 1. После обработки поверхность монокристашла гладка , блест ща , с величиной микронеровностей ниже ± 0,05 мкм, а скорость травлени при таком соотношении компонентов равна 3 мкм/мин.
Пример 4. Готовили травитель , содержащий 4 см плавиковой, 1,5 см щавелевой и 4 см кислот и О,3 ск перекиси водорода, и проводили травление пластины,как описано в примере 1. После травлени поверхность монокристалла гладка , блест ща , с величиной микронеровностей ниже iO,05 мкм, а скорост травлени при таком соотношении компонентов равна 1 шсм/NEKH. j В р и м е р 5. Готовили трави- тель, содержащий 2 см плавиковой, 6, щавелевой и 2 см серной кислот и 1,5 смЗ перекиси водорода, и проводили травление пластины, как описано в примере 1. После травлени поверхность «онокристалла ,гладкаи1, блест щем, с величиной микронеровностей ниже t 0,05 мкм, а скорость тралени при таком соотношении компонентов pciBHa 14 .
i
Результаты исгытаний различных составов приведены в таблице.
как видно из таблицы, предпагае- 60с известным травителем на 1,5-2 покый травитель обеспечивает получениер дкаi
:;ч но1м ЙГн:ГанГтеГн жГо:оГ;;.к снижение СКОРОСТИ хразлени позво
и имеет скорость травлений, равную :л от изготавливать р д .
1-14 MKM/tviHH т.е. меньше по сравнению65бующих при их создании контролируемо
.1059033
ix) удалени малых толщин, например ччо дает возможность использовать его
дифракционные решетки.-дл р да целей, например химической
Кроме этогоf предлагаема трави-.полировки подложек перед эпитаксиальтель В вависимости от состава обеспё-ным вырапдаванием Тлр 1 чивавт .различныеqjcopocTH травлени , 3 мкм/ми и.
Claims (1)
- ( ПОЛИРУЮЩИЙ ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, включающий концен трированную плавиковую кислоту и окислитель , отличающийся тем, что, с целью улучшения качества обработки поверхности и снижения скорости травления, он дополнительно содержит 7,6-10,4%-ный водный раствор щавелевой кислоты и в качестве окислителя перекись водорода и концентри-
рованную серную кислоту при следующем соотношении компонентов , O6.4.S Плавиковая кислота 2-4 Перекись водорода 0,3-1,5 Серная кислота 7,6-10,4%-ный 2-4 водный раствор щавелевой кислоты 0,5-1,5 <© 9
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823425099A SU1059033A1 (ru) | 1982-04-16 | 1982-04-16 | Полирующий травитель дл антимонида инди |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823425099A SU1059033A1 (ru) | 1982-04-16 | 1982-04-16 | Полирующий травитель дл антимонида инди |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1059033A1 true SU1059033A1 (ru) | 1983-12-07 |
Family
ID=21007276
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU823425099A SU1059033A1 (ru) | 1982-04-16 | 1982-04-16 | Полирующий травитель дл антимонида инди |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1059033A1 (ru) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7897061B2 (en) * | 2006-02-01 | 2011-03-01 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions and methods for CMP of phase change alloys |
US8778211B2 (en) | 2012-07-17 | 2014-07-15 | Cabot Microelectronics Corporation | GST CMP slurries |
RU2699347C1 (ru) * | 2019-04-17 | 2019-09-04 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Состав меза-травителя для антимонида индия ориентации (100) |
-
1982
- 1982-04-16 SU SU823425099A patent/SU1059033A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Авторское свидетельство СССР 232003, кл. С 23 F 1/02, 1967. 2. Форст Дж. Травление полупроводников. М., Мир, 1965, с. 214-216 (прототип). 1 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7897061B2 (en) * | 2006-02-01 | 2011-03-01 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions and methods for CMP of phase change alloys |
US8778211B2 (en) | 2012-07-17 | 2014-07-15 | Cabot Microelectronics Corporation | GST CMP slurries |
RU2699347C1 (ru) * | 2019-04-17 | 2019-09-04 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Состав меза-травителя для антимонида индия ориентации (100) |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100248113B1 (ko) | 전자 표시 장치 및 기판용 세정 및 식각 조성물 | |
US5496485A (en) | Etching compositions | |
CA1196560A (en) | Metal stripping composition and process | |
DE1298383B (de) | Verfahren und Mittel zum chemischen Aufloesen von Kupfer | |
US4306933A (en) | Tin/tin-lead stripping solutions | |
DE112010003900T5 (de) | Lösung zum Ätzen von Silizium und Ätz-Verfahren | |
KR20110113902A (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치용 식각조성물 | |
SU1059033A1 (ru) | Полирующий травитель дл антимонида инди | |
KR20120124919A (ko) | 유리 손상이 없는 구리 / 몰리브데늄막 또는 몰리브데늄 / 구리 / 몰리브데늄 3중 막의 식각 조성물 | |
KR920002710B1 (ko) | 화학동도금방법 | |
US6806206B2 (en) | Etching method and etching liquid | |
KR20070005275A (ko) | 평판디스플레이 금속 전극용 식각액 조성물 | |
CZ213093A3 (en) | Method of pickling titanium products or half-finished products | |
KR910002955B1 (ko) | 지르코늄 금속물품을 에칭하는 방법 | |
DE2752482A1 (de) | Aetzmittel zum aetzen von silicium | |
JPS56138929A (en) | Component solution for etching | |
EP0222400B1 (de) | Verfahren zum Schutz von polierten Siliciumoberflächen | |
EP0681318B1 (de) | Verfahren zur Behandlung von Halbleitermaterial mit einer säurehaltigen Flüssigkeit | |
JPS5462930A (en) | Chemical plating pretreatment method | |
EP0067984B1 (de) | Verfahren zum Ätzen von Chrom und Ätzmittelmischungen zur Durchführung des Verfahrens | |
SU816983A1 (ru) | Травильный раствор | |
JPS6365620B2 (ru) | ||
DE102007061687A1 (de) | Verfahren zum Mattierungsätzen von Siliziumsubstraten und Mittel zur Durchführung des Verfahrens | |
SU566866A1 (ru) | Раствор дл травлени алюмини | |
WO1992019792A1 (de) | Ätzlösung |