SU639358A1 - Способ получени р-п структур - Google Patents

Description

(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ р-л СТРУКТУР

1

Изобретение относитс  к полупроводниковой технологии и может быть использовано в полупроводниковой электронике при изготовлении приборов с р-«-переходом.

Известен способ получени  р-л-перехода в арсениде галли  и его твердых растворах путем изменени  температуры соответственно выше или ниже точки инверсии амфотерной примеси.

Однако этот способ не пригоден дл  получени  многослойных переходов с толстой площадью р-п-персхода; кроме того невозможно сохранить толщину перекристаллизуемой области, неизменной при значительной глубине перекристаллизации.

Известен способ получени  р-л-структур жидкостной эпитаксией при переходе через критическую температуру, а именно точку инверсии амфотерной примеси.

Однако при использовании этого способа с понижением температуры измен ютс  коэффициенты согрегации примесей, что затрудн ет получение структур с контролируемым распределением примесей (и состава твердого раствора) по толщине. Кроме того, этот метод не дает возможности получени  многослойных р-п-р-«-переходов в едином процессе.

Цель изобретени  - получение многослойных р-п-р-п-структур с контролируемым распределением примеси по толщиIie .

Дл  этого по предлагаемому способу выращивание осуществл ют перекристаллизацией в посто нном градиенте температур, а среднюю температуру расплава периодически измен ют соответственно выще и ниже

точки инверсии амфотерной примеси.

Сущность способа получени  эпптаксиальных р- -структур по сн етс  на примере выращивани  р-«-структуры на основе AL-Gai-xAs.

Готов т поликристаллическую таблицу состава AlxGai.xAs () с определенной концентрацией кремни . На подложку из арсенида галли  нанос т слой растворител , например галли , на который накладывают таблетку Al.. Пакет помещают в реакционную зону с вертикальным температурным градиентом. После вывода установки на режим при посто нной средней температуре выще инверсии за счет

градиента температур происходит зонна  перекристаллизаци  поликристаллической таблетки AlxGai-.vAs в монокристаллический слой ALx-Gai-.x-As «-типа проводимости.

Мосле выращивани  сло  «-типа необходимой толщины температуру снижают и далее выращивание р-сло  осуществл ют также за счет градиента температуры при средней температуре ниже точки инверсии. При выращивании многослойных р-п-р- «-структур дл  получени  последующего сло  л-типа проводимости среднюю температуру вновь увеличивают выше температуры инверсии, после выдержки в течение времени, необходимого дл  образовани  сло  л-типа заданной толщины, среднюю температуру снижают ниже температуры инверсии и выращивают эпитаксиальный слой р-типа.

4 Ф о р м у Л а изобретени 

Способ получени  р-л-структур жидкостной эпитаксией при переходе через критическую температуру, а именно точку инверсии амфотерной примеси, отличающийс  тем, что, с целью получени  многослойных р-п-р-л-структур с контролируемым распределением примеси по толщине , выращивание осуществл ют перекристаллизацией в посто нном градиенте температур , а среднюю температуру расплава периодически измен ют соответственно выше и ниже точки инверсии амфотерной примеси .