JPS6129122A - ＧａＡｓ液相エピタキシヤル成長法 - Google Patents

ＧａＡｓ液相エピタキシヤル成長法

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JPS6129122A
JPS6129122A JP14986884A JP14986884A JPS6129122A JP S6129122 A JPS6129122 A JP S6129122A JP 14986884 A JP14986884 A JP 14986884A JP 14986884 A JP14986884 A JP 14986884A JP S6129122 A JPS6129122 A JP S6129122A
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JP
Japan
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gaas
substrate
epitaxial growth
liquid phase
phase epitaxial
Prior art date
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Pending
Application number
JP14986884A
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English (en)
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Shoji Kuma
隈　彰二
Kazuhiro Kurata
倉田　一宏
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Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Publication date
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    • H01L21/02367—Substrates
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    • H01L21/02387—Group 13/15 materials
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ＧａＡＳ基板上へのＱａ　Ａｓ層の液相エピ
タキシャル成長法に関するものである。
［従来の技術］ ■−ｖ族化合物は、低融点の■族元素と蒸気圧の高いＶ
族元素の化合物であるため、Ｖ族元素が化合物表面から
抜けやすいものである。
従来、Ｇａ　ＡＳ基板上へのＧａ　Ａｓの液相エピタキ
シャル成長は、一般にＱａ　ＡＳを溶解したＧａ融液を
Ｑａ　Ａｓ基板に接触させてＧａ　ＡＳエピタキシャル
成長層を得ていた。
［発明が解決しようとする問題点］ □″上記した従来の方法では、Ｇａ融液を用いているた
め、どうしてもＧａリッチになり、点欠陥等の存在する
Ｑａ　ＡＳエピタキシャル成長層になる傾向があった。
［問題点を解決するための手段］ ゛本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑み、′Ｇａ
ＡＳ基板上にほぼ゛ストイキオメトリに合ったＧａ′Ａ
Ｓ層を成長させることができる液相エピタキシャル成長
法を提供することを目的とし、その目的を達成するため
に少なくともＧａＡｓまたはＧａの一方および少な（と
もＩｎＡＳまたはＡｓの一方を溶解させたＩｎ融液をＧ
ａＡＳ基板に接触させてＧａＡ３層を成長させることを
特徴とするものである。
［作用］ 本発明による作用を以下に説明する。
Ｉｎ融液に少なくともＱａまたはＱａ　ＡＳの一方、お
よび少なくともＩｎＡｓまたはＡｓの一方を溶解させＱ
ａ　Ａｓ基板と接触させる。温度を少しずつ下げていく
と、ＩｎＡＳよりも高融点のＧａＡＳがＧａ　Ａｓ基板
上に成長し始める。
（３ａはＩｎに比較して化学的活性が強いため、１ｎＡ
ｓからＡｓを奪うことが可能である。
成長終了後、Ｉｎ融液を除去すればＧａ　ＡＳ　Ｍ板上
にはＧａリッチになることなくストイキオメトリにほぼ
合った（３ａＡｓ層が形成されることになる。
［実施例Ｊ 第１図に本発明の一実施例を示す。
Ｉｎ融液２にＧａ　Ａｓ　３の小片およびＡＳを補うた
めのＩｎＡＳ４の小片が溶解させられる。
そのＩｎ融液２を基板ホルダー５に保持させたＱａ　Ａ
ｓ基板１と接触させる。
その後温度を少しずつ下げていくとＧａ　Ａｓ層がＧａ
　Ａｓ基板１上に成長する。
設定時間後Ｉｎ融液２を除去するとＧａリッチによる欠
陥が生ずることなくしかも半絶縁性を有するきわめて良
好なＧａ　ＡＳエピタキシャル成長層を得ることができ
た。
また、Ｇａ　ＡＳ　３の代わりに（３ａを用いてもよく
、その場合［ｎ融液に加えるＩｎＡＳ４またはＡＳの量
を多くし、できるだけＡＳリッチになるようにする。
Ｕ発明の効果］ 以上に説明した通り、本発明によれば、少なくともＱａ
　ＡｓまたはＱａの一方および少なくともＩｎＡＳまた
はＡｓの一方を溶解させたＩｎ融液をＧａ　Ａｓ基板に
接触させることにより、半絶縁性でＧａリッチによる欠
陥を生ずることなくほぼストイキオメトリに合ったＧａ
ＡＳエピタキシャル成長層を得ることができるという顕
著な効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す説明図である。。 ｔ：ＧａＡｓ基板、２：Ｉｎ融液、３　：　Ｇａ　ＡＳ
、４：ＩｎＡＳ、５；基板ホルダー。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）少なくともＧａＡｓまたはＧａの一方および少な
    くともＡｓまたはＩｎＡｓの一方を溶解させたＩｎ融液
    をＧａＡｓ基板に接触させてＧａＡｓ層を成長させるこ
    とを特徴とするＧａＡｓ液相エピタキシャル成長法。
JP14986884A 1984-07-18 1984-07-18 ＧａＡｓ液相エピタキシヤル成長法 Pending JPS6129122A (ja)

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JPS6129122A true JPS6129122A (ja) 1986-02-10

Family

ID=15484406

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JP14986884A Pending JPS6129122A (ja) 1984-07-18 1984-07-18 ＧａＡｓ液相エピタキシヤル成長法

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