JPH0247435B2 - Gaasekisoepitakisharuseichoho - Google Patents

Gaasekisoepitakisharuseichoho

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JPH0247435B2
JPH0247435B2 JP14986684A JP14986684A JPH0247435B2 JP H0247435 B2 JPH0247435 B2 JP H0247435B2 JP 14986684 A JP14986684 A JP 14986684A JP 14986684 A JP14986684 A JP 14986684A JP H0247435 B2 JPH0247435 B2 JP H0247435B2
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JP
Japan
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gaas
melt
layer
substrate
epitaxial growth
Prior art date
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JP14986684A
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JPS6131390A (ja
Inventor
Shoji Kuma
Kazuhiro Kurata
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Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、GaAs基板上へのGaAs層の液相エ
ピタキシヤル成長法に関するものである。
［従来の技術］ −族化合物は、低融点の族元素と蒸気圧
の高い族元素の化合物であるため、族元素が
化合物表面から抜けやすいものである。
従来、GaAs基板上へのGaAsの液相エピタキ
シヤル成長は、一般にGaAsを溶解したGa融液を
GaAs基板に接触させてGaAsエピタキシヤル成
長層を得ていた。
［発明が解決しようとする問題点］ 上記した従来の方法では、Ga融液を用いてい
るため、どうしてもGaリツチになり、点欠陥等
の存在するGaAsエピタキシヤル成長層になる傾
向があつた。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑み、
GaAs基板上にほぼストイキオメトリに合つた
GaAs層を成長させることができる液相エピタキ
シヤル成長法を提供することを目的とし、その目
的を達成するために少なくともGaAsまたはGaの
一方およびAsを溶解させたPb融液をGaAs層を
成長させることを特徴とするものである。
［作用］ 本発明による作用を以下に説明する。
Pb融液に少なくともGaまたはGaAsの一方、
およびAsを溶解させGaAs基板と接触させる。
Pbは融液が約327℃と低融点でかつAsに対して全
率固溶であるため、温度を少しずつ下げていく
と、GaAsがGaAs基板上に成長し始める。
成長終了後、Pb融液を除去すればGaAs基板上
にはGaリツチになることなくストイキオメトリ
にほぼ合つたGaAs層が形成されることになる。
［実施例］ 第１図に本発明の一実施例を示す。
Pb融液２にGaAs３の小片およびAs４が溶解
させられる。
そのPb融液２を基板ホルダー５に保持させた
GaAs基板１と接触させる。
その後温度を少しずつ下げていくとGaAs層が
GaAs基板１上に成長する。
設定時間後Pb融液２を除去するとGaリツチに
よる欠陥が生ずることなくしかも半絶縁性を有す
るきわめて良好なGaAsエピタキシヤル成長層を
得ることができた。
また、GaAs３の代わりにGaを用いてもよく、
その場合Pb融液に加えるAs４の量を多くし、で
きるだけAsリツチになるようにする。
また、As４の代わりにInAsを用いても同様の
効果が得られるものである。
［発明の効果］ 以上に説明した通り、本発明によれば、少なく
ともGaAsまたはGaの一方およびAsを溶解させ
たPb融液をGaAs基板に接触させることにより、
半絶縁性でGaリツチによる欠陥を生ずることな
くほぼストイキオメトリに合つたGaAsエピタキ
シヤル成長層を得ることができるという顕著な効
果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す説明図であ
る。 １；GaAs基板、２；Pb融液、３；GaAs、
４；As、５；基板ホルダー。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 少なくともGaAsまたはGaの一方およびAs
    を溶解させたPb融液をGaAs基板に接触させて
    GaAs層を成長させることを特徴とするGaAs液
    相エピタキシヤル成長法。
JP14986684A 1984-07-18 1984-07-18 Gaasekisoepitakisharuseichoho Expired - Lifetime JPH0247435B2 (ja)

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JPS6131390A JPS6131390A (ja) 1986-02-13
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