JPS5920639B2 - 液相エピタキシヤル成長方法 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長方法Info
- Publication number
- JPS5920639B2 JPS5920639B2 JP8819080A JP8819080A JPS5920639B2 JP S5920639 B2 JPS5920639 B2 JP S5920639B2 JP 8819080 A JP8819080 A JP 8819080A JP 8819080 A JP8819080 A JP 8819080A JP S5920639 B2 JPS5920639 B2 JP S5920639B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epitaxial growth
- liquid phase
- phase epitaxial
- growth
- container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液相エピタキシャル成長方法に関する。
従来採用されているスライドボード方式の液相エピタキ
シャル成長方法では、成長用溶液と基板とを別々の位置
にセットしなければならなかつたため、下治具表面積の
半分以下しか有効成長面積が得られず、広い床面積が必
要であり、量産的でなかつた。本発明は、斯かる状況に
鑑み、下治具表面積のほとんどを有効成長面積として利
用できる量産的な液相エピタキシャル成長方法を提供す
ることを目的とする。
シャル成長方法では、成長用溶液と基板とを別々の位置
にセットしなければならなかつたため、下治具表面積の
半分以下しか有効成長面積が得られず、広い床面積が必
要であり、量産的でなかつた。本発明は、斯かる状況に
鑑み、下治具表面積のほとんどを有効成長面積として利
用できる量産的な液相エピタキシャル成長方法を提供す
ることを目的とする。
本発明の構成を、一実施例を示す図面を参照して具体的
に説明する。
に説明する。
第１図に示すように、グラファイト製の下治具１にＧａ
Ａｓ等の半導体基板２を置き、上治具３の内側にカップ
状で一部に孔４のあいた容器５を置く。
Ａｓ等の半導体基板２を置き、上治具３の内側にカップ
状で一部に孔４のあいた容器５を置く。
容器５の孔４は基板２には接しない位置に設けられてい
る。成長用溶液６を容器５に入れるが、即座には成長用
溶液６が基板２に接触しないようにする。
る。成長用溶液６を容器５に入れるが、即座には成長用
溶液６が基板２に接触しないようにする。
これを水素ガスをパージしながら昇温して成長開始温度
とし、成長用溶液６が飽和濃度に達し基板表面温度が安
定した（ＧａＡｓ基板では８００℃程度）後、第２図に
示すように容器５を静かに上方向に動かし、成長用溶液
６と基板２を接触させる。容器５内部で結晶化しないよ
うに上治具３は下治具１より温度が低くならないように
する。
とし、成長用溶液６が飽和濃度に達し基板表面温度が安
定した（ＧａＡｓ基板では８００℃程度）後、第２図に
示すように容器５を静かに上方向に動かし、成長用溶液
６と基板２を接触させる。容器５内部で結晶化しないよ
うに上治具３は下治具１より温度が低くならないように
する。
第２図のような状態で徐冷降温し、基板上にエピタキシ
ャル成長層を得る。この発明は、通常行なわれているす
べての液相エピタキシャル装置へ応用可能である。
ャル成長層を得る。この発明は、通常行なわれているす
べての液相エピタキシャル装置へ応用可能である。
また、単一組成のエピタキシャル成長のみでなフ く、
成長途中で、溶液を容器中に回収しドーパント等を再添
加することにより、多段エピタキシャル成長も可能であ
る。
成長途中で、溶液を容器中に回収しドーパント等を再添
加することにより、多段エピタキシャル成長も可能であ
る。
本発明の成長方法であれば、従来のスライドボート方式
と異なり、基板上方に成長用溶液を位置５ させること
ができるため、従来に比較して約半分の床面積で足り、
同一床面積に対しては約２倍の面積のエピタキシャル成
長が可能となるので極めて量産的であり工業的価値は大
きい。
と異なり、基板上方に成長用溶液を位置５ させること
ができるため、従来に比較して約半分の床面積で足り、
同一床面積に対しては約２倍の面積のエピタキシャル成
長が可能となるので極めて量産的であり工業的価値は大
きい。
第１図及び第２図はともに本発明の一実施例を示す説明
図であり、第１図は一実施例における前工程を、第２図
は後工程を示すものである。 １：液相エピタキシヤル装置の下治具、２：基板、３：
液相エビタキシヤル装置の上治具、４：孔、５：容器、
６：成長用溶液。
図であり、第１図は一実施例における前工程を、第２図
は後工程を示すものである。 １：液相エピタキシヤル装置の下治具、２：基板、３：
液相エビタキシヤル装置の上治具、４：孔、５：容器、
６：成長用溶液。
Claims (1)
- １ 半導体基板を置いた下治具と下治具の上に設けられ
た上治具に囲まれた空間に成長用溶液を配置し、半導体
基板上にエピタキシャル成長を行なぅ液相エピタキシャ
ル成長方法において、前記上治具３の内側に孔あき容器
５を孔４が半導体基板２に接触しないように設け、該容
器５内に成長用溶液６を入れ、エピタキシャル成長開始
温度に昇温して基板表面温度を安定させた後、容器５を
上方へ移動し、成長用溶液６を半導体基板２に接触させ
、徐冷降温することを特徴とする液相エピタキシャル成
長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8819080A JPS5920639B2 (ja) | 1980-06-27 | 1980-06-27 | 液相エピタキシヤル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8819080A JPS5920639B2 (ja) | 1980-06-27 | 1980-06-27 | 液相エピタキシヤル成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5711898A JPS5711898A (en) | 1982-01-21 |
| JPS5920639B2 true JPS5920639B2 (ja) | 1984-05-14 |
Family
ID=13935976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8819080A Expired JPS5920639B2 (ja) | 1980-06-27 | 1980-06-27 | 液相エピタキシヤル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5920639B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6172862U (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-17 | ||
| JPH054309Y2 (ja) * | 1984-07-26 | 1993-02-02 |
-
1980
- 1980-06-27 JP JP8819080A patent/JPS5920639B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH054309Y2 (ja) * | 1984-07-26 | 1993-02-02 | ||
| JPS6172862U (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-17 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5711898A (en) | 1982-01-21 |
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