JPS6136395B2 - - Google Patents
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- JPS6136395B2 JPS6136395B2 JP12003677A JP12003677A JPS6136395B2 JP S6136395 B2 JPS6136395 B2 JP S6136395B2 JP 12003677 A JP12003677 A JP 12003677A JP 12003677 A JP12003677 A JP 12003677A JP S6136395 B2 JPS6136395 B2 JP S6136395B2
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- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 64
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 13
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 12
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 19
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は化合物半導体発光素子の製造方法に係
り、特にリン化ガリウム（GaP）緑色発光素子の
製造方法に関する。
り、特にリン化ガリウム（GaP）緑色発光素子の
製造方法に関する。
化合物半導体発光素子のうちGaP結晶を用いた
発光素子は、赤色発光から緑色発光まで任意の発
光色を得ることができるという利点を有してい
る。そしてこのうちのGaP緑色発光素子の多く
は、発光中心不純物として窒素（Ｎ）原子が添加
されているが、純緑色GaP発光素子は故意に発光
中心不純物を添加していない。この場合にはｐ型
GaP層からｎ型GaP層へのホールの注入
（injection）による発光が主である。
発光素子は、赤色発光から緑色発光まで任意の発
光色を得ることができるという利点を有してい
る。そしてこのうちのGaP緑色発光素子の多く
は、発光中心不純物として窒素（Ｎ）原子が添加
されているが、純緑色GaP発光素子は故意に発光
中心不純物を添加していない。この場合にはｐ型
GaP層からｎ型GaP層へのホールの注入
（injection）による発光が主である。
ところで前者の発光中心不純物となるＮ原子を
添加したGaP緑色発光素子は、次のようにして得
られる。即ちｎ型GaP基板上にＮ原子を添加した
ｎ型GaP層を液相エピタキシヤル成長法により形
成し、このｎ型GaP層上に拡散或いは液相エピタ
キシヤル成長を行つてｐ型GaP層を形成してｐ―
ｎ接合を形成する方法である。なおｎ型GaP層を
形成する液相エピタキシヤル成長法の多くは、ボ
ート傾斜法、スライド法或いは溶液落下法により
行われ、いずれもｎ型GaP基板にTe，Ｎ及び飽
和状態に添加されたGaPを含むGaP溶液を接触さ
せて行われる。このようにして成長されるｎ型
GaP層のドナー濃度は、成長方向に対して増加す
る方向にあり、逆に発光中心となるＮ原子は成長
方向に対して減少する方向にあることが本発明者
等の実験によつてわかつている。この理由として
は、通常ｎ型GaP層のドナー不純物の偏析係数が
１より小であることに帰因して成長方向に増加
し、Ｎ原子はドナー濃度が増加するにつれて入り
にくくなるために減少すると推定される。このよ
うにｎ型GaP層のドナー濃度が成長方向に対して
増加し、Ｎ原子濃度が成長方向に対して減少する
と、当然ながらｐ―ｎ接合付近のｎ型GaP層のド
ナー濃度が高くなつてｐ型GaP層からのホールの
注入（injection）が少くなり、またｐ―ｎ接合付
近のｎ型GaP層のＮ原子濃度が少なくなり、発光
効率が低くなる。したがつて、発光効率が高くす
るためには、ｐ―ｎ接合付近のドナー濃度を下げ
且つその部分でのＮ原子濃度を高くすることが要
求される。
添加したGaP緑色発光素子は、次のようにして得
られる。即ちｎ型GaP基板上にＮ原子を添加した
ｎ型GaP層を液相エピタキシヤル成長法により形
成し、このｎ型GaP層上に拡散或いは液相エピタ
キシヤル成長を行つてｐ型GaP層を形成してｐ―
ｎ接合を形成する方法である。なおｎ型GaP層を
形成する液相エピタキシヤル成長法の多くは、ボ
ート傾斜法、スライド法或いは溶液落下法により
行われ、いずれもｎ型GaP基板にTe，Ｎ及び飽
和状態に添加されたGaPを含むGaP溶液を接触さ
せて行われる。このようにして成長されるｎ型
GaP層のドナー濃度は、成長方向に対して増加す
る方向にあり、逆に発光中心となるＮ原子は成長
方向に対して減少する方向にあることが本発明者
等の実験によつてわかつている。この理由として
は、通常ｎ型GaP層のドナー不純物の偏析係数が
１より小であることに帰因して成長方向に増加
し、Ｎ原子はドナー濃度が増加するにつれて入り
にくくなるために減少すると推定される。このよ
うにｎ型GaP層のドナー濃度が成長方向に対して
増加し、Ｎ原子濃度が成長方向に対して減少する
と、当然ながらｐ―ｎ接合付近のｎ型GaP層のド
ナー濃度が高くなつてｐ型GaP層からのホールの
注入（injection）が少くなり、またｐ―ｎ接合付
近のｎ型GaP層のＮ原子濃度が少なくなり、発光
効率が低くなる。したがつて、発光効率が高くす
るためには、ｐ―ｎ接合付近のドナー濃度を下げ
且つその部分でのＮ原子濃度を高くすることが要
求される。
そこで本発明は上記要求に対し検討されたもの
で、ｎ型GaP基板上にｎ型GaP層を液相エピタキ
シヤル成長によつて形成する際、液相エピタキシ
ヤル成長工程を工夫し、ｎ型GaP層のドナー濃度
を今迄と逆に成長方向に対して減少するようにそ
れも階段状に減少するようにし、発光中心となる
不純物（窒素）を成長方向に対して増加するよう
に、それもｐ―ｎ接合付近で増大するようにし
て、発光効率を向上せしめたGaP緑色発光素子の
製造方法を提供するものである。
で、ｎ型GaP基板上にｎ型GaP層を液相エピタキ
シヤル成長によつて形成する際、液相エピタキシ
ヤル成長工程を工夫し、ｎ型GaP層のドナー濃度
を今迄と逆に成長方向に対して減少するようにそ
れも階段状に減少するようにし、発光中心となる
不純物（窒素）を成長方向に対して増加するよう
に、それもｐ―ｎ接合付近で増大するようにし
て、発光効率を向上せしめたGaP緑色発光素子の
製造方法を提供するものである。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明す
る。
る。
まず第１図に示すような液相エピタキシヤル成
長装置を用いて、ｎ型GaP基板上にｎ型GaP層を
形成し、次にこのｎ型GaP層上にｐ型GaP層を形
成してｐ―ｎ接合を形成しGaP緑色発光素子を得
る。このようにして得られたGaP緑色発光素子の
発光効率は、約0.23％という高い値である。以下
この実施例の方法を具体的に説明する。まず第１
図に示す成長装置は、石英製の反応炉１１内に石
英製の成長用ボート１２が配置され、反応炉１１
の外側に２つの加熱装置１３ａ，１３ｂが設けら
れたもので、石英製の成長用ボート１２はGa融
液１６を収容し且つ不純物をドープするための小
孔１７を有する石英製の融液収容ボード１８と、
このボード１８の底部を実質的に構成し且つｎ型
GaP基板１４を収容する凹部１４ａを有するスラ
イド可能な石英製スライダー１５とで構成されて
おり、ｎ型GaP基板１４上及びGa融液１６上に
は例えば石英からなる蓋１４ｂ，１６ｂが設けら
れている。そしてこの成長用ボート１２と少し離
れた部分に例えば亜鉛（Zn）からなる不純物蒸
発源１９が備えられている。また反応炉１１の両
側には、ガスを供給するための開口１１ａ，１１
a′と、ガスを排出するための開口１１ｂが設けら
れている。このような成長装置で、ｎ型GaP基板
上にｎ型GaP層及びｐ型GaP層を形成する場合、
第２図ａ，ｂ，ｃのように成長用ボート１２を駆
動して行う。まず第２図ａに示すように石英から
なるスライダー２５の凹部２４ａに硫黄（Ｓ）ド
ープのｎ型GaP基板２４を設置し、融液収容ボー
ト２８の融液収容溜にGaPを５ｇ収容し、ガス供
給口１１a′からH2ガスを流入しながら加熱装置を
動作させ成長用ボート１２を1010℃まで上昇せし
める。このように1010℃に達してから15分後、ス
ライダー２５を可動せしめ、第２図ｂに示すよう
にGaP基板２４とGa融液２６を接触させ、直ち
に第２図ｃのようにGaP基板２４上にGa融液２
６の一部を載せたまま多数の小孔２７を有する部
分まで移動せしめる。この時GaP基板２４上の
Ga融液２６の厚さが例えば1.5mmとなるように前
記スライダー２５の凹部２４ａの深さを設置して
おく。この状態で例えば10分間保持して上記Ga
融液２６にGaP基板２４の表面を溶し込み、この
後一定の冷却速度例えば1.5℃／分で所定の温度
例えば960℃まで冷却する。そして960℃に達した
ら所定の時間例えば60分間温度を一定に保ち、保
持開始と同時にガス給供口１１ａからアンモニア
（NH3）を含むH2ガスを流入する。このようにする
と流入されたアンモニアは多数の小孔２７を介し
てGaP結晶上のGa融液と反応し、高濃度のＮが
Ga融液に添加される。60分経過後、溶液を再び
例えば1.5℃／分の冷却速度で900℃まで冷却せし
め、途中（アンモニア添加時）から急激に高濃度
の窒素原子を含むｎ型GaP層を成長させる。そし
て900℃に達したら、所定の時間例えば30分間温
度を一定に保ち、保持開始と同時に、第１図に示
す例えばZnからなる不純物蒸発源１９の加熱装
置１３ｂを動作させ例えば560℃まで昇温せしめ
その温度で保温する。このようにするとZnが蒸
発し、第１図に示すガス供給口１１ａからの例え
ばH2ガスと共に多数の小孔２７を介してｎ型GaP
層が成長したｎ型GaP基板上のGa融液に送り込
む。その後Ga融液を再び例えば1.5℃／分の冷却
速度で800℃まで冷却せしめ、ｎ型GaP層上にｐ
型GaP層を成長させ、後は加熱装置１３ａ及び１
３ｂの電源（図示しない）を切り、自然冷却させ
る。ところで以上の成長用ボート１２及び不純物
蒸発源１９の温度プログラムは、上述した点から
も明らかであるが、図示すると第３図ａ，ｂに示
すような分布である。
長装置を用いて、ｎ型GaP基板上にｎ型GaP層を
形成し、次にこのｎ型GaP層上にｐ型GaP層を形
成してｐ―ｎ接合を形成しGaP緑色発光素子を得
る。このようにして得られたGaP緑色発光素子の
発光効率は、約0.23％という高い値である。以下
この実施例の方法を具体的に説明する。まず第１
図に示す成長装置は、石英製の反応炉１１内に石
英製の成長用ボート１２が配置され、反応炉１１
の外側に２つの加熱装置１３ａ，１３ｂが設けら
れたもので、石英製の成長用ボート１２はGa融
液１６を収容し且つ不純物をドープするための小
孔１７を有する石英製の融液収容ボード１８と、
このボード１８の底部を実質的に構成し且つｎ型
GaP基板１４を収容する凹部１４ａを有するスラ
イド可能な石英製スライダー１５とで構成されて
おり、ｎ型GaP基板１４上及びGa融液１６上に
は例えば石英からなる蓋１４ｂ，１６ｂが設けら
れている。そしてこの成長用ボート１２と少し離
れた部分に例えば亜鉛（Zn）からなる不純物蒸
発源１９が備えられている。また反応炉１１の両
側には、ガスを供給するための開口１１ａ，１１
a′と、ガスを排出するための開口１１ｂが設けら
れている。このような成長装置で、ｎ型GaP基板
上にｎ型GaP層及びｐ型GaP層を形成する場合、
第２図ａ，ｂ，ｃのように成長用ボート１２を駆
動して行う。まず第２図ａに示すように石英から
なるスライダー２５の凹部２４ａに硫黄（Ｓ）ド
ープのｎ型GaP基板２４を設置し、融液収容ボー
ト２８の融液収容溜にGaPを５ｇ収容し、ガス供
給口１１a′からH2ガスを流入しながら加熱装置を
動作させ成長用ボート１２を1010℃まで上昇せし
める。このように1010℃に達してから15分後、ス
ライダー２５を可動せしめ、第２図ｂに示すよう
にGaP基板２４とGa融液２６を接触させ、直ち
に第２図ｃのようにGaP基板２４上にGa融液２
６の一部を載せたまま多数の小孔２７を有する部
分まで移動せしめる。この時GaP基板２４上の
Ga融液２６の厚さが例えば1.5mmとなるように前
記スライダー２５の凹部２４ａの深さを設置して
おく。この状態で例えば10分間保持して上記Ga
融液２６にGaP基板２４の表面を溶し込み、この
後一定の冷却速度例えば1.5℃／分で所定の温度
例えば960℃まで冷却する。そして960℃に達した
ら所定の時間例えば60分間温度を一定に保ち、保
持開始と同時にガス給供口１１ａからアンモニア
（NH3）を含むH2ガスを流入する。このようにする
と流入されたアンモニアは多数の小孔２７を介し
てGaP結晶上のGa融液と反応し、高濃度のＮが
Ga融液に添加される。60分経過後、溶液を再び
例えば1.5℃／分の冷却速度で900℃まで冷却せし
め、途中（アンモニア添加時）から急激に高濃度
の窒素原子を含むｎ型GaP層を成長させる。そし
て900℃に達したら、所定の時間例えば30分間温
度を一定に保ち、保持開始と同時に、第１図に示
す例えばZnからなる不純物蒸発源１９の加熱装
置１３ｂを動作させ例えば560℃まで昇温せしめ
その温度で保温する。このようにするとZnが蒸
発し、第１図に示すガス供給口１１ａからの例え
ばH2ガスと共に多数の小孔２７を介してｎ型GaP
層が成長したｎ型GaP基板上のGa融液に送り込
む。その後Ga融液を再び例えば1.5℃／分の冷却
速度で800℃まで冷却せしめ、ｎ型GaP層上にｐ
型GaP層を成長させ、後は加熱装置１３ａ及び１
３ｂの電源（図示しない）を切り、自然冷却させ
る。ところで以上の成長用ボート１２及び不純物
蒸発源１９の温度プログラムは、上述した点から
も明らかであるが、図示すると第３図ａ，ｂに示
すような分布である。
このようにして得られたｎ型GaP基板上のｎ型
GaP層のドナー濃度の分布は、第４図の実線で示
すように成長方向に対して階段状に減少するよう
になつた。これはｎ型GnP層を液相エピタキシヤ
ル成長により形成する時、前半を水素雰囲気下、
後半をアンモニアを含む水素雰囲気下で行うため
と推定される。即ち石英製の成長用ボート及び石
英製反応管表面が水素で還元される為、Ga融液
に高濃度のSiが混入することが考えられ、アンモ
ニアを含む水素雰囲気に切換えるまでに成長する
GaP層に高濃度のSiが添加される。しかも成長用
ボートを石英で構成しているため、カーボンで構
成しているより他の不純物の混入が少なく、且つ
前半を水素雰囲気下で行つている為に、成長ボー
ト等に吸着している例えばSO2が水素の還元作用
により排気される。したがつてアンモニアを含む
水素雰囲気に切換るまでに成長するGaP層のドナ
ー不純物は上述したように主としてSiで構成され
るようになる。一方後半の成長はアンモニアを含
む水素雰囲気下で行われる為、Ga融液に多量の
窒素が添加され、その一部がGa融液中に溶け込
んでいるSiと安定な化合物を作り、Ga融液中の
Siが減少してしまい、Ga融液のドナー不純物と
して基板結晶の硫黄が主となり、この為後半で成
長するGaP層のドナー濃度が低くなると考えられ
る。
GaP層のドナー濃度の分布は、第４図の実線で示
すように成長方向に対して階段状に減少するよう
になつた。これはｎ型GnP層を液相エピタキシヤ
ル成長により形成する時、前半を水素雰囲気下、
後半をアンモニアを含む水素雰囲気下で行うため
と推定される。即ち石英製の成長用ボート及び石
英製反応管表面が水素で還元される為、Ga融液
に高濃度のSiが混入することが考えられ、アンモ
ニアを含む水素雰囲気に切換えるまでに成長する
GaP層に高濃度のSiが添加される。しかも成長用
ボートを石英で構成しているため、カーボンで構
成しているより他の不純物の混入が少なく、且つ
前半を水素雰囲気下で行つている為に、成長ボー
ト等に吸着している例えばSO2が水素の還元作用
により排気される。したがつてアンモニアを含む
水素雰囲気に切換るまでに成長するGaP層のドナ
ー不純物は上述したように主としてSiで構成され
るようになる。一方後半の成長はアンモニアを含
む水素雰囲気下で行われる為、Ga融液に多量の
窒素が添加され、その一部がGa融液中に溶け込
んでいるSiと安定な化合物を作り、Ga融液中の
Siが減少してしまい、Ga融液のドナー不純物と
して基板結晶の硫黄が主となり、この為後半で成
長するGaP層のドナー濃度が低くなると考えられ
る。
また発光中心不純物である窒素濃度は、ｎ型
GaP層の成長方向特にドナー濃度の低い部分で例
えば２×1018cm-3と高くなる。これは上述したこ
とから明らかのようにｎ型GaP層のドナー不純物
濃度が低い為に、窒素原子が入り易くなり増大す
ると考えられる。
GaP層の成長方向特にドナー濃度の低い部分で例
えば２×1018cm-3と高くなる。これは上述したこ
とから明らかのようにｎ型GaP層のドナー不純物
濃度が低い為に、窒素原子が入り易くなり増大す
ると考えられる。
このようにｎ型GaP層のドナー濃度が成長方向
に対して階段状に減少し、逆に発光中心（窒素）
濃度がｐ―ｎ接合付近（ドナー濃度の低い部分）
で高濃度となるため、発光効率が高くなる。
に対して階段状に減少し、逆に発光中心（窒素）
濃度がｐ―ｎ接合付近（ドナー濃度の低い部分）
で高濃度となるため、発光効率が高くなる。
なお上記実施例において、成長用ボートを全石
英で構成したが、Ga融液と接触する成長用ボー
トの表面だけを石英で構成しても良い。この場合
も成長用ボートをカーボンで構成するよりも、
Ga融液に種々の不純物が入らず、特に不純物濃
度の低い部分を制御するものに好ましい。例えば
カーボンで構成した場合、特にドナー濃度の低い
ｐ―ｎ接合付近のｎ型GaP層でｐ型に反転したり
するが、石英で構成するとこのようなことがなく
再現性良くドナー濃度を制御できる。
英で構成したが、Ga融液と接触する成長用ボー
トの表面だけを石英で構成しても良い。この場合
も成長用ボートをカーボンで構成するよりも、
Ga融液に種々の不純物が入らず、特に不純物濃
度の低い部分を制御するものに好ましい。例えば
カーボンで構成した場合、特にドナー濃度の低い
ｐ―ｎ接合付近のｎ型GaP層でｐ型に反転したり
するが、石英で構成するとこのようなことがなく
再現性良くドナー濃度を制御できる。
また上記実施例で全工程を水素雰囲気（アンモ
ニアを含む水素雰囲気も含める）で行つたが、水
素雰囲気をアルゴン雰囲気に換えても良く、途中
でアルゴン雰囲気にしても良い。
ニアを含む水素雰囲気も含める）で行つたが、水
素雰囲気をアルゴン雰囲気に換えても良く、途中
でアルゴン雰囲気にしても良い。
さらに上記実施例で、Ga融液上に石英製の蓋
を用いたが、この蓋は必ずしも必要でなく、この
蓋のない場合は水素ガスによつてGa融液表面上
汚染物例えばガリウム酸化物の除去をより容易に
できる。
を用いたが、この蓋は必ずしも必要でなく、この
蓋のない場合は水素ガスによつてGa融液表面上
汚染物例えばガリウム酸化物の除去をより容易に
できる。
さらにまた上記実施例では、ｐ型GaP層も液相
エピタキシヤル成長で行つたが、拡散などで行つ
ても良く、種々の方法であつても良い。
エピタキシヤル成長で行つたが、拡散などで行つ
ても良く、種々の方法であつても良い。
また上記実施例の場合は、ｎ型GaP層のドナー
濃度分布が第４図に示すように階段状になるが、
温度の制御、ボートの変形などによつて多少階段
状が変化すると考えられる。
濃度分布が第４図に示すように階段状になるが、
温度の制御、ボートの変形などによつて多少階段
状が変化すると考えられる。
第１図は本発明の一実施例の方法に用いた液相
エピタキシヤル成長装置の概略を示す断面図、第
２図ａ〜ｃは第１図装置の成長用ボートを駆動様
態を示す断面図、第３図ａ，ｂは第１図装置の成
長用ボートと不純物蒸発源の温度プロフアイルを
示す曲線図、第４図は本発明の一実施例の方法に
よつて得られた発光素子の不純物プロフアイルを
示す図である。 １１……反応炉、１２……成長用ボート、１３
ａ，１３ｂ……加熱装置、１４，２４……ｎ型
GaP基板、１４ａ，２４ａ……基板を収容する凹
部、１４ｂ，２４ｂ，１６ｂ，２６ｂ……蓋、１
５，２５……スライダー、１６，２６……融液、
１７，２７……小孔、１８，２８……融液収容ボ
ート、１９……不純物蒸発源、１１ａ，１１a′…
…ガスを供給するための開口、１１ｂ……ガスを
排出するための開口。
エピタキシヤル成長装置の概略を示す断面図、第
２図ａ〜ｃは第１図装置の成長用ボートを駆動様
態を示す断面図、第３図ａ，ｂは第１図装置の成
長用ボートと不純物蒸発源の温度プロフアイルを
示す曲線図、第４図は本発明の一実施例の方法に
よつて得られた発光素子の不純物プロフアイルを
示す図である。 １１……反応炉、１２……成長用ボート、１３
ａ，１３ｂ……加熱装置、１４，２４……ｎ型
GaP基板、１４ａ，２４ａ……基板を収容する凹
部、１４ｂ，２４ｂ，１６ｂ，２６ｂ……蓋、１
５，２５……スライダー、１６，２６……融液、
１７，２７……小孔、１８，２８……融液収容ボ
ート、１９……不純物蒸発源、１１ａ，１１a′…
…ガスを供給するための開口、１１ｂ……ガスを
排出するための開口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ガリウム融液を収容する融液収容ボートと、
該ボートの底部を実質的に構成し且つｎ型リン化
ガリウム基板を収容するスライド可能なスライダ
ーとから構成されており、少なくとも前記ガリウ
ム融液と接触する大部分を石英で構成した液相エ
ピタキシヤル成長装置を用いて、前記ｎ型リン化
ガリウム基板上にｎ型リン化ガリウム層を液相エ
ピタキシヤル成長するに際し、下記工程により基
板側からドナー濃度が階段状に減少するように
し、さらに該層上にｐ型リン化ガリウム層を形成
することを特徴とするリン化ガリウム緑色発光素
子の製造方法。 (1) 前記基板と、前記ガリウム融液とを接触させ
ず所定のガス雰囲気中で液相エピタキシヤル成
長開始温度付近まで加熱する工程 (2) 前記液相エピタキシヤル成長開始温度付近で
前記スライダーをスライドして前記基板とガリ
ウム融液とを接触せしめる工程 (3) 該工程後に温度を降下せしめ、少なくともそ
の途中でアンモニアを前記ガリウム融液に添加
し一定期間保持する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12003677A JPS5453975A (en) | 1977-10-07 | 1977-10-07 | Manufacture for gallium phosphide green light emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12003677A JPS5453975A (en) | 1977-10-07 | 1977-10-07 | Manufacture for gallium phosphide green light emitting element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5453975A JPS5453975A (en) | 1979-04-27 |
| JPS6136395B2 true JPS6136395B2 (ja) | 1986-08-18 |
Family
ID=14776309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12003677A Granted JPS5453975A (en) | 1977-10-07 | 1977-10-07 | Manufacture for gallium phosphide green light emitting element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5453975A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0557490A (ja) * | 1991-08-28 | 1993-03-09 | Katsuji Nakasuda | 回収用空鑵圧縮装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS561528A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Toshiba Corp | Manufacture of epitaxial wafer of 3-5 group compound semiconductor |
| JPS561529A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Toshiba Corp | Manufacture of epitaxial wafer of 3-5 group compound semiconductor |
| JPS599983A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 燐化ガリウム緑色発光ダイオ−ドの製造方法 |
| JPS5918687A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-31 | Sanyo Electric Co Ltd | ガリウム燐発光ダイオ−ドの製造方法 |
| JPS5980981A (ja) * | 1982-11-01 | 1984-05-10 | Sanyo Electric Co Ltd | ガリウム燐緑色発光ダイオードの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52116072A (en) * | 1976-03-25 | 1977-09-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Process for doping nitrogen to gallium phosphide |
-
1977
- 1977-10-07 JP JP12003677A patent/JPS5453975A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52116072A (en) * | 1976-03-25 | 1977-09-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Process for doping nitrogen to gallium phosphide |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0557490A (ja) * | 1991-08-28 | 1993-03-09 | Katsuji Nakasuda | 回収用空鑵圧縮装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5453975A (en) | 1979-04-27 |
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