JP3104218B2 - 窒素ドープＧａＰエピタキシャル層の成長方法 - Google Patents
窒素ドープＧａＰエピタキシャル層の成長方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は緑色発光するGaP 発光ダ
イオードを製造する際に用いるGaP エピタキシャルウエ
ハに関するものであり、特にGaP エピタキシャル成長層
にアイソエレクトロニック・トラップとして窒素をドー
プする、窒素ドープGaP エピタキシャル層の成長方法に
関するものである。
イオードを製造する際に用いるGaP エピタキシャルウエ
ハに関するものであり、特にGaP エピタキシャル成長層
にアイソエレクトロニック・トラップとして窒素をドー
プする、窒素ドープGaP エピタキシャル層の成長方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体発光ダイオードは通常、半導体基
板上に複数の半導体エピタキシャル成長層を形成してｐ
ｎ接合を有する半導体エピタキシャルウエハを製造し、
これを素子化することにより得られる。このうち、緑色
発光するGaP 発光ダイオードはｎ型GaP 基板上にｎ型及
びｐ型のGaP 層を順次形成することにより製造したGaP
エピタキシャルウエハを用いて得ることができる。
板上に複数の半導体エピタキシャル成長層を形成してｐ
ｎ接合を有する半導体エピタキシャルウエハを製造し、
これを素子化することにより得られる。このうち、緑色
発光するGaP 発光ダイオードはｎ型GaP 基板上にｎ型及
びｐ型のGaP 層を順次形成することにより製造したGaP
エピタキシャルウエハを用いて得ることができる。
【０００３】上記のように、ｎ型GaP 基板（ｎ型GaP 基
板上に予めｎ型GaP エピタキシャル成長層を形成してな
る多層ｎ型GaP 基板も含む）上に、GaP エピタキシャル
成長層（以下、GaP 層という）を形成する方法として
は、液相エピタキシャル成長法、例えばメルトバック法
液相エピタキシャル成長法が採用される。
板上に予めｎ型GaP エピタキシャル成長層を形成してな
る多層ｎ型GaP 基板も含む）上に、GaP エピタキシャル
成長層（以下、GaP 層という）を形成する方法として
は、液相エピタキシャル成長法、例えばメルトバック法
液相エピタキシャル成長法が採用される。
【０００４】上記メルトバック法液相エピタキシャル成
長法とは、GaP 基板上にGa融液を配置し、その後、例え
ば950 ℃まで昇温して、前記GaP 基板の上部をGa融液中
に溶解させ、次に所定の降温速度で、例えば800 ℃まで
降温して、Ga融液中に溶解しているGaP をGaP 基板に析
出させてGaP 層を成長させる方法である。
長法とは、GaP 基板上にGa融液を配置し、その後、例え
ば950 ℃まで昇温して、前記GaP 基板の上部をGa融液中
に溶解させ、次に所定の降温速度で、例えば800 ℃まで
降温して、Ga融液中に溶解しているGaP をGaP 基板に析
出させてGaP 層を成長させる方法である。
【０００５】ところで、GaP は間接遷移型半導体であ
り、ｐｎ接合を形成してもそのままでは発光効率が極め
て低いため、発光中心すなわちアイソエレクトロニック
・トラップとなる窒素を通常ｐｎ接合近傍のｎ型GaP 層
にドープして、発光効率を高くしている。
り、ｐｎ接合を形成してもそのままでは発光効率が極め
て低いため、発光中心すなわちアイソエレクトロニック
・トラップとなる窒素を通常ｐｎ接合近傍のｎ型GaP 層
にドープして、発光効率を高くしている。
【０００６】具体的には、ｎ型GaP 層の液相エピタキシ
ャル成長時に、アンモニア(NH3) ガスを含むドープ雰囲
気ガスをGa溶液上に流す方法が行われている。化学反応
式（２）に示すように、Ga溶液上にNH3 ガスを含むドー
プ雰囲気ガスを流すと、GaとNH3 が反応してGa溶液中に
窒化ガリウム(GaN) が形成される。Ga溶液中にGaN の形
で取り込まれた窒素は、液相エピタキシャル成長に伴い
ｎ型GaP 層中にドープされる。
ャル成長時に、アンモニア(NH3) ガスを含むドープ雰囲
気ガスをGa溶液上に流す方法が行われている。化学反応
式（２）に示すように、Ga溶液上にNH3 ガスを含むドー
プ雰囲気ガスを流すと、GaとNH3 が反応してGa溶液中に
窒化ガリウム(GaN) が形成される。Ga溶液中にGaN の形
で取り込まれた窒素は、液相エピタキシャル成長に伴い
ｎ型GaP 層中にドープされる。
【０００７】 ＮＨ3(g)＋Ｇａ(l) → ＧａＮ(s) ＋ 3/2Ｈ2(g) ‥‥‥（２）
【０００８】上記のようにして窒素がドープされたｎ型
GaP 層を有するGaP エピタキシャルウエハから製造され
たGaP 発光ダイオード（以下、GaP (N) 発光ダイオード
という）は、ピーク波長が567nm 前後の黄緑色光を発す
る。
GaP 層を有するGaP エピタキシャルウエハから製造され
たGaP 発光ダイオード（以下、GaP (N) 発光ダイオード
という）は、ピーク波長が567nm 前後の黄緑色光を発す
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図４に窒素ドープｎ型
GaP 層中の窒素濃度とGaP (N) 発光ダイオードの輝度と
の関係を示す。GaP (N) 発光ダイオードにおいては、ｎ
型GaP 層中にドープされたアイソエレクトロニック・ト
ラップとなる窒素の濃度は、GaP (N) 発光ダイオードの
発光効率を左右する重要な因子であり、GaP に対する窒
素の固溶限界濃度までの範囲では、図４に示すように、
窒素の濃度が高いほどGaP (N) 発光ダイオードの輝度は
高くなる。このため、従来ｎ型GaP 層中の窒素濃度を増
加させるために、ドープ雰囲気ガス中の NH3濃度を増加
させる方法が行われていた。
GaP 層中の窒素濃度とGaP (N) 発光ダイオードの輝度と
の関係を示す。GaP (N) 発光ダイオードにおいては、ｎ
型GaP 層中にドープされたアイソエレクトロニック・ト
ラップとなる窒素の濃度は、GaP (N) 発光ダイオードの
発光効率を左右する重要な因子であり、GaP に対する窒
素の固溶限界濃度までの範囲では、図４に示すように、
窒素の濃度が高いほどGaP (N) 発光ダイオードの輝度は
高くなる。このため、従来ｎ型GaP 層中の窒素濃度を増
加させるために、ドープ雰囲気ガス中の NH3濃度を増加
させる方法が行われていた。
【００１０】図５にガス中のNH3 濃度とGaP 層中の窒素
濃度との関係を示す。なお、図５のGaP層の成長条件
は、成長温度は950 ℃から800 ℃まで降温、成長速度は
30μｍ／時間である。ここで図５に示すように、ガス中
の NH3濃度が約0.07容量％以下の範囲においては、ガス
中の NH3濃度の増加と共にｎ型 GaP層中の窒素濃度は増
加するが、 NH3濃度が約0.07容量％を超える範囲では、
ガス中の NH3濃度が増加するにつれ、ｎ型 GaP層中の窒
素濃度は逆に減少してしまうという現象が起こる。した
がって、従来技術すなわちドープ雰囲気ガス中の NH3濃
度を変化させて GaP層中の窒素濃度を制御する方法で
は、ガス中の NH3濃度が高い領域においてはGaP層中の
窒素濃度を高濃度に制御することは非常に困難であっ
た。
濃度との関係を示す。なお、図５のGaP層の成長条件
は、成長温度は950 ℃から800 ℃まで降温、成長速度は
30μｍ／時間である。ここで図５に示すように、ガス中
の NH3濃度が約0.07容量％以下の範囲においては、ガス
中の NH3濃度の増加と共にｎ型 GaP層中の窒素濃度は増
加するが、 NH3濃度が約0.07容量％を超える範囲では、
ガス中の NH3濃度が増加するにつれ、ｎ型 GaP層中の窒
素濃度は逆に減少してしまうという現象が起こる。した
がって、従来技術すなわちドープ雰囲気ガス中の NH3濃
度を変化させて GaP層中の窒素濃度を制御する方法で
は、ガス中の NH3濃度が高い領域においてはGaP層中の
窒素濃度を高濃度に制御することは非常に困難であっ
た。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の点に鑑
みてなされたものであり、液相エピタキシャル成長法
で、窒素ドープされた GaP層を成長させるにあたり、該
GaP層中の窒素濃度を広い濃度領域において精度良く制
御できる方法を提供することを目的とする。
みてなされたものであり、液相エピタキシャル成長法
で、窒素ドープされた GaP層を成長させるにあたり、該
GaP層中の窒素濃度を広い濃度領域において精度良く制
御できる方法を提供することを目的とする。
【００１２】すなわち、本発明は窒素の供給源としてア
ンモニア（ＮＨ3）ガスを用い、液相エピタキシャル成
長法により、アンモニアガスを含むドープ雰囲気ガスを
Ｇａ溶液上に流しながら窒素ドープＧａＰエピタキシャ
ル層を成長させる成長方法において、前記ドープ雰囲気
ガス中のアンモニアガス濃度が０．０７容量％を超える
範囲で、該ＧａＰエピタキシャル層中の窒素濃度［Ｎ］
を下記数式（１）によって制御することを特徴とする窒
素ドープＧａＰエピタキシャル層の成長方法を要旨とす
るものである。 ［Ｎ］＝［Ｎ0］・（Ｖ／Ｖ0）a ‥‥‥（１） ただし、Ｖは窒素ドープＧａＰエピタキシャル層の成長
速度、Ｖ0は、窒素ドープＧａＰ層の基準成長速度、
［Ｎ0］はＶ＝Ｖ0の時の窒素ドープＧａＰ層中の窒素濃
度、ａは定数である。
ンモニア（ＮＨ3）ガスを用い、液相エピタキシャル成
長法により、アンモニアガスを含むドープ雰囲気ガスを
Ｇａ溶液上に流しながら窒素ドープＧａＰエピタキシャ
ル層を成長させる成長方法において、前記ドープ雰囲気
ガス中のアンモニアガス濃度が０．０７容量％を超える
範囲で、該ＧａＰエピタキシャル層中の窒素濃度［Ｎ］
を下記数式（１）によって制御することを特徴とする窒
素ドープＧａＰエピタキシャル層の成長方法を要旨とす
るものである。 ［Ｎ］＝［Ｎ0］・（Ｖ／Ｖ0）a ‥‥‥（１） ただし、Ｖは窒素ドープＧａＰエピタキシャル層の成長
速度、Ｖ0は、窒素ドープＧａＰ層の基準成長速度、
［Ｎ0］はＶ＝Ｖ0の時の窒素ドープＧａＰ層中の窒素濃
度、ａは定数である。
【００１３】また、前記成長方法において、窒素ドープ
GaP エピタキシャル層の導電型は例えばｎ型である。
GaP エピタキシャル層の導電型は例えばｎ型である。
【００１４】
【作用】本発明者等は、従来技術、すなわち、ドープ雰
囲気ガス中のNH3 濃度を変化させて GaP層中の窒素濃度
を制御する方法において、「ガス中のNH3 濃度が高い場
合（例えば0.07容量％を超える濃度）、ガス中のNH3 濃
度の増加と共に GaP 層中の窒素濃度が減少する」とい
う現象が起こる原因を検討した結果、液相エピタキシャ
ル成長法でドープ雰囲気ガス中のNH3 ガスにより窒素ド
ープｎ型 GaP層を成長させる場合、ガス中のNH3 濃度が
ある濃度（例えば前記した0.07容量％）を超えると、前
記化学反応式（２）で生じる GaNが、気相（NH3 ／キャ
リアガス）と液相（Ga溶液）との界面すなわち液相エピ
タキシャル成長用Ga溶液の表面に GaN膜となって形成さ
れ、この GaN膜が、ガス中のNH3 ガスが液相（Ga溶液）
中に取り込まれるのを阻害すること、また、さらにガス
中のNH3 濃度を増加させると該 GaN膜がより厚く形成さ
れることが上記現象の起こる一主要因であることを見い
だした。
囲気ガス中のNH3 濃度を変化させて GaP層中の窒素濃度
を制御する方法において、「ガス中のNH3 濃度が高い場
合（例えば0.07容量％を超える濃度）、ガス中のNH3 濃
度の増加と共に GaP 層中の窒素濃度が減少する」とい
う現象が起こる原因を検討した結果、液相エピタキシャ
ル成長法でドープ雰囲気ガス中のNH3 ガスにより窒素ド
ープｎ型 GaP層を成長させる場合、ガス中のNH3 濃度が
ある濃度（例えば前記した0.07容量％）を超えると、前
記化学反応式（２）で生じる GaNが、気相（NH3 ／キャ
リアガス）と液相（Ga溶液）との界面すなわち液相エピ
タキシャル成長用Ga溶液の表面に GaN膜となって形成さ
れ、この GaN膜が、ガス中のNH3 ガスが液相（Ga溶液）
中に取り込まれるのを阻害すること、また、さらにガス
中のNH3 濃度を増加させると該 GaN膜がより厚く形成さ
れることが上記現象の起こる一主要因であることを見い
だした。
【００１５】さらに本発明者等は、 GaP層の成長速度を
より大きくすることによって、 GaN膜が厚く形成される
までの間にNH3 ガスを液相（Ga溶液）中に充分に取り込
むことができ、ひいては成長したGaP 層中の窒素濃度を
広い濃度範囲、特に高濃度領域で精度良く制御できるこ
とを見いだし、本発明に至った。
より大きくすることによって、 GaN膜が厚く形成される
までの間にNH3 ガスを液相（Ga溶液）中に充分に取り込
むことができ、ひいては成長したGaP 層中の窒素濃度を
広い濃度範囲、特に高濃度領域で精度良く制御できるこ
とを見いだし、本発明に至った。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について、メルトバッ
ク法液相エピタキシャル成長法を例にとり、図を参照し
て説明する。図１は本実施例において用いる装置を示
す。本装置では、炉心管11に GaP層エピタキシャル成長
を行うボート12が配置される。このボート12には凹部15
が複数個設けられ、この凹部15の底部に GaP基板17が固
定され、更に凹部15には液相エピタキシャル成長用Ga融
液（またはGa溶液）16が満たされている。ボート12上部
には孔14を有するスライド13が設けられている。なお、
図１には一か所の凹部15のみ示し、他を省略する。
ク法液相エピタキシャル成長法を例にとり、図を参照し
て説明する。図１は本実施例において用いる装置を示
す。本装置では、炉心管11に GaP層エピタキシャル成長
を行うボート12が配置される。このボート12には凹部15
が複数個設けられ、この凹部15の底部に GaP基板17が固
定され、更に凹部15には液相エピタキシャル成長用Ga融
液（またはGa溶液）16が満たされている。ボート12上部
には孔14を有するスライド13が設けられている。なお、
図１には一か所の凹部15のみ示し、他を省略する。
【００１７】炉心管11の外周部にはGaP 基板17、Ga融液
（またはGa溶液）16及びボート12（これら三者を以下、
成長系という。）を昇降温するための温度制御可能なヒ
ータ10が設けられている。炉心管11の一端部の開口部か
らは、NH3 、キャリアガス（例えばH2）、置換ガス（例
えばAr）等が炉心管11内に供給される。
（またはGa溶液）16及びボート12（これら三者を以下、
成長系という。）を昇降温するための温度制御可能なヒ
ータ10が設けられている。炉心管11の一端部の開口部か
らは、NH3 、キャリアガス（例えばH2）、置換ガス（例
えばAr）等が炉心管11内に供給される。
【００１８】次に、上記装置を用い、メルトバック法に
よる窒素ドープGaP エピタキシャル層の成長方法につい
て、図２を参照して説明する。図２はその成長工程図で
あり、図１中のGaP 基板17及びGa融液（またはGa溶液）
16を含む系のみを示している。
よる窒素ドープGaP エピタキシャル層の成長方法につい
て、図２を参照して説明する。図２はその成長工程図で
あり、図１中のGaP 基板17及びGa融液（またはGa溶液）
16を含む系のみを示している。
【００１９】まず、図２（ａ）に示すようにGaP 基板
（例えばTe不純物濃度２〜３×1017atoms/cm3 のｎ型Ga
P 基板）17の上部にGa融液16を配する。この時、前記成
長系の温度は600 ℃に設定する。
（例えばTe不純物濃度２〜３×1017atoms/cm3 のｎ型Ga
P 基板）17の上部にGa融液16を配する。この時、前記成
長系の温度は600 ℃に設定する。
【００２０】次に、成長系の温度を950 ℃まで昇温す
る。すると、ｎ型GaP 基板17の上部は徐々にGa融液16中
に溶解し、Ga融液は、この温度におけるGaP の飽和Ga溶
液となる（図２（ｂ））。
る。すると、ｎ型GaP 基板17の上部は徐々にGa融液16中
に溶解し、Ga融液は、この温度におけるGaP の飽和Ga溶
液となる（図２（ｂ））。
【００２１】次に、NH3 濃度0.085 容量％でNH3 とH
2（キャリアガス）とを混合させたガスを、前記炉心管1
1内に流入しながら、所定の降温速度で成長系の温度を9
50 ℃から800 ℃まで降温させることにより、Ga溶液16
中に溶解しているGaP をｎ型GaP基板17上に析出させ
る。かくして、窒素ドープｎ型GaP 層18がｎ型GaP 基板
17上に形成される（図２（ｃ））。
2（キャリアガス）とを混合させたガスを、前記炉心管1
1内に流入しながら、所定の降温速度で成長系の温度を9
50 ℃から800 ℃まで降温させることにより、Ga溶液16
中に溶解しているGaP をｎ型GaP基板17上に析出させ
る。かくして、窒素ドープｎ型GaP 層18がｎ型GaP 基板
17上に形成される（図２（ｃ））。
【００２２】図３は、成長速度を種々の値にして上述の
窒素ドープｎ型GaP 層18を成長させた場合における、そ
の成長速度と前記ｎ型GaP 層中の窒素濃度との関係を示
したものである。ただし、成長温度は950 ℃から800 ℃
まで降温、NH3 濃度0.085 容量％である。
窒素ドープｎ型GaP 層18を成長させた場合における、そ
の成長速度と前記ｎ型GaP 層中の窒素濃度との関係を示
したものである。ただし、成長温度は950 ℃から800 ℃
まで降温、NH3 濃度0.085 容量％である。
【００２３】図３からわかるように、成長速度が大きい
程、ｎ型GaP 層にドープされる窒素濃度が高くなり、成
長速度Ｖとｎ型GaP 層中の窒素濃度［Ｎ］とは極めて良
い相関関係を示し、その相関式は近似的に下記数式
（３）で表すことができる。
程、ｎ型GaP 層にドープされる窒素濃度が高くなり、成
長速度Ｖとｎ型GaP 層中の窒素濃度［Ｎ］とは極めて良
い相関関係を示し、その相関式は近似的に下記数式
（３）で表すことができる。
【００２４】 ［Ｎ］≒［Ｎ0 ］・（Ｖ／Ｖ0 ）a ‥‥‥‥（３）
【００２５】ただし、［Ｎ］の単位はatoms/cm3 、Ｖの
単位はμｍ／時間である。またＶ0 は、窒素ドープGaP
層の成長速度において適宜設定可能な基準成長速度、
［Ｎ0 ］はＶ＝Ｖ0 の時の窒素ドープGaP 層中の窒素濃
度、ａは定数である。たとえば、本実施例による方法で
成長させた図３の窒素ドープｎ型GaP 層を例とし、図３
中に矢印で示すＶ0 ＝30μｍ／時間に設定した場合、数
式（３）は下記数式（４）となる。
単位はμｍ／時間である。またＶ0 は、窒素ドープGaP
層の成長速度において適宜設定可能な基準成長速度、
［Ｎ0 ］はＶ＝Ｖ0 の時の窒素ドープGaP 層中の窒素濃
度、ａは定数である。たとえば、本実施例による方法で
成長させた図３の窒素ドープｎ型GaP 層を例とし、図３
中に矢印で示すＶ0 ＝30μｍ／時間に設定した場合、数
式（３）は下記数式（４）となる。
【００２６】 ［Ｎ］≒ 1.6×1018・（Ｖ／30）0.2 ‥‥‥‥（４）
【００２７】以上に述べた本発明の成長方法によれば、
図３に示されるように、GaP 層の成長速度を増減させる
ことによりGaP 層中の窒素濃度を精度良く制御すること
が可能であるため、図３と図５との対比から、ガス中の
NH3 濃度の高い領域（例えば約0.07容量％を超える領
域）においても、GaP 層の成長速度を従来のそれより大
きくすることにより、GaP 層中にドープされる窒素濃度
を高くできることがわかる。
図３に示されるように、GaP 層の成長速度を増減させる
ことによりGaP 層中の窒素濃度を精度良く制御すること
が可能であるため、図３と図５との対比から、ガス中の
NH3 濃度の高い領域（例えば約0.07容量％を超える領
域）においても、GaP 層の成長速度を従来のそれより大
きくすることにより、GaP 層中にドープされる窒素濃度
を高くできることがわかる。
【００２８】例えば、本実施例において成長速度30μｍ
／時間、NH3 濃度0.085 容量％で窒素ドープｎ型GaP 層
を成長させた際の窒素濃度の値に着目する。この値は図
３及び図５において矢印で示しているものである。ここ
で図５における該矢印の、NH3 濃度は0.085 容量％、窒
素濃度の値は 1.6×1018atoms/cm3 であり、NH3 濃度0.
07容量％近傍での窒素濃度よりも低くなっている。しか
し図３によれば、例えば成長速度を30μｍ／時間から80
μｍ／時間にまで大きくすることにより、NH3 が0.085
容量％という高い濃度であっても該矢印の窒素濃度を２
×1018atoms/cm3 にまで高くすることができる。
／時間、NH3 濃度0.085 容量％で窒素ドープｎ型GaP 層
を成長させた際の窒素濃度の値に着目する。この値は図
３及び図５において矢印で示しているものである。ここ
で図５における該矢印の、NH3 濃度は0.085 容量％、窒
素濃度の値は 1.6×1018atoms/cm3 であり、NH3 濃度0.
07容量％近傍での窒素濃度よりも低くなっている。しか
し図３によれば、例えば成長速度を30μｍ／時間から80
μｍ／時間にまで大きくすることにより、NH3 が0.085
容量％という高い濃度であっても該矢印の窒素濃度を２
×1018atoms/cm3 にまで高くすることができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、 GaP層中の窒素濃度を
広い濃度領域、特に高濃度領域において精度良く制御で
きるため、ドープ雰囲気ガス中のNH3 濃度が高い場合に
も、窒素濃度の充分大きい窒素ドープGaP エピタキシャ
ル層を精度良く成長させことができるので、このGaP 層
を有する緑色発光GaP (N) 発光ダイオードは、充分高い
輝度が得られるという効果がある。
広い濃度領域、特に高濃度領域において精度良く制御で
きるため、ドープ雰囲気ガス中のNH3 濃度が高い場合に
も、窒素濃度の充分大きい窒素ドープGaP エピタキシャ
ル層を精度良く成長させことができるので、このGaP 層
を有する緑色発光GaP (N) 発光ダイオードは、充分高い
輝度が得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例で使用する装置の断面概略図
である。
である。
【図２】本発明の一実施例の方法を説明する工程図であ
る。 （ａ）GaP 基板の上にGa融液を配する工程。 （ｂ）GaP 基板上部がGa融液中に溶解する工程。 （ｃ）溶解していたGaP がGaP 基板上に析出する工程。
る。 （ａ）GaP 基板の上にGa融液を配する工程。 （ｂ）GaP 基板上部がGa融液中に溶解する工程。 （ｃ）溶解していたGaP がGaP 基板上に析出する工程。
【図３】本発明の一実施例において、ｎ型GaP 層の成長
速度とｎ型GaP 層中の窒素濃度との関係を示す図であ
る。
速度とｎ型GaP 層中の窒素濃度との関係を示す図であ
る。
【図４】窒素ドープｎ型GaP 層中の窒素濃度とGaP (N)
発光ダイオードの輝度との関係を示す図である。
発光ダイオードの輝度との関係を示す図である。
【図５】ドープ雰囲気ガス中のNH3 濃度とｎ型GaP 層中
の窒素濃度との関係を示す図である。
の窒素濃度との関係を示す図である。
１０ ヒータ １１ 炉心
管 １２ ボート １３ スラ
イド １４ 孔 １５ 凹部 １６ Ga融液またはGa溶液 １７ GaP
基板 １８ ｎ型GaP エピタキシャル層
管 １２ ボート １３ スラ
イド １４ 孔 １５ 凹部 １６ Ga融液またはGa溶液 １７ GaP
基板 １８ ｎ型GaP エピタキシャル層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−69542（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−126288（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/208 C30B 19/10,29/44
Claims (2)
- 【請求項１】 窒素の供給源としてアンモニア（Ｎ
Ｈ 3 ）ガスを用い、液相エピタキシャル成長法により、
アンモニアガスを含むドープ雰囲気ガスをＧａ溶液上に
流しながら窒素ドープＧａＰエピタキシャル層を成長さ
せる成長方法において、前記ドープ雰囲気ガス中のアン
モニアガス濃度が０．０７容量％を超える範囲で、該Ｇ
ａＰエピタキシャル層中の窒素濃度［Ｎ］を下記数式
（１）によって制御することを特徴とする窒素ドープＧ
ａＰエピタキシャル層の成長方法。 ［Ｎ］＝［Ｎ0］・（Ｖ／Ｖ0）a ‥‥‥‥（１） ただし、Ｖは窒素ドープＧａＰエピタキシャル層の成長
速度、Ｖ0は、窒素ドープＧａＰ層の基準成長速度、
［Ｎ0］はＶ＝Ｖ0の時の窒素ドープＧａＰ層中の窒素濃
度、ａは定数である。 - 【請求項２】 前記窒素ドープＧａＰエピタキシャル層
の導電型がｎ型であることを特徴とする、請求項１に記
載の窒素ドープＧａＰエピタキシャル層の成長方法。
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|---|---|---|---|
| JP6777895A JP3104218B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 窒素ドープＧａＰエピタキシャル層の成長方法 |
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| EP96104395A EP0735599A3 (en) | 1995-03-27 | 1996-03-20 | Method for growth of a nitrogen-doped gallium phosphide epitaxial layer |
| US08/620,158 US5985023A (en) | 1995-03-27 | 1996-03-22 | Method for growth of a nitrogen-doped gallium phosphide epitaxial layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6777895A JP3104218B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 窒素ドープＧａＰエピタキシャル層の成長方法 |
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| JPH08264467A JPH08264467A (ja) | 1996-10-11 |
| JP3104218B2 true JP3104218B2 (ja) | 2000-10-30 |
Family
ID=13354761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6777895A Expired - Fee Related JP3104218B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 窒素ドープＧａＰエピタキシャル層の成長方法 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP3104218B2 (ja) |
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| US11056338B2 (en) * | 2018-10-10 | 2021-07-06 | The Johns Hopkins University | Method for printing wide bandgap semiconductor materials |
| CN114420801A (zh) * | 2021-12-20 | 2022-04-29 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种发光二极管外延片制备方法及外延片 |
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| US3931631A (en) * | 1973-07-23 | 1976-01-06 | Monsanto Company | Gallium phosphide light-emitting diodes |
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| US4101920A (en) * | 1975-01-29 | 1978-07-18 | Sony Corporation | Green light emitting diode |
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- 1995-03-27 JP JP6777895A patent/JP3104218B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-03-18 TW TW085103216A patent/TW305064B/zh active
- 1996-03-20 EP EP96104395A patent/EP0735599A3/en not_active Withdrawn
- 1996-03-22 US US08/620,158 patent/US5985023A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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| EP0735599A3 (en) | 1999-05-12 |
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