JPS6136396B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6136396B2 JPS6136396B2 JP52120038A JP12003877A JPS6136396B2 JP S6136396 B2 JPS6136396 B2 JP S6136396B2 JP 52120038 A JP52120038 A JP 52120038A JP 12003877 A JP12003877 A JP 12003877A JP S6136396 B2 JPS6136396 B2 JP S6136396B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type gap
- solution
- substrate
- gap layer
- growth
- Prior art date
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- Led Devices (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体発光素子の製造方法に係り、特
に燐化ガリウム（GaP）により構成された緑色発
光素子の製造方法に関する。
に燐化ガリウム（GaP）により構成された緑色発
光素子の製造方法に関する。
最近半導体発光素子例えばGaP或いは燐化砒化
ガリウム（GaAsP）などの化合物半導体結晶を
用いた発光素子は、種々の表示に多く用いられて
いる。このうち例えばGaP発光素子は緑色から赤
色発光、GaAsP発光素子では黄色から赤色発光
が得られている。そしてこの種の発光素子のうち
緑色GaP発光素子或いは黄色GaAsP発光素子で
は、発光中心不純物として窒素（Ｎ）原子をドー
プする。この窒素（Ｎ）をドープした発光素子例
えば緑色GaP発光素子は次のようにして得られ
る。即ちｎ型GaP基板上に液相エピタキシヤル成
長或いは気相エピタキシヤル成長によりｎ型GaP
層を形成し、この上に上記成長法或いは拡散法に
よりｐ型GaP層を形成してｐ―ｎ接合を形成した
ものである。そして発光中心である窒素原子は、
ｎ型GaP層及びｐ型GaP層内に添加されている。
ところでこの窒素原子は、実質的に発光に有効で
あるｐ―ｎ接合近傍で、高濃度に添加されている
ことが好ましい。即ちｐ―ｎ接合近傍に窒素が多
く添加されておれば、発光効率が高くなる。
ガリウム（GaAsP）などの化合物半導体結晶を
用いた発光素子は、種々の表示に多く用いられて
いる。このうち例えばGaP発光素子は緑色から赤
色発光、GaAsP発光素子では黄色から赤色発光
が得られている。そしてこの種の発光素子のうち
緑色GaP発光素子或いは黄色GaAsP発光素子で
は、発光中心不純物として窒素（Ｎ）原子をドー
プする。この窒素（Ｎ）をドープした発光素子例
えば緑色GaP発光素子は次のようにして得られ
る。即ちｎ型GaP基板上に液相エピタキシヤル成
長或いは気相エピタキシヤル成長によりｎ型GaP
層を形成し、この上に上記成長法或いは拡散法に
よりｐ型GaP層を形成してｐ―ｎ接合を形成した
ものである。そして発光中心である窒素原子は、
ｎ型GaP層及びｐ型GaP層内に添加されている。
ところでこの窒素原子は、実質的に発光に有効で
あるｐ―ｎ接合近傍で、高濃度に添加されている
ことが好ましい。即ちｐ―ｎ接合近傍に窒素が多
く添加されておれば、発光効率が高くなる。
そこで本発明者等はｐ―ｎ接合近傍に窒素
（Ｎ）を多く添加するために、種々の実験を行つ
た。その一つとして、ｎ型GaP基板上のｎ型GaP
層のドナー濃度（ここでいうドナー濃度とは正味
のドナー濃度即ちＮD―ＮAである）と窒素濃度Ｎ
Tとの関係を調べたところ、成長方向に対し逆比
例することが判明した。即ちｎ型GaP層のドナー
濃度は、通常偏折係数が１より小であることに帰
因して成長方向に単調に増加し、一方同時に添加
した窒素濃度ＮTは吸収スペクトル測定および光
電測定法により測定したところ成長方向に対し減
少していた。したがつてｐ―ｎ接合付近の発光中
心である。窒素濃度ＮTは低くなり、発光効率を
低下せしめる原因となる。
（Ｎ）を多く添加するために、種々の実験を行つ
た。その一つとして、ｎ型GaP基板上のｎ型GaP
層のドナー濃度（ここでいうドナー濃度とは正味
のドナー濃度即ちＮD―ＮAである）と窒素濃度Ｎ
Tとの関係を調べたところ、成長方向に対し逆比
例することが判明した。即ちｎ型GaP層のドナー
濃度は、通常偏折係数が１より小であることに帰
因して成長方向に単調に増加し、一方同時に添加
した窒素濃度ＮTは吸収スペクトル測定および光
電測定法により測定したところ成長方向に対し減
少していた。したがつてｐ―ｎ接合付近の発光中
心である。窒素濃度ＮTは低くなり、発光効率を
低下せしめる原因となる。
本発明は上記した実験事実に対処し、ｎ型GaP
基板上にｎ型GaP基板上にｎ型GaP層を液相エピ
タキシヤル成長によつて形成する際液相エピタキ
シヤル成長工程を工夫し、ｎ型GaP層のドナー濃
度を今迄と逆に成長方向に対して減少するよう
に、それも階段状に減少するようにし発光中心と
なる不純物（窒素）を成長方向に対して増加する
ように、それもｐ―ｎ接合付近で増大するように
して、発光効率を向上せしめたGaP緑色発光素子
の製造方法を提供するものである。
基板上にｎ型GaP基板上にｎ型GaP層を液相エピ
タキシヤル成長によつて形成する際液相エピタキ
シヤル成長工程を工夫し、ｎ型GaP層のドナー濃
度を今迄と逆に成長方向に対して減少するよう
に、それも階段状に減少するようにし発光中心と
なる不純物（窒素）を成長方向に対して増加する
ように、それもｐ―ｎ接合付近で増大するように
して、発光効率を向上せしめたGaP緑色発光素子
の製造方法を提供するものである。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明す
る。
る。
まず第１図に示すような液相エピタキシヤル成
長装置を用いて、ｎ型GaP基板上にｎ型GaP層を
形成し、次にこのｎ型GaP層上にｐ型GaP層を形
成してｐ―ｎ接合を形成しGaP緑色発光素子を得
る。このようにして得られたGaP緑色発光素子の
発光効率は、約0.23％という高い値である。以下
この実施例の方法を具体的に説明する。まず第１
図に示す成長装置は、石英製の反応炉１１内に成
長用ボート１２が配置され、反応炉１１の外側に
２つの加熱装置１３ａ，１３ｂが設けられたもの
で、成長用ボート１２はｎ型GaP基板１４を収容
する凹部１４ａを有するスライダー１５と、溶液
１６を収容する部分を有し且つ不純物をドープす
るための小孔１７を有する溶液収容ボート１８と
で構成されており、ｎ型GaP基板１４上及び溶液
１６上には例えば石英からなる蓋１４ｂ，１６ｂ
が設けられている。そしてこの成長用ボート１２
と少し離れた部分に例えば亜鉛（Zn）からなる
不純物蒸発源１９が備えられている。
長装置を用いて、ｎ型GaP基板上にｎ型GaP層を
形成し、次にこのｎ型GaP層上にｐ型GaP層を形
成してｐ―ｎ接合を形成しGaP緑色発光素子を得
る。このようにして得られたGaP緑色発光素子の
発光効率は、約0.23％という高い値である。以下
この実施例の方法を具体的に説明する。まず第１
図に示す成長装置は、石英製の反応炉１１内に成
長用ボート１２が配置され、反応炉１１の外側に
２つの加熱装置１３ａ，１３ｂが設けられたもの
で、成長用ボート１２はｎ型GaP基板１４を収容
する凹部１４ａを有するスライダー１５と、溶液
１６を収容する部分を有し且つ不純物をドープす
るための小孔１７を有する溶液収容ボート１８と
で構成されており、ｎ型GaP基板１４上及び溶液
１６上には例えば石英からなる蓋１４ｂ，１６ｂ
が設けられている。そしてこの成長用ボート１２
と少し離れた部分に例えば亜鉛（Zn）からなる
不純物蒸発源１９が備えられている。
また反応炉１１の両側には、ガスを供給するた
めの開口１１ａ，１１a′と、ガスを排出するため
の開口１１ｂが設けられている。このような成長
装置で、ｎ型GaP基板上にｎ型GaP層及びｐ型
GaP層を形成する場合、第２図ａ，ｂ，ｃのよう
に成長用ボート１２を駆動して行う。まず第２図
ａに示すようにグラフアイトからなるスライダー
２５の凹部２４ａに硫黄（Ｓ）ドープのｎ型GaP
基板２４を設置し、溶液収容ボート２８の溶液収
容溜にGaを５ｇ収容し、ガス供給口１１a′から
H2ガスを流入しながら加熱装置を動作させ成長
用ボート１２を1010℃まで上昇せしめGaP未飽和
でドナー不純物を含まない（自然的に入るドナー
不純物例えばシリコン等は入つている）Ga溶液
２６を作る。このように1010℃に達してから15分
後、スライダー２５を可動せしめ、第２図ｂに示
すようにGaP基板２４と溶液２６を接触させ第２
図ｃのようにGaP基板２４上に溶液２６の一部を
載せたまま多数の小孔２７を有する部分まで移動
せしめる。この時GaP基板２４上の溶液２６の厚
さが例えば1.5mmとなるように前記スライダー２
５の凹部２４ａの深さを設置しておく。この状態
で例えば10分間保持して上記溶液２６にGaP基板
２４の表面を溶し込み、この後一定の冷却速度例
えば1.5℃／分で所定の温度例えば960℃まで冷却
する。そして960℃に達したら所定の時間例えば
60分間温度を一定に保ち、保持開始と同時にガス
供給口１１ａからアンモニア（NH3）を含むH2ガ
スを流入する。このようにすると流入されたアン
モニアは第２図ｃに示す状態で多数の小孔２７を
介してGaP結晶上のガリウム溶液２６と反応し、
高濃度のＮがガリウム溶液に添加される。60分経
過後、溶液を再び例えば、1.5℃／分の冷却速度
で900℃まで冷却せしめ、途中から高濃度の窒素
原子を添加してｎ型GaP層を成長させる。引続き
900℃に達したら、所定の時間例えば30分間温度
を一定に保ち、保持開始と同時に、第１図に示す
例えばZnからなる不純物蒸発源１９の加熱装置
１３ｂを動作させ例えば560℃まで昇温せしめそ
の温度で保温する。このようにするとZnが蒸発
し、第１図に示すガス供給口１１a′からの例えば
H2ガスと共に多数の小孔２７を介してｎ型GaP層
が成長したｎ型GaP基板上の溶液に送り込まれ
る。その後溶液を再び例えば1.5℃／分の冷却速
度で800℃まで冷却せしめ、ｎ型GaP層上にｐ型
GaP層を成長させ同時にアンモニアを含むH2ガス
を止め、後は加熱装置１３ａ及び１３ｂの電源
（図示しない）を切り、自然冷却させる。ところ
で以上の成長用ボート１２及び不純物蒸発源１９
の温度プログラムは、上述した点からも明らかで
あるが、図示すると第３図ａ，ｂに示すような分
布である。
めの開口１１ａ，１１a′と、ガスを排出するため
の開口１１ｂが設けられている。このような成長
装置で、ｎ型GaP基板上にｎ型GaP層及びｐ型
GaP層を形成する場合、第２図ａ，ｂ，ｃのよう
に成長用ボート１２を駆動して行う。まず第２図
ａに示すようにグラフアイトからなるスライダー
２５の凹部２４ａに硫黄（Ｓ）ドープのｎ型GaP
基板２４を設置し、溶液収容ボート２８の溶液収
容溜にGaを５ｇ収容し、ガス供給口１１a′から
H2ガスを流入しながら加熱装置を動作させ成長
用ボート１２を1010℃まで上昇せしめGaP未飽和
でドナー不純物を含まない（自然的に入るドナー
不純物例えばシリコン等は入つている）Ga溶液
２６を作る。このように1010℃に達してから15分
後、スライダー２５を可動せしめ、第２図ｂに示
すようにGaP基板２４と溶液２６を接触させ第２
図ｃのようにGaP基板２４上に溶液２６の一部を
載せたまま多数の小孔２７を有する部分まで移動
せしめる。この時GaP基板２４上の溶液２６の厚
さが例えば1.5mmとなるように前記スライダー２
５の凹部２４ａの深さを設置しておく。この状態
で例えば10分間保持して上記溶液２６にGaP基板
２４の表面を溶し込み、この後一定の冷却速度例
えば1.5℃／分で所定の温度例えば960℃まで冷却
する。そして960℃に達したら所定の時間例えば
60分間温度を一定に保ち、保持開始と同時にガス
供給口１１ａからアンモニア（NH3）を含むH2ガ
スを流入する。このようにすると流入されたアン
モニアは第２図ｃに示す状態で多数の小孔２７を
介してGaP結晶上のガリウム溶液２６と反応し、
高濃度のＮがガリウム溶液に添加される。60分経
過後、溶液を再び例えば、1.5℃／分の冷却速度
で900℃まで冷却せしめ、途中から高濃度の窒素
原子を添加してｎ型GaP層を成長させる。引続き
900℃に達したら、所定の時間例えば30分間温度
を一定に保ち、保持開始と同時に、第１図に示す
例えばZnからなる不純物蒸発源１９の加熱装置
１３ｂを動作させ例えば560℃まで昇温せしめそ
の温度で保温する。このようにするとZnが蒸発
し、第１図に示すガス供給口１１a′からの例えば
H2ガスと共に多数の小孔２７を介してｎ型GaP層
が成長したｎ型GaP基板上の溶液に送り込まれ
る。その後溶液を再び例えば1.5℃／分の冷却速
度で800℃まで冷却せしめ、ｎ型GaP層上にｐ型
GaP層を成長させ同時にアンモニアを含むH2ガス
を止め、後は加熱装置１３ａ及び１３ｂの電源
（図示しない）を切り、自然冷却させる。ところ
で以上の成長用ボート１２及び不純物蒸発源１９
の温度プログラムは、上述した点からも明らかで
あるが、図示すると第３図ａ，ｂに示すような分
布である。
このようにして得られたｎ型GaP基板上のｎ型
GaP層のドナー濃度の分布は、第４図の実線で示
すように成長方向に対して階段状に大きく減少す
るようになつた。これは、ｎ型GaP層を液相エピ
タキシヤル成長する時に、GaP未飽和で且つドナ
ー不純物を含まないGa溶液にGaP基板表面を一
旦溶解させ、この溶解したGaP溶液を、前半は水
素雰囲気下で、後半はアンモニアを含んだ水素雰
囲気下で再析出させることによると思われる。即
ちエピタキシヤル成長前半では石英製反応管表面
が水素ガスで還元される為ガリウム溶液に高濃度
のシリコン（Si）が混入することが考えられ、こ
れを反映して前半に成長するｎ型GaP層には高濃
度のS1が添加される。一方後半の成長はアンモニ
アを含む水素雰囲気下で行われる為ガリウム溶液
には多量の窒素が添加され、その窒素の一部が溶
液中に溶け込んでいるSiと安定な化合物を形成
し、溶液中のSiの濃度が減少してしまい、溶液中
のドナー不純物としては基板結晶の溶解によつて
もたらされた硫黄が主となり、この為後半で成長
するｎ型GaP層のドナー濃度が低くなると考えら
れる。したがつてｎ型GaP層の不純物分布は、エ
ピタキシヤル成長させる際に途中でアンモニアを
含んだ水素雰囲気下で行うようにしているため、
階段状変化（成長方向に対し減少）していると思
われる。なお比較のためにアンモニア添加を最初
の昇温時又はｎ型GaP層の成長開始時に行なつた
場合、特にｎ型GaP層ドナー濃度が第４図点線で
示すように低くなり、これに伴つてｎ型GaP層全
体の発光中心不純物濃度（ＮT）が高く例えば２
×1018／cm3程度となり、この高い発光中心不純物
濃度によつて光を吸収してしまい、外部効率を低
下させてしまう原因となる。このようにｎ型GaP
層のｐ―ｎ接合付近のドナー濃度が低くなるた
め、これに反映してｐ―ｎ接合付近の緑色発光中
心不純物であるＮ原子は２×1018／cm3と高濃度と
なつている。したがつて発光効率は、ｐ型GaP層
からｎ型GaP層へのホールの注入の増大及び発光
中心不純濃物の増大のために大幅に向上する。
GaP層のドナー濃度の分布は、第４図の実線で示
すように成長方向に対して階段状に大きく減少す
るようになつた。これは、ｎ型GaP層を液相エピ
タキシヤル成長する時に、GaP未飽和で且つドナ
ー不純物を含まないGa溶液にGaP基板表面を一
旦溶解させ、この溶解したGaP溶液を、前半は水
素雰囲気下で、後半はアンモニアを含んだ水素雰
囲気下で再析出させることによると思われる。即
ちエピタキシヤル成長前半では石英製反応管表面
が水素ガスで還元される為ガリウム溶液に高濃度
のシリコン（Si）が混入することが考えられ、こ
れを反映して前半に成長するｎ型GaP層には高濃
度のS1が添加される。一方後半の成長はアンモニ
アを含む水素雰囲気下で行われる為ガリウム溶液
には多量の窒素が添加され、その窒素の一部が溶
液中に溶け込んでいるSiと安定な化合物を形成
し、溶液中のSiの濃度が減少してしまい、溶液中
のドナー不純物としては基板結晶の溶解によつて
もたらされた硫黄が主となり、この為後半で成長
するｎ型GaP層のドナー濃度が低くなると考えら
れる。したがつてｎ型GaP層の不純物分布は、エ
ピタキシヤル成長させる際に途中でアンモニアを
含んだ水素雰囲気下で行うようにしているため、
階段状変化（成長方向に対し減少）していると思
われる。なお比較のためにアンモニア添加を最初
の昇温時又はｎ型GaP層の成長開始時に行なつた
場合、特にｎ型GaP層ドナー濃度が第４図点線で
示すように低くなり、これに伴つてｎ型GaP層全
体の発光中心不純物濃度（ＮT）が高く例えば２
×1018／cm3程度となり、この高い発光中心不純物
濃度によつて光を吸収してしまい、外部効率を低
下させてしまう原因となる。このようにｎ型GaP
層のｐ―ｎ接合付近のドナー濃度が低くなるた
め、これに反映してｐ―ｎ接合付近の緑色発光中
心不純物であるＮ原子は２×1018／cm3と高濃度と
なつている。したがつて発光効率は、ｐ型GaP層
からｎ型GaP層へのホールの注入の増大及び発光
中心不純濃物の増大のために大幅に向上する。
なお上記実施例では、アンモニア添加をｎ型
GaP層の成長途中の20μｍ付近で行つているが、
15μｍ〜25μｍ付近であつても良い。これは、エ
ピタキシヤル成長を60μｍ行い、ｐ型GaP層が20
μｍの場合であつて成長層或いはｐ型GaP層の厚
さが異なる場合は上述した値に限ることがない。
ただしこの条件としては、発光領域であるｐ―ｎ
接合付近のｎ型GaP層近傍（２〜５μｍ）で窒素
濃度の変化をなくして結晶性を良くし、また上述
したように窒素による光の吸収を少なくすること
である。
GaP層の成長途中の20μｍ付近で行つているが、
15μｍ〜25μｍ付近であつても良い。これは、エ
ピタキシヤル成長を60μｍ行い、ｐ型GaP層が20
μｍの場合であつて成長層或いはｐ型GaP層の厚
さが異なる場合は上述した値に限ることがない。
ただしこの条件としては、発光領域であるｐ―ｎ
接合付近のｎ型GaP層近傍（２〜５μｍ）で窒素
濃度の変化をなくして結晶性を良くし、また上述
したように窒素による光の吸収を少なくすること
である。
また上記実施例において、液相エピタキシヤル
成長時にZnを添加するようにしたが、例えば成
長方向にしたがつてドナー濃度が減少するｎ型
GaP層を形成した後にZnを拡散せしめても良い。
この場合重要なことはZnを拡散する際に、この
Znによつて形成されるｐ型層が高濃度の窒素を
含む領域内にあるようにすることである。
成長時にZnを添加するようにしたが、例えば成
長方向にしたがつてドナー濃度が減少するｎ型
GaP層を形成した後にZnを拡散せしめても良い。
この場合重要なことはZnを拡散する際に、この
Znによつて形成されるｐ型層が高濃度の窒素を
含む領域内にあるようにすることである。
さらに上記実施例において、アンモニアを含む
H2ガスをｐ型GaP層を成長させると同時に止めた
が、そのままアンモニアを含むH2ガスを流して
いても良く、またｐ型GaP層成長開始直後或いは
途中で止めても良い。例えばｐ型GaP層成長開始
直後或いは途中で止めた場合、ｐ型GaP層内に含
む窒素が少なくなり、光吸収が少なく発光効率を
向上するとも考えられる。
H2ガスをｐ型GaP層を成長させると同時に止めた
が、そのままアンモニアを含むH2ガスを流して
いても良く、またｐ型GaP層成長開始直後或いは
途中で止めても良い。例えばｐ型GaP層成長開始
直後或いは途中で止めた場合、ｐ型GaP層内に含
む窒素が少なくなり、光吸収が少なく発光効率を
向上するとも考えられる。
さらにまた上記実施例ではｎ型GaP層を液相エ
ピタキシヤル成長する時に水素雰囲気中で行つた
が、例えばアルゴン（Ar）雰囲気中で行つても
良い。例えばアンモニア添加の時にAr雰囲気中
で行うと、上述したように窒素（アンモニア）の
一部が溶液中に溶け込んでいるSiと安定な化合物
を形成し溶液中のSi濃度が減少し、溶液中のドナ
ー不純物としては基板結晶の溶解によつてもたさ
れた硫黄が主となり、この為アンモニア添加した
後で成長するｎ型GaP層のドナー濃度が低くな
り、ある場合にはｐ型に反転する場合がある。
ピタキシヤル成長する時に水素雰囲気中で行つた
が、例えばアルゴン（Ar）雰囲気中で行つても
良い。例えばアンモニア添加の時にAr雰囲気中
で行うと、上述したように窒素（アンモニア）の
一部が溶液中に溶け込んでいるSiと安定な化合物
を形成し溶液中のSi濃度が減少し、溶液中のドナ
ー不純物としては基板結晶の溶解によつてもたさ
れた硫黄が主となり、この為アンモニア添加した
後で成長するｎ型GaP層のドナー濃度が低くな
り、ある場合にはｐ型に反転する場合がある。
また上記実施例において、ｎ型GaP基板のドナ
ー不純物として硫黄（Ｓ）を用いたが、テルル
（Te）或いはセレン（Se）であつても良く、ｐ型
GaP層のアクセプタ不純物としてZnに限ることな
くCdであつても良い。
ー不純物として硫黄（Ｓ）を用いたが、テルル
（Te）或いはセレン（Se）であつても良く、ｐ型
GaP層のアクセプタ不純物としてZnに限ることな
くCdであつても良い。
さらに上記実施例で説明した数値は、それに限
ることなく種々変えることができる。
ることなく種々変えることができる。
第１図は本発明の一実施例の方法に用いた液相
エピタキシヤル成長装置の概略を示す断面図、第
２図ａ〜ｃは第１図装置の成長用ボードを駆動様
態を示す断面図、第３図ａ，ｂは第１図装置の成
長用ボードと不純物蒸発源の温度プロフアイルを
示す曲線図、第４図は本発明の一実施例の方法に
よつて得られた発光素子の不純物プロフアイルを
示す図である。 １１……反応炉、１２……成長用ボード、１３
ａ，１３ｂ……加熱装置、１４，２４……ｎ型
GaP基板、１４ａ，２４ａ……基板を収容する凹
部、１４ｂ，２４ｂ，１６ｂ，２６ｂ……蓋、１
５，２５……スライダー、１６，２６……溶液、
１７，２７……小孔、１８，２８……溶液収容ボ
ート、１９……不純物蒸発源、１１ａ，１１a′…
…ガスを供給するための開口、１１ａ……ガスを
排出するための開口。
エピタキシヤル成長装置の概略を示す断面図、第
２図ａ〜ｃは第１図装置の成長用ボードを駆動様
態を示す断面図、第３図ａ，ｂは第１図装置の成
長用ボードと不純物蒸発源の温度プロフアイルを
示す曲線図、第４図は本発明の一実施例の方法に
よつて得られた発光素子の不純物プロフアイルを
示す図である。 １１……反応炉、１２……成長用ボード、１３
ａ，１３ｂ……加熱装置、１４，２４……ｎ型
GaP基板、１４ａ，２４ａ……基板を収容する凹
部、１４ｂ，２４ｂ，１６ｂ，２６ｂ……蓋、１
５，２５……スライダー、１６，２６……溶液、
１７，２７……小孔、１８，２８……溶液収容ボ
ート、１９……不純物蒸発源、１１ａ，１１a′…
…ガスを供給するための開口、１１ａ……ガスを
排出するための開口。
Claims (1)
- １ ｎ型リン化ガリウム基板上にｐ―ｎ接合を構
成するリン化ガリウム層を液相エピタキシヤル成
長により形成してリン化ガリウム緑色発光素子を
製造するに際し、前記基板上に、ドナー不純物を
添加しないガリウム溶液を、液相エピタキシヤル
成長開始温度付近で接触させて冷却せしめ、この
冷却の途中から前記ガリウム溶液にアンモニア添
加して一定期間保持する工程を経て、前記基板側
からドナー濃度が階段状に減少するようにｎ型リ
ン化ガリウム層を形成することを特徴とするリン
化ガリウム緑色発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12003877A JPS5453977A (en) | 1977-10-07 | 1977-10-07 | Manufacture for gallium phosphide green light emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12003877A JPS5453977A (en) | 1977-10-07 | 1977-10-07 | Manufacture for gallium phosphide green light emitting element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5453977A JPS5453977A (en) | 1979-04-27 |
| JPS6136396B2 true JPS6136396B2 (ja) | 1986-08-18 |
Family
ID=14776358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12003877A Granted JPS5453977A (en) | 1977-10-07 | 1977-10-07 | Manufacture for gallium phosphide green light emitting element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5453977A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5930797A (ja) * | 1982-08-16 | 1984-02-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 液相エピタキシヤル成長方法 |
| JPH079883B2 (ja) * | 1984-03-28 | 1995-02-01 | 信越半導体株式会社 | エピタキシヤルウエーハの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52116072A (en) * | 1976-03-25 | 1977-09-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Process for doping nitrogen to gallium phosphide |
-
1977
- 1977-10-07 JP JP12003877A patent/JPS5453977A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5453977A (en) | 1979-04-27 |
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