JPH079883B2 - エピタキシヤルウエーハの製造方法 - Google Patents
エピタキシヤルウエーハの製造方法Info
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- JPH079883B2 JPH079883B2 JP5973884A JP5973884A JPH079883B2 JP H079883 B2 JPH079883 B2 JP H079883B2 JP 5973884 A JP5973884 A JP 5973884A JP 5973884 A JP5973884 A JP 5973884A JP H079883 B2 JPH079883 B2 JP H079883B2
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- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
- H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は高輝度の発光ダイオード用間接遷移型燐化砒化
ガリウム（GaAs1-XPX,0＜1-X≦0.5）エピタキシヤルウ
エーハに関する。
ガリウム（GaAs1-XPX,0＜1-X≦0.5）エピタキシヤルウ
エーハに関する。
黄色から赤色発光ダイオード用III−Ｖ族化合物半導体
の気相エピタキシヤルウエーハとして、燐化ガリウム
（GaP）等の単結晶基板上に砒素成分組成率1-Xが０＜1-
X≦0.5の範囲である間接遷移型燐化砒化ガリウム（GaAs
1-XPX）エピタキシヤル膜を設けたものが従来から用い
られている。
の気相エピタキシヤルウエーハとして、燐化ガリウム
（GaP）等の単結晶基板上に砒素成分組成率1-Xが０＜1-
X≦0.5の範囲である間接遷移型燐化砒化ガリウム（GaAs
1-XPX）エピタキシヤル膜を設けたものが従来から用い
られている。
本発明者等はこのエピタキシヤルウエーハを用いて発光
ダイオードを製造する場合、実用的な発光効率を得るた
めに、アイソエレクトロニツク・トラツプとしての窒素
を添加する方法を提案したが（昭和59年３月６日特許出
願）この窒素の添加時、キヤリアの注入効率をあげるた
め、すなわち、高輝度化するため、GaAs1-XPXエピタキ
シヤル膜中のｎ型不純物濃度（以下NDという）を高濃度
（約１×1017原子／cm3）から低濃度（約１×1016原子
／cm3）に低下させることが行われている（図１−１お
よび図１−２参照）。キヤリアの注入効率をあげるだけ
のためなら、エピタキシヤル膜全体にわたりNDを約１×
1016原子／cm3にすればよいが、この低NDでは発光ダイ
オード順方向立上り電圧VFが高すぎて実用上問題をきた
すため、前述のようなND分布をとつている。
ダイオードを製造する場合、実用的な発光効率を得るた
めに、アイソエレクトロニツク・トラツプとしての窒素
を添加する方法を提案したが（昭和59年３月６日特許出
願）この窒素の添加時、キヤリアの注入効率をあげるた
め、すなわち、高輝度化するため、GaAs1-XPXエピタキ
シヤル膜中のｎ型不純物濃度（以下NDという）を高濃度
（約１×1017原子／cm3）から低濃度（約１×1016原子
／cm3）に低下させることが行われている（図１−１お
よび図１−２参照）。キヤリアの注入効率をあげるだけ
のためなら、エピタキシヤル膜全体にわたりNDを約１×
1016原子／cm3にすればよいが、この低NDでは発光ダイ
オード順方向立上り電圧VFが高すぎて実用上問題をきた
すため、前述のようなND分布をとつている。
この従来法によるGaAs1-xPx（０＜1-X≦0.5）エピタキ
シヤル膜の成長について図面で説明すると、図１−１は
黄色発光ダイオード用GaAs1-XPXエピタキシヤルウエー
ハの断面図の１例を、図１−２はそのND分布及び窒素濃
度（以下NNという）分布の１例を示したものである。図
１−１及び図１−２において１′は厚さ約300ミクロン
（μ）のGaP単結晶基板、２′は厚さ５μのGaPエピタキ
シヤル層、３′は結晶不整歪緩和技術を用いて、砒素成
分組成率1-Xを０から約0.15まで増加させた厚さ35μのG
aAs1-XPX砒素成分組成率増加層、４′は1-Xが約0.15と
一定な厚さ15μのGaAs1-XPX組成一定層、５′および
６′は窒素原子の添加されたGaAs1-XPX組成一定層（た
だし結晶組成は層４′と同じ）であつて、５′は図１−
２に示す如くNNを０から所望の値まで徐々に増加させた
厚さ５μのNN徐増加層、６′はNNを所望の値に固定した
厚さ20μのNN一定層である。ただしこの方法において
は、図１−２示す如く、層５′の形成開始と同時にNDを
高濃度から低濃度へ急峻に変化させている。
シヤル膜の成長について図面で説明すると、図１−１は
黄色発光ダイオード用GaAs1-XPXエピタキシヤルウエー
ハの断面図の１例を、図１−２はそのND分布及び窒素濃
度（以下NNという）分布の１例を示したものである。図
１−１及び図１−２において１′は厚さ約300ミクロン
（μ）のGaP単結晶基板、２′は厚さ５μのGaPエピタキ
シヤル層、３′は結晶不整歪緩和技術を用いて、砒素成
分組成率1-Xを０から約0.15まで増加させた厚さ35μのG
aAs1-XPX砒素成分組成率増加層、４′は1-Xが約0.15と
一定な厚さ15μのGaAs1-XPX組成一定層、５′および
６′は窒素原子の添加されたGaAs1-XPX組成一定層（た
だし結晶組成は層４′と同じ）であつて、５′は図１−
２に示す如くNNを０から所望の値まで徐々に増加させた
厚さ５μのNN徐増加層、６′はNNを所望の値に固定した
厚さ20μのNN一定層である。ただしこの方法において
は、図１−２示す如く、層５′の形成開始と同時にNDを
高濃度から低濃度へ急峻に変化させている。
本発明者らは少なくとも窒素原子が添加されたGaAs1-XP
Xの組成一定層において、層中のNDを低くすることはキ
ヤリアの注入効率を高めるという効果ばかりでなく、こ
れを急峻に減じなければGaAs1-XPX層の結晶品質を良く
するという効果があることに着目して、高結晶品質の発
光ダイオード用間接遷移型GaAs1-XPXエピタキシヤル膜
を得べく研究を重ねた結果、本発明に到達したものであ
る。
Xの組成一定層において、層中のNDを低くすることはキ
ヤリアの注入効率を高めるという効果ばかりでなく、こ
れを急峻に減じなければGaAs1-XPX層の結晶品質を良く
するという効果があることに着目して、高結晶品質の発
光ダイオード用間接遷移型GaAs1-XPXエピタキシヤル膜
を得べく研究を重ねた結果、本発明に到達したものであ
る。
本発明の要旨は、燐化ガリウム単結晶基板と該基板と同
一成分からなるエピタキシャル層、三元系化合物半導体
GaAs1-XPXの砒素成分組成率増加層（ただし０＜１−Ｘ
≦0.5），GaAs1-XPXの組成率一定層（ただし０＜１−Ｘ
≦0.5）及びキヤリアの発光再結合領域に窒素原子の添
加されたGaAs1-XPXの組成一定層（ただし０＜１−Ｘ≦
0.5）を有する積層構造のエピタキシヤルウエーハを製
造するに当たり、少なくとも、窒素原子が添加されたGa
As1-XPXの組成一定層において、エピタキシヤル膜中の
ｎ型不純物濃度を高濃度から所望の低濃度にする際、そ
の初期段階において、ｎ型不純物濃度を徐々に減ずる厚
さが５μ以上のｎ型不純物濃度徐減少層を形成させるこ
とを特徴とするエピタキシアルウエーハの製造方法にあ
る。
一成分からなるエピタキシャル層、三元系化合物半導体
GaAs1-XPXの砒素成分組成率増加層（ただし０＜１−Ｘ
≦0.5），GaAs1-XPXの組成率一定層（ただし０＜１−Ｘ
≦0.5）及びキヤリアの発光再結合領域に窒素原子の添
加されたGaAs1-XPXの組成一定層（ただし０＜１−Ｘ≦
0.5）を有する積層構造のエピタキシヤルウエーハを製
造するに当たり、少なくとも、窒素原子が添加されたGa
As1-XPXの組成一定層において、エピタキシヤル膜中の
ｎ型不純物濃度を高濃度から所望の低濃度にする際、そ
の初期段階において、ｎ型不純物濃度を徐々に減ずる厚
さが５μ以上のｎ型不純物濃度徐減少層を形成させるこ
とを特徴とするエピタキシアルウエーハの製造方法にあ
る。
以下本発明を詳しく説明すると、通常、アイソエレクト
ロニツク・トラツプとしての窒素原子およびｎ型不純物
（硫黄Ｓ、テルルTe等）は共に三元系化合物半導体GaAs
1-XPX結晶のＶ族原子の位置に置換されるので、この結
晶中に窒素原子が添加される時、NDは可能なかぎり低濃
度（発光再結合に支障をきたさない範囲内で）にした方
が高品質の結晶が得られるが、このNDの減少を急峻に行
うと、結晶性改善の効果が薄い、ということが研究の結
果判明した。前記ｎ型不純物の低濃度効果を有効に発揮
させるため、下記の方法、すなわち、NDを高濃度（約１
×1017原子／cm3）から低濃度（約１×1016原子／cm3）
にする初期段階において、その濃度を徐々に減少させた
ND徐減少層もしくは前記ND徐減少層中に少なくとも一層
以上NDが一定である層を有するND徐減少層を設けること
により、高結晶品質のGaAs1-XPXエピタキシヤル膜を有
するウエーハを得ることができ、これにより発光ダイオ
ードの輝度向上が達せられる。
ロニツク・トラツプとしての窒素原子およびｎ型不純物
（硫黄Ｓ、テルルTe等）は共に三元系化合物半導体GaAs
1-XPX結晶のＶ族原子の位置に置換されるので、この結
晶中に窒素原子が添加される時、NDは可能なかぎり低濃
度（発光再結合に支障をきたさない範囲内で）にした方
が高品質の結晶が得られるが、このNDの減少を急峻に行
うと、結晶性改善の効果が薄い、ということが研究の結
果判明した。前記ｎ型不純物の低濃度効果を有効に発揮
させるため、下記の方法、すなわち、NDを高濃度（約１
×1017原子／cm3）から低濃度（約１×1016原子／cm3）
にする初期段階において、その濃度を徐々に減少させた
ND徐減少層もしくは前記ND徐減少層中に少なくとも一層
以上NDが一定である層を有するND徐減少層を設けること
により、高結晶品質のGaAs1-XPXエピタキシヤル膜を有
するウエーハを得ることができ、これにより発光ダイオ
ードの輝度向上が達せられる。
窒素原子の添加に関しても、急峻に添加すると結晶欠陥
等が急増して結晶品質を悪くするので、これを防止する
ため窒素原子添加の初期段階において、NNを所望の値ま
で徐々に増加させたNN徐増加層を設けることが必要であ
る。
等が急増して結晶品質を悪くするので、これを防止する
ため窒素原子添加の初期段階において、NNを所望の値ま
で徐々に増加させたNN徐増加層を設けることが必要であ
る。
以下これを図面をもつて詳しく説明する。本発明におけ
る単結晶基板はGaP単独を使用すればよいがGaPのエピタ
キシヤル層を有するGaP単結晶基板であつてもよい。
る単結晶基板はGaP単独を使用すればよいがGaPのエピタ
キシヤル層を有するGaP単結晶基板であつてもよい。
図２−１は本発明による黄色発光ダイオード用GaAs1-XP
Xエピタキシヤルウエーハの断面図の１例を、図２−２
はそのND分布およびNN分布の１例を示したものである。
図２−１および図２−２において層１〜４はそれぞれ従
来法による図１−１、図１−２の各層１′〜４′と同じ
組成および厚さのものであるからこの説明は省略する。
層５はNDを高濃度Ａから所望の低濃度Ｂまで徐々に減少
させた厚さ５μのND徐減少層（この層の形成時、図２−
２に示す如く、NNは０から所望の値まで徐々に増加させ
る）、層６はNDを所望の低濃度Ｂに固定した厚さ20μの
ND一定層（窒素濃度も所望の値Ｃに一定とする）であ
る、 次に実施例および比較例に基づいて本発明を説明する
が、こゝにあげた実施例によつて本発明が限定されない
ことは勿論である。
Xエピタキシヤルウエーハの断面図の１例を、図２−２
はそのND分布およびNN分布の１例を示したものである。
図２−１および図２−２において層１〜４はそれぞれ従
来法による図１−１、図１−２の各層１′〜４′と同じ
組成および厚さのものであるからこの説明は省略する。
層５はNDを高濃度Ａから所望の低濃度Ｂまで徐々に減少
させた厚さ５μのND徐減少層（この層の形成時、図２−
２に示す如く、NNは０から所望の値まで徐々に増加させ
る）、層６はNDを所望の低濃度Ｂに固定した厚さ20μの
ND一定層（窒素濃度も所望の値Ｃに一定とする）であ
る、 次に実施例および比較例に基づいて本発明を説明する
が、こゝにあげた実施例によつて本発明が限定されない
ことは勿論である。
〔実施例１〕 下記の方法によつて黄色発光ダイオード用GaAs1-XPXエ
ピタキシヤルウエーハを製造した。テルル（Te）を2.3
×1017原子／cm3添加した結晶方位＜100＞のGaP単結晶
を（100）より＜110＞の方向に５゜偏位をもつように厚
さ350μにスライスした後、通常の化学エツチングと機
械化学研摩をほどこした厚さ約300μのGaP鏡面ウエーハ
をエピタキシヤル基板として用いた。
ピタキシヤルウエーハを製造した。テルル（Te）を2.3
×1017原子／cm3添加した結晶方位＜100＞のGaP単結晶
を（100）より＜110＞の方向に５゜偏位をもつように厚
さ350μにスライスした後、通常の化学エツチングと機
械化学研摩をほどこした厚さ約300μのGaP鏡面ウエーハ
をエピタキシヤル基板として用いた。
また反応ガスとして水素（H2）、水素希釈の濃度50ppm
の硫化水素（H2S,n型不純物）、H2希釈の１％の砒化水
素（AsH3）、H2希釈の10％の燐化水素（PH3）、高純度
塩化水素ガス（HCl）および高純度アンモニアガス（N
H3）を用いた。以後上記反応ガスを各々H2，H2S／H2，A
sH3／H2，PH3／H2,HClおよびNH3と略記する。
の硫化水素（H2S,n型不純物）、H2希釈の１％の砒化水
素（AsH3）、H2希釈の10％の燐化水素（PH3）、高純度
塩化水素ガス（HCl）および高純度アンモニアガス（N
H3）を用いた。以後上記反応ガスを各々H2，H2S／H2，A
sH3／H2，PH3／H2,HClおよびNH3と略記する。
上記GaP単結晶基板を洗浄した後、気相エピタキシヤル
反応機内の所定の場所に前記GaP単結晶基板と高純度Ga
入り石英容器をセツトする。
反応機内の所定の場所に前記GaP単結晶基板と高純度Ga
入り石英容器をセツトする。
反応機内に高純度窒素ガス（N2）、ついでキヤリアガス
としての高純度水素ガス（H2）を導入して反応機内を充
分に置換した後、昇温を開始した。上記GaP単結晶基板
セツト領域の温度が880℃に達したことを確認した後、
黄色発光ダイオード用GaAs0.15P0.85エピタキシヤル膜
の気相成長を開始した。
としての高純度水素ガス（H2）を導入して反応機内を充
分に置換した後、昇温を開始した。上記GaP単結晶基板
セツト領域の温度が880℃に達したことを確認した後、
黄色発光ダイオード用GaAs0.15P0.85エピタキシヤル膜
の気相成長を開始した。
まず初めにH2S／H2を50cc/分の流量で導入し、他方HCl
を45cc/分の流量で導入して石英容器中のGaと反応させ
てGaClを形成させ、同時に導入した流量250cc/分のPH3
／H2とによりGaP単結晶基板上にGaPエピタキシヤル層２
を成長させた。
を45cc/分の流量で導入して石英容器中のGaと反応させ
てGaClを形成させ、同時に導入した流量250cc/分のPH3
／H2とによりGaP単結晶基板上にGaPエピタキシヤル層２
を成長させた。
つぎに、上記GaPエピタキシヤル層２上に砒素成分組成
率増加層３を成長させた。最初に前記H2S／H2,HClおよ
びPH3／H2の流量を各々50cc/分、45cc/分および250cc/
分に保ちながらAsH3／H2の流量を0cc/分より260cc/分ま
で徐々に増加させて、1-Xが０から約0.15まで変化する
砒素成分組成率増加量３を形成した。AsH3／H2の流量が
0cc/分から170cc/分に変化する間、基板セツト領域の温
度を880℃より820℃に徐々に、かつ連続的に低下させ
た。以後、この基板セツト領域の温度はエピタキシヤル
成長終了まで820℃に固定した。
率増加層３を成長させた。最初に前記H2S／H2,HClおよ
びPH3／H2の流量を各々50cc/分、45cc/分および250cc/
分に保ちながらAsH3／H2の流量を0cc/分より260cc/分ま
で徐々に増加させて、1-Xが０から約0.15まで変化する
砒素成分組成率増加量３を形成した。AsH3／H2の流量が
0cc/分から170cc/分に変化する間、基板セツト領域の温
度を880℃より820℃に徐々に、かつ連続的に低下させ
た。以後、この基板セツト領域の温度はエピタキシヤル
成長終了まで820℃に固定した。
ついで、上記H2S／H2,HCl,PH3／H2およびAsH3／H2の流
量を各々50cc/分、45cc/分、250cc/分および260cc/分に
固定しGaAs1-XPX組成一定層４すなわちGaAs0.15P0.85層
を成長させた。
量を各々50cc/分、45cc/分、250cc/分および260cc/分に
固定しGaAs1-XPX組成一定層４すなわちGaAs0.15P0.85層
を成長させた。
つぎにHCl,PH3／H2およびAsH3／H2の流量を各々45cc/
分、250cc/分および260cc/分に保ちながら図３に示す如
くH2S／H2の流量を50cc/分から10cc/分まで徐々に減少
させ、またこの間、NH3は流量を0cc/分から400cc/分ま
で図３に示すような変化をとつて徐々に増加させて、本
発明に基づくND徐減少層５を形成させた。最後にH2S／H
2,HCl,PH3／H2，AsH3／H2およびNH3の流量を各々10cc/
分、45cc/分、250cc/分、260cc/分および400cc/分に固
定して所望の濃度にｎ型不純物および窒素原子が添加さ
れたND一定GaAs1-XPX組成一定層６を形成し、黄色発光
ダイオード用間接遷移型GaAs1-XPXエピタキシヤル膜の
成長を終了させ、エピタキシヤルウエーハを得た。
分、250cc/分および260cc/分に保ちながら図３に示す如
くH2S／H2の流量を50cc/分から10cc/分まで徐々に減少
させ、またこの間、NH3は流量を0cc/分から400cc/分ま
で図３に示すような変化をとつて徐々に増加させて、本
発明に基づくND徐減少層５を形成させた。最後にH2S／H
2,HCl,PH3／H2，AsH3／H2およびNH3の流量を各々10cc/
分、45cc/分、250cc/分、260cc/分および400cc/分に固
定して所望の濃度にｎ型不純物および窒素原子が添加さ
れたND一定GaAs1-XPX組成一定層６を形成し、黄色発光
ダイオード用間接遷移型GaAs1-XPXエピタキシヤル膜の
成長を終了させ、エピタキシヤルウエーハを得た。
〔実施例２〕 H2S／H2の導入方法を図４に示す如く変えた以外は実施
例１と同一の条件でGaAs0.15P0.85エピタキシヤルウエ
ーハを試作した。
例１と同一の条件でGaAs0.15P0.85エピタキシヤルウエ
ーハを試作した。
〔実施例３〕 H2S／H2の導入方法を図５に示す如く変えたこと以外は
実施例１と同一の条件でGaAs0.15P0.85エピタキシヤル
ウエーハを試作した。図より明らかなように層４の初め
の10μはH2S／H2の流量が50cc/分と一定であるが、次の
５μは徐々に変化させた。
実施例１と同一の条件でGaAs0.15P0.85エピタキシヤル
ウエーハを試作した。図より明らかなように層４の初め
の10μはH2S／H2の流量が50cc/分と一定であるが、次の
５μは徐々に変化させた。
〔実施例４〕 H2S／H2の導入方法を図６に示す如く変えたこと以外は
実施例１と同一条件でGaAs0.15P0.85エピタキシヤルウ
エーハを試作した。図より明らかなように層４の初めの
10μはH2S／H2の流量が50cc/分と一定であるが、次の５
μは図のように変化させて導入した。
実施例１と同一条件でGaAs0.15P0.85エピタキシヤルウ
エーハを試作した。図より明らかなように層４の初めの
10μはH2S／H2の流量が50cc/分と一定であるが、次の５
μは図のように変化させて導入した。
図７に示す如く、H2S／H2の減少を急峻に行なつたこと
以外は実施例１と同一の条件でGaAs0.15P0.85エピタキ
シヤルウエーハを試作した。
以外は実施例１と同一の条件でGaAs0.15P0.85エピタキ
シヤルウエーハを試作した。
次に、上記ウエーハにZn拡散を行なつてＰ−Ｎ接合を形
成し黄色発光ダイオードを製作したところ、この黄色発
光ダイオード（樹脂コートなし）の輝度（ミリカンデ
ラ、mcd）は第１表に示す如くであつた。
成し黄色発光ダイオードを製作したところ、この黄色発
光ダイオード（樹脂コートなし）の輝度（ミリカンデ
ラ、mcd）は第１表に示す如くであつた。
上記第１表に示した如く、本発明のND徐減少法（実施例
１〜４）は急峻な減少法（比較例）に比べ、約20％の輝
度向上が達成され、本発明の方法による効果が確認され
た。
１〜４）は急峻な減少法（比較例）に比べ、約20％の輝
度向上が達成され、本発明の方法による効果が確認され
た。
図１−１は従来法による黄色発光ダイオード用GaAs1-XP
Xエピタキシヤルウエーハの断面図、図１−２はそのウ
エーハのND分布およびNN分布を示す説明図、図２−１は
本発明に係る黄色発光ダイオード用GaAs1-XPXエピタキ
シヤルウエーハの断面図、図２−２はそのウエーハのND
分布およびNN分布を示す説明図である。また、図３、
４、５、６および７は各々実施例１、２、３、４および
比較例に係るｎ型不純物（H2S／H2）およびアンモニア
ガス（NH3）の導入方法を示す説明図である。 1,1′……GaP単結晶基板 2,2′……GaPエピタキシヤル層 3,3′……GaAs1-XPXの砒素成分組成率増加層 4,4′……GaAs1-XPX組成一定層（ただし、図５および６
における最終５μはND徐減少層） 5,5′……NN徐増加GaAs1-XPX組成一定層（ただし、図
３、４の場合ND徐減少層、図７の場合ND急減少層） 6,6′……NDが低濃度で一定なNN一定GaAs1-XPX組成一定
層 A,A′……所望のｎ型不純物高濃度値 B,B′……所望のｎ型不純物低濃度値 C,C′……所望のNN値
Xエピタキシヤルウエーハの断面図、図１−２はそのウ
エーハのND分布およびNN分布を示す説明図、図２−１は
本発明に係る黄色発光ダイオード用GaAs1-XPXエピタキ
シヤルウエーハの断面図、図２−２はそのウエーハのND
分布およびNN分布を示す説明図である。また、図３、
４、５、６および７は各々実施例１、２、３、４および
比較例に係るｎ型不純物（H2S／H2）およびアンモニア
ガス（NH3）の導入方法を示す説明図である。 1,1′……GaP単結晶基板 2,2′……GaPエピタキシヤル層 3,3′……GaAs1-XPXの砒素成分組成率増加層 4,4′……GaAs1-XPX組成一定層（ただし、図５および６
における最終５μはND徐減少層） 5,5′……NN徐増加GaAs1-XPX組成一定層（ただし、図
３、４の場合ND徐減少層、図７の場合ND急減少層） 6,6′……NDが低濃度で一定なNN一定GaAs1-XPX組成一定
層 A,A′……所望のｎ型不純物高濃度値 B,B′……所望のｎ型不純物低濃度値 C,C′……所望のNN値
Claims (2)
- 【請求項１】燐化ガリウム単結晶基板と該基板と同一成
分からなるエピタキシャル層、三元系化合物半導体GaAs
1-XPXの砒素成分組成率増加層（ただし０＜１−Ｘ≦0.
5），GaAs1-XPXの組成率一定層（ただし０＜１−Ｘ≦0.
5）及びキヤリアの発光再結合領域に窒素原子の添加さ
れたGaAs1-XPXの組成一定層（ただし０＜１−Ｘ≦0.5）
を有する積層構造のエピタキシヤルウエーハを製造する
に当たり、少なくとも、窒素原子が添加されたGaAs1-XP
Xの組成一定層において、エピタキシヤル膜中のｎ型不
純物濃度を高濃度から所望の低濃度にする際、その初期
段階において、ｎ型不純物濃度を徐々に減ずる厚さが５
μ以上のｎ型不純物濃度徐減少層を形成させることを特
徴とするエピタキシアルウエーハの製造方法。 - 【請求項２】前記ｎ型不純物濃度徐減少層中に少なくと
も一層以上ｎ型不純物濃度が一定であるエピタキシヤル
層を有するｎ型不純物濃度徐減少層を設けることを特徴
とする請求項１に記載のエピタキシヤルウエーハの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5973884A JPH079883B2 (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | エピタキシヤルウエーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5973884A JPH079883B2 (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | エピタキシヤルウエーハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60202926A JPS60202926A (ja) | 1985-10-14 |
| JPH079883B2 true JPH079883B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=13121855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5973884A Expired - Lifetime JPH079883B2 (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | エピタキシヤルウエーハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079883B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6012794B2 (ja) * | 1976-11-22 | 1985-04-03 | 三菱化成ポリテック株式会社 | 電気発光物質の製造方法 |
| JPS53131764A (en) * | 1977-04-21 | 1978-11-16 | Mitsubishi Monsanto Chem | Method of producing compound semiconductor |
| JPS5453977A (en) * | 1977-10-07 | 1979-04-27 | Toshiba Corp | Manufacture for gallium phosphide green light emitting element |
| JPS599981A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光装置 |
-
1984
- 1984-03-28 JP JP5973884A patent/JPH079883B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60202926A (ja) | 1985-10-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |