JPS6012794B2 - 電気発光物質の製造方法 - Google Patents
電気発光物質の製造方法Info
- Publication number
- JPS6012794B2 JPS6012794B2 JP51140443A JP14044376A JPS6012794B2 JP S6012794 B2 JPS6012794 B2 JP S6012794B2 JP 51140443 A JP51140443 A JP 51140443A JP 14044376 A JP14044376 A JP 14044376A JP S6012794 B2 JPS6012794 B2 JP S6012794B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epitaxial
- type
- layer
- atoms
- carrier concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気発光物質の製造方法に係り、更に詳しくは
周期率表の第ｍ族並びに第Ｖ族元素で形成されるｍ−Ｖ
族化合物半導体ェピタキシャル膜の気相成長技術の改良
に関するものである。
周期率表の第ｍ族並びに第Ｖ族元素で形成されるｍ−Ｖ
族化合物半導体ェピタキシャル膜の気相成長技術の改良
に関するものである。
現在半導体工業に於いて、もっとも大規模に使用されて
いるェピキタシャル膜物質としては、第Ｎ族単一元素半
導体−シリコン（Ｓｉ）がある。シリコンェピタキシヤ
ル膜は、ホモェピタキシヤル成長によって製造するので
、その膜厚は通常０．８〜１５仏と極めて“薄膜”であ
る。これに対しｍ−Ｖ族化合物半導体ヱピタキシャル膜
、特に発光ダイオード用ェピタキシャル膜はへテロヱピ
タキシャル成長によって製造する場合が多く、前記シリ
コンェピタキシャル膜とは全く異質の‘‘厚膜”となる
。例えばガリウム一硯素（ＧａＡｓ）基板上に成長した
赤色発光ダイオード用（ＧａＡｓ，すＰｘ）（ｘニ０．
４）ェピタキシヤル膜の膜厚は、２５仏以上概ね５０ｒ
、ガリウム−燐（Ｇａｐ）基板上に成長した競粕色また
は黄色発光ダイオード用ＧａＡｓ，〜Ｐｘ（競粕色では
ｘニ０．６５黄色ではｘニ０．８５）ヱピタキシャル膜
の膜厚は５０ム以上概ね１００仏が実用上必要厚みとな
っている。更に、上記町‐Ｖ族化合物半導体発光ダイオ
ード用ェピタキシャル膜は、二元系以上多くは三元系ェ
ピタキシャル成長であるため、シリコンの如き単一元系
ェピタキシャル成長に比し箸るしい技術的困難を伴うと
同時に、基板物質とェピタキシャル膜物質との物性的相
異により、箸るしい膜厚の不均一性及びソリの発生が避
けられないのが現状である。特に量産のために、直径４
仇仰ぐ以上の大口蓬基板多数（１の父以上）を気相成長
ガス流とほぼ平行Ｚにヱピタキシャル・リアクタ内に設
置して、ェピタキシャル膜を生長させた場合、気相成長
ガス流に接触する基板の先端と後端に於ける成長したェ
ピタキシャル膜厚の不均一性及びソリは箸るしいものが
ある。
いるェピキタシャル膜物質としては、第Ｎ族単一元素半
導体−シリコン（Ｓｉ）がある。シリコンェピタキシヤ
ル膜は、ホモェピタキシヤル成長によって製造するので
、その膜厚は通常０．８〜１５仏と極めて“薄膜”であ
る。これに対しｍ−Ｖ族化合物半導体ヱピタキシャル膜
、特に発光ダイオード用ェピタキシャル膜はへテロヱピ
タキシャル成長によって製造する場合が多く、前記シリ
コンェピタキシャル膜とは全く異質の‘‘厚膜”となる
。例えばガリウム一硯素（ＧａＡｓ）基板上に成長した
赤色発光ダイオード用（ＧａＡｓ，すＰｘ）（ｘニ０．
４）ェピタキシヤル膜の膜厚は、２５仏以上概ね５０ｒ
、ガリウム−燐（Ｇａｐ）基板上に成長した競粕色また
は黄色発光ダイオード用ＧａＡｓ，〜Ｐｘ（競粕色では
ｘニ０．６５黄色ではｘニ０．８５）ヱピタキシャル膜
の膜厚は５０ム以上概ね１００仏が実用上必要厚みとな
っている。更に、上記町‐Ｖ族化合物半導体発光ダイオ
ード用ェピタキシャル膜は、二元系以上多くは三元系ェ
ピタキシャル成長であるため、シリコンの如き単一元系
ェピタキシャル成長に比し箸るしい技術的困難を伴うと
同時に、基板物質とェピタキシャル膜物質との物性的相
異により、箸るしい膜厚の不均一性及びソリの発生が避
けられないのが現状である。特に量産のために、直径４
仇仰ぐ以上の大口蓬基板多数（１の父以上）を気相成長
ガス流とほぼ平行Ｚにヱピタキシャル・リアクタ内に設
置して、ェピタキシャル膜を生長させた場合、気相成長
ガス流に接触する基板の先端と後端に於ける成長したェ
ピタキシャル膜厚の不均一性及びソリは箸るしいものが
ある。
この理由を図面によって説明する。Ｚ第１図は従来技術
の気相成長法によるｍ−Ｖ族化合物半導体ェピタキシャ
ル膜の典型的具体例として、ＧａＰ基板上に成長した競
粕色発光ダイオード用Ｇａ母，ッＰｘ（ｘ＝０．６５）
ェピタキシャルウェハの断面模型図、第２図は第１図に
示したェピタキシャルウェハのキヤリャ濃度分布を示す
。第１図に於て、１は直径５５肋？、不純物として硫黄
（Ｓ）がドープされたｎ＋型Ｇａｐ基板、２，３並びに
４は不純物としてＳがドープされたｎ型Ｇａ船，へＰｘ
気相成長ェピタキシル膜である。
の気相成長法によるｍ−Ｖ族化合物半導体ェピタキシャ
ル膜の典型的具体例として、ＧａＰ基板上に成長した競
粕色発光ダイオード用Ｇａ母，ッＰｘ（ｘ＝０．６５）
ェピタキシャルウェハの断面模型図、第２図は第１図に
示したェピタキシャルウェハのキヤリャ濃度分布を示す
。第１図に於て、１は直径５５肋？、不純物として硫黄
（Ｓ）がドープされたｎ＋型Ｇａｐ基板、２，３並びに
４は不純物としてＳがドープされたｎ型Ｇａ船，へＰｘ
気相成長ェピタキシル膜である。
気相２成長ヱピタキシャル膜２〜４は３層より構成され
ており第１の層２は、Ｐ組成率ｘが１．０から０．６５
まで徐々に変化する組成勾配層、第２の層３は「結晶性
の向上を目的としＰ組成率ｘ＝０．６５と一定に保持す
る層、第３の層４は発光ダイオード（２３一ｎ接合）形
成時に於ける発光効率の飛躍的増大を目的としたアイソ
・エレクトロニックトラップ層で窒素（Ｎ）をドープし
た組成（ｘ＝０．６５）一定層である。前述の如く直径
５５側ＧａＰ基板上に気相成長したＧａ船，へＰｘェピ
タキシャル膜２〜４の３膜厚は不均一でソリを包含し、
気相成長ガス流先端接触部（クラウン発生部）で約２３
０ム、気相成長ガス流後端接触部で約１００仏となる。
気相成長ガス流後端接触部に於ける○ａ松，すＰｘェピ
タキシャル３層２〜４の厚みは標準的にはそれぞれ２が
４４０仏、３が４０仏、４が２０仏位である。第２図に
上記ェピタキシャルゥェハ１〜４の従来法によるキャリ
ア濃度分布を示すが、Ｇａｐ基板１はＳが高濃度にドー
プされたｎ＋領域で、その不純物濃度ｎｓは、１×１び
７原子個／塊以上、概ね３×１び原子個ノ流以上である
。他方Ｇａｐ基板１上に気相成長したＧａ船，‐ｘＰｘ
ェビタキシャル膜の３層２〜４は、従来法ではＮドープ
層４内に形成される発光ダイオードの再結合発光効率上
ｎ型低濃度ｎｅにＳがドープされておりｎｅは１×１び
６〜２×１び７原子個／地、概ね２×１ぴ６〜９×１び
６原子個ノ塊程度の濃度である。所で、かかる従来法に
よるｎ型キヤリャ濃度分布（第２図）を有する上記競粕
色発光ダイオード用気相成長ェピタキシヤルゥヱハ（第
１図）を用いて発光ダイオードを製造すると製造した発
光ダィオー日こ順方向立上り電圧ＶＦ不良（ＶＦＩ１２
．２ボルト、電流ｌｏｗＡにおける電圧）が局部的に発
生し、デバイス歩轡の大中低下を招いていた。
ており第１の層２は、Ｐ組成率ｘが１．０から０．６５
まで徐々に変化する組成勾配層、第２の層３は「結晶性
の向上を目的としＰ組成率ｘ＝０．６５と一定に保持す
る層、第３の層４は発光ダイオード（２３一ｎ接合）形
成時に於ける発光効率の飛躍的増大を目的としたアイソ
・エレクトロニックトラップ層で窒素（Ｎ）をドープし
た組成（ｘ＝０．６５）一定層である。前述の如く直径
５５側ＧａＰ基板上に気相成長したＧａ船，へＰｘェピ
タキシャル膜２〜４の３膜厚は不均一でソリを包含し、
気相成長ガス流先端接触部（クラウン発生部）で約２３
０ム、気相成長ガス流後端接触部で約１００仏となる。
気相成長ガス流後端接触部に於ける○ａ松，すＰｘェピ
タキシャル３層２〜４の厚みは標準的にはそれぞれ２が
４４０仏、３が４０仏、４が２０仏位である。第２図に
上記ェピタキシャルゥェハ１〜４の従来法によるキャリ
ア濃度分布を示すが、Ｇａｐ基板１はＳが高濃度にドー
プされたｎ＋領域で、その不純物濃度ｎｓは、１×１び
７原子個／塊以上、概ね３×１び原子個ノ流以上である
。他方Ｇａｐ基板１上に気相成長したＧａ船，‐ｘＰｘ
ェビタキシャル膜の３層２〜４は、従来法ではＮドープ
層４内に形成される発光ダイオードの再結合発光効率上
ｎ型低濃度ｎｅにＳがドープされておりｎｅは１×１び
６〜２×１び７原子個／地、概ね２×１ぴ６〜９×１び
６原子個ノ塊程度の濃度である。所で、かかる従来法に
よるｎ型キヤリャ濃度分布（第２図）を有する上記競粕
色発光ダイオード用気相成長ェピタキシヤルゥヱハ（第
１図）を用いて発光ダイオードを製造すると製造した発
光ダィオー日こ順方向立上り電圧ＶＦ不良（ＶＦＩ１２
．２ボルト、電流ｌｏｗＡにおける電圧）が局部的に発
生し、デバイス歩轡の大中低下を招いていた。
従来法によるかかるデバイス歩留低下（順方向立上り電
圧ＶＦ不良）発生の原因を種々研究検討の結果次のよう
な理由に基づくものであることが分った。まず、発光ダ
イオードデバイス製造に先立って、上記ェピタキシャル
ウェハ（第１図）のｎ型Ｎドープ層４内に例えば亜鉛（
Ｚｎ）を深さ３〜８ムに達するまで熱拡散し「 ｐ−ｎ
接合を形成する。次にこのェピタキシヤルウェハを、Ｇ
ａｐ基板１側より厚み方向でェピタキシャル層２〜４に
向けて第１図に示す斜線Ｃまで、研磨除去による薄層化
を行う。
圧ＶＦ不良）発生の原因を種々研究検討の結果次のよう
な理由に基づくものであることが分った。まず、発光ダ
イオードデバイス製造に先立って、上記ェピタキシャル
ウェハ（第１図）のｎ型Ｎドープ層４内に例えば亜鉛（
Ｚｎ）を深さ３〜８ムに達するまで熱拡散し「 ｐ−ｎ
接合を形成する。次にこのェピタキシヤルウェハを、Ｇ
ａｐ基板１側より厚み方向でェピタキシャル層２〜４に
向けて第１図に示す斜線Ｃまで、研磨除去による薄層化
を行う。
Ｇａｐ基板研磨除去（薄層化）の理由は
【ィー ＺｎのＮドープ層４内への熱拡散時に、不本意
ながらＧａｐ基板裏面ＩＢよりＧａＰ基板１内へ深さ数
ムＺｎが浸透し、ｐ型層を形成しているため、このｐ型
層を除去する必要があること、｛ｏ｝ 形成される発光
ダイオードチップ厚をより減少させ、チップとしての良
好な切断性を得る必要があること、し一 Ｎドープ層４
内に形成された発光面（ｐ−ｎ接合面）より、発光する
光のうち、下方向（Ｇａｐ基板１方向）に放射される光
をより効率よく、上方向（Ｎドープ層４の表面４Ｓ）に
反射させるため、その光路長の短絡化を計る必要がある
こと等によるものである。
ながらＧａｐ基板裏面ＩＢよりＧａＰ基板１内へ深さ数
ムＺｎが浸透し、ｐ型層を形成しているため、このｐ型
層を除去する必要があること、｛ｏ｝ 形成される発光
ダイオードチップ厚をより減少させ、チップとしての良
好な切断性を得る必要があること、し一 Ｎドープ層４
内に形成された発光面（ｐ−ｎ接合面）より、発光する
光のうち、下方向（Ｇａｐ基板１方向）に放射される光
をより効率よく、上方向（Ｎドープ層４の表面４Ｓ）に
反射させるため、その光路長の短絡化を計る必要がある
こと等によるものである。
このようにして、研磨薄層化したｐ−ｎ接合を有するェ
ピタキシャルウェハの厚み（表面接線Ｔと斜線Ｃ間の厚
み）は、１７５〜２２５〆、概ね２００仏となる（第１
図参照）。
ピタキシャルウェハの厚み（表面接線Ｔと斜線Ｃ間の厚
み）は、１７５〜２２５〆、概ね２００仏となる（第１
図参照）。
次に斜線Ｃ上（Ａ，Ｂ両部分）に発光ダイオード用裏面
オートミック電極を形成する。
オートミック電極を形成する。
しかるに、従来法によるキャリア濃度分布を有する２０
０Ａ‘こ簿層化されたェピタキシヤルウェハの斜線Ｃ上
のＡ部分には、良好な裏面用オーミック電極形成に不可
欠な不純物（Ｓ）が高濃度にドープされたｎ＋型Ｇａｐ
基板が残存し、他方斜線Ｃ上のＢ部分では不純物（Ｓ）
が低濃度にドープされたェピタキシャル層２又は３が露
出し、良好な裏面用オーミック電極の形成を阻害する。
即ち、従来法による不純物濃度分布を有して、成長した
競粕色発光ダイオード用気相ェピタキシヤルウェハ（第
１図及び第２図）に於ける発光ダイオードデバイスの大
中な歩留低下（順方向立上り電圧ＶＦ不良による大中な
歩留低下）は、実に、上記不純物低濃度すなわち、低ｎ
型キャリア濃度ェピタキシヤル層露出部分Ｂに裏面用オ
ートミック電極を形成している事に原因があることを見
出したのである。本発明は上記のような従釆頻発してい
た発光ダイオード順方向立上り電圧ｙＦ不良によるデバ
イス歩蟹低下原因を一掃し、ひいては、デバイス歩留向
上に基づく、より廉価な発光ダイオードを製造する方法
を鋭意研究の結果完成したものである。本発明の要旨は
、高濃度にｎ型不純物を添加して、ｎ型キャリャー濃度
１×１び７原子個／洲以上、好ましくは３×１び７原子
個／塊以上の高ｎ型キャリャ濃度を有する半導体単結晶
基板上に、化合物半導体混晶ェピタキシャル膜を形成さ
せて電気発光物質を製造するにあたり、ェピタキシャル
膜中の不純物の濃度がェピタキシャル成長開始時より成
長終点の中間までは、前記半導体単結晶基板のｎ型キャ
リア濃度とほぼ同濃度のｎ型キャリャ濃度１×１ぴ７原
子個／塊以上、好ましくは３×１び７原子個／塊以上、
中間よりェピタキシャル成長終点までは１×１び６〜２
×１び７原子個／仇、好ましくは２×１び６〜９×１び
６原子個／地の低濃度の濃淡ｎ型キャリャ濃度分布を有
する化合物半導体混晶ェピタキシャル膜を設け続いて前
記ェピタキシャル膜をｐ型不純物を拡散した後、前記半
導体単結晶基板裏面に形成されたｐ型層を除去するため
に前記半導体単結晶基板裏面を研磨することに存する。
０Ａ‘こ簿層化されたェピタキシヤルウェハの斜線Ｃ上
のＡ部分には、良好な裏面用オーミック電極形成に不可
欠な不純物（Ｓ）が高濃度にドープされたｎ＋型Ｇａｐ
基板が残存し、他方斜線Ｃ上のＢ部分では不純物（Ｓ）
が低濃度にドープされたェピタキシャル層２又は３が露
出し、良好な裏面用オーミック電極の形成を阻害する。
即ち、従来法による不純物濃度分布を有して、成長した
競粕色発光ダイオード用気相ェピタキシヤルウェハ（第
１図及び第２図）に於ける発光ダイオードデバイスの大
中な歩留低下（順方向立上り電圧ＶＦ不良による大中な
歩留低下）は、実に、上記不純物低濃度すなわち、低ｎ
型キャリア濃度ェピタキシヤル層露出部分Ｂに裏面用オ
ートミック電極を形成している事に原因があることを見
出したのである。本発明は上記のような従釆頻発してい
た発光ダイオード順方向立上り電圧ｙＦ不良によるデバ
イス歩蟹低下原因を一掃し、ひいては、デバイス歩留向
上に基づく、より廉価な発光ダイオードを製造する方法
を鋭意研究の結果完成したものである。本発明の要旨は
、高濃度にｎ型不純物を添加して、ｎ型キャリャー濃度
１×１び７原子個／洲以上、好ましくは３×１び７原子
個／塊以上の高ｎ型キャリャ濃度を有する半導体単結晶
基板上に、化合物半導体混晶ェピタキシャル膜を形成さ
せて電気発光物質を製造するにあたり、ェピタキシャル
膜中の不純物の濃度がェピタキシャル成長開始時より成
長終点の中間までは、前記半導体単結晶基板のｎ型キャ
リア濃度とほぼ同濃度のｎ型キャリャ濃度１×１ぴ７原
子個／塊以上、好ましくは３×１び７原子個／塊以上、
中間よりェピタキシャル成長終点までは１×１び６〜２
×１び７原子個／仇、好ましくは２×１び６〜９×１び
６原子個／地の低濃度の濃淡ｎ型キャリャ濃度分布を有
する化合物半導体混晶ェピタキシャル膜を設け続いて前
記ェピタキシャル膜をｐ型不純物を拡散した後、前記半
導体単結晶基板裏面に形成されたｐ型層を除去するため
に前記半導体単結晶基板裏面を研磨することに存する。
本発明を理解し易くするため、図面に基づいて説明する
。
。
第３図は本発明方法によって製造したェピタキシャルウ
ヱハのキャリャ濃度分布の１例を示し、第２図に示した
従来技術によるェピタキシャルウェハの不純物濃度分布
に対応するものである。
ヱハのキャリャ濃度分布の１例を示し、第２図に示した
従来技術によるェピタキシャルウェハの不純物濃度分布
に対応するものである。
第３図において、１は不純物（Ｓ）が高濃度（船）にド
ープされたｎ＋ＧａＰ基板領域で、従来法と同様である
が他方、気相成長ェピタキシャル層２，３及び４（２は
組成勾配層、３は組成一定な層、４はＮドープ層）のう
ち層３は、２段階のｎ型不純物（キャリヤ）濃度ふｅ′
及びｎｅより構成されていることを示す。
ープされたｎ＋ＧａＰ基板領域で、従来法と同様である
が他方、気相成長ェピタキシャル層２，３及び４（２は
組成勾配層、３は組成一定な層、４はＮドープ層）のう
ち層３は、２段階のｎ型不純物（キャリヤ）濃度ふｅ′
及びｎｅより構成されていることを示す。
即ち、本発明によれば気相ェピタキシャル成長開始点Ｄ
から発光ダイオード製造の際、薄層化した時に露出する
気相成長ェピタキシャル層が含まれる厚さのえられる組
成一定層３内のＰ点まで、例えばｎ型不純物であるＳの
濃度を高濃度ｎｅ′にし、しかる後Ｐ点以降気相ヱピタ
キシャル成長の終端点Ｅまでのｎ型キャリャ濃度を発光
ダイオードの再結合発光効率上適切な低濃度ｎｅにする
ことを示している。本発明による上記ｎ型キャリア濃度
分布を具体的に数値で示せば、気相ェピタキシャル成長
層２〜４に関し「少なくともェビタキシャル層露出領域
（Ｄ点よりＰ点まで）でのｎ型キャリャ濃度ｎｅ′は、
ｎ→Ｇａｐ基板のそれと同程度、即ち１×１び７原子個
／塊以上、好ましくは３×１び７原子個／が以上であり
、他方Ｐ点以降Ｂ点までの低ｎ型キャリャ濃度ｎｅは１
×１び６〜２×１び７原子個／地、好ましくは２×１び
６〜９×１び６原子個／めである。
から発光ダイオード製造の際、薄層化した時に露出する
気相成長ェピタキシャル層が含まれる厚さのえられる組
成一定層３内のＰ点まで、例えばｎ型不純物であるＳの
濃度を高濃度ｎｅ′にし、しかる後Ｐ点以降気相ヱピタ
キシャル成長の終端点Ｅまでのｎ型キャリャ濃度を発光
ダイオードの再結合発光効率上適切な低濃度ｎｅにする
ことを示している。本発明による上記ｎ型キャリア濃度
分布を具体的に数値で示せば、気相ェピタキシャル成長
層２〜４に関し「少なくともェビタキシャル層露出領域
（Ｄ点よりＰ点まで）でのｎ型キャリャ濃度ｎｅ′は、
ｎ→Ｇａｐ基板のそれと同程度、即ち１×１び７原子個
／塊以上、好ましくは３×１び７原子個／が以上であり
、他方Ｐ点以降Ｂ点までの低ｎ型キャリャ濃度ｎｅは１
×１び６〜２×１び７原子個／地、好ましくは２×１び
６〜９×１び６原子個／めである。
本発明による上述の如き濃淡ｎ型キャリャ濃度分布（Ｄ
一Ｐ間は高濃度ｎｅ′、Ｐ−Ｅ間は低濃度ｎｅ）をェピ
タキシャル膜中に設けることにより、第１図の斜線Ｃ上
にェピタキシャル層露出部はｎ十型Ｇａｐ基板残存部（
Ａ部分）と同様に、ｎ型不純物が高濃度にドープされた
Ｎ型領域となる。
一Ｐ間は高濃度ｎｅ′、Ｐ−Ｅ間は低濃度ｎｅ）をェピ
タキシャル膜中に設けることにより、第１図の斜線Ｃ上
にェピタキシャル層露出部はｎ十型Ｇａｐ基板残存部（
Ａ部分）と同様に、ｎ型不純物が高濃度にドープされた
Ｎ型領域となる。
従って、本発明による上記露出部Ｂは、ｎ＋型基板残存
部Ａと同様、良好な発光ダイオード用裏面オーミック電
極形成領域を提供することができ、従来頻発していた裏
面用オーミック電極形成阻害に端を発山頂方向立上り電
圧ＶＦ不良によるデバイス歩蟹大中低下問題が一挙に解
決することができる。又本発明ではダイオード発光部で
あるｐ−ｎ接合形成領域（Ｎドープ層４）が「発光ダイ
オードの再結合発光効率上適切な低キヤリャ濃度に保持
されているため、従来と同様の高効率発光ダイオードを
提供することができる。次に本発明を更に理解し易くす
るため実施例を示す。
部Ａと同様、良好な発光ダイオード用裏面オーミック電
極形成領域を提供することができ、従来頻発していた裏
面用オーミック電極形成阻害に端を発山頂方向立上り電
圧ＶＦ不良によるデバイス歩蟹大中低下問題が一挙に解
決することができる。又本発明ではダイオード発光部で
あるｐ−ｎ接合形成領域（Ｎドープ層４）が「発光ダイ
オードの再結合発光効率上適切な低キヤリャ濃度に保持
されているため、従来と同様の高効率発光ダイオードを
提供することができる。次に本発明を更に理解し易くす
るため実施例を示す。
実施例
ｎ型不純物としてＳをドープしたキヤリャ濃度４．５×
１ぴ７原子個／地を有するＧａｐ単結晶ィンゴットより
結晶学的面方位（１００）より（１１０）の方向に５ｏ
の偏位を有するＧａｐ基板をダイヤモンドカッターで切
り出す。
１ぴ７原子個／地を有するＧａｐ単結晶ィンゴットより
結晶学的面方位（１００）より（１１０）の方向に５ｏ
の偏位を有するＧａｐ基板をダイヤモンドカッターで切
り出す。
Ｇａｐ基板は、初め厚さ約３５０一であったが、通常の
有機溶媒による脱脂工程及び機械−化学的研磨工程によ
る加工歪層除去後、厚さ３００山となった。一枚当り約
２３．８の（直径約５５側ぐ）の面積を有する上記Ｇａ
Ｐ基板１２女を２群に分けて、石英製サセプタに載せ、
長さ約９６伽、内径８仇仰ぐの水平型石英製ェピタキシ
ヤルリアクター内の所定の場所にセットした。
有機溶媒による脱脂工程及び機械−化学的研磨工程によ
る加工歪層除去後、厚さ３００山となった。一枚当り約
２３．８の（直径約５５側ぐ）の面積を有する上記Ｇａ
Ｐ基板１２女を２群に分けて、石英製サセプタに載せ、
長さ約９６伽、内径８仇仰ぐの水平型石英製ェピタキシ
ヤルリアクター内の所定の場所にセットした。
ＧａＰ基板セット後、高純度Ｇａ入り石英ボートを有す
る上記ェピタキシャルリアクタ内にアルゴン（山）を導
入し、空気を置換し、ついでェピタキシャル成長各ステ
ップに於けるキャリャガスとしての高純度水素ガス（日
２）を毎分２０００ｃｃ流入し、Ａｒの流れを止め昇温
工程に入った。Ｇａ入り石葵ポ−ト領域及びＧａＰ基板
セット領域の温度がそれぞれ７３０ｏ○及び８７０００
に保持されている事を確認後、競粕色発光ダイオード用
Ｇａ松，‐ｘＰｘ（ｘニ０．６５）の気相ヱピタキシャ
ル膜の成長を開始した。ェピタキシャル成長開始時より
、高キヤリャ濃度領域（ｎ十型領域）を形成する目的で
「窒素で希釈した濃度５０脚の硫化水素（日交）を毎分
４０ｃｃ導入し、他方、高純度塩化水素ガス（ＨＣＩ）
を毎分７０ｃｃ導入し石英ボート中のＧａと反応させＧ
ａＣＩを形成し、日２で希釈した濃度１５％の燐化水素
（ＰＨ３）を毎分２００ｃｃ導入し、初めの１０分間は
、Ｇａｐ基板上にＧａＰ層をホモヱピタキシャル成長さ
せ、以後Ｇａ偽，−ｘＰｘ層のへテロ・ェピタキシャル
成長に推移した。
る上記ェピタキシャルリアクタ内にアルゴン（山）を導
入し、空気を置換し、ついでェピタキシャル成長各ステ
ップに於けるキャリャガスとしての高純度水素ガス（日
２）を毎分２０００ｃｃ流入し、Ａｒの流れを止め昇温
工程に入った。Ｇａ入り石葵ポ−ト領域及びＧａＰ基板
セット領域の温度がそれぞれ７３０ｏ○及び８７０００
に保持されている事を確認後、競粕色発光ダイオード用
Ｇａ松，‐ｘＰｘ（ｘニ０．６５）の気相ヱピタキシャ
ル膜の成長を開始した。ェピタキシャル成長開始時より
、高キヤリャ濃度領域（ｎ十型領域）を形成する目的で
「窒素で希釈した濃度５０脚の硫化水素（日交）を毎分
４０ｃｃ導入し、他方、高純度塩化水素ガス（ＨＣＩ）
を毎分７０ｃｃ導入し石英ボート中のＧａと反応させＧ
ａＣＩを形成し、日２で希釈した濃度１５％の燐化水素
（ＰＨ３）を毎分２００ｃｃ導入し、初めの１０分間は
、Ｇａｐ基板上にＧａＰ層をホモヱピタキシャル成長さ
せ、以後Ｇａ偽，−ｘＰｘ層のへテロ・ェピタキシャル
成長に推移した。
即ち、次の９０分間は、上記日２Ｓ及びＨＣＩの流量を
それぞれ毎分４０ｃｃ及び７０ｃｃ（一定に）に保ちな
がら、上記Ｐ比の流量を徐々に毎分２００ｃｃより毎分
１１２ｃｃまで減少させ、他方＆で希釈した濃度１５％
の枇化水素（船日３）を徐々に毎分ｏｃｃより８８ｃｃ
まで増加させ、Ｇａ船，ＭＰｘの組成（ｘ）勾配層（第
３図中の層２）を形成した。次に形成された上記組成勾
配層上に、Ｇａ笹，へＰｘ組成（ｘ）一定層（第３図中
の層３）の成長を１２０分間続行し凝王白色発光ダイオ
ード用Ｇａ母，ｙＰｘ（ｘニ０．６５）の気相ェピタキ
シャル膜の成長を行った。
それぞれ毎分４０ｃｃ及び７０ｃｃ（一定に）に保ちな
がら、上記Ｐ比の流量を徐々に毎分２００ｃｃより毎分
１１２ｃｃまで減少させ、他方＆で希釈した濃度１５％
の枇化水素（船日３）を徐々に毎分ｏｃｃより８８ｃｃ
まで増加させ、Ｇａ船，ＭＰｘの組成（ｘ）勾配層（第
３図中の層２）を形成した。次に形成された上記組成勾
配層上に、Ｇａ笹，へＰｘ組成（ｘ）一定層（第３図中
の層３）の成長を１２０分間続行し凝王白色発光ダイオ
ード用Ｇａ母，ｙＰｘ（ｘニ０．６５）の気相ェピタキ
シャル膜の成長を行った。
尚、上記１２０分間に亙る組成（ｘ）一定層の形成は、
本発明に従い次の２ステップで行った。即ち前半の６０
分間は、上託りＳ、ＰＨ３、ＡｓＨ３およびＨＣＩの流
量をそれぞれ毎分４０ｃｃ、１１２ｃｃ、８８ｃｃ及び
７０ｃｃ、一定としｎ十型組成一定層の形成を行った。
後半の６０分間は、日２Ｓの流量のみ毎分７ｃｃに減少
させ、発光ダイオード形成の際再結合発光効率上必要な
低キャリャ濃度を有するｎ型組成一定層の形成を行うと
同時に最終の４び分間のみ高純度アンモニア（Ｎ瓜）を
毎分１６０ｃｃ導入し、Ｎドープｎ型組成一定層（第３
図中の層４）の形成を行った。
本発明に従い次の２ステップで行った。即ち前半の６０
分間は、上託りＳ、ＰＨ３、ＡｓＨ３およびＨＣＩの流
量をそれぞれ毎分４０ｃｃ、１１２ｃｃ、８８ｃｃ及び
７０ｃｃ、一定としｎ十型組成一定層の形成を行った。
後半の６０分間は、日２Ｓの流量のみ毎分７ｃｃに減少
させ、発光ダイオード形成の際再結合発光効率上必要な
低キャリャ濃度を有するｎ型組成一定層の形成を行うと
同時に最終の４び分間のみ高純度アンモニア（Ｎ瓜）を
毎分１６０ｃｃ導入し、Ｎドープｎ型組成一定層（第３
図中の層４）の形成を行った。
ＧａＡｓ，〜Ｐｘェピタキシャル膜の成長終了後、直ち
に＆Ｓ、ＰＨ３、松日３およびＨＣＩの流れを止め、上
記高純度日２キヤリャガスのみ流しながら、上記ェピタ
キシャルリアクタの降温を行った。上記○ａＰ基板セッ
ト領域が温度８０ｏｏまで冷却された事を確認後、Ａｒ
の導入を開始し、高純度４の流れを止め、〜による日２
置換を充分行い、ェピタキシャルリァクタ内よりＧａ笛
，‐ｘＰｘェピタキシャルウェハを取り出した。上述の
如くして、製造した２群１２枚の Ｇａ瓜，−ｘＰｘェピタキシャルゥヱハのうち、１群６
枚を使用して各種の物性測定を行った。
に＆Ｓ、ＰＨ３、松日３およびＨＣＩの流れを止め、上
記高純度日２キヤリャガスのみ流しながら、上記ェピタ
キシャルリアクタの降温を行った。上記○ａＰ基板セッ
ト領域が温度８０ｏｏまで冷却された事を確認後、Ａｒ
の導入を開始し、高純度４の流れを止め、〜による日２
置換を充分行い、ェピタキシャルリァクタ内よりＧａ笛
，‐ｘＰｘェピタキシャルウェハを取り出した。上述の
如くして、製造した２群１２枚の Ｇａ瓜，−ｘＰｘェピタキシャルゥヱハのうち、１群６
枚を使用して各種の物性測定を行った。
その結果、
‘ィ’Ｇａ偽．★Ｐｘェピタキシャル膜は、２種類の電
気伝導型、即ち、高ｎ型キャリャ濃度を有するｎ＋型領
域及び低ｎ型キャリャ濃度を有するｎ型領域とから構成
されていることが確認された。
気伝導型、即ち、高ｎ型キャリャ濃度を有するｎ＋型領
域及び低ｎ型キャリャ濃度を有するｎ型領域とから構成
されていることが確認された。
即ち、ステイニング法により、顕微鏡下、ｎ＋型領域及
びｎ型領域との界面が明瞭な境果線となって現われてい
ることが確認された。更に、電気的アプローチであるホ
ール効果及び電気容量−印加電圧（Ｃ−Ｖ）法により、
ｎ＋型領域キャリャ濃度ｎｅ′及びｎ型領域キャリャ濃
度ｎｅはそれぞれ平均３．６×１ぴ７原子個／泳及び７
．４×１び６原子個／地と測定された。‘ｏー Ｇａ偽
，すＰｘェピタキシャル膜の膜厚は、気相成長ガス流先
端接触部で平均２２６〃、後端接触部で平均１０９仏で
あった。
びｎ型領域との界面が明瞭な境果線となって現われてい
ることが確認された。更に、電気的アプローチであるホ
ール効果及び電気容量−印加電圧（Ｃ−Ｖ）法により、
ｎ＋型領域キャリャ濃度ｎｅ′及びｎ型領域キャリャ濃
度ｎｅはそれぞれ平均３．６×１ぴ７原子個／泳及び７
．４×１び６原子個／地と測定された。‘ｏー Ｇａ偽
，すＰｘェピタキシャル膜の膜厚は、気相成長ガス流先
端接触部で平均２２６〃、後端接触部で平均１０９仏で
あった。
他方ＧａＡｓ．★Ｆｘェピタキシャル膜を構成する２種
類の電気伝導型領域、即ち、ｎ十型領域及びｎ型領域は
、それぞれ平均７２山及び３７Ａであった。従って、上
記Ｇａ磯，ＮＰｘェピタキシャル膜を用いて、発光ダイ
オードの製作を行なうにあたり、ダイオードチップ厚と
して所望の２００仏まで、研磨除去（薄層化）を行なう
工程で、上記ェピタキシャル層が必ず露出するが、その
露出層は「本発明により、オーミック電極形成に良好な
ｎ＋領域であることが容易に確認できた。
類の電気伝導型領域、即ち、ｎ十型領域及びｎ型領域は
、それぞれ平均７２山及び３７Ａであった。従って、上
記Ｇａ磯，ＮＰｘェピタキシャル膜を用いて、発光ダイ
オードの製作を行なうにあたり、ダイオードチップ厚と
して所望の２００仏まで、研磨除去（薄層化）を行なう
工程で、上記ェピタキシャル層が必ず露出するが、その
露出層は「本発明により、オーミック電極形成に良好な
ｎ＋領域であることが容易に確認できた。
し一 Ｇａ瓜，すＰｘェピタキシャル膜は、３層より構
成しており、第１の組成勾配層は、ｘ＝１。０から０．
６６まで変化し、第２の組成一定層はｘ＝０．６０第３
のＮドープ組成一定層はｘ＝０．６６及びＮ濃度＝２．
２×１び９原子個／洲であることが、光ルミネッセンス
法及び光線吸収法により確認できた。
成しており、第１の組成勾配層は、ｘ＝１。０から０．
６６まで変化し、第２の組成一定層はｘ＝０．６０第３
のＮドープ組成一定層はｘ＝０．６６及びＮ濃度＝２．
２×１び９原子個／洲であることが、光ルミネッセンス
法及び光線吸収法により確認できた。
尚、上記第１、第２及び第３層の層厚は、気相成長ガス
流後端接触部で、それぞれ平均４２山、４８ム及び１９
仏であった。残りの一６枚のＧａ船，★Ｐｘェピタキシ
ャルゥェハを用い、以下に示す如く競王白色用発光ダイ
オードを製作した。まず、容量約３００地の石英アンプ
ル中に、上記６枚のェピタキシャルウェハ及び約２５０
の９の高純度Ｚｎ松２を同時真空封入した。
流後端接触部で、それぞれ平均４２山、４８ム及び１９
仏であった。残りの一６枚のＧａ船，★Ｐｘェピタキシ
ャルゥェハを用い、以下に示す如く競王白色用発光ダイ
オードを製作した。まず、容量約３００地の石英アンプ
ル中に、上記６枚のェピタキシャルウェハ及び約２５０
の９の高純度Ｚｎ松２を同時真空封入した。
次に上記石英アンプルを温度７３０ｏｏに保持した熱拡
散炉中に９０分間入れて、接合深さ約４仏を有するｐ−
ｎ接合を上記第３のＮドープ組成一定層中に形成した。
次に、アルミナ（ＡＩ２０３）粉末及び研磨盤を用い、
ｐ−ｎ接合が形成したヱピタキシヤルゥヱハを所望の厚
さ２００仏まで研磨除去（薄層化）した。ェピタキシャ
ルウェハの研磨除去された裏面側にオーミック電極とし
てＡｕ−Ｓｉ合金、ｐ型領域である表面側にオーミツク
電極としてＡｕ−Ｚｎ合金を、それぞれマスク真空蒸着
し、更に５２０午０のＮ２雰囲気炉でシンターした。
散炉中に９０分間入れて、接合深さ約４仏を有するｐ−
ｎ接合を上記第３のＮドープ組成一定層中に形成した。
次に、アルミナ（ＡＩ２０３）粉末及び研磨盤を用い、
ｐ−ｎ接合が形成したヱピタキシヤルゥヱハを所望の厚
さ２００仏まで研磨除去（薄層化）した。ェピタキシャ
ルウェハの研磨除去された裏面側にオーミック電極とし
てＡｕ−Ｓｉ合金、ｐ型領域である表面側にオーミツク
電極としてＡｕ−Ｚｎ合金を、それぞれマスク真空蒸着
し、更に５２０午０のＮ２雰囲気炉でシンターした。
次にダイヤモンド・スクライバでエピタキシヤルウエハ
より４００ｒ角の発光ダイオード・チップを切り出し、
ヘツダー（ＴＯ−５）上にマウントし、山極細線でワイ
ヤ・ボンデングを行い発光ダイオードの製作を行つた。
製作された発光ダィオ−Ｎこ対し逐次電圧電流（Ｖ−１
）特性を測定した結果、ダイオード打頃方向立上り電圧
は極めて良好（ＶＦ）＝１−９Ｖ、電流１．０ｍＡにお
ける電圧）であって、従来頻発していたェピタキシャル
層の研磨露出部裏面でのデバイス歩留低下問題が解決さ
れていることが確認できた。
より４００ｒ角の発光ダイオード・チップを切り出し、
ヘツダー（ＴＯ−５）上にマウントし、山極細線でワイ
ヤ・ボンデングを行い発光ダイオードの製作を行つた。
製作された発光ダィオ−Ｎこ対し逐次電圧電流（Ｖ−１
）特性を測定した結果、ダイオード打頃方向立上り電圧
は極めて良好（ＶＦ）＝１−９Ｖ、電流１．０ｍＡにお
ける電圧）であって、従来頻発していたェピタキシャル
層の研磨露出部裏面でのデバイス歩留低下問題が解決さ
れていることが確認できた。
本発明によるェピタキシャル膜を使用するときは従釆の
方法によるものと比較して、デバイス製造歩留が飛躍的
に向上し、発光ダイオードを安価に製造できるので、そ
の工業的利用価値は極めて大である。
方法によるものと比較して、デバイス製造歩留が飛躍的
に向上し、発光ダイオードを安価に製造できるので、そ
の工業的利用価値は極めて大である。
なお「本発明は上記実施例の外に
｛１｝ 発光ダイオードの所望チップ厚により、ｎ十型
、Ｎ型両領域の境界点をｐ−ｎ接合形成点からウェハ上
表面までの領域を避け任意の層中に位置させること、■
ｎ＋型領域からｎ型領域への傾斜的遷移を行うこと、
‘３｝ ｎ型領域をｐ−ｎ接合再結合発光領域部のみに
とどめし他の領域すべてをｎ＋型領域で形成すること、
更に「 ｍ−Ｖ族化合物半導体材料に関しては｛４１Ｇ
ａＰ基板上に形成される黄色や赤色発光ダイオード用Ｇ
ａ偽，すＰｘェピタキシャル膜、【５｝ ＧａＰ基板上
に形成される緑色発光ダイオード用Ｇａｐェピタキシャ
ル膜及び黄色、競王白色、更には赤色発光ダイオード用
Ｇａ，‐ｙｉｎｙＰ（０＜ｙ＜１）ヱピタキシャル膜「
‘６’ ＆、Ｓｉ及びＧａＡｓ基板上に形成される各種
発光ダイオード用ェピタキシャル膜等を製造する場合で
も、本発明の要旨を逸脱することなく実施し得えること
は理解されるべきである。
、Ｎ型両領域の境界点をｐ−ｎ接合形成点からウェハ上
表面までの領域を避け任意の層中に位置させること、■
ｎ＋型領域からｎ型領域への傾斜的遷移を行うこと、
‘３｝ ｎ型領域をｐ−ｎ接合再結合発光領域部のみに
とどめし他の領域すべてをｎ＋型領域で形成すること、
更に「 ｍ−Ｖ族化合物半導体材料に関しては｛４１Ｇ
ａＰ基板上に形成される黄色や赤色発光ダイオード用Ｇ
ａ偽，すＰｘェピタキシャル膜、【５｝ ＧａＰ基板上
に形成される緑色発光ダイオード用Ｇａｐェピタキシャ
ル膜及び黄色、競王白色、更には赤色発光ダイオード用
Ｇａ，‐ｙｉｎｙＰ（０＜ｙ＜１）ヱピタキシャル膜「
‘６’ ＆、Ｓｉ及びＧａＡｓ基板上に形成される各種
発光ダイオード用ェピタキシャル膜等を製造する場合で
も、本発明の要旨を逸脱することなく実施し得えること
は理解されるべきである。
第１図は、競王白色発色ダイオード用ＧａＡｓ，★Ｐｘ
（ｘニ０．６５）ェピタキシャルウェハの断面模型図、
第２図は従来法によるェピタキシャルウェハのキャリャ
濃度分布図、第３図は本発明に基づくェピタキシャルウ
ェハのキャリャ濃度分布図の１例である。 第１図に於いて４ＳはＧａＡＳ，〜Ｐｘェピタキシャル
ウェハの上表面、斜線Ｔは、その上表面接線、斜線Ｃは
、研磨除去（薄層化）工程後のＧａＡｓ，‐ｘＰｘェピ
タキシャルゥェハの裏面、領域Ａは、Ｇａｐ基板残部、
領域ＢはＧａ偽，ＴＰｘェピタキシャル層露出部である
ことを示す。第２図に於いてｎｓ及びｎｅはそれぞれ、
従来法によるＧａｐ基板及びＧａＡｓ，★Ｐｘェピタキ
シヤル膜のキャリャ濃度である。第３図に於てｎｅ′及
びｎｅは、それぞれ本発明に基づきＧａ公，〜Ｐｘェピ
タキシャル膜中に形成されたｎ十型領域及びｎ型領域の
キャリャ濃度、点Ｐはげ型、ｎ型両領域の遷移点、点Ｄ
及び点Ｅは、それぞれＧａＡｓ，〜Ｐｘェピタキシャル
成長開始点及び終了点である。１……ＧａＰ基板、２…
…ＧａＡｓ，★Ｐｘ組成勾配層、３…・・・Ｇａ船，★
Ｐｘ組成一定層、４・・・…窒素ドープＧａ兆，‐ｘＰ
ｘ組成一定層。 オ′図 汁２１幻 オ′３ 図
（ｘニ０．６５）ェピタキシャルウェハの断面模型図、
第２図は従来法によるェピタキシャルウェハのキャリャ
濃度分布図、第３図は本発明に基づくェピタキシャルウ
ェハのキャリャ濃度分布図の１例である。 第１図に於いて４ＳはＧａＡＳ，〜Ｐｘェピタキシャル
ウェハの上表面、斜線Ｔは、その上表面接線、斜線Ｃは
、研磨除去（薄層化）工程後のＧａＡｓ，‐ｘＰｘェピ
タキシャルゥェハの裏面、領域Ａは、Ｇａｐ基板残部、
領域ＢはＧａ偽，ＴＰｘェピタキシャル層露出部である
ことを示す。第２図に於いてｎｓ及びｎｅはそれぞれ、
従来法によるＧａｐ基板及びＧａＡｓ，★Ｐｘェピタキ
シヤル膜のキャリャ濃度である。第３図に於てｎｅ′及
びｎｅは、それぞれ本発明に基づきＧａ公，〜Ｐｘェピ
タキシャル膜中に形成されたｎ十型領域及びｎ型領域の
キャリャ濃度、点Ｐはげ型、ｎ型両領域の遷移点、点Ｄ
及び点Ｅは、それぞれＧａＡｓ，〜Ｐｘェピタキシャル
成長開始点及び終了点である。１……ＧａＰ基板、２…
…ＧａＡｓ，★Ｐｘ組成勾配層、３…・・・Ｇａ船，★
Ｐｘ組成一定層、４・・・…窒素ドープＧａ兆，‐ｘＰ
ｘ組成一定層。 オ′図 汁２１幻 オ′３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高濃度にｎ型不純物を添加して、ｎ型キヤリア濃度
１×１０＾１＾７原子個／ｃｍ＾３以上の高キヤリア濃
度を有する半導体単結晶基板上に、化合物半導体混晶エ
ピタキシヤル膜を形成させて電気発光物質を製造するに
あたり、エピタキシヤル膜中のｎ型キヤリア濃度がエピ
タキシヤル成長開始時より成長終点の中間までは、前記
半導体単結晶基板のｎ型キヤリア濃度とほぼ同濃度のｎ
型キヤリア濃度１×１０＾１＾７原子個／ｃｍ＾３以上
、中間よりエピタキシヤル成長終点までは１×１０＾１
＾６〜２×１０＾１＾７原子個／ｃｍ＾３の低濃度の濃
淡ｎ型キヤリア濃度分布を有する化合物半導体混晶エピ
タキシヤル膜を設け、続いて前記エピタキシヤル膜にｐ
型不純物を拡散した後、前記半導体単結晶板裏面に形成
されたｐ型層を除去するために前記半導体単結晶基板裏
面を研磨することを特徴とする電気発光物質の製造方法
。 ２ ｎ型キヤリア濃度１×１０＾１＾７原子個／ｃｍ＾
３以上、好ましくは３×１０＾１＾７原子個／ｃｍ＾３
以上を有する半導体単結晶基板上に、濃淡ｎ型キヤリア
濃度分布を有する化合物半導体混晶エピタキシヤル膜と
して、１×１０＾１＾７原子個／ｃｍ＾３、好ましくは
３×１０＾１＾７原子個／ｃｍ＾３以上の高ｎ型キヤリ
ア濃度の層（ａ）と、１×１０＾１＾６〜２×１０＾１
＾７原子個／ｃｍ＾３、好ましくは２×１０＾１＾６〜
９×１０＾１＾６個／ｃｍ＾３の低ｎ型キヤリア濃度の
層（ｂ）（但し（ａ）のｎ型キヤリア濃度は常に（ｂ）
のそれより大きい）を設けることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の電気発光物質の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51140443A JPS6012794B2 (ja) | 1976-11-22 | 1976-11-22 | 電気発光物質の製造方法 |
| FR7735073A FR2371780A1 (fr) | 1976-11-22 | 1977-11-22 | Element electroluminescent et son procede de fabrication |
| GB48544/77A GB1582063A (en) | 1976-11-22 | 1977-11-22 | Electroluminescent element and method of fabricating the same |
| US05/853,957 US4218270A (en) | 1976-11-22 | 1977-11-22 | Method of fabricating electroluminescent element utilizing multi-stage epitaxial deposition and substrate removal techniques |
| DE19772752107 DE2752107A1 (de) | 1976-11-22 | 1977-11-22 | Elektrolumineszenzelement und verfahren zu seiner herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51140443A JPS6012794B2 (ja) | 1976-11-22 | 1976-11-22 | 電気発光物質の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5364488A JPS5364488A (en) | 1978-06-08 |
| JPS6012794B2 true JPS6012794B2 (ja) | 1985-04-03 |
Family
ID=15268747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51140443A Expired JPS6012794B2 (ja) | 1976-11-22 | 1976-11-22 | 電気発光物質の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6012794B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS581539B2 (ja) * | 1978-07-07 | 1983-01-11 | 三菱化成ポリテック株式会社 | エピタキシヤルウエハ− |
| JPH079883B2 (ja) * | 1984-03-28 | 1995-02-01 | 信越半導体株式会社 | エピタキシヤルウエーハの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4976490A (ja) * | 1972-10-27 | 1974-07-23 | ||
| JPS5099285A (ja) * | 1973-12-28 | 1975-08-06 |
-
1976
- 1976-11-22 JP JP51140443A patent/JPS6012794B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4976490A (ja) * | 1972-10-27 | 1974-07-23 | ||
| JPS5099285A (ja) * | 1973-12-28 | 1975-08-06 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5364488A (en) | 1978-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100296094B1 (ko) | 갈륨인화물녹색발광장치 | |
| US4216484A (en) | Method of manufacturing electroluminescent compound semiconductor wafer | |
| JPS581539B2 (ja) | エピタキシヤルウエハ− | |
| US4218270A (en) | Method of fabricating electroluminescent element utilizing multi-stage epitaxial deposition and substrate removal techniques | |
| JP3143040B2 (ja) | エピタキシャルウエハおよびその製造方法 | |
| JP3625686B2 (ja) | 化合物半導体エピタキシャルウエハとその製造方法及び、これを用いて製造される発光ダイオード | |
| JPS6012794B2 (ja) | 電気発光物質の製造方法 | |
| KR100210758B1 (ko) | 에피택셜 웨이퍼 및 그 제조방법 | |
| JP3633806B2 (ja) | エピタキシャルウエハ及び、これを用いて製造される発光ダイオード | |
| JPH1065211A (ja) | 発光ダイオード | |
| JP2009212112A (ja) | エピタキシャルウェーハ | |
| JP3353703B2 (ja) | エピタキシャルウエーハ及び発光ダイオード | |
| JP5862472B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ | |
| JP3625677B2 (ja) | エピタキシャルウエハと発光ダイオード及び、その製造方法 | |
| JP4572942B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ | |
| JP2000058904A (ja) | エピタキシャルウェハ及びその製造方法並びに発光ダイオード | |
| JPH05335621A (ja) | ガリウム燐緑色発光ダイオード | |
| JPH06224473A (ja) | ＺｎＳｅを主成分としたｐｎ接合の製造方法並びにｐｎ接合デバイスの製造方法 | |
| JP5310369B2 (ja) | エピタキシャルウェーハおよび発光ダイオード | |
| JP2001036133A (ja) | エピタキシャルウエハおよび発光ダイオード | |
| JP2001036137A (ja) | エピタキシャルウエハおよび発光ダイオード | |
| JP3097587B2 (ja) | 発光半導体素子用エピタキシャルウェーハ | |
| JPS599983A (ja) | 燐化ガリウム緑色発光ダイオ−ドの製造方法 | |
| JP3525704B2 (ja) | りん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハ及び発光ダイオード | |
| JP2010206220A (ja) | エピタキシャルウェーハ |