JP5862472B2 - エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ - Google Patents
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Description
前記n型層および前記p型層としてピーク発光波長が585±10nmのGaAsPまたはGaPを形成し、
前記p型層として、キャリア濃度が2〜5×1017cm―3であって、かつ厚さが10〜20μmである第1p型層を形成し、前記第1p型層の形成後にキャリア濃度が1.0×10 19 cm ―3 の第2p型層を形成することを特徴とする。
前記n型層および前記p型層はピーク発光波長が585±10nmのGaAsPまたはGaPであり、
前記p型層は第1p型層と該第1p型層上に該第1p型層よりキャリア濃度の高い第2p型層とを有し、
前記第1p型層は、キャリア濃度が2〜5×1017cm―3であって、かつ厚さが10〜20μmであり、
前記第2p型層は、キャリア濃度が1.0×10 19 cm ―3 であることを特徴とする。
GaP基板および高純度ガリウム(Ga)を、Ga溜め用石英ボート付きのエピタキシャル・リアクター内の所定の場所に、それぞれ設置した。GaP基板はテルル(Te)が3〜10×1017/cm3添加され、直径50mmの円形で、(100)面から〔011〕方向に10°偏位した面をもつGaP基板を用い、これらを同時にサセプター上に配置した。次に、窒素(N2)ガスを該リアクター内に20分間導入し、空気を十分置換除去した後、キャリヤ・ガスとして高純度水素(H2)を6500sccm導入し、N2の流れを止め昇温工程に入った。上記Ga入り石英ボート設置部分およびGaP単結晶基板設置部分の温度が、それぞれ800℃および930℃一定に保持されていることを確認した後、ピーク発光波長585±10nmのGaAs1−x0Px0エピタキシャル膜の気相成長を開始した。
実施例1において、第1p型層の形成を、キャリア濃度、膜厚はそれぞれ2.0×1017/cm3、6μmに設定した以外は実施例1と同様の条件でエピタキシャルウェーハの作製を行い、同様の評価を行った。
第1p型層のキャリア濃度を2.0×1017/cm3に固定し、第1p型層の厚さを4μm、6μm、10μm、15μm、20μmに変えたときに、残光率がどのようになるかを調べた。なお、第1p型層以外は実施例1と同様の条件でエピタキシャルウェーハの作製を行った。表1はその結果を示している。
11 単結晶基板
12 n型層
12a バッファ層
12b 組成変化層
12c 組成一定層
12d 窒素ドープ層
13 p型層
13a 第1p型層
13b 第2p型層
Claims (2)
- 基板上に、エピタキシャル成長によってn型層と、該n型層上にp型層とを形成し、該エピタキシャル成長の際に、前記n型層および前記p型層形成時に窒素ドープ用ガスを、前記p型層形成時にp型ドーパントドープ用ガスを導入するエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記n型層および前記p型層としてピーク発光波長が585±10nmのGaAsPまたはGaPを形成し、
前記p型層として、キャリア濃度が2〜5×1017cm―3であって、かつ厚さが10〜20μmである第1p型層を形成し、前記第1p型層の形成後にキャリア濃度が1.0×10 19 cm ―3 の第2p型層を形成することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 基板と、該基板上にエピタキシャル成長によって形成されたn型層および該n型層上にp型層とを有するエピタキシャルウェーハにおいて、
前記n型層および前記p型層はピーク発光波長が585±10nmのGaAsPまたはGaPであり、
前記p型層は第1p型層と該第1p型層上に該第1p型層よりキャリア濃度の高い第2p型層とを有し、
前記第1p型層は、キャリア濃度が2〜5×1017cm―3であって、かつ厚さが10〜20μmであり、
前記第2p型層は、キャリア濃度が1.0×10 19 cm ―3 であることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。
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