JPS60214524A - 燐化砒化ガリウムエピタキシヤル膜の成長方法 - Google Patents
燐化砒化ガリウムエピタキシヤル膜の成長方法Info
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- JPS60214524A JPS60214524A JP59071356A JP7135684A JPS60214524A JP S60214524 A JPS60214524 A JP S60214524A JP 59071356 A JP59071356 A JP 59071356A JP 7135684 A JP7135684 A JP 7135684A JP S60214524 A JPS60214524 A JP S60214524A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 title 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 102220047383 rs587777742 Human genes 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は発光ダイオード用ＧａＡｓ□−ｘＰ工（０〈１
−２≦０５）エピタキシャルワエーハの気相成長方法に
関する。
−２≦０５）エピタキシャルワエーハの気相成長方法に
関する。
従来の技術
一般にエピタキシャルウェーハを製造する場合、エピタ
キシャル膜の成長方法及び成長させる材料に従い、適当
な成長温度範囲が存在する。成長温度が低過ぎる場合、
基板上での原子又は分子の吸着及び離脱に必要なエネル
ギーが充分に与えられないため結晶性が悪化し、品質の
良いエピタキシャル膜が得られない。逆ζ二成長温度が
高過ぎる場合、エピタキシャル膜中の原子突孔の増１、
反応器から入り込む不純物濃度の増大、成長速度の低下
といった問題が生じる。適当な温度の例をあげると、塩
化水素を用いたハロゲン輸送性気相成長にてＧａＰ単結
晶基板上にＧａＰエピタキシャル層を成長させる場合は
基板温度を７８０〜９００℃、ＧａＡｓ単結晶基板上に
ＧａＡｓエピタキシャル胸を成長させる場合は基板温度
を７００〜７８０ ℃に取ることが一般的である。
キシャル膜の成長方法及び成長させる材料に従い、適当
な成長温度範囲が存在する。成長温度が低過ぎる場合、
基板上での原子又は分子の吸着及び離脱に必要なエネル
ギーが充分に与えられないため結晶性が悪化し、品質の
良いエピタキシャル膜が得られない。逆ζ二成長温度が
高過ぎる場合、エピタキシャル膜中の原子突孔の増１、
反応器から入り込む不純物濃度の増大、成長速度の低下
といった問題が生じる。適当な温度の例をあげると、塩
化水素を用いたハロゲン輸送性気相成長にてＧａＰ単結
晶基板上にＧａＰエピタキシャル層を成長させる場合は
基板温度を７８０〜９００℃、ＧａＡｓ単結晶基板上に
ＧａＡｓエピタキシャル胸を成長させる場合は基板温度
を７００〜７８０ ℃に取ることが一般的である。
また黄色、橙色及び赤色発光ダイオード用層−Ｖ族化合
物半導体の気相エピタキシャルウェーハとして、（）ａ
Ｐ もしくはＧａＡｓ単結晶基板にＧａＡｓ １−ＸＰ
Ｘエピタキシャル膜を設けたものが知られている。これ
らは単結晶基板と（）ａＡｓｌ −ＸＰＸエピタキシャ
ル膜の格子定数が異なるため、砒素成分もしくは燐成分
を徐々に変化させた混晶事変化層を設け、結晶不整合の
緩和をはかつている。
物半導体の気相エピタキシャルウェーハとして、（）ａ
Ｐ もしくはＧａＡｓ単結晶基板にＧａＡｓ １−ＸＰ
Ｘエピタキシャル膜を設けたものが知られている。これ
らは単結晶基板と（）ａＡｓｌ −ＸＰＸエピタキシャ
ル膜の格子定数が異なるため、砒素成分もしくは燐成分
を徐々に変化させた混晶事変化層を設け、結晶不整合の
緩和をはかつている。
発明が解決しよ、つとする問題点
この混晶事変化層を成長させる際、単結晶基板の温度を
一定に保持して成長させる方法が従来とられている。し
かし混晶率の変化を考慮せずに成長温度いいかえると基
板温度を一定に保持して混晶事変化層を成長させた場合
、以下に記す欠点が生じ易い。すなわち混晶率の変化に
ともなって最適成長温度も変化するので、基板温ｔＪＥ
が低すぎるとエピタキシャル膜の表面にピラミッドまた
はヒルロックと呼ばれる突起が発生し、かかる結晶性低
下の結果として発光強度が低下する。また基板温度が高
すぎるとエピタキシャル膜の表面は比較的良好となるが
、前記理由により全光強ｊｆが低下する。
一定に保持して成長させる方法が従来とられている。し
かし混晶率の変化を考慮せずに成長温度いいかえると基
板温度を一定に保持して混晶事変化層を成長させた場合
、以下に記す欠点が生じ易い。すなわち混晶率の変化に
ともなって最適成長温度も変化するので、基板温ｔＪＥ
が低すぎるとエピタキシャル膜の表面にピラミッドまた
はヒルロックと呼ばれる突起が発生し、かかる結晶性低
下の結果として発光強度が低下する。また基板温度が高
すぎるとエピタキシャル膜の表面は比較的良好となるが
、前記理由により全光強ｊｆが低下する。
問題点を解決するための手段
これらの欠点を改善し発光ダイオード用に発光強度が大
きく、かつ表面の良好なＧａＡｓ ｒ −ｘＰ ｘ（０
＜Ｉ−Ｘ≦０５）エピタキシャルウェー八を再現性良く
製造する方法として、本発明者は混晶事変化層を成長さ
せる際混晶率に比例させて基板温度も変化させれば良い
ことに到達した。
きく、かつ表面の良好なＧａＡｓ ｒ −ｘＰ ｘ（０
＜Ｉ−Ｘ≦０５）エピタキシャルウェー八を再現性良く
製造する方法として、本発明者は混晶事変化層を成長さ
せる際混晶率に比例させて基板温度も変化させれば良い
ことに到達した。
本発明を第１図及び第２図を用いてさらに詳しく説明す
る。
る。
ＧａＰ単結晶基板１の温度を）１００〜９００”Ｃの範
囲内の温度Ｔ１１に保持したまま反応ガスを反応器に導
入してＧａＰエピタキシャル層２を約５μ成長させ、次
に上記基板の温度を７６（）〜８４０℃の範囲内の温度
Ｔ１２まで徐々に低下させつつ反応ガスを反応器に導入
して砒素混晶率１−ＸをＯから所望の値まで変化させた
ＧａＡｓ 、 、−ＸＰＸ混晶混晶化変化層８下（＋−
ｘ）変化層という）を約３５μ成長させる。引続き同一
温度Ｔ１２．同一反応ガス、同一混晶率１−ＸでｏａＡ
Ｓ １−ｘ Ｐｘ混混晶−電層４（以下（ｌ−ｘ）−電
層という）を約１０μ成長させた後、アンモニアを流す
ことにより窒素が添加された混晶率−電層５（以下Ｎ添
加（ｌ−ｘ）−電層という）すなわち発光１−を約２５
μ成長させる。
囲内の温度Ｔ１１に保持したまま反応ガスを反応器に導
入してＧａＰエピタキシャル層２を約５μ成長させ、次
に上記基板の温度を７６（）〜８４０℃の範囲内の温度
Ｔ１２まで徐々に低下させつつ反応ガスを反応器に導入
して砒素混晶率１−ＸをＯから所望の値まで変化させた
ＧａＡｓ 、 、−ＸＰＸ混晶混晶化変化層８下（＋−
ｘ）変化層という）を約３５μ成長させる。引続き同一
温度Ｔ１２．同一反応ガス、同一混晶率１−ＸでｏａＡ
Ｓ １−ｘ Ｐｘ混混晶−電層４（以下（ｌ−ｘ）−電
層という）を約１０μ成長させた後、アンモニアを流す
ことにより窒素が添加された混晶率−電層５（以下Ｎ添
加（ｌ−ｘ）−電層という）すなわち発光１−を約２５
μ成長させる。
次に、実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する
。
。
実施例１
′＠１図Ｃ二示す構成の黄色発光ダイオード用ＧａＡａ
□−ｘＰＸエピタキシャルウェーハ？次ノようｇ二して
製造した。
□−ｘＰＸエピタキシャルウェーハ？次ノようｇ二して
製造した。
Ｔｅｙ２ ｘ １０１７ｃｍ−”〜４ ｘ １０ ”ｃ
ｍ−”Ｑ加し２Ｍ晶方位＜ １００ ）ｃｙ） ＧａＰ
単結晶棒Ｙ（１００）より＜１１０＞方位に５°偏位を
もって厚さ３５０μにスライスした後、通常の化学エツ
チングと機械化学研摩をほどこした厚さ約３００μの９
ａＰ鏡面ウェー八をつくり、これＹＧａＰ単結晶基板１
として用いた。
ｍ−”Ｑ加し２Ｍ晶方位＜ １００ ）ｃｙ） ＧａＰ
単結晶棒Ｙ（１００）より＜１１０＞方位に５°偏位を
もって厚さ３５０μにスライスした後、通常の化学エツ
チングと機械化学研摩をほどこした厚さ約３００μの９
ａＰ鏡面ウェー八をつくり、これＹＧａＰ単結晶基板１
として用いた。
また反応ガスとして、水素（Ｈ２）、Ｈ３希釈された濃
度５０ｐｐｍの流化水素（Ｈ，８）、Ｈ８希釈され定濃
度１％（７） ７ ／Ｉ／シン（Ａ、Ｈ，）、Ｈ３希釈
された濃度１０％のホスフィン（ＰＨ，）、高純度塩化
水素ガス（、ＨＯｌ）および高純度アンモニアガス（Ｎ
Ｈｓ）３用いた。以後上記反応ｎス’ｊｔ各々Ｈ，，Ｈ
，ａ／Ｈ，、Ａ、Ｈ，／Ｈ，。
度５０ｐｐｍの流化水素（Ｈ，８）、Ｈ８希釈され定濃
度１％（７） ７ ／Ｉ／シン（Ａ、Ｈ，）、Ｈ３希釈
された濃度１０％のホスフィン（ＰＨ，）、高純度塩化
水素ガス（、ＨＯｌ）および高純度アンモニアガス（Ｎ
Ｈｓ）３用いた。以後上記反応ｎス’ｊｔ各々Ｈ，，Ｈ
，ａ／Ｈ，、Ａ、Ｈ，／Ｈ，。
ＰＨ，／Ｈ，、ＨＯｌｌよびＮＨ，と略記する。
上記（）ａＰ単結晶基板１を洗浄した後、これと高純度
Ｇａ入り石英容器とを縦型石英製反応器内の所定の場所
にセットした。
Ｇａ入り石英容器とを縦型石英製反応器内の所定の場所
にセットした。
反応器内に高純度窒素ガス（Ｎ２ ） 、次いでキャリ
アガスとしての高純度水素ガス（Ｈ２）を導入して反応
器内を充分５二置換した後、昇温を開始した。
アガスとしての高純度水素ガス（Ｈ２）を導入して反応
器内を充分５二置換した後、昇温を開始した。
上記基板の温度が８６０℃に達したことを確認した後、
黄色発光用ＧａＡｓ Ｐ エピタキシャル０．１５ ０
．１１５ 膜の気相成長を開始した。
黄色発光用ＧａＡｓ Ｐ エピタキシャル０．１５ ０
．１１５ 膜の気相成長を開始した。
まず始めにＨ２Ｂ／Ｈ２を毎分】Ｏｃｃの流量で導入し
、他方ＨＯＩ を毎分４５ｃｃの流量で導入して、石英
容器内のＧａと反応させてＧａｏｌを形成させ、同時に
導入した流儀が毎分２５１１ｃｏのＰＨｓ／Ｈ。
、他方ＨＯＩ を毎分４５ｃｃの流量で導入して、石英
容器内のＧａと反応させてＧａｏｌを形成させ、同時に
導入した流儀が毎分２５１１ｃｏのＰＨｓ／Ｈ。
とにより基板上に厚さ５μのＧａＰエピタキシャル層２
を成長させた。
を成長させた。
次に以下の方法で厚さ３５μの（ｌ−ｘ）変化層８を成
長させた。すなわち、Ｈ，８／Ｈ，、ＨＯＩ及びＰＨ８
／Ｈ２の流量を各々毎分１（ｌＱｃ、４５ｃｃ及び２５
０ ｃｃに保ちなからＡｓＨ３／Ｈ２を流量毎分（）閃
より２６０ｃｃまで徐々に増加させて導入し、砒素混晶
率ｔ−ｚを０から０．１５まで変化させた。
長させた。すなわち、Ｈ，８／Ｈ，、ＨＯＩ及びＰＨ８
／Ｈ２の流量を各々毎分１（ｌＱｃ、４５ｃｃ及び２５
０ ｃｃに保ちなからＡｓＨ３／Ｈ２を流量毎分（）閃
より２６０ｃｃまで徐々に増加させて導入し、砒素混晶
率ｔ−ｚを０から０．１５まで変化させた。
同時に基板温度をＴ１．＝８６０℃からＴ１１Ｉ＝８３
０℃まで第２図に示す如く低下させた。こうして（ｌ−
ｘ）変化層３を成長させた後、基板温度はエピタキシャ
ル膜の成長の終了まで８３０℃に保持した。
０℃まで第２図に示す如く低下させた。こうして（ｌ−
ｘ）変化層３を成長させた後、基板温度はエピタキシャ
ル膜の成長の終了まで８３０℃に保持した。
次いでＨ２Ｓ／Ｈ２、ＨＯＩ、 ＰＨ３／Ｈ２及びＡＳ
ＨＩＩ／Ｈ２の流量を各々毎分１０ｃｃ、 ４５ｃｃ、
２５（ｌｅ及び２６０ ｃｃに保ちながら厚さ１０μの
ＧａＡｓ ｏｌｓＰｏ、ｓａの（＞−ｘ）−重層４を成
長させた。
ＨＩＩ／Ｈ２の流量を各々毎分１０ｃｃ、 ４５ｃｃ、
２５（ｌｅ及び２６０ ｃｃに保ちながら厚さ１０μの
ＧａＡｓ ｏｌｓＰｏ、ｓａの（＞−ｘ）−重層４を成
長させた。
最後にＨ２Ｂ／Ｈ２，ＨＯＩ、ＰＨ８／Ｈｔ 及びＡ
ｓ ＨＢ ／ Ｈ２の流量を各々毎分１０ｃｃ、４５ｃ
ｃ、２５０ｃＯ及び２６０ｃｃに保ちなからＮＨ，の流
量を毎分Ｑｃｃから４００ｅＣまで増加させ、次いでＨ
２／Ｂ、 ＨＯＩ、 ＰＨ８／Ｈ２，Ａ８ＨＢ／Ｈ２お
よびＮＨ。
ｓ ＨＢ ／ Ｈ２の流量を各々毎分１０ｃｃ、４５ｃ
ｃ、２５０ｃＯ及び２６０ｃｃに保ちなからＮＨ，の流
量を毎分Ｑｃｃから４００ｅＣまで増加させ、次いでＨ
２／Ｂ、 ＨＯＩ、 ＰＨ８／Ｈ２，Ａ８ＨＢ／Ｈ２お
よびＮＨ。
の流量を各々毎分１０ｃｃ、 ４５ｃｃ、 ２５０ＣＱ
、２６０ｅｅ及び４００ｃｃ（二保ち、厚さ２５μのＮ
添加（ｓ−ｘ）−重層５すなわち発光層を成長させＧａ
Ａ８ｏ１Ｂ ”０．１１５エピタキシヤルウエーハの成
長を終了した。
、２６０ｅｅ及び４００ｃｃ（二保ち、厚さ２５μのＮ
添加（ｓ−ｘ）−重層５すなわち発光層を成長させＧａ
Ａ８ｏ１Ｂ ”０．１１５エピタキシヤルウエーハの成
長を終了した。
この方法により得られたエピタキシャルウェーへの表面
には突起がほとんど見られなかった。
には突起がほとんど見られなかった。
比較例ＩＡ
エピタキシャル膜成長の開始から終了までの間、基板温
度な８ｆｉ（１℃に保持したこと以外実施例１と同様な
方法で黄色発光ダイオード用Ｇａ、Ａｓ １−ｘＰ エ
ピタキシャルウェー八を製造した。
度な８ｆｉ（１℃に保持したこと以外実施例１と同様な
方法で黄色発光ダイオード用Ｇａ、Ａｓ １−ｘＰ エ
ピタキシャルウェー八を製造した。
比較例ＩＢ
厚さＨＯＩのＧａＰエピタキシャル層２の成長後半で、
基板温度を８６０℃から８３０℃に低下させ、以後＋１
３．４．５の成長を８３０℃に保持して行ったこと以外
、実施例１と同じ方法で黄色発光ダイオード用ＧａＡｓ
、 −ｘＰｘエピタキシャルウェーハを製造した。
基板温度を８６０℃から８３０℃に低下させ、以後＋１
３．４．５の成長を８３０℃に保持して行ったこと以外
、実施例１と同じ方法で黄色発光ダイオード用ＧａＡｓ
、 −ｘＰｘエピタキシャルウェーハを製造した。
比較例１０
エピタキシャル膜の成長の開始から終了までの間、基板
温度を８３０℃に保持したこと以外、実施例１と同じ方
法で黄色発光ダイオード用ＧａＡｓｌ−２Ｐｘエピタキ
シヤルウエーハを製造した。
温度を８３０℃に保持したこと以外、実施例１と同じ方
法で黄色発光ダイオード用ＧａＡｓｌ−２Ｐｘエピタキ
シヤルウエーハを製造した。
以上Ｉ施例１及び比較例ＩＡ、ＩＢ、１０で得たエビタ
キシャルウェーッＸ１＝亜鉛拡散し、Ｐ−Ｎ接合を形成
させた。次いで電極形成後３００μ角のチップに切出し
て、黄４色発光ダイオードを製作し、樹脂コートなしの
状態で発光層ｐｔ（ｌカンデラ。
キシャルウェーッＸ１＝亜鉛拡散し、Ｐ−Ｎ接合を形成
させた。次いで電極形成後３００μ角のチップに切出し
て、黄４色発光ダイオードを製作し、樹脂コートなしの
状態で発光層ｐｔ（ｌカンデラ。
ｎｎｏｄ ）突起密度を比較したところ第１表の結果が
得られた。
得られた。
第１表
※ 順方向電流積度 １０Ａ／ｍで測定し、測定値は５
ランの平均である。
ランの平均である。
実施例２
（ｌ−ｘ）変化１−８の成長の間、Ｈ２希釈の濃度ｌＯ
％のＡｓＨ，／Ｈ２の流量を毎分Ｏｃｃから１２０ｃｃ
まで増加させ、かつＧａＰ 単結晶基板の温度をＴＩＸ
＝：＋８６ （１℃から’Ｉ’１．＝７９（１℃まで実
施例］と類似の方法で低下させたこと及びＰＨＢ／Ｈ，
の流量を毎分１５０ｃｃとすること以外は実施例１と同
じ方法で橙色発光ダイオード用ＧａＡＳＯ，８５Ｐｏ、
６１５エピタキシヤルウエー八を製造した。
％のＡｓＨ，／Ｈ２の流量を毎分Ｏｃｃから１２０ｃｃ
まで増加させ、かつＧａＰ 単結晶基板の温度をＴＩＸ
＝：＋８６ （１℃から’Ｉ’１．＝７９（１℃まで実
施例］と類似の方法で低下させたこと及びＰＨＢ／Ｈ，
の流量を毎分１５０ｃｃとすること以外は実施例１と同
じ方法で橙色発光ダイオード用ＧａＡＳＯ，８５Ｐｏ、
６１５エピタキシヤルウエー八を製造した。
比較例２人
エピタキシャル膜の成長の開始から終了までの間、基板
温度を８４０ ℃に保持したこと以外実施例２と同じ方
法で橙色発光ダイオード用ＧａＡｓ□−アＰＸエピタキ
シャルウェーハを製造した。
温度を８４０ ℃に保持したこと以外実施例２と同じ方
法で橙色発光ダイオード用ＧａＡｓ□−アＰＸエピタキ
シャルウェーハを製造した。
比較例２Ｂ
厚さ１０μのＧａＰエピタキシャル層２の成長後半で、
基板温度を８６０℃から７９０ ”Ｃに低下させ、以後
７９０℃に保持して１ｍ３．４．５を成長させたこと以
外、実施例２と同じ方法で橙色発光ダイオード用ＧａＡ
ｓ、 −ｘ ｐＸエピタキシャルウェー八を製造した。
基板温度を８６０℃から７９０ ”Ｃに低下させ、以後
７９０℃に保持して１ｍ３．４．５を成長させたこと以
外、実施例２と同じ方法で橙色発光ダイオード用ＧａＡ
ｓ、 −ｘ ｐＸエピタキシャルウェー八を製造した。
比較例２０
エピタキシャル膜の成長の開始から終了までの間、基板
温度を７９０℃に保持したこと以外、実施例２と同じ方
法で橙色発光ダイオード用ＧａＡＳ１−’ＸＰｘエピタ
キシャルウェーハを製造した。
温度を７９０℃に保持したこと以外、実施例２と同じ方
法で橙色発光ダイオード用ＧａＡＳ１−’ＸＰｘエピタ
キシャルウェーハを製造した。
以上の実施例２及び比較例２Ａ、２Ｂ、２０で得たエピ
タキシャルウェーハに亜鉛拡散し、橙色発光ダイオード
（樹脂コートなし）ン製作し１発光強度（ミリカンデラ
、ｍａｄ）、突起密度を比較したところ′＠２表の結果
が得られた。
タキシャルウェーハに亜鉛拡散し、橙色発光ダイオード
（樹脂コートなし）ン製作し１発光強度（ミリカンデラ
、ｍａｄ）、突起密度を比較したところ′＠２表の結果
が得られた。
＠２表
峯順方向゛電流密度 １０Ａ／ｃＩｌで測定し測定値は
５ランの平均である。
５ランの平均である。
発明の効果
上記第１表及び第２表に示した如く、本発明の方法区二
より、発光強度が大きく、かつエビタキＶエピタキシャ
ルウェーハを製造することができた。
より、発光強度が大きく、かつエビタキＶエピタキシャ
ルウェーハを製造することができた。
第１図は発光ダイオード用ＧａＡｓ １−ｘＰＸエピタ
キシャルウェーハの断面図であり、第２図はこのエピタ
キシャルウェーハを製造する際に用いられた、本発明に
係る基板温度と砒累混晶率の変化を示す説明図である。 １・・・ＧａＰ単結晶基板 ２・・・ＧａＰエピタキシャル層 ３・・・（ｓ−ｘ）変化層 ４・・・（ｚ−ｘ）一定層 ５・・・Ｎ添加（１−Ｘ）一定層 Ｔ□１・・・い−Ｘ）変化層成長開始時温度Ｔ□・・・
（１−Ｘ）変化層成長終了時温度特許出願人 信越半導
体株式会社 第１図 第２図
キシャルウェーハの断面図であり、第２図はこのエピタ
キシャルウェーハを製造する際に用いられた、本発明に
係る基板温度と砒累混晶率の変化を示す説明図である。 １・・・ＧａＰ単結晶基板 ２・・・ＧａＰエピタキシャル層 ３・・・（ｓ−ｘ）変化層 ４・・・（ｚ−ｘ）一定層 ５・・・Ｎ添加（１−Ｘ）一定層 Ｔ□１・・・い−Ｘ）変化層成長開始時温度Ｔ□・・・
（１−Ｘ）変化層成長終了時温度特許出願人 信越半導
体株式会社 第１図 第２図
Claims (1)
- １、燐化ガリウム（ＧａＰ）単結晶基板上に、窒素を添
加した間接遷移型三元系化合物半導体燐化砒化ガリウム
（ＧａＡｓ１−ｚＰｚ 、 ０ ＜ ｓ −ｘ≦０．５
）エピタキシャル膜を気相成長させるにあたり、上記基
板の温度を８００℃から９００℃の範囲に保持して Ｇ
ａＰ エピタキシャル層を成長させ、次に上記基板温度
を７６０℃から８４０℃の範囲まで徐々に低下させなが
ら、砒素混晶率１−ｚが０から所望の値まで変化する混
晶率変化層を成長させた後、上記基板温度を７６０℃か
ら８４０℃の範囲に保持して所望の砒素混晶率１−Ｘを
有する混晶率一定層及び窒素を添加した混晶率一定層を
成長させることを特徴とする燐化砒化ガリウムエピタキ
シャル膜の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59071356A JPS60214524A (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 燐化砒化ガリウムエピタキシヤル膜の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59071356A JPS60214524A (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 燐化砒化ガリウムエピタキシヤル膜の成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60214524A true JPS60214524A (ja) | 1985-10-26 |
Family
ID=13458129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59071356A Pending JPS60214524A (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 燐化砒化ガリウムエピタキシヤル膜の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60214524A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0378919A2 (en) * | 1989-01-19 | 1990-07-25 | Hewlett-Packard Company | High band-gap opto-electronic device and method for making same |
| EP0400982A2 (en) * | 1989-05-30 | 1990-12-05 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Light-emitting diode and a preparing process therefor |
| US5194922A (en) * | 1990-04-06 | 1993-03-16 | Telefunken Electronic Gmbh | Luminescent semiconductor element |
| US5204284A (en) * | 1989-01-19 | 1993-04-20 | Hewlett-Packard Company | Method of making a high band-gap opto-electronic device |
| EP0782202A3 (en) * | 1995-12-27 | 1998-04-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd | Compound semiconductor epitaxial wafer |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5232715A (en) * | 1975-09-06 | 1977-03-12 | Naomoto Kougiyou Kk | Method of printing by transfer through die electric heat |
| JPS53131764A (en) * | 1977-04-21 | 1978-11-16 | Mitsubishi Monsanto Chem | Method of producing compound semiconductor |
-
1984
- 1984-04-10 JP JP59071356A patent/JPS60214524A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5232715A (en) * | 1975-09-06 | 1977-03-12 | Naomoto Kougiyou Kk | Method of printing by transfer through die electric heat |
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Cited By (7)
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| EP0782202A3 (en) * | 1995-12-27 | 1998-04-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd | Compound semiconductor epitaxial wafer |
| US5912476A (en) * | 1995-12-27 | 1999-06-15 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Compound semiconductor epitaxial wafer |
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