JPS59103767U - カ−ボン坩堝 - Google Patents

カ−ボン坩堝

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JPS59103767U
JPS59103767U JP19963982U JP19963982U JPS59103767U JP S59103767 U JPS59103767 U JP S59103767U JP 19963982 U JP19963982 U JP 19963982U JP 19963982 U JP19963982 U JP 19963982U JP S59103767 U JPS59103767 U JP S59103767U
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JP
Japan
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crucible
carbon crucible
carbon
slit
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Application number
JP19963982U
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JPS6217496Y2 (ja
Inventor
哲生 福田
平井　家定
尼野　一成
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富士通株式会社
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Publication date
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はシリコン単結晶成長機構の説明図、第２図λ、
Ｂはそれぞれ従来の上部および下部カーボン坩堝の斜視
図、第３図は本考案に係る上部カーボン坩堝また第４図
は下部カーボン坩堝のＡは正面図、Ｂ半導体は平面図、
第５図はカーボン製置は金を挿着した状態図また第６図
はカーボン製置は金の平面図Ａ１正面図Ｂおよび側面図
Ｃである。 図において、１は石英坩堝、３は融液、５は結晶、６．
　８．　９．　１５．　１６はカーボン坩堝、７はサセ
プタ、１０．１１．１２．１３はスリット、１４はカー
ボン製置は金。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 結晶成長融液が収容される第１の坩堝が嵌入された第２
    の坩堝にスリット及び該スリットをまたぐ掛は金が設け
    られてなることを特徴とするカーボン坩堝。
JP19963982U 1982-12-28 1982-12-28 カ−ボン坩堝 Granted JPS59103767U (ja)

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JP19963982U JPS59103767U (ja) 1982-12-28 1982-12-28 カ−ボン坩堝

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JPS59103767U true JPS59103767U (ja) 1984-07-12
JPS6217496Y2 JPS6217496Y2 (ja) 1987-05-06

Family

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD771167S1 (en) 2013-08-21 2016-11-08 A.L.M.T. Corp. Crucible
JPWO2015064505A1 (ja) * 2013-10-30 2017-03-09 株式会社アライドマテリアル 坩堝

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5747797A (en) * 1980-09-05 1982-03-18 Hitachi Ltd Manufacturing apparatus for semiconductor single crystal

Patent Citations (1)

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JPS5747797A (en) * 1980-09-05 1982-03-18 Hitachi Ltd Manufacturing apparatus for semiconductor single crystal

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USD839444S1 (en) 2013-08-21 2019-01-29 A.L.M.T. Corp. Crucible
USD872872S1 (en) 2013-08-21 2020-01-14 A.L.M.T. Corp. Crucible
JPWO2015064505A1 (ja) * 2013-10-30 2017-03-09 株式会社アライドマテリアル 坩堝

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JPS6217496Y2 (ja) 1987-05-06

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