JP7262287B2 - 成膜方法 - Google Patents
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- 搬送ロボットを備える搬送室と、搬送室に連設される少なくとも2個の処理室とを有する真空成膜装置にて、搬送室と隔絶された真空雰囲気の一の処理室にて被処理基板表面に第1金属含有膜を成膜する第1工程と、搬送ロボットにより成膜済みの被処理基板を一の処理室から取り出し、真空雰囲気の搬送室を経て他の処理室に搬送し、他の処理室にて搬送室と隔絶された真空雰囲気で第1金属含有膜表面に第2金属含有膜を成膜する第2工程とを含む成膜方法において、
成膜済みの被処理基板を一の処理室から取り出すのに先立って、搬送室を真空排気しながら不活性ガスを供給してこの搬送室を不活性ガス雰囲気に置換する置換工程を更に含み、
前記置換工程は、搬送室が200Pa以上の所定圧力となる不活性ガス雰囲気を10分以上の所定時間維持することを特徴とする成膜方法。 - 前記不活性ガスは8ナイン以上の純度の窒素ガスであることを特徴とする請求項1記載の成膜方法。
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