KR100277521B1 - 기판 처리 시스템 - Google Patents

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히데키 아다치
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이시다 아키라
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Abstract

건식분위기와 습식분위기를 분리하면서 컴팩트한 기판 처리시스템을 제공한다.
반송챔버(20)와 세정/건조챔버(40)와의 사이에 버퍼챔버(30)를 설치하고, 반송챔버(20)와 버퍼챔버(30)와의 사이 및 버퍼챔버(30)와 세정/건조챔버(40)와의 사이에 각각 밀폐형 셔터(340,450)를 설치한다. 그들 밀폐형 셔터를 열어서 기판의 교환을 행하기 직전에는 (반송챔버내의 기압 p1) > (버퍼내의 기압 p2) > (세정/건조챔버내의 기압 p3)라는 관계를 만족하도록 각 챔버내의 기압을 제어한다. 이것에 의해 세정/건조챔버(40)내의 약간의 습식분위기가 반송챔버(20)내의 건식분위기로 영향을 미치는 일이 적다. 습식분위기에서의 처리를 포함한 복합처리부로서 세정/건식챔버(40)를 건식분위기의 다른 챔버와 결합시키고 있기 때문에, 시스템 전체가 컴팩트하게 된다.

Description

기판 처리시스템
제1도는 제1실시 형태의 기판 처리시스템의 전체 구성도.
제2도는 제1실시 형태의 반송챔버의 단면도.
제3도는 제1실시 형태의 버퍼챔버의 연직 단면도.
제4도는 제1실시 형태의 세정/건식챔버의 단면도.
제5도는 제1실시 형태의 버퍼챔버의 수평 단면도.
제6는 제1실시 형태의 각 챔버내의 기압 시간변화를 나타내는 도면.
제7도는 제2실시 형태의 각 챔버내의 기압 시간변화를 나타내는 도면.
제8도는 본 발명과 비교해야할 장치의 전체 구성도이다.
* 도면의 주요부호에 대한 부호의 설명
1 : 기판 처리시스템 20 : 반송챔버
30 : 버퍼 챔버 40 : 세정/건조챔버
50 : 성막챔버 21b, 310c, 410b : 급기구
210d, 310d, 410d : 배기구 230, 350, 440 : 압력센서
340, 450 : 밀폐형 셔터 T1~T8 : 시각
W : 기판 p1 : 반송챔버내의 기압
p2 : 버퍼챔버내의 기압 p3 : 세정/건조챔버내의 기압.
본 발명은, 반도체 웨이퍼, 액정용 유리기판 등의 기판을 반송하는 반송부의 주위에 복수의 처리부를 구비하고, 반송부에 의해 기판을 각 처리부로 반송하여, 각각의 처리부에서 기판에 소정의 처리를 행하는 기판 처리시스템에 관한 것이다.
종래부터, 매엽(낱장)기판 제정장치는 성막전(前) 세정처리를 행하는 장치로서 많이 사용되고 있지만, 통상 성막장치와는 별체화(別體化)되어 있다. 이것에 대해서, 이들 장치를 결합하여 일체화한다는 개량이 고려되고 있지만, 단순히 그들을 결합한 경우의 문제점을 제8도에 나타낸 가상적인 시스템을 토대로 고려해 본다.
이 시스템에서는, 로더(901)로부터 1매씩 인출된 기판(W)을 도시하지 않은 반송기구로 반송하면서 세정처리부(902)에서 세정처리를 행한 후, 건조처리부(903)에서 건조처리를 행하고, 그 기판(W)을 반송부(904)의 도시하지 않은 반송로봇으로 받아들여 반송하며, 성막처리부(905)의 어느 곳에서 성막처리를 행한 후, 재차 반송부(904)에서 반송하여 언로더(906)로 반출한다. 이상에 있어서, 세정처리부(902)내의 분위기는 완전히 건조시키지 않은 분위기(이하, 「습식분위기」라 한다)이고, ㄸ도한 건조처리부(903), 반송부(904), 성막처리부(905) 및 언로더(906)내의 분위기는 완전히 건조시킨 분위기 (이하, 「건식분위기」라 한다)이다. 또, 노점(露店) -8-℃~5℃의 범위를 경계영역의 범위로 하고, 노점이 -5℃ 이상의 경우를 습식분위기로 하고, -80℃ 이하의 경우를 건식분위기로 한다.
이와 같이, 본래 건식분위기내에서 행하는 처리를 그대로는 습식분위기내에서는 행할 수 없지만, 이 장치에서는 세정처리를 행한 후의 기판을 습식분위기에서 건식분위기로 점점 천이한 내부분위기를 가진 반송영역내에서 반송하면서 건조처리를 행하여, 반송부(904)로 인도하고 있다.
그런데, 상기와 같이 시스템을 고려한 경우에, 습식분위기에서 건식분위기로 점점 천이한 내부분위기를 가진 반송영역이 길고, 그것에 의해 시스템이 대형화하고 있는 점이나 반송영역내의 분위기를 상기와 같이 습식분위기에서 건식분위기로 점점 이행시키기 위한 분위기의 제어가 곤란하다는 점이 문제점으로서 거론되고 있다.
본 발명은, 상기 비교해야할 기술에서의 상술한 문제의 극복을 의도하고 있고, 건식분위기와 습식분위기를 분리하면서 각 처리부를 결합시킨 컴팩트한 기판 처리시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 청구항1의 발명은, 기판의 반송을 행하는 반송부의 주위에 복수의 처리부를 구비하고, 상기 반송부에 의해 기판을 상기 처리부로 반송하며, 상기 처리부에서 기판에 소정의 처리를 행하는 기판 처리시스템에 있어서, 상기 복수의 처리부는 건식분위기에서 기판의 처리를 행하는 제1처리부와, 습식분위기에서 기판의 처리를 포함하는 복수 종류의 기판의 처리를 행하는 제2 처리부를 포함하고, 상기 반송부와 상기 제2 처리부와의 사이에 버퍼부를 배치하며, 상기 제2 처리부와 상기 버퍼부와의 사이에서 분위기를 차단하는 제1차단수단과, 상기 버퍼부와 상기 처리부와의 사이에서 분위기를 차단하는 제2차단수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항2의 발명은, 청구항1 기재의 기판 처리시스템에 있어서, 상기 제2처리부 및 상기 버퍼부중 적어도 하나의 내부 분위기를 제어하는 제어수단을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
또, 청구항3의 발명은, 청구항 2 기재의 기판 처리시스템에 있어서, 상기 제어수단은, 상기 제2 처리부 및 상기 버퍼부의 압력을 검출하는 압력 검출수단과, 상기 압력 검출수단의 검출결과에 기초해서 상기 제2 처리부 및 상기 버퍼부의 압력을 제어하는 압력 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항4의 발명은, 청구항 3 기재의 기판 시스템에 있어서, 적어도 상기 제1 차단수단을 열기 전에 상기 버퍼부내의 기압을 제2 처리부내의 기압보다 높은 상태로 하는 것을 특징으로 한다.
또, 청구항5의 발명은, 청구항3 또는 청구항4의 어느 한항 기재의 기판 처리시스템에 있어서, 상기 압력 검출수단은 또 상기 반송부의 압력을 검출하는 것이고, 상기 압력 제어수단은 또 상기 반송부의 압력을 제어하는 것인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항6의 발명은, 청구항 1 내지 청구항5의 어느 한항 기재의 기판 처리시스템에 있어서, 상기 반송부는 기판을 유지하면서 상기 반송부와 상기 제1 처리부 또는 버퍼부와의 사이에서 기판의 반송을 행하는 복수의 유지수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
또, 청구항7의 발명은, 청구항 1 내지 청구항6의 어느 한항 기재의 기판 처리시스템에 있어서, 상기 제1 처리부에서의 기판의 처리에는 성막처리를 포함하고, 상기 제2 처리부에서의 기판의 처리에는 세정처리 및 건조처리를 포함하는 것을 특징으로 한다.
[1. 제1 실시형태]
[1-1. 기구적 개략 구성과 장치 배열]
제1도는 제1 실시형태의 기판 처리시스템(1)으 구성도이다. 동도 및 이하의 각 도면에 있어서는, 수평면을 X-Y면으로 하고, 연직방향을 Z축 방향으로 하는 3차원 좌표계 X-Y-Z가 정의되어 있다. 이하, 제1도를 사용해서 이 기판 처리시스템(1)에 대해서 설명해 간다.
도시한 바와 같이, 이 시스템은 육각기둥 형상을 이루는 반송챔버(20)의 주위에 로더/언로더(10), 버퍼챔버(30) 및 그것에 인접한 세정/건조챔버(20)의 주위에 로더/언로더(10), 버퍼챔버(30) 및 그것에 인접한 세정/건조챔버(40)로 이루어지는 기판 처리유닛(WU)을 2조(組) 및 성막챔버(50)를 3기 방사상으로 구비한 기판 처리시스템이다. 그리고, 이 시스템은 각부에 접속된 도시하지 않은 제어부에 의한 타이밍제어에 의해, 반송챔버(20)를 통해서 로더/언로더(10)내에 셋트되는 복수의 미처리 기판(W)을 수납한 카세트(CA)로부터 기판(W)을 1매씩 인출하여 각 챔버사이를 반송하면서 세정/건조챔버(40)에서 성막전 세정처리 후에 건조처리를 행하고, 또 성막챔버(50)에서 성막처리를 행하며, 최종적으로 전체 기판처리가 종료한 기판(W)을 로더/언로더(10)내의 카세트(WU)은 반송챔버(20)의 측면에 용이하게 설치되도록 일체로서 제조되어 있다.
이하, 각부의 기구적 개략구성에 대해서 설명한다.
로더/언로더(10)는 내부에 카세트(CA)를 2개 유지할 수 있도록 구성되고, 바스킷(basket)(110)의 Y축의 정(正)측 측면에는 카세트(CA)의 반입, 반출용 개구(110a)가 설치됨과 동시에, 그 개구(110a)에는 로더/언로더(10)내의 분위기와 반송챔버(20)내의 분위기를 불완전하게 차단하는 비밀폐형 셔터(120)가 설치되어 있다. 또한, 도시하지 않지만, Y축의 부(負)측에도 개구가 설치되어 있고, 이 개구를 통해서 오퍼레이터가 미처리 기판(W)을 수납한 카세트(CA)를 셋트하거나, 처리된 카세트(CA)를 인출하거나 한다.
제2도는 반송챔버(20)의 단면도이다. 반송챔버(20)의 바스킷(210)의 6개의 각 측면에는 로더/언로더(10) 및 각 챔버로 통하는 기판(W)의 6개의 교환용 개구(제2도에는 개구 210a(110a), 210a(310a)만 표시) 및 그 주위의 내벽면에는 비밀폐형 셔터(120)나 밀폐형 셔터(340)가 설치되어 있다. 게다가 상면에는 건조한 불활성 가스(이하, 「에어(AI)」라 한다) 공급용 급기구(210b), 내부 분위기의 배출용 배기구(210d)가 설치되어 있다.
또한, 이 바스킷(210)의 중앙 내부 저면에는 미케니컬 핸드(mechanical hand)(220)가 설치되어 있고, 이 미케니컬 핸드(220)의 베이스(221)상의 본체(222) 상면에 설치된 승강/회전부(223, 224)의 각각에 판터그래프(pantagraph) 형상의 다관절아암(225,226)과, 그들 선단에 핸드(227,228)를 구비하고 있다. 그리고, 핸드(227,228)상에 기판(W)을 지지하면서 승강/회전부(223,224)의 승강, 회전 및 다관절아암(225,226)의 신축에 의해 로더/언로더(10) 및 각 챔버와의 사이에서 기판(W)의 교환 및 반송을 행한다.
또 바스킷(210)의 내부 상면에는 압력센서(230)가 설치되어 있고, 그 압력센서의 출력을 기초로 제어부가 내부 분위기의 기압을 구하고, 그것을 기초로 후술하는 기압제어를 행한다.
제3도는 버퍼챔버(30)의 연직 단면도이다. 버퍼챔버(30)에는 기판(W)의 교환용 개구로서 바스킷(310)의 Y축 방향의 부(負)측 측면에 반송챔버(20)로 통하는 개구(310a)(제1도 참조)가, 바스킷(310)의 Y축 방향의 정(正)측 측면에는 세정/건조챔버(40)로 통하는 개구(310b)(제1도 참조)가 각각 설치되어 있다. 또한, 바스킷(310)의 상면에는 에어(AI) 공급용 급기구(310c), 저면에는 내부 분위기의 배출용 배기구(310d)가 설치되어 있다.
또한, 이 바스킷(210)의 내부 저면에는 퇴피 카세트(320) 및 반송로봇(330)이 설치되어 있다. 그리고, 퇴피 카세트(320)에 미리 반송챔버(20)의 미케니컬 핸드(220)에 의해 반입되어 있던 기판(W)을 반송로봇(330)으로 인출하여, 세정/건조챔버(40)로 인도하거나, 반대로 반송로봇(330)이 세정/건조챔버(40)로부터 받아들인 기판(W)을 퇴피 카세트(320)로 반입하거나 한다.
게다가, 바스킷(310)의 내부 상면에는 압력센서(230)와 같은 압력센서(350)가 설치되어 있고, 압력센서(350)의 출력을 기초로 제어부가 내부 분위기의 기압을 구하고, 그것을 기초로 후술하는 기압제어를 행한다.
제4도는 세정/건조챔버(40)의 단면도이다. 세정/건조챔버(40)에는 기판(W)의 교환용 개구로서 바스킷(410)의 Y축 방향의 부(負)측 측면에는 버퍼챔버(30)로 통하는 개구(410a)가 설치되고, 그 내부에는 전술한 밀폐형셔터(340)와 같은 밀폐형 셔터(450)를 구비하고 있다. 또한, 바스킷(410)의 상면에는 에어(AI) 공급용 급기구(410b), 저면에는 내부 분위기의 배출용 배기구(410c)가 설치되어 있다. 또, 바스킷(410)의 상면에서 하방을 향해 차폐부(420)가, 또한 내부 저면에는 회전처리부(430)가 설치되어 있고, 회전처리부(430)에서 기판(W)에 대해 세정처리 및 건조처리를 행한다. 게다가, 바스킷(410)의 내부 상면에는 압력센서(230,350)와 같은 압력센서(440)가 설치되어 있고, 그 압력센서의 출력을 기초로 제어부가 내부 분위기의 기압을 구하고, 그것을 기초로 후술하는 기압제어를 행한다. 그리고, 이 세정/건조챔버(40)는 습식분위기에서의 처리를 포함하면서 복수 종류의 기판처리를 순차로 행하는 복합처리부로 되어 있다.
또한, 성막챔버(50)는 반송챔버(20)에서 받아들인 기판(W)에 대해 성막처리를 행한다.
[1-2. 주요부의 상세 구성 및 동작]
이하, 주요부의 상세 구성 및 동작에 대해서 설명해 간다.
우선, 제2도를 사용해서 밀폐형 셔터(340)에 대해서 설명한다. 밀폐형 셔터(340)는 버퍼챔버(30)의 바스킷(310)의 개구(310a) 주위의 외벽, 즉 반송챔버(20)의 바스킷(210)의 개구(210c)에 설치된 가이드(341) 및 그것에 승강 자유롭게 유지된 평판형상 부재(342)로 이루어지고, 그 평판형상 부재(342)가 승강함으로써 개구(210c)(310c)의 개폐를 행한다. 또한, 개구(210c)(310c)를 둘러싸도록 해서 바스킷(310)의 외벽(바스킷(210)의 내벽)에 탄성부재(342)가 고착되어 있고, 평판형상 부재(342)가 개구(210c)(310c)를 닫은 상태에서 탄성부재(343)에 밀착하도록 위치하고 있다. 그 때문에, 밀폐형 셔터(340)를 닫으면 반송챔버(20)와 버퍼챔버(30)와의 사이의 분위기 교류를 완전히 차단된다. 또, 밀폐형 셔터(450)는 밀폐형 셔터(340)와 같은 구성이다.
또, 비 밀폐형 셔터(120)(제2도)도 밀폐형 셔터(340,450)와 거의 같은 구성이지만, 바스킷(210)의 내벽과 평판형상 부재(121)와의 사이에 탄성부재가 설치되어 있지 않은 점만이 다르다. 그 때문에, 비밀폐형 셔터(120)에서는 로더/언로더(10)와 반송챔버(20)와의 사이에서 바스킷(210)과 평판형상 부재(121)와의 사이를 통해서 분위기의 교류가 생긴다. 이것은 로더/언로더(10), 반송챔버(20)내의 분위기는 여하튼 건식분위기이고, 특히 기밀성을 요하지 않기 때문이다.
제5도는 버퍼챔버(30)의 수평 단면도이다. 이하, 제3도 및 제5도를 사용해서 버퍼챔버의 반송로봇(330)에 대해서 설명한다. 제3도에 나타낸 바와 같이, 버퍼챔버(30)의 반송로봇(331)은 저면에 고정된 베이스(331)상에 본체(332)가 설치되어 있고, 베이스(331)는 도시하지 않은 수평구동부의 구동에 의해 바스킷(310)의 저면에 X축의 정부(正負) 방향으로 설치된 이동홈(310e)(제5도)을 따라 수평으로 이동 자유롭게 되어 있다. 또한, 본체(332)는 베이스(331) 내부의 연직구동부(미도시)의 구동에 의해 승강함과 동시에 회전구동부(미도시)의 구동에 의해 축(A2)을 중심으로 회전한다. 또, 본체(332)의 상단 부근에는 선단에 핸드(334)가 설치된 아암(333)이 설치되어 있다.
이와 같은 구성에 있어서, 우선 본체가 화살표(AM1) 방향 (X축의 정방향)으로 이동해서 퇴피 카세트(320)내의 기판(W) 사이에 핸드(334)를 삽입한 후, 본체(332)가 화살표(AM2)와 같이 상승함으로써 핸드(334) 상면에 기판(W)을 지지하고, 그대로 일단 본채(332)가 화살표(AM3) 방향(X축의 부방향)으로 이동한다. 다음에, 본체(332)가 화살표(AM4)와 같이 위에서 보아반시계 방향으로 90°회전하면서 재차 화살표(AM1) 방향으로 이동하고, 정지위치(PO1)에서 Y축의 부방향을 향한 상태(제5도)에서 정지하여 기판(W)을 세정/건조챔버(40)로 인도한다. 또한, 세정/건조챔버(40)에서의 기판(W)의 받아들임은 상기와 같은 순서로 동작함으로써 행한다.
다음에, 제4도를 사용해서 세정/건조챔버(40)의 차폐부(420) 및 회전처리부(430)에 대해서 설명한다. 세정/건조챔버(40)에 있어서, 차폐부(420)는 이하와 같은 구조로 되어 있다. 바스킷(410)의 상면에서 연직방향으로 배열 설치된 현수아암(421)의 하단에 차폐부재(422)가 수평으로 설치되어 있다. 그리고, 현수아암(421)은 상방에서 도시하지 않은 연직/회전 구동기구에 의해 승강구동 및 연직방향을 축으로 해서 회전구동된다. 또한, 현수아암(421)의 중심에는 도시하지 않은 세정액 공급부에 접속된 세정액 공급관(424)이 동축에 설치되고, 그 하단에는 노즐(425)이 설치되어 있다.
또한, 회전처리부(430)는 이하와 같은 구조로 되어 있다. 바스킷(410)의 저면에 설치된 컵(431)의 상방에는 회전구동부(432)가 설치되고, 그것에 접속되어 컵(431)의 내부에 걸쳐 연직방향으로 회전축(433)이 배열 설치되며, 또 그 상단에는 수평으로 스핀척(434) 및 베이스 부재(435)가 설치되어 있다. 그리고, 회전축(433)은 그 하방의 회전 구동부(432)에 의해 연직방향을 축으로 해서 회전하고, 그것에 따라 스핀척(434) 및 베이스 부재(435)가 회전한다. 또한, 회전축(433)은 차폐부(420)의 현수아암(421)과 같이 중심에 세정액 공급관(437)이 동축으로 설치되고, 그 상단에는 노즐(438)이 설치되어 있다. 또한, 베이스 부재(4350)의 테두리부에는 유지부재(439)가 설치되어 있다.
이상과 같이 구성된 차폐부(420) 및 회전처리부(430)는 이하와 같이 동작한다.
기판(W)이 반입될 때에는, 우선 차페부(420)가 회전처리부(430)의 상방으로 퇴피하고, 그후 컵(431)의 바로 위의 위치에 기판(W)을 지지한 버퍼챔버(30)에서의 반송로봇(330)의 핸드(334)가 진입한 후, 회전축(433)이 상승해서 스핀척(434), 베이스 부재(435)가 기판(W)을 밀어 올려 유지부재(439)에 의해 유지한다. 그리고, 회전처리부(430)가 하강해서 도시한 바와 같이 위치한다.
세정처리시에는, 도시한 바와 같이 차폐부재(422)를 스핀척(434)으로 유시된 기판(W)의 표면에 근접시켜 근접 배치하고, 기판(W)이 베이스 부재(435)와 차폐부재(422)사이에 놓여진 상태에서 회전구동부(432)의 구동에 의해 스핀척(434)과 함께 기판(W)을 회전시켜 차폐부재(422), 베이스 부재(435)에 설치된 노즐(425,438)로부터 기판(W)의 표면중심 및 이면의 중심으로 세정액을 공급하여 세정처리를 행한다.
건조처리시에는, 기판(W)의 회전을 계속하면서 노즐(425, 438)로부터 세정액의 공급을 정지시키는 것에 의해 행해진다.
이상과 같이, 세정처리시에는 기판(W)이 베이스 부재(435)와 차폐부재(422)의 사이에 놓여진 상태이므로, 세정액의 미스트를 포함한 습식분위기는 양 부재 사이의 공간(SP)내에 거의 차단되기 때문에, 세정/건조챔버(40)내의 건식분위기로 영향을 미치는 일이 적다.
[1-3. 처리수순 및 기압 제어]
제1 실시형태의 기판 처리시스템(1)에서는 세정/건조챔버내의 약간의 습식분위기가 반송챔버로 영향을 미치지 않도록 기압의 제어를 행하고 있다.
이와 같이, 세정/건조챔버(40)에서 버퍼챔버(30)로, 버퍼챔버(30)에서 반송챔버(20)로의 분위기 유입을 억제하기 위해서는 각 챔버 사이의 셔터가 열리기 직전에 이하와 같은 기압관계를 만족시키고 있는 것이 바람직하다.
(반송챔버내의 기압 p1) > (버퍼 챔버내의 p2) > (세정/건조챔버내의 기압 p3) … 기압 관계 -(1)
이와 같이, 반송챔버(20)내는 가장 높은 기압(p1)으로, 버퍼 챔퍼(30)내은 그것보다 낮은 기압(p2)으로, 또 세정/건조챔버(40)내는 가장 낮은 기압(p3)이 되도록 한다.
이하, 에어(AI)공급 및 내부 분위기의 배기조절에 대해서 설명해 간다. 기판처리시스템(1)의 각 챔버는 전술한 바와 같이 각각 내부에 소정 유량의 에어(AI)를 공급하는 급기구(210b, 310c, 410d) 및 내부의 분위기를 그 구경에 따라 정해진 소정유량으로 외부로 배출하는 배기구(210d, 310d, 410c)를 구비하고 있고, 세정/건조챔버(40), 버퍼챔버(30), 반송챔버(20)의 순으로 에어(AI)의 공급량을 많게, 배기구의 구경을 작게 설정하고 있다. 이것에 의해, 전술한 셔터(340,450)를 닫어서 장시간 후에는 상기와 같은 기압관계 -(1)가 되도록 기판 처리시스템(1)을 구성하고 있다.
그러나, 이와 같은 구성에 있어서도 밀폐형 셔터(340)나 밀폐형 셔터(450)가 열리면 즉시 그들 셔터를 사이에 두고 인접하는 챔버내의 분위기는 서로 같아지게 된다. 그 때문에 그들 셔터를 닫아도 즉시 기압 관계-(1)를 만족시키지 않는다. 그 때문에, 이 기판 처리시스템(1)에서는 반송챔버(20), 버퍼챔버(30), 세정/건조챔버(40)의 각 챔버에 설치한 압력센서의 출력신호에서 구한 그들 챔버내의 기압이 기압 관계-(1)를 만족하는 설정치에 도달할 때까지 각 셔터가 열리는 것을 기다린다는 타이밍 제어에 의해 기압제어를 행하고 있다.
이와 같은 각 챔버의 내부 기압의 제어를 행하고 있기 때문에 버퍼챔버(30)와 반송챔버(20)와의 사이의 기판(W)의 교환시에는 반드시 반송챔버(20)에서 버퍼챔버(30)로 분위기가 유입하고, 마찬가지로, 세정/건조챔버(40)의 어느 것인가와 그것에 인접하는 버퍼챔버(30)와의 기판(W)의 교환시에는 반드시 버퍼챔버(30)에서 세정/건조챔버(40)로 분위기가 유입한다. 그 때, 분위기의 유입은 건식분위기의 챔버측에서 약간의 습식분위기의 챔버측으로의 유입이고, 이와 같은 분위기의 유입은 문제없고, 허용되는 것이다.
제6도는 제1 실시 형태의 각 챔버내 기압의 시간변화를 나타내는 도면이다. 이하, 제6도를 사용해서 버퍼챔버(30)를 통한 반송챔버(20)와 세정/건조챔버(40)사이의 기판의 교환시 그들 챔버내 기압의 시간변화에 대해서 설명해 간다. 단, 제6도의 종축은 각 챔버내 기압의 상대적인 고저 관계를 나타내는 것으로서, 기압의 절대적인 크기를 나타내는 것은 아니다. 또한, 도면중 상향 화살표가 붙여진 직선은 일순간의 기압 상승을 나타내는 것은 아니고, 실제로는 점점 기압이 상승하는 상황을 표기의 편의상 이렇게 표시하고 있다.
우선, 시각(T1) 이전에 로더/언로더(1)에 셋트된 처리전의 기판(W)을 반송챔버(20)내의 미케니컬 핸드(220)가 인출한다. 이 시각(T1)의 직전에는 반송챔버(20), 버퍼챔버(30), 세정/건조챔버(40)내의 기압의 관계는 기압 관계-(1)를 만족하고 있다.
다음에, 시각(T1)에서 밀폐형 셔터(340)를 연다. 이 단계에서 반송챔버(20)내의 분위기는 버퍼챔버(30)내로 유입하여 기압(p1)은 기압(p2)과 같아지게 된다.
그리고, 시각(T1)~(T2)위 사이에서 반송챔버(20)에서 버퍼챔버(30)로 기판(W)을 반입한 후, 시각(T2)에서 밀폐형 셔터(340)를 닫는다. 이 단계에서 기압(p1)은 상승하고, 시각(T3)의 직전에는 재차 기압과녜-(1)를 만족한다.
다음에, 시각(T3)에서 밀폐형 셔터(450)를 연다. 이 단계에서 버퍼챔버(30)내의 분위기는 세정/건조챔버(40)내로 유입하여 기압(p2) 은 기압(p3)과 같아지게 된다.
다음에, 시각(T3)~시각(T4)사이에서 버퍼챔버(30)에서 세정/건조챔버(40)로 기판(W)을 반입한 후, 시각(T4)에서 밀폐형 셔터(450)를 닫는다. 이 단게에서 기압(p2)은 상승하고, 시각(T5)의 직전에는 재차 기압 관계-(1)를 만족한다. 그것과 병행해서 시각(T4)~(T5)의 사이에서 세정/건조챔버(40)로 반입된 기판(W)의 세정처리를 행한 후, 건조처리를 행한다.
다음에, 시각(T5)에서 밀폐형 셔터(450)를 연다. 이 단계에서 상기와 같이 기압(p2)은 기압(p3)과 같아지게 된다.
그리고, 시각(T5)~(T6)의 사이에서 세정/건조챔버(40)에서 버퍼챔버(30)로 기판(W)을 반출한 후, 시각(T6)에서 밀폐형 셔터(450)를 닫는다. 이 단계에서 기압(p2)은 재차 상승하고, 시각(T7)의 직전에는 재차 기압계-(1)를 만족한다.
다음에, 시각(T7)에서 밀폐형 셔터(340)를 연다. 이 단계에서 상기와 같이 기압(p1)은 기압(p2)과 같아지게 된다.
그리고, 시각(T7)~시각(T8)의 사이에서 버퍼챔버(30)에서 반송챔버(20)로 기판(W)을 반출한다. 이 단계에서 기압(p1)은 재차 상승하고, 점점 기압 관계-(1)를 만족하도록 되어 간다.
이상의 일련의 공정 후, 기판(W)은 반송챔버(20)내에서 3기의 성막챔버(50)중 어느 것인가로 반송되어, 거기서 성막처리가 행해진 후, 재차 미케니컬 핸드(220)에 의해 로더/언로더(10)로 반송되어 카세트(CA)내에 수납되어, 이 장치에 의한 전체 공정을 종료한다.
이상, 설명해온 바와 같이, 제1실시 형태의 기판 처리시스템(1)에서는 반송챔버(20)와 세정/건조챔버(40)와의 사이의 버퍼챔버(30)에 의해 반송챔버(20)와 세정/건조챔버(40)와의 분위기 교류를 차단하는 것에 부가해서 세정/건조챔버(40)와 버퍼챔버(30)와의 사이에서 밀폐형 셔터(450)에 의해 양챔버의 분위기 교류를 차단하고, 버퍼챔버(30)와 반송챔버(20)와의 사이에서 밀폐형 셔터(340)에 의해 양 챔버의 분위기 교류를 완전히 차단하는 구성으로 하고 있기 때문에, 세정 건조챔버(40)내의 약간의 습식분위기가 반송챔버(20)내의 건식분위기내로 영향을 미치는 일이 적고, 더구나 세정 건조챔버(40)를 버퍼챔버(30)를 통해서 건식분위기의 반송챔버(20)와 결합시킬 수 있기 때문에, 기판 처리시스템(1)전체가 컴팩트하게 된다.
또한, 적어도 밀폐형 셔터(340,450)를 열기 직전에는 기압 관계-(1)를 만족하고 있기 때문에, 밀폐형 셔터(340)를 여는 순간에 버퍼챔버(30)내의 분위기가 반송챔버(20)내로 유입하는 것을 억제할 수 있고, 또 밀폐형 셔터(450)를 여는 순간에 세정/건조챔버(40)내의 약간의 습식 분위기가 버퍼챔버(30)내로 유입하는 것을 억제할 수 있다.
또, 세정/건조챔버(40)와 버퍼 챔버(30), 밀폐형 셔터(450) 및 밀폐형 셔터(340)를 일체화한 것이 1기의 기판처리유닛(WU)으로서 일체화하여 형성되어 있기 때문에, 로더/언로더(10), 반송챔버(20), 성막챔버(50)를 일체화한 것에 조립함으로써, 제1실시형태의 기판 처리시스템(1)을 용이하게 구성할 수 있다.
[ 2. 제2실시 형태]
이하, 제2실시 형태의 기판 처리시스템에 대해서 설명해 간다. 제2실시 형태의 기판 처리시스템은 기구적 구성에서 제1실시 형태의 기판 처리시스템과 완전히 같다. 단, 반송챔버(20), 버퍼챔버(30), 세정/건조챔버(40)의 각 챔버내의 기압 제어만이 다르게 되어 있다. 즉, 제1실시 형태의 장치가 기압 제어를 기압 관계-(1)를 만족하도록 행한 것에 대해서, 제2실시형태의 장치에서는,
(버퍼내챔버내의 기압 p2) > (반송챔버내의 기압 p1) > (세정/건조챔버내의 기압 p3) … 기압관계-(2)
를 만족하도록 행하고 있다.
제7도는 제2실시 형태의 기판 처리시스템의 상기 각 챔버내 기압의 시간변화를 나타내는 도면이다. 이하, 제7도를 사용해서 버퍼챔버(30)를 통한 반송챔버(20)와 세정/건조챔버(40) 사이의 기판의 교환시 그들 챔버내 기압의 시간변화에 대해서 설명해 간다. 단, 제7도의 종축은 각 챔버내 기압으 상대적인 고저 관계를 나타내는 것으로서, 기압의 절대적인 크기를 나타내는 것은 아니다. 또한, 도면중 상향 화살표가 붙여진 직선은 일순간의 기압 상승을 나타내는 것은 아니고, 실젤는 점점 기압이 상승하는 상황을 표기의 편의상 이렇게 표시하고 있다.
우선, 시각(T1) 이전에 로더/언로더(10)에 셋트된 처리전의 기판(W)을 반송챔버(20)내의 미케니컬 핸드(220)가 인출한다. 이 시각(T1)의 직전에는 반송챔버(20), 버퍼챔버(30), 세정/건조챔버(40)내의 기압 관계는 기압관계-(2)를 만족하고 있다.
다음에, 시각(T1)에서 밀폐형 혀터(340)를 연다. 이 단계에서 버퍼챔버(30)내의 분위기는 반송챔버(20)내로 유입하여 기압(p2)은 기압(p1)과 같아지게 된다.
그리고, 식각(T1)~(T2)의 사이에서 반송챔버(20)에서 버퍼챔버(30)로 기판(W)을 반입한 후, 시각(T2)에서 밀폐형 셔터(340)를 닫는다.
이 단계에서 기압(p2)은 상승하고, 시각(T3)의 직전에는 재차 기압 관계-(2)를 만족한다.
다음에, 시각(T3)에서 밀폐형 셔터(450)를 연다. 이 단계에서 버퍼챔버(30)내의 분위기는 세정/건조챔버(40)내로 유입하여 기압(p2)은 기압(p3)과 같아지게 된다.
다음에, 시각(T3)~(T4)의 사이에서 버퍼챔버(30)에서 세정/건조챔버(40)로 기판(W)을 반입한 후, 시각(T4)에서 밀폐형 셔터(450)를 닫는다. 이 단계에서 기압(p2)은 상승하고, 시각(T5)의 직전에는 재차 기압 관계-(2)를 만족한다. 그것과 병행해서 시각(T4)~시각(T5)의 사이에서 세정/건조챔버(40)로 반입된 기판(W)의 세정처리를 행한 후, 건조처리를 행한다.
다음에, 시각(T5)에서 밀폐형 셔터(450)를 연다. 이 단계에서 상기와 같이 기압(p2)은 기압(p3)과 같아지게 된다.
그리고, 시각(T5)~(T6)의 사이에서 건조챔버(40)에서 버퍼챔버(30)로 기판(W)을 반출한 후, 시각(T6)에서 밀폐형 셔터(450)를 닫는다. 이 단계에서 기압(p2)은 재차 상승하고, 시각(T7)의 직전에는 재차 기압 관계-(2)를 만족한다.
다음에, 시각(T7)에서 밀폐형 셔터(340)를 연다. 이 단계에서 상기와 같이 기압(p2)은 기압(p1)과 같아지게 된다.
그리고, 시각(T7)~시각(T8)의 사이에서 버퍼챔버(30)에서 반송챔버(20)로 기판(W)을 반출한다. 이 단계에서 기압(p2)은 재차 상승하고, 점점 기압관계-(2)를 만족하도록 되어 간다.
이상의 일련의 공정 후, 기판(W)은 반송채버(20)내에서 3기의 성막챔버(50)중 어느 것인가로 반송되어, 거기서 성막처리가 행해진 후, 재차 미케니컬 핸드(220)에 의해 로더/언로더(10)로 반송되어 카세트(CA)내에 수납되어 이 장치에 의한 전체 공정을 종료한다.
이상, 설명한 바와 같이, 제2실시형태의 기판 처리시스템(1)에서도, 적어도 밀폐형 셔터(340, 450)를 열기 직전에는 기압 관계-(2)를 만족하고 있기 때문에, 밀폐형셔터(340)를 여는 순간에 버퍼챔버(30)내의 분위기가 반송챔버(20)로 유입하는 것을 억제할 수 있고, 또 밀폐형 셔터(450)를 여는 순간에 세정/건조챔버(40)내의 약간의 습식분위기가 버퍼챔버(30)내로 유입하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 그 밖의 효과에 대해서도 제1 실시 형태의 기판 처리시스템(1)과 같다.
[ 3. 변형예 ]
상기 2개의 실시형태에 있어서 밀페형 셔터(340) 또는 밀폐형 셔터(450)를 열기 직전에는, 제1 실시 형태에서는 기압 관계-(1)를 만족하도록 하고, 제2 실시 형태에서는 기압 관계-(2)를 만족하도록 기압 제어를 행하고 있지만, 밀폐형 셔터(340, 450)의 어느 것인가 한쪽이 닫혀 있는 상태에서 다른쪽을 여는 경우에는 열은 밀페형 셔터를 통해서 인접하고 있는 챔버사이의 기압의 대소 관계만이 성립하고 있으면 된다. 따라서, 예를 들면 제1 실시 형태의 시스템에 있어서, 밀폐형 셔터(340)만을 열기직전에는 기압(p1) > 기압(p2)을 만족하도록 하고 기압(p3)과의 관계는 제어하지 않으며, 반대로 밀폐형 셔터(450)만을 열기 직전에는 기압(p2) > 기압(p3)을 만족하도록 하고 기압(p1)과의 관계는 제어하지 않는 구성으로 하거나, 제2 실시 형태의 시스템에 있어서, 밀폐형 셔터(340)만을 열기 직전에는 기압(p2) > 기압( p1)을 만족하도록 하고
기압(p3)과의 관계는 제어하지 않으며, 반대로 밀폐형 셔터(45)만을 열기 직전에는(p2) ＞ 기압(p3)을 만족하도록 기압(p1)과의 관계는 제어하지 않는 구성으로 하여도 된다.
또한, 제1실시 형태 및 제2 실시 형태에서는 기판 처리시스템(1)으로서 성막처리를 행하는 장치를 나타냈지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니고, 산화처리나 질화처리를 대상으로 하는 장치로 하여도 된다.
또, 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태에서는 세정/건조챔버(40)에서 습식분위기에서 행하는 세정처리와 건식분위기에서 행하는 건식처리를 행하는 구성으로 하였지만, 복수의 습식 분위기에서 행하는 처리만으로 건식분위기에서 행하는 처리를 행하지 않는 구성으로 하여도 된다.
또한, 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태에서는 버퍼챔버(30)와 세정/건조챔버(40)와의 사이의 셔터를 밀폐형 셔터(450)로 하였지만, 비밀페형 셔터를 사용하여도 된다.
게다가. 제1 실시 형태 및 제2 실시 형테에서는 각 챔버의 기압의 대소를 형성하는 방법으로서, 에어의 공급량과 배기구의 구경을 조절하는 구성으로 하였지만, 배기구를 설치하지 않고 각 챔버의 바스킷을 비밀폐상태의 것으로 하여 에어의 공급량만으로 조절하는 구성으로 하거나, 반대로 배기구에 제어밸브를 설치해서 열리는 각도를 조절하는 것에 의해 행하여도 된다.
이상 설명한 바와 같이, 청구항1의 발명에 의하면, 반송부의 주위에 있는 처리부는 건식분위기에서 기판의 처리를 행하는 제1 처리부와, 습식분위기에서 기판의 처리를 포함하는 복수 종류의 기판의 처리를 행하는 제2 처리부를 포함하고, 또한 반송부와 제2 처리부와의 사이에는 제1 차단수단과 제2 차단수단을 통해서 버퍼부를 배치하고 있기 때문에, 분위기가 다른 복수의 처리부가 서로 영향을 미치는 일이 없이 컴팩트한 기판 처리시스템을 제공할 수 있다.
청구항2의 발명에 의하면, 제어수단에 의해 제2 처리부 및 버퍼부 중 적어도 하나의 내부 분위기를 제어하면, 제 1차단수단을 열 때, 제2 처리부내의 습식분위기의 버퍼부로의 유입을 억제할 수 있다.
청구항3의 발명에 의하면, 압력 검출수단이 제2 처리부 및 버퍼부의 압력을 검출하고, 그 검출결과에 기초해서 압력 제어수단이 제2처리부 및 버퍼부의 압력을 제어하기 때문에, 제1 차단수단을 열 때, 압력변화에 기초한 제2 처리부내의 습식분위기의 버퍼부로의 유입을 확실히 억제할 수 있다.
청구항4의 발명에 의하면, 제1 차단수단을 열기 전에 버퍼부내의 기압을 제2 처리부내의 기압보다 높은 상태로 하면, 제2 처리부내의 습식분위기의 버퍼로의 유입을 더 확실히 억제할 수 있다.
청구항5의 발명에 의하면, 압력 검출수단은 또 반송부의 압력을 검출하고, 그 검출결과에 기초해서 압력 제어수단은 또 반송부의 압력을 제어하기 때문에, 제2 차단수단을 열 때, 버퍼부내의 분위기의 반송로의 유입을 억제할 수 있다.
청구항6의 발명에 의하면, 복수의 유지수단에 의해 반송부와 제1 처리부 또는 버퍼부와의 사이에서 기판의 반송이 가능하기 때문에, 기판 처리시스템에서 다른 복수의 처리를 연속해서 동시에 행할 수 있다.
청구항7의 발명에 의하면, 성막처리와 세정처리 및 건조처리가 서로 분위기의 영향을 받는 일 없이, 컴팩트한 기판 처리시스템에서 처리할 수 있다.

Claims (5)

  1. 기판의 반송을 행하는 반송부의 주위에 복수의 처리부를 구비하고, 상기 반송부에 의해 기판을 상기 처리부로 반송하며, 상기 처리부에서 기판에 소정의 거리를 행하는 기판 처리시스템에 있어서,
    상기 복수의 처리부는, 건식분위기에서 기판의 처리를 행하는 제1 처리부와,
    습식분위기에서의 기판의 처리를 포함하는 복수 종류의 기판의 처리를 행하는 제2 처리부를 포함하고,
    상기 반송부와 상기 제2 처리부와의 사이에 버퍼부를 배치하며,
    상기 제2 처리부와 상기 버퍼부와의 사이에서 분위기를 차단하는 제1차단수단과,
    상기 버퍼부와 상기 처리부와의 사이에서 분위기를 차단하는 제2 차단수단과,
    상기 제2 처리부 및 상기 버퍼부중 적어도 하나의 내부 기압을 제어하는 제어수단을 구비하고,
    적어도 상기 제1차수단을 열기 전에, 상기 버퍼부내의 기압을 제2처리부내의 기압보다 높은 상태로 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어수단은,
    상기 제2 처리부 및 상기 버퍼부의 압력을 검출하는 압력 검출수단과,
    상기 압력 검출수단의 검출결과에 기초해서 상기 제2 처리부 및 상기 버퍼부의 압력을 제어하는 압력 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리시스템.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 압력 검출수단은, 또 상기 반송부의 압력을 검출하는 것이고,
    상기 압력 제어수단은, 또 상기 반송부의 압력을 제어하는 것인 것을 특징으로 하는 기판 처리시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 반송부는, 기판을 유지하면서 상기 반송부와 상기 제1 처리부 또는 버퍼부와의 사이에서 기판의 반송을 행하는 복수의 유지수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리시스템.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 처리부에서의 기판의 처리에는 성막처리를 포함하고,
    상기 제2 처리부에서의 기판의 처리에는 세정처리 및 건조처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리시스템.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101225923B1 (ko) * 2011-03-31 2013-01-25 이완기 혼합형 반도체 세정 장치
KR20200021809A (ko) * 2018-08-21 2020-03-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW539918B (en) * 1997-05-27 2003-07-01 Tokyo Electron Ltd Removal of photoresist and photoresist residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
US6277753B1 (en) 1998-09-28 2001-08-21 Supercritical Systems Inc. Removal of CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
JP2000277584A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Innotech Corp 半導体デバイスの製造ライン
US6251195B1 (en) 1999-07-12 2001-06-26 Fsi International, Inc. Method for transferring a microelectronic device to and from a processing chamber
US6748960B1 (en) 1999-11-02 2004-06-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for supercritical processing of multiple workpieces
CN1175470C (zh) * 1999-11-02 2004-11-10 东京威力科创股份有限公司 多个工件的超临界处理的方法和装置
US6487792B2 (en) 2000-05-08 2002-12-03 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for agitation of workpiece in high pressure environment
JP2004516678A (ja) * 2000-12-23 2004-06-03 アイクストロン、アーゲー 半導体基板処理装置および処理方法
KR100777892B1 (ko) * 2001-04-10 2007-11-21 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 기판 처리용 고압 챔버
JP3883929B2 (ja) 2001-09-25 2007-02-21 大日本スクリーン製造株式会社 薄膜形成装置および薄膜形成方法
US20030155541A1 (en) * 2002-02-15 2003-08-21 Supercritical Systems, Inc. Pressure enhanced diaphragm valve
US6722642B1 (en) 2002-11-06 2004-04-20 Tokyo Electron Limited High pressure compatible vacuum chuck for semiconductor wafer including lift mechanism
US20040112409A1 (en) * 2002-12-16 2004-06-17 Supercritical Sysems, Inc. Fluoride in supercritical fluid for photoresist and residue removal
US20040154647A1 (en) * 2003-02-07 2004-08-12 Supercritical Systems, Inc. Method and apparatus of utilizing a coating for enhanced holding of a semiconductor substrate during high pressure processing
US7270137B2 (en) * 2003-04-28 2007-09-18 Tokyo Electron Limited Apparatus and method of securing a workpiece during high-pressure processing
US20050034660A1 (en) * 2003-08-11 2005-02-17 Supercritical Systems, Inc. Alignment means for chamber closure to reduce wear on surfaces
US20060134332A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Darko Babic Precompressed coating of internal members in a supercritical fluid processing system
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US20060130767A1 (en) 2004-12-22 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Purged vacuum chuck with proximity pins
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7767145B2 (en) 2005-03-28 2010-08-03 Toyko Electron Limited High pressure fourier transform infrared cell
US7789971B2 (en) 2005-05-13 2010-09-07 Tokyo Electron Limited Treatment of substrate using functionalizing agent in supercritical carbon dioxide
US7694688B2 (en) 2007-01-05 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Wet clean system design
US7950407B2 (en) * 2007-02-07 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Apparatus for rapid filling of a processing volume
US8642448B2 (en) 2010-06-22 2014-02-04 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
JP5802407B2 (ja) 2011-03-04 2015-10-28 三菱瓦斯化学株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US10524401B2 (en) * 2014-03-27 2019-12-31 Fuji Corporation Component mounting device
US11131541B2 (en) * 2018-06-29 2021-09-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Shutter monitoring system
JP7149144B2 (ja) * 2018-09-25 2022-10-06 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び真空処理装置の制御方法
CN110931406B (zh) * 2019-11-18 2022-10-21 北京北方华创微电子装备有限公司 升降门及槽式清洗机

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0344058A (ja) * 1989-07-11 1991-02-25 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および製造装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4917556A (en) * 1986-04-28 1990-04-17 Varian Associates, Inc. Modular wafer transport and processing system
US4951601A (en) * 1986-12-19 1990-08-28 Applied Materials, Inc. Multi-chamber integrated process system

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0344058A (ja) * 1989-07-11 1991-02-25 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および製造装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101225923B1 (ko) * 2011-03-31 2013-01-25 이완기 혼합형 반도체 세정 장치
KR20200021809A (ko) * 2018-08-21 2020-03-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102099108B1 (ko) 2018-08-21 2020-04-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치

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Publication number Publication date
KR19980041847A (ko) 1998-08-17
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