JP2006124792A - 真空処理装置、トンネル接合磁気抵抗効果素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
搬送槽110とゲートバルブ33の間に二重オーリング115b、116bを配置し、二重オーリング115b、116bの間の密閉空間80bに真空排気系339を接続し、密閉空間80bを真空排気する。密閉空間80b内に大気が浸入しても真空排気によって除去されるので搬送槽110内に大気が浸入せず、搬送槽110内を高真空状態に置ける。MR比の大きいトンネル接合磁気抵抗効果素子を作成することができる。
【選択図】図2
Description
また、トンネル接合磁気抵抗効果素子の作成にあたり、特定の膜を連続的に成膜しないとMR比が低下することが知られている(特開2002−167661号公報)。
マルチチャンバタイプの真空装置では、一台の搬送室に複数の処理室が接続されており、その搬送室は真空排気がされているが、従来では5〜6×10-6Pa程度の圧力にされていた。
ところがこのようなシングルオーリングを使用した搬送室では、繰り返しベーキングを実施しても放出ガスが多く、目標とする到達真空度を得ることはできない。
また、本発明は、前記搬送槽は、容器部と、前記容器部の開口を閉塞する蓋部とを有し、前記容器部には前記第一の密閉空間に接続された第一の排気通路が形成され、前記第一の密閉空間は前記第一の排気通路を介して真空排気されるように構成された真空処理装置である。
また、本発明は、前記容器部と前記蓋部の間には第二の二重オーリングが配置され、前記第二の二重オーリングで囲われた第二の密閉空間には真空排気装置が接続され、前記第二の密閉空間は真空排気されるように構成された真空処理装置である。第一の密閉空間と第二の密閉空間は、同じ真空排気装置に接続しても良いし、異なる真空排気装置に接続しても良い。
また、本発明は、前記容器部には第二の排気通路が形成され、前記第二の密閉空間は前記第二の排気通路を介して真空排気されるように構成された真空処理装置である。
また、本発明は、前記搬送室は5×10-7Pa以下に排気される真空処理装置である。
また、本発明は、搬送室と複数の処理室を備えた製造装置を使用してトンネル接合磁気抵抗効果素子を製造する方法であって、第一の処理室で基板に成膜を行うステップと、前記基板を、前記搬送室を経由して第二の処理室に搬送するステップと、前記第二の処理室で前記基板に成膜するステップと、を含み、前記基板の搬送中に前記搬送室は5×10-7Pa以下に排気される、トンネル接合磁気抵抗効果素子の製造方法である。
また、本発明は、前記搬送室と前記処理室の間のゲートバルブ取り付け部において、前記搬送室と外雰囲気とをシールする二重のオーリングと、前記二重のオーリングの間を排気するリング間排気手段とを備え、前記搬送室が5×10-7Pa以下に排気される時に、前記リング間排気手段で前記オーリングの間を排気するトンネル接合磁気抵抗効果素子の製造方法である。
される複数の成膜手段を効率よく配置できる。具体的には、複数の膜の中に同じ種類の膜がある場合、重複して同じ成膜手段を個々の処理室に設置することを避けることができる場合がある。例えば、複数あるCoFe層の成膜手段を設置する処理室を減らせることができる。
搬送槽110は、上部に開口113を有する容器部111と、該容器部111の上に配置された天板112とを有している。容器部111と天板112はアルミニウム製である。
図2、図4、図5(b)の符号115bは、第一の二重オーリングのうちの内側のオーリングを示しており、符号116bは外側のオーリングを示している。
図2、図4は着座した状態である。なお、図2の符号302も弁体であり、搬出入室20内の空間と搬送室11内の空間とを分離している。
また、容器部111の内部の天井付近の位置には、図3に示すように、第二の排気通路117が形成されている。
搬送槽110には、不図示の真空排気装置が接続されており、搬送槽110の内部は真空排気され、真空雰囲気に置かれている。
真空排気装置339、119は、少なくとも真空装置10を用いて真空処理を開始する前に動作させ、第一、第二の密閉空間80b、80g内を真空排気している。
また、上記例では第二の緩衝通路80gに接続された排気通路117は容器部111に形成されていたが、搬送槽110の天板112に形成してもよい。
これら第三の二重オーリング205、206、235、236で挟まれた空間も真空排気しても良い。
この間、搬送室1内は5×10-7Pa未満の圧力に維持されている。
従来の通り搬送室が5×10-6Paで作成したトンネル磁気抵抗効果素子のMR比が8〜9%であったのに対し、1.3×10-7Paでは、11%まで向上した
MR比の向上は5×10-7Paから確認できた。このため、搬送室の圧力はできるだけ低いことが好ましいが、最低でも5×10-7Pa以下にすることが好ましい。
12……搬送装置
20……搬出入室
21〜25……処理室
30〜35……ゲートバルブ
80b……第一の密閉空間
80g……第二の密閉空間
110……搬送槽
115b、116b……第一の二重オーリング
115g、116g……第二の二重オーリング
Claims (7)
- 真空排気可能な搬送槽と、
前記搬送槽の外壁面に配置された一乃至複数個のゲートバルブと、
前記ゲートバルブに接続された処理室とを有し、
前記搬送槽内に配置された搬送装置によって処理対象物を前記処理室間で移動可能に構成された真空処理装置であって、
前記ゲートバルブと前記搬送槽との間には同心状の第一の二重オーリングが配置され、
前記第一の二重オーリングで囲まれた第一の密閉空間には真空排気装置が接続され、前記第一の密閉空間を真空排気可能に構成された真空処理装置。 - 前記搬送槽は、容器部と、前記容器部の開口を閉塞する蓋部とを有し、
前記容器部には前記第一の密閉空間に接続された第一の排気通路が形成され、
前記第一の密閉空間は前記第一の排気通路を介して真空排気されるように構成された請求項1記載の真空処理装置。 - 前記容器部と前記蓋部の間には第二の二重オーリングが配置され、
前記第二の二重オーリングで囲われた第二の密閉空間には真空排気装置が接続され、前記第二の密閉空間は真空排気されるように構成された請求項2記載の真空処理装置。 - 前記容器部には第二の排気通路が形成され、前記第二の密閉空間は前記第二の排気通路を介して真空排気されるように構成された請求項3記載の真空処理装置。
- 前記搬送室は5×10-7Pa以下に排気される、請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載の真空処理装置。
- 搬送室と複数の処理室を備えた製造装置を使用してトンネル接合磁気抵抗効果素子を製造する方法であって、第一の処理室で基板に成膜を行うステップと、前記基板を、前記搬送室を経由して第二の処理室に搬送するステップと、前記第二の処理室で前記基板に成膜するステップと、を含み、前記基板の搬送中に前記搬送室は5×10-7Pa以下に排気される、トンネル接合磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 前記搬送室と前記処理室の間のゲートバルブ取り付け部において、前記搬送室と外雰囲気とをシールする二重のオーリングと、前記二重のオーリングの間を排気するリング間排気手段とを備え、前記搬送室が5×10-7Pa以下に排気される時に、前記リング間排気手段で前記オーリングの間を排気する、請求項6に記載のトンネル接合磁気抵抗効果素子の製造方法。
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