CN101005013A - 减压容器和减压处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够可靠地防止由于容器的变形而产生颗粒的减压容器和减压处理装置。在形成于围绕负载锁定室(20)的内部空间的容器主体(21)的上端面(21a)上的槽(26)内插入有作为密封部件的O形环(90)，在其外侧，具有大致L字形的截面形状的垫片(91)在其一部分插入槽(26)内、并使弯曲为L字形的内角侧的面与从槽(26)的内壁面到容器主体(21)的上端面(21a)的部分贴紧的状态下进行配置。利用垫片(91)将容器主体(21)与顶板(22)隔开，由此，即使在将负载锁定室(20)内减压至高真空状态的状态下，顶板(22)产生弯曲，也能避免容器主体(21)的内周侧的角部(21b)与顶板(22)接触。

Description

减压容器和减压处理装置
技术领域
本发明涉及减压容器和减压处理装置，尤其涉及适用于在减压下对液晶显示装置(LCD)、等离子体显示器等平板显示器(FPD)用的玻璃基板等实施干蚀刻、成膜、搬送、定位等的减压处理时使用的减压容器和减压处理装置的技术。
背景技术
例如，在LCD的制造工艺中，对于作为被处理基板的LCD玻璃基板，多用干蚀刻、溅射和CVD(化学气相成长)等的减压处理。
在进行这样的减压处理的减压处理装置中，设置有真空预备室，其被保持在减压状态、例如真空中，并与进行上述处理的真空处理室邻接，形成在搬入搬出被处理基板时、真空处理室内的气氛改变极小的结构。
具体地说，例如，在配置在大气中的盒(cassette)与进行蚀刻处理等的真空处理室之间，设置有负载锁定室作为真空预备室，其具有大气侧和真空侧的接口的作用。在该负载锁定室中，每次通过被处理基板时，反复进行大气开放和直至与真空处理室同等的高真空的排气。在负载锁定室中使用的减压容器中，在构成部件的连接部位、例如在容器主体与盖体的接合部分，为了确保其气密性，使用例如O形环等密封部件进行密封。
但是，近来，对LCD玻璃基板的大型化的要求增强，一边超过2m的大型基板也已在使用，为了收容并处理这样大型化的基板，减压容器也在不断大型化。减压容器大型化时，由于真空时减压容器内外的压力差，构成该减压容器的部件、例如盖体的弯曲量也增大。于是，当盖体与容器主体的接合面的角度由于该弯曲而变化时，容器主体与盖体直接接触，由构成两部件的金属材料等产生颗粒。尤其是在如上述真空预备室那样反复处于真空状态与大气开放状态的情况下，由于盖体的弯曲及其恢复，盖体与容器主体之间反复滑动接触，结果，它们的一部分或剥离或被刮削等，颗粒更容易产生。
为了防止因为上述理由而产生颗粒，提出了在两个容器构成部件(例如，容器主体和盖体)的接合面的密封件内侧的部分，考虑减压状态下的弯曲量而使该部分具有空隙的减压容器(例如，专利文献1)。
专利文献1：日本特开平7-273095号公报
上述专利文献1的提案虽然在抑制颗粒方面是优异的技术，但是，为了使两个容器构成部件的接合面上有空隙，需要利用切削加工等切削任一方的端面以设置台阶差，所以，存在减压容器的制造工序数增加、容器越大型化进行高精度加工变得越困难等加工上的制约。
另外，在专利文献1的减压容器的情况下，因为在密封件外侧，是两个容器构成部件直接接触的结构，所以在反复进行减压和大气开放的过程中，该外侧部分滑动接触，也有可能产生颗粒。
发明内容
本发明鉴于上述情况而做出，其目的在于提供能够可靠地防止由于容器的变形而产生颗粒的减压容器和减压处理装置。
为了解决上述课题，本发明的第一方面提供一种减压容器，其构成为能够将容器内部减压，其特征在于：
通过在构成上述减压容器的一个部件与另一个部件的连接面的至少一侧设置槽、并在该槽内配置密封部件，保持连接部的气密性，并且，
配置有垫片(spacer)，其一部分插入上述槽内、并与上述密封部件贴紧，在上述槽外，其介于上述一个部件与另一个部件之间，将它们隔开。
本发明的第二方面提供一种减压容器，其构成为能够将容器内部减压，其特征在于，包括：构成上述减压容器的多个部件；在上述多个部件中的一个部件和与该部件连接的另一个部件的连接面的至少一侧上形成的槽；配置在上述槽内的密封部件；和垫片，其一部分插入上述槽内、并与上述密封部件贴紧，在上述槽外，其介于上述一个部件与另一个部件之间，将它们隔开。
在上述第一方面或第二方面中，优选从上述减压容器的内部看，将上述垫片配置在上述密封部件外侧。另外，优选上述垫片的截而为大致L字形。另外，优选上述密封部件是截面为大致三角形的O形环。另外，优选在上述垫片与上述密封部件的贴紧面上形成有凹凸。
另外，优选上述垫片由比上述密封部件硬的材质形成。在该情况下，优选上述垫片的硬度(JIS K6253肖氏硬度D)是50～70，优选上述O形环的硬度(JIS K6253肖氏硬度A)是70～90。另外，优选上述一个部件和上述另一个部件是减压容器主体和盖体、或减压容器主体和底板。
本发明的第三方面提供一种减压处理装置，其用于对被处理体进行减压处理，其特征在于：包括上述第一方面或第二方面的减压容器。
根据本发明，通过在构成减压容器的两个部件的连接面之间配置密封部件和与该密封部件贴紧且介于两部件之间的垫片，能够保持气密性且以任意的间隔隔开两个部件。
所以，在将减压容器内减压至真空状态的状态下，即使容器构成部件产生弯曲，也能够避免容器构成部件彼此的接触。由此，例如，即使减压容器内的压力在真空和大气开放之间反复，也可抑制因容器构成部件的接合部分的摩擦而引起的颗粒。
另外，通过使用上述垫片，能够在不需要高精度的切削加工等的情况下，使两个容器构成部件隔开，因此，减压容器的加工容易，且不会增加其加工工序数。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的真空处理装置的外观的立体图。
图2是图1的真空处理装置的水平截面图。
图3是图1的真空处理装置的负载锁定室的纵截面图。
图4是表示基板搬送机构的构成例的立体图。
图5是卸下顶板的状态下的负载锁定室的平面图。
图6是图5的VI-VI线的箭头方向的主要部分截面图。
图7是表示负载锁定室的主体与顶板的连接部位的主要部分截面图。
图8是用于说明密封部的另一实施方式的图。
图9是表示另一实施方式的负载锁定室的主体与顶板的连接部位的主要部分截面图。
图10是本发明的第二实施方式的真空处理装置的水平截面图。
符号说明
10      真空处理室
20      负载锁定室
21      主体
22      顶板
23      底板
30      闸阀
40      闸阀
50      大气侧搬送机构
51      搬送臂
52      缺口部
55      基板架
60      真空泵
70      基板搬送机构
70a     滑动电动机
71      底座(base plate)
71c     销贯通孔
72～74  第一～第三滑板
72c～74c销贯通孔
80      基板交接机构
81、82  缓冲板
83、84  缓冲升降机构
85      支撑销
86      销升降机构
90、93  O形环
91、94    垫片
100、200  真空处理装置
具体实施方式
以下，参照附图，具体地说明本发明的实施方式。
图1是表示本发明的一个实施方式的真空处理装置的外观的立体图，图2是图1的真空处理装置的水平截面图，图3是真空处理装置的真空预备室的纵截面图，图4是表示配置在真空处理室中的基板搬送装置的基板搬送机构的构成例的立体图。
本实施方式的真空处理装置100包括：在真空气氛下对LCD玻璃基板等的基板G进行等离子体蚀刻处理、薄膜形成处理等期望的真空处理的真空处理室10；与该真空处理室10连接设置，作为真空预备室起作用的负载锁定室20；设置在真空处理室10和负载锁定室20之间的闸阀30；和将负载锁定室20与外部的大气侧搬送机构50隔开的闸阀40。
真空泵60经由排气控制阀61与真空处理室10连接，能够进行真空排气，直至对基板G进行规定的真空处理所需要的真空度。另外，处理气体供给部12经由气体控制阀11与真空处理室10连接，能够在真空处理室10的内部形成规定压力的处理气体气氛。在真空处理室10的内部设置有处理台13，在其上载置处理对象的基板G。
真空泵60经由排气控制阀62与负载锁定室20连接，能够对其进行真空排气，直至与真空处理室10同等的真空度。
在闸阀30上设置有：使真空处理室10和负载锁定室20连通、由后述的基板搬送机构70所支撑的基板G能够通过的大小的开口部31；和进行该开口部31的开闭动作的阀体32。
在闸阀40上设置有：使负载锁定室20与外部的大气侧连通、由上述大气侧搬送机构50支撑的基板G能够通过的大小的开口部41：和进行该开口部41的开闭动作的阀体42。
负载锁定室20由铝等材料形成，包括：围绕该负载锁定室20的内部空间的平面视图为矩形的容器主体21、以及从上下与该容器主体21接合的顶板22和底板23。在容器主体21的上端面与顶板22的接合面以及容器主体21的下端面与底板23的接合面上，配置有密封部24和25，确保连接部的气密性。此外，对于密封部24和25的结构，将在后面进行详细说明。
在负载锁定室20的内部设置有直动式的基板搬送机构70。该基板搬送机构70包括：被固定在负载锁定室20的底部的底座71；以及在该底座71上叠层为多层的第一滑板72、第二滑板73和兼作基板支撑台的第三滑板74。由这些底座71以及第一至第三滑板74构成基板搬送机构主体。在底座71上设置有支撑正上方的第一滑板72并沿水平方向自由滑动地进行导向的一对滑动导轨71a、和对滑板72提供水平方向的推力使其在滑动导轨71a上往复移动的滑动驱动机构71b。在第一滑板72上设置有支撑正上方的第二滑板73并沿水平方向自由滑动地进行导向的一对滑动导轨72a、和对滑板73提供水平方向的推力使其在滑动导轨72a上往复移动的滑动驱动机构72b。在第二滑板73上设置有支撑正上方的第三滑板74并沿水平方向自由滑动地进行导向的一对滑动导轨73a、和对滑板74提供水平方向的推力使其在滑动导轨73a上往复移动的滑动驱动机构73b。在最上部的第三滑板74上设置有作为支撑被载置的基板G的下面的基板支撑部起作用的大致コ字形的滑动拾取器(slide pick)74a。
在负载锁定室20的内部设置有基板交接机构80。基板交接机构80包括：设置在夹住基板搬送机构70的位置上的缓冲板81和82；使该缓冲板81和82升降的缓冲升降机构83和84；设置在底座71的底部中央的支撑销85；和使该支撑销85升降的销升降机构86。由缓冲板81、82与缓冲升降机构83、84构成第一支撑部，由支撑销85与销升降机构86构成第二支撑部。
基板交接机构80进行如下的基板交接动作：用缓冲板81、82从下方支撑由基板搬送机构70的第三滑板74上的滑动拾取器74a支撑的基板G的周边部，使基板G从该滑动拾取器74a上浮起的动作，以及使从大气侧搬送机构50接收的基板G下降到滑动拾取器74a上的动作等。另外，此时，由支撑销85支撑基板G的中央部。
在构成上述基板搬送机构70的底座71、第一至第三滑板72～74的中央部，分别设置有上述支撑销85能够通过的销贯通孔71c、销贯通孔72c、销贯通孔73c、和销贯通孔74c。在第一至第三滑板72～74被引入负载锁定室20内的叠层状态(缩退状态)下，销贯通孔71c与销贯通孔72c～74c在垂直方向成为连通状态，支撑销85通过该销贯通孔71c、72c～74c，在最上部的滑板74上突出，从而能够进行与载置在该滑板74上的基板G的底部中央(在本实施方式中，作为一个例子，为基板G的大致重心位置)接触并支撑其的动作。即，支撑销85与负载锁定室20内的上述基板交接动作中的缓冲板81、82同步升降，水平地支撑周边部由缓冲板81和82支撑的基板G的中央部，使得其不会由于自重而向下方弯曲。
大气侧搬送机构50具有能够旋转和伸缩的搬送臂51，进行如下动作：从收纳有多个基板G的基板架55中取出未处理的一块基板G，经过闸阀40将其送至负载锁定室20内的基板搬送机构70的动作，以及从负载锁定室20内的基板搬送机构70接收处理完成后的基板G，经过闸阀40将其取出至大气侧，收纳在基板架55内的动作。在搬送臂51上设置有缺口部52，使得在向负载锁定室20内交接基板G时，不与支撑销85干扰。
下面，对真空处理装置100的基板处理动作进行说明。
首先，使基板搬送机构70在负载锁定室20内呈缩退状态，关闭闸阀30的阀体32，由真空泵60将真空处理室10的内部排气至所需要的真空度。
大气侧搬送机构50由搬送臂51从基板架55中取出未处理的基板G，通过闸阀40的开口部41将其搬入负载锁定室20内，并将其定位在基板搬送机构70的第三滑板74的正上部。
接着，缓冲板81和82上升，从两侧举起基板G的周边部，同时，支撑销85通过销贯通孔71c～74c而上升，通过搬送臂51的缺口部52与基板G的底部中央接触并将其举起，由此，如图3所示，基板G不弯曲，以大致水平的姿势从搬送臂51上浮起。
此后，将搬送臂51抽出至大气侧，使其退避至负载锁定室20的外部，之后，通过使缓冲板81、82以及支撑销85下降，基板G移动至基板搬送机构70的第三滑板74的滑动拾取器74a上，并被载置。
然后，关闭闸阀40的阀体42，使负载锁定室20处于密闭状态，打开排气控制阀62，将其排气至与真空处理室10相同程度的真空度之后，打开闸阀30的阀体32。此时，因为负载锁定室20已被真空排气，所以真空处理室10的真空度和气氛不会被破坏。然后，通过闸阀30的开口部31，使基板搬送机构70的第一～第三滑板72～74呈多层向真空处理室10的内部伸长，将基板G搬入真空处理室10的处理台13的正上部，通过设置在处理台13上的未图示的突起销等，将其载置在处理台13上。此后，第一至第三滑板72～74缩退并退避到负载锁定室20内，关闭闸阀30的阀体32，将真空处理室10密闭。
此后，从处理气体供给部12向被密闭的真空处理室10内导入需要的气体，形成处理气体气氛，对基板G实施需要的处理。
经过规定时间后，停止处理气体的导入，打开闸阀30的阀体32，使负载锁定室20内的基板搬送机构70的第一～第三滑板72～74呈多层向真空处理室10的内部伸长，按照与上述搬入动作相反的顺序，将真空处理室10的处理完成的基板G从处理台13上转移至第三滑板74的滑动拾取器74a上，使第一至第三滑板72～74缩退，将其搬出负载锁定室20内之后，关闭闸阀30的阀体32，将真空处理室10密闭。
此后，停止负载锁定室20的排气，同时，导入N2气体等，使之成为接近大气压的压力，使缓冲板81、82以及支撑销85上升，支撑基板G的周边部和中央部，使其以大致水平的姿势浮起，然后，打开闸阀40的阀体42，将大气侧搬送机构50的搬送臂51插入浮起的基板G的下侧，在该状态下使缓冲板81、82以及支撑销85下降，由此，将基板G转移至搬送臂51上。
然后，通过将搬送臂51引出至大气侧，将处理完成后的基板G从负载锁定室20搬出至大气侧，收纳在基板架55中。
接着，参照图5至图7，说明负载锁定室20的容器主体21与顶板22的接合部的密封结构。图5是表示负载锁定室20的卸下顶板22的状态下的简要结构的平面图，图6是其VI-VI线的箭头方向的主要部分截面图，图7是表示将容器主体21与顶板22接合的状态的连接部位的主要部分放大图。此外，图7中的符号92是容器主体21与顶板22接合用的连接件(螺栓)。
在围绕负载锁定室20的内部空间的容器主体21的上端面21a上形成有槽26，在该槽26内插入有作为密封部件的O形环90。另外，相对于负载锁定室20的室内，在O形环90外侧(外周侧)，以一部分插入槽26内的状态配置有垫片91。作为O形环90和垫片91，可以分别使用一个形成为环状的部件，也可以将两个以上的分开的部件没有间隙地、连续地配置在槽26内使用。
O形环90是以上方为顶点、底部扩大的具有大致三角形的截面形状的异形O形环。O形环90的形状为具有扩大的底部的形状，以保持与槽26的内面形状的适合性以及与插入槽26内的垫片91的密合性。由此，难于从槽26中拔出，且能够发挥充分的密封性。
配置O形环90，使得在将其底部插入槽26内的状态下，其顶部相对于容器主体21的上端面21a高出规定量、例如1.5～2.0mm左右，由此，在将容器主体21和顶板22接合时，如图7所示，O形环90被顶板22压溃，从而能够可靠地发挥密封功能。作为O形环90的材质，可以优选使用例如硬度(JIS K 6253肖氏硬度A)为70～90的材质。更具体地说，例如可以举出具有上述硬度的氟橡胶[例如，Viton、Kalrez(都是商品名；杜邦公司制)、硅酮]等。
垫片91具有形成为大致L字形的截面形状。通过将垫片91的截面形成为L字形，能够在将垫片91的一端侧(插入部)插入槽26内、并使弯曲成L字形的内角侧的面与从槽26的内壁面到容器主体21的上端面21a的部分贴紧的状态下进行配置，形成难以从槽26内拔出的形状。
垫片91的与插入槽26内的部分相反侧的部分(间隔部)，以包围O形环90的外侧(外周部)的方式在容器主体21的上端面21a上突出并延伸，其介于容器主体21与顶板22之间，以其厚度的量(在图7中用符号D1表示)、例如0.5～1.0mm的间隔，使两部件隔开。于是，利用配置在O形环90的外侧的垫片91，使容器主体21和顶板22隔开，由此，在将负载锁定室20内减压至高真空状态的状态下，即使如图7中的虚线所示，顶板22产生弯曲，也可避免容器主体21的内周侧的角部21b与顶板22的接触。所以，在反复处于真空状态和大气开放状态的负载锁定室20内，能够防止由于容器主体21的内周侧的角部21b与顶板22的摩擦而产生的铝粉等颗粒。
作为垫片91的材质，可以优选使用比O形环90硬的材质，例如(JIS K6253肖氏硬度D)为50～70的材质。另外，作为在垫片91中使用的材质的其他的物性，如果考虑由于在使真空负载室20的内部成为真空时的真空压力差而施加在垫片91上的力，则优选选择压缩强度(JIS K6251)为11MPa以上的材质。就垫片91来说，从确保在将其安装在槽26的拐角部(在图5中，用符号R表示)时的充分的弯曲性的观点考虑，优选使用伸缩率(JIS K6251)为300％以上的材质。
作为具有以上的物性的材质，具体地说，可以举出聚四氟乙烯(PTFE)、高分子量聚乙烯(PE)等。
图8表示密封部24中配置的O形环与垫片的另一个实施方式。在本实施方式中，在O形环93与垫片94相互接触的部位，分别形成有凹凸面93a、94a。凹凸面93a、94a用于提高O形环93与垫片94的摩擦阻力，防止因两部件滑动而导致在槽26内的位置偏移、或从槽26内脱出。即，凹凸面93a、94a作为防止O形环93和垫片94的位置偏移的位置偏移防止作用部起作用。
图9涉及本发明的减压容器的另一个实施方式，在容器主体21的上端面上设置有台阶差。即，对配置有O形环90的槽26内侧(内周侧)的上端面21d进行切削，使其形成为比槽26的外侧(外周侧)的上端面21c低。这样，通过配置垫片91同时在容器主体21的上端面形成台阶差，即使负载锁定室20的顶板22的弯曲量变大，在容器主体21的内周侧，也能够在上端面21d和顶板22之间得到足够的间隔D2，从而可避免角部21b与顶板22的接触。另外，因为对于同样的弯曲量，能够相对地减小垫片91的厚度D1或者减少内周侧的上端面21d的切削量，所以能够更加可靠地确保O形环90的气密性。
以上，说明了容器主体21与顶板22的接合部的密封部24的结构，由于容器主体21与底板23的接合部的密封部25的结构是同样的，所以省略说明。
本发明的密封结构并不限定于用于图1的真空处理装置100的负载锁定室20那样具有基板搬送机构70的部件。再者，本发明的密封结构并不限定于反复进行真空和大气开放的负载锁定室，也能够应用于具有基板搬送机构、主要在真空状态下向真空处理室搬送基板的基板搬送室和真空处理室。作为能够应用本发明的密封结构的基板搬送室以及负载锁定室，例如，可以举出在图10中表示其水平截面图的多腔室型的真空处理装置200的搬送室220以及负载锁定室230。在该真空处理装置200中，在其中央部，搬送室220和负载锁定室230连接设置。在搬送室220的周围设置有三个处理腔室210a、210b、210c。在搬送室220与负载锁定室230之间、在搬送室220与各处理腔室210a、210b、210c之间、以及在连通负载锁定室230和外侧的大气气氛的开口部上，分别设置有将它们之间气密地密封、并且构成为能够开闭的闸阀222。
在负载锁定室230的外侧，设置有两个盒分度器(cassette indexer)241，在其上分别载置有收容基板G的盒240。例如，在这些盒240的一个中收容未处理的基板，在另一个中收容处理完成后的基板。这些盒240能够通过未图示的升降机构进行升降。
在这两个盒240之间，在支撑台244上设置有搬送机构243，该搬送机构243具有设置在上下两层中的拾取器(pick)245、246以及能够一体地进出退避和旋转地支撑它们的基座247。
作为真空处理室的处理腔室210a、210b、210c的内部空间能够保持在规定的减压气氛中，可在其内部进行等离子体处理、例如蚀刻处理或灰化处理。这样，因为具有三个处理腔室，所以，例如，可以构成为将其中两个处理腔室作为蚀刻处理室、将剩下的一个处理腔室作为灰化处理室，或者构成为将三个处理腔室全部作为进行同一处理的蚀刻处理室或灰化处理室。此外，处理腔室的数量并不限于三个，也可以是四个以上。
搬送室220与处理腔室210a、210b、210c同样，能够保持在规定的减压气氛中，在其中设置有搬送装置250。于是，利用该搬送装置250在负载锁定室230和三个处理腔室210a、210b、210c之间搬送基板G。
负载锁定室230与各处理腔室210以及搬送室220同样，能够保持在规定的减压气氛中。另外，负载锁定室230用于在处于大气气氛中的盒240与减压气氛的处理腔室210a、210b、210c之间进行基板G的授受，由于反复处于大气气氛和减压气氛的原因，其内部容积非常小。
在负载锁定室230中，基板收容部231被设置在上下两层(仅图示上层)中，在各基板收容部231内，设置有支撑基板G的多个缓冲器(buffer)232，在这些缓冲器232之间形成有搬送臂的退避槽232a。另外，在负载锁定室230内，在矩形形状的基板G互相相对的角部附近设置有进行定位的定位器(positioner)233。
虽然省略说明，但是在以上结构的搬送室220以及负载锁定室230中，例如在顶板或底板与容器主体的接合部分，也能够应用与图5～图9同样的密封结构。于是，能够防止由于构成搬送室220和负载锁定室230的容器构成部件彼此的摩擦而产生颗粒。
另外，本发明并不限定于上述实施方式，在本发明的主旨范围内能够进行各种变形。例如，作为基板，不限定于LCD用基板，也能够应用于其他的FPD用基板或半导体晶片等。在此，作为其他的FPD用基板，例如，可举出在发光二极管(LED)显示器、电致发光(ElectroLuminescence；EL)显示器、荧光显示管(Vacuum Fluorescent Display；VFD)、和等离子体显示面板(PDP)等中使用的基板。
产业上的可利用性
本发明能够利用于收容制造FPD等用的基板的减压容器以及对上述基板进行处理的减压处理装置。

Claims (11)

1.一种减压容器，构成为能够将容器内部减压，其特征在于：
通过在构成所述减压容器的一个部件与另一个部件的连接面的至少一侧设置槽、并在该槽内配置密封部件，保持连接部的气密性，并且，
配置有垫片，其一部分插入所述槽内、并与所述密封部件贴紧，在所述槽外，其介于所述一个部件与另一个部件之间，将它们隔开。
2.一种减压容器，构成为能够将容器内部减压，其特征在于，包括：
构成所述减压容器的多个部件；
在所述多个部件中的一个部件和与该部件连接的另一个部件的连接面的至少一侧上形成的槽；
配置在所述槽内的密封部件；和
垫片，其一部分插入所述槽内、并与所述密封部件贴紧，在所述槽外，其介于所述一个部件与另一个部件之间，将它们隔开。
3.根据权利要求1或2所述的减压容器，其特征在于：
从所述减压容器的内部看，将所述垫片配置在所述密封部件外侧。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的减压容器，其特征在于：
所述垫片的截面为大致L字形。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的减压容器，其特征在于：
所述密封部件是截面为大致三角形的O形环。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的减压容器，其特征在于：
在所述垫片与所述密封部件的贴紧面上形成有凹凸。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的减压容器，其特征在于：
所述垫片由比所述密封部件硬的材质形成。
8.根据权利要求7所述的减压容器，其特征在于：
所述垫片的硬度(JIS K6253肖氏硬度D)是50～70。
9.根据权利要求7或8所述的减压容器，其特征在于：
所述O形环的硬度(JIS K6253肖氏硬度A)是70～90。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的减压容器，其特征在于：
所述一个部件和所述另一个部件是减压容器主体和盖体、或减压容器主体和底板。
11.一种减压处理装置，用于对被处理体进行减压处理，其特征在于：
包括权利要求1至10中任一项所述的减压容器。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102753727A (zh) * 2010-03-31 2012-10-24 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
CN102854254A (zh) * 2012-10-11 2013-01-02 西安永电电气有限责任公司 一种igbt超声检测工装
CN102943879A (zh) * 2012-10-25 2013-02-27 无锡市欣田机械有限公司 一种化学原料反应锅的密封系统
CN103375588A (zh) * 2012-04-27 2013-10-30 泰拉半导体株式会社 密封件及使用该密封件的基板处理装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007277667A (ja) * 2006-04-10 2007-10-25 Sumitomo Heavy Ind Ltd 真空チャンバ及び該真空チャンバを有する基板処理装置
JP4985973B2 (ja) * 2007-12-11 2012-07-25 Ｎｏｋ株式会社 密封構造
US8191933B2 (en) * 2008-07-16 2012-06-05 General Electric Company Extrusion resistant gasket face seal
JP5190387B2 (ja) * 2009-01-16 2013-04-24 東京エレクトロン株式会社 真空装置及び基板処理装置
JP2011084788A (ja) * 2009-10-16 2011-04-28 Sharp Corp ゲートバルブ、真空処理装置、及び半導体装置の製造方法
JP2012099517A (ja) 2010-10-29 2012-05-24 Sony Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2013197513A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Tosoh Corp 電子材料の保管・運搬用ケース
KR101369404B1 (ko) * 2013-10-14 2014-03-06 주식회사 씰테크 반도체 설비용 실링부재
WO2017187630A1 (ja) 2016-04-28 2017-11-02 ギガフォトン株式会社 タンク、ターゲット生成装置、及び、極端紫外光生成装置
KR102538114B1 (ko) * 2017-11-07 2023-05-31 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
JP7132483B2 (ja) 2018-03-15 2022-09-07 シンフォニアテクノロジー株式会社 密閉設備
JP2021080889A (ja) * 2019-11-20 2021-05-27 愛三工業株式会社 Ｅｇｒバルブ装置
KR102480392B1 (ko) * 2019-12-30 2022-12-26 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
WO2024019902A1 (en) * 2022-07-18 2024-01-25 Lam Research Corporation Wedge seal for efem frame and panel seams
CN219063074U (zh) * 2023-01-28 2023-05-23 宁德时代新能源科技股份有限公司 压力容器装置及电池制备系统

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0357190U (zh) * 1989-10-06 1991-05-31
JPH0450555A (ja) * 1990-06-15 1992-02-19 Okawara Mfg Co Ltd 真空容器等の密封構造
JP2929340B2 (ja) * 1991-09-20 1999-08-03 日本ラインツ株式会社 ガスケット
FR2712059B1 (fr) * 1993-11-03 1996-02-02 Hutchinson Joint, son procédé de fabrication, et procédé de scellement hermétique mettant en Óoeuvre un tel joint.
JP3165322B2 (ja) * 1994-03-28 2001-05-14 東京エレクトロン株式会社 減圧容器
JP3319671B2 (ja) * 1995-03-17 2002-09-03 株式会社日阪製作所 気密性収容器のシール構造
JPH1047483A (ja) * 1996-08-06 1998-02-20 Haniyuuda Tekko:Kk 圧力容器のシール構造
JPH1163236A (ja) * 1997-08-11 1999-03-05 Advanced Display:Kk 真空装置およびこれを備えた成膜装置
JP2001227643A (ja) * 2000-02-14 2001-08-24 Tsukishima Kikai Co Ltd 真空容器のシール構造および真空容器シール用ガスケット
JP2002022019A (ja) * 2000-07-06 2002-01-23 Mitsubishi Cable Ind Ltd シール材料、それを用いたシール部材およびそれを用いたシール
JP2001355735A (ja) * 2000-06-14 2001-12-26 Mitsubishi Cable Ind Ltd スイベルジョイント用シール
JP3906753B2 (ja) 2002-07-01 2007-04-18 株式会社日立プラントテクノロジー 基板組立て装置
JP2004211845A (ja) * 2003-01-07 2004-07-29 Sumitomo Rubber Ind Ltd ガス用シール材
JP3694691B2 (ja) 2003-01-29 2005-09-14 株式会社 日立インダストリイズ 大型基板の組立装置及び組立方法
JP2004360717A (ja) * 2003-06-02 2004-12-24 Nok Corp ガスケット
JP2005048790A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Tm T & D Kk 圧力容器
JP2005214276A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Toyota Industries Corp シール装置
KR100640557B1 (ko) 2004-06-17 2006-10-31 주식회사 에이디피엔지니어링 평판표시소자 제조장치
JP4601993B2 (ja) * 2004-05-18 2010-12-22 三菱電線工業株式会社 シール材

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102753727A (zh) * 2010-03-31 2012-10-24 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
TWI492266B (zh) * 2010-03-31 2015-07-11 Tokyo Electron Ltd Plasma processing device and plasma processing method
CN103375588A (zh) * 2012-04-27 2013-10-30 泰拉半导体株式会社 密封件及使用该密封件的基板处理装置
CN102854254A (zh) * 2012-10-11 2013-01-02 西安永电电气有限责任公司 一种igbt超声检测工装
CN102943879A (zh) * 2012-10-25 2013-02-27 无锡市欣田机械有限公司 一种化学原料反应锅的密封系统

Also Published As

Publication number Publication date
TWI397958B (zh) 2013-06-01
KR20070076491A (ko) 2007-07-24
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