TWI397958B - Decompression vessel and decompression treatment device - Google Patents

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Description

減壓容器及減壓處理裝置
本發明關於減壓容器及減壓處理裝置，特別是關於適用於在減壓下，對液晶顯示裝置(LCD)或電漿顯示器等的平板顯示器(FPD)用的玻璃基板等實施乾蝕刻或成膜、搬送、對位等的減壓處理之際所使用的減壓容器及減壓處理裝置之技術。
例如，在LCD製造程序，對被處理基板之LCD玻璃基板，多數使用乾蝕刻、濺鍍或CVD(化學氣相成長)等之減壓處理。
在進行這樣減壓處理之減壓處理裝置，鄰接在減壓狀態例如保持真空狀態進行上述處理之真空處理室，設置真空預備室，當進行被處理基板的搬入時，將真空處理室內的環境變動做成極小。
具體而言，例如在配置於大氣中之匣盒與進行蝕刻處理等的真空處理室之間，設置具有大氣側與真空側的介面之功能的加載互鎖室(load-lock chamber)作為真空預備室。在此加載互鎖室，在每次使被處理基板通過時，反復進行大氣開放、與進行與真空處理室相同的高真空為止之排氣。在用於加載互鎖室，在構成構件的連結部位例如容器本體與蓋體之接合部分，為了確保其氣密性，使用例如O形環等的密封構件進行密封。
然而，近年，被強力要求對LCD玻璃基板之大型化，亦使用一邊超過2m的這種大型基板，為了收容如此巨大化之基板並進行處理，減壓容器之大型化也被實施中。當減壓容器大型化時，在真空時，因減壓容器內外的壓力差，使得構成該減壓容器的構件例如蓋體之撓曲量也變大。然後，當因此撓曲，造成蓋體與容器本體之接合面的角度改變時，容器本體與蓋體會直接接觸，產生構成兩構件的金屬材料等所引起之微粒。特別是在如前述真空預備室般，在反復作成真空狀態與大氣開放狀態之情況時，蓋體的撓曲與其恢復，使得蓋體與容器本體之間反復滑接，其結果，這些構件的一部分剝離或摩擦等，變得更容易產生微粒。
為了防止因上述理由所產生之微粒，被提案出，在2個容器構成構件(例如容器本體與蓋體)的接合面之較密封構件更內側的部分，考量在減壓狀態下之撓曲量而使其具有空隙之減壓容器(例如專利文獻1)。
[專利文獻1]日本特開平7－273095號公報
上述專利文獻1之提案，在抑制為例的這一點上為優良之技術，但由於為了使2個容器構成構件的接合面具有空隙，需要藉由切削加工等來將任一單方的端面切削，設置階差，故會有減壓容器的製造工時增加，或容器越大型化變得越不容易精度良好地實施加工等之加工上的限制。
又，在專利文獻1的減壓容器之情況，由於在較密封材更外側，2個容器構成材直接接觸，故會有在反復進行減壓與大氣開放之間，該外側部分滑接，產生微粒之問題。
本發明是有鑑於上述情事而開發完成之發明，其課題在於提供能夠確實地防止因容器的變形所造成之微粒產生的減壓容器及減壓處理裝置。
為了解決上述課題，本發明之第1觀點是提供減壓容器，其是構成可將容器內部減壓之減壓容器，其特徵為：在構成前述減壓容器的一個構件與其他構件的連結面之至少一方側設置溝槽，藉由將密封構件配備於該溝槽內，以保持連結部的氣密性，並且配備有間隔件，其一部分被插入於前述溝槽內，一邊與前述密封構件密接，一邊在前述溝槽外，介裝於前述一個構件與其他構件之間並使其分離。
本發明之第2觀點是提供減壓容器，其是構成可將容器內部減壓之減壓容器，其特徵為：具備有：複數個構件，其是構成前述減壓容器的；溝槽，其是形成於前述複數個構件中之其中一個構件與連接於該構件之其他構件的連結面之至少一方側；及密封構件，其是配備於前述溝槽內；及間隔件，其是一部分被插入於前述溝槽內，一邊與前述密封構件密接，一邊在前述溝槽外，介裝於前述一個構件與其他構件之間並使其分離。
在上述第1或第2觀點，將前述間隔片配備於當由前述減壓容器的內部觀看時之較前述密封構件更外側為佳。又，前述間隔件的剖面大致呈L字形為佳。又，前述密封構件為剖面大致呈三角形之O形環為佳。且，在前述間隔件及前述密封構件的密接面，形成凹凸為佳。
又，前述間隔件是以較前述密封構件更硬的材質來形成為佳。在此情況，前述間隔件之硬度(JIS K6253肖氏硬度D)是50~70，而前述O形環的硬度(JIS K6253肖氏硬度A)是70~90為佳。又，前述一個構件與前述其他構件是減壓容器本體與蓋體，或減壓容器本體與底板為佳。
本發明的第3觀點是提供減壓處理裝置，其是對被處理體進行減壓處理之減壓處理裝置，其特徵為：具備上述第1觀點或第2觀點之減壓容器。
若根據本發明的話，在構成減壓容器的2個構件的連結面之間，配備密封構件；及一邊與此密封構件密接一邊介裝於兩構件之間的間隔件，既可保持氣密性，亦可以任意的間隔使兩個構件分離。
因此，當在減壓容器內被減壓成真空狀態之狀態下，於容器構成構件產生撓曲之情況，也能夠迴避容器構成構件彼此相互的接觸。因此，即使例如減壓容器內的壓力在真空與大氣開放之間反復改變，也可抑制因容器構成構件的接合部分的摩擦所引起之微粒。
又，因藉由使用前述間隔件，不需要進行高精度的切削加工等，即可使兩個容器構成構件分離，所以容易進行減壓容器的加工，且也不會增加該加工數。
以下，參照圖面，具體說明關於本發明的實施形態。
圖1是顯示本發明的一實施形態之真空處理裝置的外觀之斜視圖。圖2是圖1的真空處理裝置的水平斷面圖。圖3是真空處理裝置之真空預備室的縱斷面圖。圖4是配置於真空預備室的基板搬送機構的構成例之斜視圖。
本實施形態之真空處理裝置100，具備：在真空環境下對LCD玻璃基板等的基板G，進行電漿蝕刻處理或薄膜形成處理等之期望的真空處理之真空處理室10；連續設置於此真空處理室10，作為真空預備室來發揮功能之加載互鎖室20；設置於真空處理室10與加載互鎖室20之間的閘閥30；及分隔加載互鎖室20與外部的大氣側搬送機構50之閘閥40。
真空泵浦60經由排氣控制閥61連接於真空處理室10，可進行在進行基板G的預定真空處理所必須之真空度為止的真空排氣。又，在真空處理室10，經由氣體控制閥11連接著處理氣體供給部12，能夠在真空處理室10的內部形成預定壓力的處理氣體環境。在真空處理室10的內部設有處理工作台13，將處理對象的基板G載置於該處理工作台13。
在加載互鎖室20，經由排氣控制閥62連接著真空泵浦60，可進行真空排氣至與真空處理室10相同的真空度為止。
在閘閥30，設有：使真空處理室10與加載互鎖室20連通，供被支承於後述的基板搬送機構70所支承的基板G通過之大小的開口部31；及進行此開口部31的開閉動作之閥體32。
在閘閥40，設有：使加載互鎖室20與外部的大氣側連通，供被支承於前述大氣側搬送機構50所支承的基板G通過之大小的開口部41；及進行此開口部41的開閉動作之閥體42。
加載互鎖室20，藉由以鋁等的材質所形成，圍繞該加載互鎖室20的內部空間之平面視角呈矩形的容器本體21；及由上下接合於此容器本體21的頂板22及底板23所構成。在容器本體21的上端面與頂板22之接合面、及容器本體21的下端面與底板23之接合面，配設有密封部24及25，以確保連結部之氣密性。再者，密封部24及25的構成如後詳述。
在加載互鎖室20的內部，設有直動式基板搬送機構70。此基板搬送機構70是具備有：固定於加載互鎖室20的底部之基座板71；呈多段層積於此基座板71上之第1滑動板72、第2滑動板73及兼作基板支承台之第3滑動板74。藉由這些基座板71及第1~第3滑動板74，構成基板搬送機構本體。在基座板71，設有：支承正上方的第1滑動板72，並將其可朝水平方向自由滑動地予以導引之一對滑軌71a；及對第1滑動板72賦予水平方向之推力，使在滑軌71a上往復移動之滑動驅動機構71b。在第1滑動板72，設有：支承正上方的第2滑動板73，並將其可朝水平方向自由滑動地予以導引之一對滑軌72a；及對第2滑動板73賦予水平方向之推力，使在滑軌72a上往復移動之滑動驅動機構72b。在第2滑動板73，設有：支承正上方的第3滑動板74，並將其可朝水平方向自由滑動地予以導引之一對滑軌73a；及對第3滑動板74賦予水平方向之推力，使在滑軌73a上往復移動之滑動驅動機構73b。在最上部的第3滑動板74，設有作為支承被載置的基板G之下面的基板支承部來發揮功能之大致呈字形之滑動鎬(slide pick)74a。
在加載互鎖室20的內部，設有基板收授機構80。基板收授機構80是具備有：設置於夾持基板搬送機構70的位置之緩衝板81及82；使此緩衝板81及82升降之緩衝升降機構83及84；設置於基座板71的底部中央之支承銷85；以及使支承銷85升降之銷升降機構86。以緩衝板81及82、緩衝升降機構83及84構成第1支承部，以支承銷85、銷升降機構86構成第2支承部。
基板收授機構80是以緩衝板81及82由下方支承受到基板搬送機構70的第3滑動板74上之滑動鎬74a所支承的基板G之周邊部，進行使基板G由該滑動鎬74a浮起的動作，及將由大氣側搬送機構50所接收之基板G下降至滑動鎬74a上的動作等之基板收授動作。又，此時，藉由支承銷85支承基板G的中央。
在構成上述基板搬送機構70的基座板71、第1~第3滑動板72~74的中央部，分別設置可通前述支承銷85通過的銷貫通孔71c、銷貫通孔72c、銷貫通孔73c、銷貫通孔74c。在第1~第3滑動板72~74被拉入於加載互鎖室20內之層積狀態(退縮狀態)，銷貫通孔71c及銷貫通孔72c~74c於垂直方向成為連通狀態，藉由通過此銷貫通孔71c、72c~74c，支承銷85可進行下述動作，即，突出於最上部的第3滑動板74上，抵接於已被載置於該第3滑動板74的基板G之底部中央(在本實施形態的情況，作為一例，大致為基板G的重心位置)並予以支承。即，支承銷85是會發揮下述作用，也就是與加載互鎖室20內的上述基板收授動作之緩衝板81及82同步地升降，呈水平地支承周邊部，使得受到緩衝板81及82所之成的基板G之中央部不會因自重朝下方撓曲。
大氣側搬送機構50是具備可迴旋及收縮之搬送臂51，進行下述動作，即，由收納有複數個基板G之基板架55取出一片未處理的基板G，經由閘閥40傳送至加載互鎖室20內的基板搬送機構70之動作；及將完成處理的基板G由加載互鎖室20內的基板搬送機構70接收後，經由閘閥40取出至大氣側，而收納至基板架55之動作。在搬送臂51，設有缺口部52，使得在基板G於加載互鎖室20內進行收授之際不會與支承銷85相互干涉。
其次，說明關於真空處理裝置100之基板處理的動作。
首先，基板搬送機構70在加載互鎖室20內作成退縮狀態，關閉閘閥30之閥體32，真空處理室10的內部藉由真空泵浦60排氣成所需的真空度。
大氣側搬送機構50藉由搬送臂51由基板架55取出未處理的基板G，透過閘閥40的開口部41，搬入至加載互鎖室20內，將其定位於基板搬送機構70的第3滑動板74之正上部位。
其次，緩衝板81及82上升，由兩側舉起基板G的周邊部，並且支承銷85通過銷貫通孔71c~74c上升，再通過搬送臂51的缺口部52抵接於基板G的底部中央並將其舉起，藉此，如圖3所示，基板G不會撓曲，而以大致呈水平的姿勢由搬送臂51浮起。
然後，將搬送臂51朝大氣側拉引，使其退至加載互鎖室20的外部後，使緩衝板81及82、支承銷85下降，藉此，基板G移行載置至基板搬送機構70的第3滑動板74之滑動鎬74a上。
關閉閘閥40的閥體42，將加載互鎖室20做成密閉狀態，打開排氣控制閥62，排氣成與真空處理室10相同的真空度後，打開閘閥30之閥體32。此時，由於加載互鎖室20被真空排氣，故不會影響真空處理室10的真空度或環境。然後，透過閘閥30的開口部31，將基板搬送機構70的第1~第3滑動板72~74朝真空處理室10的內部呈多段延伸，將基板G搬入至處理工作台13的正上方部位，經由設置於處理工作台13的未圖示之突起銷等，載置於處理工作台13上。然後，第1~第3滑動板72~74退縮迴避至加載互鎖室20內，關閉閘閥30之閥體32，將真空處理室10加以密閉。
然後，由處理氣體供給部12對已被密閉的真空處理室10內導入所需的氣體，形成處理氣體環境，對基板G實施必要的處理。
在經過預定時間後，停止導入處理氣體，打開閘閥30之閥體32，使加載互鎖室20內的基板搬送機構70之第1~第3滑動板72~74呈多段延伸於真空處理室10的內部，以與上述搬入動作相反的順序，使真空處理室10的處理結束之基板G由處理工作台13上移行至第3滑動板74的滑動鎬74a，使第1~第3滑動板72~74退縮，搬送至加載互鎖室20內後，關閉閘閥30的閥體32，將真空處理室10加以密閉。
然後，停止加載互鎖室20的排氣，並且導入N2 氣體(氮氣)等，做成接近大氣壓的壓力，使緩衝板81、82及支承銷85上升，支承基板G的周邊部及中央部，以大致呈水平的姿態使其浮上後，打開閘閥40之閥體42，將大氣側搬送機構50的搬送臂51插入至已浮起的基板G之下側，在該狀態下，藉由使緩衝板81、82及支承銷85下降，來將基板G移行至搬送臂51。
然後，藉由朝大氣側拉出搬送臂51，由加載互鎖室20將處理結束的基板G搬出至大氣側，並收納至基板架55。
其次，參照圖5~圖7說明關於加載互鎖室20之容器本體21與頂板22的接合部之封合構造。圖5是顯示取下加載互鎖室20的頂板22之狀態的概略平面圖。圖6是其VI－VI線箭號視角的局部斷面圖。圖7是顯示容器本體21與頂板22接合的狀態之連結部位的局部放大圖。再者，圖7中，92為用於容器本體21與頂板22之接合的連結具(螺栓)。
在圍繞加載互鎖室20的內部空間之容器本體21的上端面21a，形成有溝槽26，在該溝槽26內，插入作為密封構件之O形環90，又在對加載互鎖室20的室內較O形環90更外側(外周側)，間隔件91是在將其一部分插入於溝槽26內的狀態下被配置著。作為O形環90及間隔件91，可分別使用一條環狀的構件，亦可將2條以上之被分裂的構件以不會有間隙的方式連續地配置於溝槽26內加以使用者。
O形環90是具有以上方為頂點，底部擴大的大致呈三角形之剖面形狀的異形O形環。O形環90之形狀，是呈具有擴大底部的形狀，以保持對溝槽26的內面形狀之適合性、及與被插入至溝槽26內的間隔件91之密接性。藉此，不易由溝槽26脫離，且可發揮充分的密封性。
O形環90是配置成，在其底部被插入於溝槽26內之狀態下，其頂部相對於容器本體21的上端面21a高出預定量例如高出1.5~2.0mm左右，藉此，在將容器本體21與頂板22接合之際，能夠如圖7所示，藉由頂板22壓潰O形環90而確實地發揮密封功能。作為O形環90之材質，可理想地使用例如硬度(JIS K6253肖氏硬度A)是70~90者。更具體而言，可舉出例如具有上述硬度之氟橡膠「例如Viton®、Kalrez®(均為杜邦製的商品)、氧化矽」等。
間隔件91是具有大致呈L字形的剖面形狀。藉由將間隔件91的剖面作成L字形，使得能夠將間隔件91的一端側(插入部)插入至溝槽26內，將屈曲成L字形的內角側之面由溝槽26的內壁面至容器本體21的上端面21a為止加以密接的狀態下予以配置，成為不易由溝槽26脫離之形狀。
間隔件91之與插入溝槽26的部分相反側之部分(介裝部)，是突出延伸於容器本體21的上端面21a，以包圍O形環90的外側(外周側)，介裝於容器本體21與頂板22之間，發揮下述功能，即以其厚度量(如在圖7中之D1 所示)例如0.5~1.0mm的間隔使兩構件分離。然後，藉由配置於O形環90的外側之間隔件91，使容器本體21與頂板22分離，藉此，在加載互鎖室20內被減壓至高真空狀態為止之狀態下，如圖7中虛線所示，即使在頂板22產生撓曲，也可迴避容器本體21的內周側之角部21b與頂板22之接觸。因此，在反復成為真空狀態與大氣開放狀態之加載互鎖室20，能夠防止因容器本體21的內周側之角部21b與頂板22相互摩擦所產生之鋁粉等的微粒。
作為間隔件91之材質，理想為使用較O形環90更硬的材質例如(JIS K6253肖氏硬度D)50~70者。又，作為使用於間隔件91的材質之其他物性，由將加載互鎖室20的內部作成真空之際的真空差壓考量此時所施加於間隔件91的力時，選擇壓縮強度(JIS K6251)11MPa以上的材質為佳。由確保對溝槽26的角部(圖5中之R所示)裝設時之充分的屈曲性的觀點來看，間隔件91使用伸長度(JIS K6251)300%以上的材質為佳。
作為具備以上的物性之材質，具體而言，可舉出聚四氟乙烯(PTFE)、高分子量聚乙烯(PE)等。
圖8是顯示配置於密封部24的O形環與間隔件的其他實施形態。在本實施形態，在O形環93與間隔件94相互抵接之部位，分別形成凹凸面93a、94a。凹凸面93a、94a是提高O形環93與間隔件94之摩擦阻抗，發揮下述作用，即，防止兩構件滑動造成在溝槽26內之位置偏移或由溝槽26脫落。即，凹凸面93a、94a是作為用來防止O形環93與間隔件94之位置偏移的位置偏移防止作用部來發揮功能。
圖9是關於本發明的減壓容器之其他實施形態，在容器本體21的上端面設置階差。即，切削較配置著O形環90的溝槽26更內側(內周側)之上端面21d，形成較溝槽26的外側(外周側)的上端面21c更低。如此，藉由一邊配置間隔件91，一邊在容器本體21的上端面形成階差，使得即使加載互鎖室20的頂板22之撓曲量變大，也能夠在容器本體21的內周側取得充分之上端面21d與頂板22的間隔D2 ，因此，可迴避角部21b與頂板22之接觸。又，對於相同撓曲量，因可相對地縮小間隔件91的厚度D1 ，或減少內周側的上端面21d之切削量，所以可更確實地確保O形環90之氣密性。
以上，說明了關於容器本體21與頂板22之接合部的密封部24之構造，由於容器本體21與底板23之接合部的密封部25之構造也相同，故省略其說明。
本發明之封合構造，如圖1的真空處理裝置100之加載互鎖室20般，不限於具備基板搬送機構70者，均可適用。且，本發明之封合構造是不限於反復進行真空與大氣開放之加載互鎖室，亦可適用於具備基板搬送機構，主要在真空狀態下對真空處理室進行基板的搬送之基板板送室或真空處理室。作為適用本發明的封合構造之基板搬送室及加載互鎖室，如圖10之水平斷面圖所示，例示有多室型真空處理裝置200之搬送室220及加載互鎖室230。在此真空處理裝置200，於其中央部連設著搬送室220與加載互鎖室230。在搬送室220的周圍，配設有3個處理室210a、210b、210c。在搬送室220與加載互鎖室230之間、搬送室220與各處理室210a、210b、210c之間、及連通加載互鎖室230與外側的大氣環境之開口部，分別介插有可將這些之間予以密封且可開閉之閘閥222。
在加載互鎖室230的外側，設有2個匣盒索引器241，在其上載置有分別收容基板G之匣盒240。在這些匣盒240中之一方，能夠收容例如未處理基板，而在另一方已處理結束之基板。這些匣盒240可藉由未圖示的升降機構進行升降。
在這兩個匣盒240之間，於支承台244上設有搬送機構243，此搬送機構243具備：設成上下兩段之鎬245、246；以及可將這些鎬予以一體地進入退後及旋轉地支承的基座247。
真空處理室之處理室210a、210b、210c，其內部空間可保持於預定的減壓環境，在其內部進行電漿處理例如蝕刻處理或灰化處理。如此，由於具有3個處理室，故能夠採用例如將其中2個處理室作為蝕刻處理室而剩餘的1個處理室作為灰化處理室，或將所有3個處理室作為進行相同處理之蝕刻處理室或灰化處理室。再者，處理室的數量不限於3個，亦可為4個以上。
搬送室220是與處理室210a、210b、210c同樣地，可保持於預定的減壓環境，在其中配設有搬送裝置250。藉由此搬送裝置250，在加載互鎖室230及3個處理室210a、210b、210c之間搬送基板G。
加載互鎖室230能夠與各處理室210及搬送室220同樣地，保持於預定的減壓環境。又，加載互鎖室230為用來在處於大氣環境的匣盒240與減壓環境的處理室210a、210b、210c之間，進行基板G之收授者，由於反復成為大氣環境與減壓環境之關係上，極力將其內容積縮小。
加載互鎖室230，其基板收容部231被設成上下2段(圖中僅顯示上段)，在各基板收容部231，設有用來支承基板G之複數個緩衝器232，在這些緩衝器232之間，形成有搬送臂之迴避槽232a。又，在加載互鎖室230內，設有在矩形基板G之相互對向的角部附近進行對位之對位器233。
雖省略說明，但在以上所述結構的搬送室220及加載互鎖室230，例如在頂板或底板與容器本體之接合部分，能夠適用與圖5~圖9同樣的封合構造。如此能夠防止，因構成搬送室220及加載互鎖室230的容器構成構件彼此的摩擦所引起之微粒的產生。
又，本發明不限於上述實施形態者，在本發明的技術思想範圍內可進行各種變更。例如，作為基板，不限於LCD用基板，亦可適用於其他的FPD用基板或半導體晶圓等。在此，作為其他的FPD用基板，可舉出使用於例如發光二極體(LED)、顯示器、電致發光(EL)顯示器、螢光顯示管(VFD；Vacuum Fluorescent Display)、電漿顯示面板(PDP)等之基板。
[產業上之利用可能性]
本發明能夠利用於收容製造FPD等用的基板之減壓容器及處理前述基板的減壓處理裝置。
10．．．真空處理室
20．．．加載互鎖室
21．．．容器本體
22．．．頂板
23．．．底板
30．．．閘閥
40．．．閘閥
50．．．大氣側搬送機構
51．．．搬送臂
52．．．缺口部
55．．．基板架
60．．．真空泵浦
70．．．基板搬送機構
70a．．．滑動馬達
71．．．基座板
71c．．．銷貫通孔
72~74．．．第1~第3滑動板
72c~74c．．．銷貫通孔
80．．．基板收授機構
81、82．．．緩衝板
83、84．．．緩衝升降機構
85．．．支承銷
86．．．銷升降機構
90、93．．．O形環
91、94．．．間隔件
100、200．．．真空處理裝置
圖1是顯示本發明的一實施形態之真空處理裝置的外觀之斜視圖。
圖2是圖1的真空處理裝置的水平斷面圖。
圖3是真空處理裝置之真空預備室的縱斷面圖。
圖4是顯示基板搬送機構的構成例之斜視圖。
圖5是取下頂板的狀態之加載互鎖室的平面圖。
圖6是圖5的VI－VI線視角的局部斷面圖。
圖7是顯示加載互鎖室的本體與頂板的連結部位之局部斷面圖。
圖8是用來說明密封部的其他實施形態之圖面。
圖9是顯示其他實施形態的加載互鎖室的本體與頂板的連結部位之局部斷面圖。
圖10是本發明的第2實施形態之真空處理裝置的水平斷面圖。
21．．．容器本體
21a．．．上端面
21b．．．角部
22．．．頂板
26．．．溝槽
90．．．O形環
91．．．間隔件
92．．．連結具(螺栓)
D1 ．．．間隔件的厚度

Claims (10)

  1. 一種減壓容器，是構成可將容器內部減壓之減壓容器，其特徵為：在構成前述減壓容器的一個容器構成構件與其他容器構成構件的連結面之至少一方側設置溝槽，藉由將密封構件配備於該溝槽內，以保持連結部的氣密性，並且配備有間隔件，其一部分被插入於前述溝槽內，一邊與前述密封構件密接，一邊在前述溝槽外，介裝於前述一個容器構成構件與其他容器構成構件之間並使其分離，前述間隔片是配備於當由前述減壓容器的內部觀看時之較前述密封構件更外側。
  2. 一種減壓容器，是構成可將容器內部減壓之減壓容器，其特徵為：具備有：複數個容器構成構件，其是構成前述減壓容器；溝槽，其是形成於前述複數個容器構成構件中之其中一個容器構成構件與連接於該容器構成構件之其他容器構成構件的連結面之至少一方側；及密封構件，其是配備於前述溝槽內；及間隔件，其是一部分被插入於前述溝槽內，一邊與前述密封構件密接，一邊在前述溝槽外，介裝於前述一個容器構成構件與其他容器構成構件之間並使其分離 將前述間隔片配備於當由前述減壓容器的內部觀看時之較前述密封構件更外側。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之減壓容器，其中，前述間隔件的剖面大致呈L字形。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之減壓容器，其中，前述密封構件為剖面大致呈三角形之O形環。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之減壓容器，其中，在前述間隔件及前述密封構件的密接面，形成凹凸。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之減壓容器，其中，前述間隔件是以較前述密封構件更硬的材質來形成的。
  7. 如申請專利範圍第6項之減壓容器，其中，前述間隔件之硬度(JIS K6253肖氏硬度D)是50~70。
  8. 如申請專利範圍第6項之減壓容器，其中，前述O形環的硬度(JIS K6253肖氏硬度A)是70~90。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之減壓容器，其中，前述一個容器構成構件與前述其他容器構成構件是減壓容器本體與蓋體，或減壓容器本體與底板。
  10. 一種減壓處理裝置，是對被處理體進行減壓處理之減壓處理裝置，其特徵為：具備申請專利範圍第1或2項之減壓容器。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007277667A (ja) * 2006-04-10 2007-10-25 Sumitomo Heavy Ind Ltd 真空チャンバ及び該真空チャンバを有する基板処理装置
JP4985973B2 (ja) * 2007-12-11 2012-07-25 Ｎｏｋ株式会社 密封構造
US8191933B2 (en) * 2008-07-16 2012-06-05 General Electric Company Extrusion resistant gasket face seal
JP5190387B2 (ja) * 2009-01-16 2013-04-24 東京エレクトロン株式会社 真空装置及び基板処理装置
JP2011084788A (ja) * 2009-10-16 2011-04-28 Sharp Corp ゲートバルブ、真空処理装置、及び半導体装置の製造方法
KR101389247B1 (ko) * 2010-03-31 2014-04-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
JP2012099517A (ja) 2010-10-29 2012-05-24 Sony Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2013197513A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Tosoh Corp 電子材料の保管・運搬用ケース
KR101383668B1 (ko) * 2012-04-27 2014-04-10 주식회사 테라세미콘 실링부재 및 이를 사용한 기판 처리 장치
CN102854254A (zh) * 2012-10-11 2013-01-02 西安永电电气有限责任公司 一种igbt超声检测工装
CN102943879A (zh) * 2012-10-25 2013-02-27 无锡市欣田机械有限公司 一种化学原料反应锅的密封系统
KR101369404B1 (ko) * 2013-10-14 2014-03-06 주식회사 씰테크 반도체 설비용 실링부재
WO2017187630A1 (ja) 2016-04-28 2017-11-02 ギガフォトン株式会社 タンク、ターゲット生成装置、及び、極端紫外光生成装置
KR102538114B1 (ko) * 2017-11-07 2023-05-31 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
JP7132483B2 (ja) 2018-03-15 2022-09-07 シンフォニアテクノロジー株式会社 密閉設備
JP2021080889A (ja) * 2019-11-20 2021-05-27 愛三工業株式会社 Ｅｇｒバルブ装置
KR102480392B1 (ko) * 2019-12-30 2022-12-26 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
WO2024019902A1 (en) * 2022-07-18 2024-01-25 Lam Research Corporation Wedge seal for efem frame and panel seams
CN219063074U (zh) * 2023-01-28 2023-05-23 宁德时代新能源科技股份有限公司 压力容器装置及电池制备系统

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001227643A (ja) * 2000-02-14 2001-08-24 Tsukishima Kikai Co Ltd 真空容器のシール構造および真空容器シール用ガスケット

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0357190U (zh) * 1989-10-06 1991-05-31
JPH0450555A (ja) * 1990-06-15 1992-02-19 Okawara Mfg Co Ltd 真空容器等の密封構造
JP2929340B2 (ja) * 1991-09-20 1999-08-03 日本ラインツ株式会社 ガスケット
FR2712059B1 (fr) * 1993-11-03 1996-02-02 Hutchinson Joint, son procédé de fabrication, et procédé de scellement hermétique mettant en Óoeuvre un tel joint.
JP3165322B2 (ja) * 1994-03-28 2001-05-14 東京エレクトロン株式会社 減圧容器
JP3319671B2 (ja) * 1995-03-17 2002-09-03 株式会社日阪製作所 気密性収容器のシール構造
JPH1047483A (ja) * 1996-08-06 1998-02-20 Haniyuuda Tekko:Kk 圧力容器のシール構造
JPH1163236A (ja) * 1997-08-11 1999-03-05 Advanced Display:Kk 真空装置およびこれを備えた成膜装置
JP2002022019A (ja) * 2000-07-06 2002-01-23 Mitsubishi Cable Ind Ltd シール材料、それを用いたシール部材およびそれを用いたシール
JP2001355735A (ja) * 2000-06-14 2001-12-26 Mitsubishi Cable Ind Ltd スイベルジョイント用シール
JP3906753B2 (ja) 2002-07-01 2007-04-18 株式会社日立プラントテクノロジー 基板組立て装置
JP2004211845A (ja) * 2003-01-07 2004-07-29 Sumitomo Rubber Ind Ltd ガス用シール材
JP3694691B2 (ja) 2003-01-29 2005-09-14 株式会社 日立インダストリイズ 大型基板の組立装置及び組立方法
JP2004360717A (ja) * 2003-06-02 2004-12-24 Nok Corp ガスケット
JP2005048790A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Tm T & D Kk 圧力容器
JP2005214276A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Toyota Industries Corp シール装置
KR100640557B1 (ko) 2004-06-17 2006-10-31 주식회사 에이디피엔지니어링 평판표시소자 제조장치
JP4601993B2 (ja) * 2004-05-18 2010-12-22 三菱電線工業株式会社 シール材

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001227643A (ja) * 2000-02-14 2001-08-24 Tsukishima Kikai Co Ltd 真空容器のシール構造および真空容器シール用ガスケット

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070076491A (ko) 2007-07-24
TW200731401A (en) 2007-08-16
KR100827859B1 (ko) 2008-05-07
JP2007187289A (ja) 2007-07-26
CN101005013A (zh) 2007-07-25
CN100573817C (zh) 2009-12-23
JP4936730B2 (ja) 2012-05-23

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