TW201305471A - 閘閥裝置及基板處理裝置以及基板處理方法 - Google Patents

閘閥裝置及基板處理裝置以及基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201305471A
TW201305471A TW101109126A TW101109126A TW201305471A TW 201305471 A TW201305471 A TW 201305471A TW 101109126 A TW101109126 A TW 101109126A TW 101109126 A TW101109126 A TW 101109126A TW 201305471 A TW201305471 A TW 201305471A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
vacuum chamber
substrate
vacuum
sealing member
transfer
Prior art date
Application number
TW101109126A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI544168B (zh
Inventor
Kaoru Yamamoto
Masamichi Hara
Tetsuya Miyashita
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201305471A publication Critical patent/TW201305471A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI544168B publication Critical patent/TWI544168B/zh

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K3/00—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing
    • F16K3/30—Details
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K3/00—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing
    • F16K3/02—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor
    • F16K3/0227—Packings
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K3/00—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing
    • F16K3/02—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor
    • F16K3/16—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor with special arrangements for separating the sealing faces or for pressing them together
    • F16K3/18—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor with special arrangements for separating the sealing faces or for pressing them together by movement of the closure members
    • F16K3/182—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor with special arrangements for separating the sealing faces or for pressing them together by movement of the closure members by means of toggle links
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K51/00—Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus
    • F16K51/02—Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus specially adapted for high-vacuum installations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/16—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal carbonyl compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Details Of Valves (AREA)
  • Gasket Seals (AREA)
  • Sealing Devices (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Valve Housings (AREA)
  • Sliding Valves (AREA)

Abstract

一種基板處理裝置，具備：具有溫度比常溫更高的側壁，及設於前述側壁的第1基板搬出搬入口的可減壓之熱壁真空室，及具有對前述熱壁真空室搬出搬入基板之搬送臂機構，與第2基板搬出搬入口的可減壓之轉移真空室，以及設在前述熱壁真空室與前述轉移真空室之間的閘閥裝置之基板處理裝置。前述閘閥裝置，具備：具有被設置連通孔，與對應於前述第1基板搬出搬入口的第1筐體基板搬出搬入口，以及對應於前述第2基板搬出搬入口的第2筐體基板搬出搬入口的側壁之筐體，及自由升降於前述筐體的內部之閥體，以及具有第1密封構件、與設於前述第1密封構件的外側之第2密封構件之雙重密封構造。前述連通孔，使前述第1密封構件與前述第2密封構件之間的間隙連通於前述筐體的內部空間。前述第1密封構件與前述第2密封構件，被設於前述熱壁真空室與前述轉移真空室之中，被要求保持更高真空度的一方之真空室的側壁與前述筐體的前述側壁之間。前述一方之真空室的基板搬出搬入口，被前述第1密封構件與前述第2密封構件包圍，藉由前述閥體開閉。

Description

閘閥裝置及基板處理裝置以及基板處理方法
本發明係關於設在對半導體晶圓、液晶基板、太陽電池面板用基板等基板進行製程處理之製程真空室與移轉真空室之間的閘閥裝置及具備此之基板處理裝置以及基板處理方法。
於半導體裝置之製造步驟，必須要在真空度不同的壓力氛圍的真空室之間搬送半導體晶圓等基板。這樣的基板搬送，是在進行減少各真空室的壓力差之壓力調整後，透過設在真空室的側壁之基板搬出搬入口來進行的。於此基板搬頌之前後，為了氣密地密封基板搬出搬入口，在這些真空室間設有閘閥裝置(例如參照專利文獻1)。
於專利文獻1揭示著設在進行基板的處理的製程真空室，與進行基板的搬出搬入的移轉真空室之間的閘閥裝置。在這樣的閘閥，於各真空室與閘閥裝置之間以包圍基板搬出搬入口的方式設有一個密封構件，以大氣不能進入的方式被氣密地密封。
然而，設於這樣的閘閥裝置的密封構件，例如係以氟系樹脂所構成的O形環來構成，所以被加熱的話密封機能降低而會使大氣透過。特別是在製程真空室內加熱基板進行成膜處理或退火的場合那樣之真空室側壁被加熱的熱壁真空室，其熱也會傳熱至閘閥裝置，不僅製程真空室側 的蜜蜂構件，連移轉真空室側的密封構件都會被加熱而使密封機能降低。
如此，大氣透過密封構件的話，該大氣由基板搬出搬入口進入真空室內，所以該真空室內的壓力變高，會有無法保持目標真空度的問題。在此場合，於真空室內壓力的真空度很低的場合(壓力高的場合)該壓力變動也是可以忽視的程度，例如在比10-6 Torr數量級更低的壓力，其真空度越高(壓力越低)由密封構件侵入的大氣也變多，該真空室內的壓力變動也變得無法忽視。進而在比10-7 Torr數量級更低的壓力，被加熱的O形環的溫度超過常溫的話即使在100℃之比較低的溫度也會無法保持真空室內的壓力。
然而，在專利文獻2，記載著適用於導入腐蝕性氣體的被密閉的處理容器，與可將其開閉的蓋之間的密封構造，因為僅1個密封構件會因腐蝕性氣體而變得容易劣化，所以採用以金屬面覆蓋的第1密封與其外側的橡膠製的O形環所構成的第2密封來雙重密封，藉由設置連通這些之間的間隙與處理容器內的連通孔，而減少密封構件的劣化。
然而，此專利文獻2，係適用於被密閉的1個處理容器(製程真空室)與蓋者，像是專利文獻1那樣的設於2個真空室間的閘閥裝置在構成上也有所不同，無法直接適用。假設將其適用於製程真空室，藉由製程真空室的熱而使轉移真空室側的密封構件被加熱的話，其密封機能會降 低，所以依然無法防止大氣往轉移真空室之侵入。而且，專利文獻2的第1、第2密封間所設的連通孔，只是藉由使第1、第2密封間的壓力與處理容器內同壓，而防止處理容器內的腐蝕性氣體進入第1、第2密封之間而使第1、第2密封劣化，並不是為了保持處理容器自身的壓力。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2001-324032號公報
[專利文獻2]日本特開平06-247460號公報
本發明係有鑑於這樣的問題而完成之發明，其目的在於以提供即使密封基板搬出口的密封構件被加熱，也可以在被要求保持更高的真空度的一方之真空室內大氣不會從該密封構件侵入，而可以保持該真空室內的特定的真空壓力之基板處理裝置等作為課題。
根據本發明之一側面，提供一種基板處理裝置，特徵為具備：具有溫度比常溫更高的側壁，及設於前述側壁的第1基板搬出搬入口的可減壓之熱壁真空室；具有對前述熱壁真空室搬出搬入基板之搬送臂機構，及第2基板搬出 搬入口的可減壓之轉移真空室；以及設在前述熱壁真空室與前述轉移真空室之間的閘閥裝置；前述閘閥裝置，具備：具有被設置連通孔，與對應於前述第1基板搬出搬入口的第1筐體基板搬出搬入口，以及對應於前述第2基板搬出搬入口的第2筐體基板搬出搬入口的側壁之筐體，及自由升降於前述筐體的內部之閥體，以及具有第1密封構件、與設於前述第1密封構件的外側之第2密封構件之雙重密封構造；前述連通孔，使前述第1密封構件與前述第2密封構件之間的間隙連通於前述筐體的內部空間，前述第1密封構件與前述第2密封構件，被設於前述熱壁真空室與前述轉移真空室之中，被要求保持更高真空度的一方之真空室的側壁與前述筐體的前述側壁之間，前述一方之真空室的基板搬出搬入口，被前述第1密封構件與前述第2密封構件包圍，藉由前述閥體開閉。
根據本發明之其他側面，提供一種閘閥裝置，特徵為：被設在具有溫度比常溫更高的側壁及設於前述側壁的第1基板搬出搬入口的可減壓之熱壁真空室，與具有對前述熱壁真空室搬出搬入基板之搬送臂機構及第2基板搬出搬入口的可減壓之轉移真空室之間的閘閥裝置；具備：具有被設置連通孔，與對應於前述第1基板搬出搬入口的第1筐體基板搬出搬入口，以及對應於前述第2基板搬出搬入口的第2筐體基板搬出搬入口的側壁之筐體，及自由升降於前述筐體的內部之閥體，以及具有第1密封構件、與設於前述第1密封構件的外側之第2密封構件之雙重密封構 造；前述連通孔，使前述第1密封構件與前述第2密封構件之間的間隙連通於前述筐體的內部空間，前述第1密封構件與前述第2密封構件，被設於前述熱壁真空室與前述轉移真空室之中，被要求保持更高真空度的一方之真空室的側壁與前述筐體的前述側壁之間，前述一方之真空室的基板搬出搬入口，被前述第1密封構件與前述第2密封構件包圍，藉由前述閥體開閉。
亦可藉由以前述閥體閉塞前述一方之真空室之基板搬出搬入口，而與另一方真空室之間的基板搬出搬入口維持打開的狀態下減壓前述另一方真空室，使前述密封構件間的間隙，透過前述連通孔藉由前述另一方真空室抽真空。
亦可設置被安裝於前述閥體的升降軸，及以覆蓋前述升降軸的下方的方式設置的，因應於前述升降軸的升降動作而自由伸縮地構成之伸縮管，與加熱前述伸縮管的伸縮管加熱器。
亦可進而具有被配置於不塞住前述連通孔的位置之閥體限制構件；前述閥體，由閥體本體，藉由連桿機構支撐此閥體本體，被安裝著前述升降軸的閥體支撐部所構成；前述閥體限制構件，在對向於前述一方真空室的基板搬出搬入口的位置限制前述閥體的升降動作，透過連桿機構使前述閥體本體，移動於推碰在前述一方之真空室之基板搬出搬入口的方向上。
根據本發明之其他側面，提供一種基板處理裝置，特徵為具備：複數之閘閥裝置，具有第1基板搬出搬入口， 對基板進行製程處理之複數製程真空室，具有第2基板搬出搬入口，透過前述複數閘閥裝置被連接於前述複數之製程真空室之各個，具有對前述複數之製程真空室之各個搬出搬入前述基板的搬送臂機構之可減壓的轉移真空室；前述複數製程真空室，包含具有溫度比常溫更高的側壁之可減壓的熱壁真空室，與在高真空氛圍進行前述製程處理之可減壓的高真空真空室；前述複數閘閥裝置之中，至少前述熱壁真空室與前述轉移真空室之間的閘閥裝置，具備：具有被設置連通孔，與對應於前述第1基板搬出搬入口的第1筐體基板搬出搬入口，以及對應於前述第2基板搬出搬入口的第2筐體基板搬出搬入口的側壁之筐體，自由升降於前述筐體內部的閥體，與具有第1密封構件、以及被設於前述第1密封構件的外側之第2密封構件的雙重密封構造；前述連通孔，使前述第1密封構件與第2密封構件之間的間隙連通至前述筐體的內部空間；前述第1密封構件與前述第2密封構件，被設於前述轉移真空室的側壁與前述筐體的前述側壁之間，前述轉移真空室的第2基板搬出搬入口，被前述第1密封構件與前述第2密封構件包圍，藉由前述閥體開閉。
根據本發明之其他側面，提供一種基板處理裝置，特徵為具備：複數之閘閥裝置，具有第1基板搬出搬入口，對基板進行製程處理之複數製程真空室，具有第2基板搬出搬入口，透過前述複數閘閥裝置被連接於前述複數之製程真空室之各個，具有對前述複數之製程真空室之各個搬 出搬入前述基板的搬送臂機構之可減壓的轉移真空室；前述複數製程真空室之各個，具有溫度比常溫更高的側壁，係在高真空氛圍進行前述製程處理之可減壓的熱壁真空室；前述複數閘閥裝置之各個，具備：具有被設置連通孔，與對應於前述第1基板搬出搬入口的第1筐體基板搬出搬入口，以及對應於前述第2基板搬出搬入口的第2筐體基板搬出搬入口的側壁之筐體，自由升降於前述筐體內部的閥體，與具有第1密封構件、以及被設於前述第1密封構件的外側之第2密封構件的雙重密封構造；前述連通孔，使前述第1密封構件與第2密封構件之間的間隙連通至前述筐體的內部空間；前述第1密封構件與前述第2密封構件，被設於前述熱壁真空室與前述轉移真空室之中，被要求保持更高的真空度的一方的真空室的側壁與前述筐體的前述側壁之間，前述一方的真空室的基板搬出搬入口，被前述第1密封構件與前述第2密封構件包圍，藉由前述閥體開閉。
根據本發明之一實施型態，即使密封基板搬出口的密封構件被加熱，在被要求保持更高真空度的一方之真空室內也可以使大氣不侵入，藉此可以保持該真空室內的真空壓力。
根據本發明之一實施例的話，在減壓想要保持高的真空度的真空室時，以閥體閉塞該真空室側的基板搬出搬入 口。此時，另一方的真空室側之基板搬出搬入口保持被開放的狀態連通至閘閥裝置。因此，例如第1、第2密封構件藉由來自熱壁真空室的熱而被加熱使密封機能降低而透過大氣，該大氣也由連通孔進入閘閥裝置內，由基板搬出搬入口流往另一方之真空室，而可以藉由該真空室進行排氣。藉此，可以使透過外側的第2密封構件進入的大氣不會進入想要保持高的真空度的一方之真空室側，防止該真空室的壓力變高，而可以保持特定的真空壓力。
如此，藉由另一方的真空室抽真空第1、第2密封構件間的間隙，即使大氣透過例如外側的第2密封構件，也可以有效防止其透過第1密封構件而進入想要保持高真空度的真空室內。
根據本發明之一實施例的話，例如即使在熱壁真空室為了處理基板而供給的處理氣體由該真空室的基板搬出搬入口進入閘閥裝置內，也可以防止附著於伸縮管的表面。藉此，可以防止微粒的產生。
據此，藉由閥體限制構件不會塞住連通孔，所以可以有效率地由那樣的連通孔把大氣排氣至製程真空室側。
根據本發明之一實施例的話，在減壓想要保持高的真空度的轉移真空室時，以閥體閉塞該轉移真空室側的基板搬出搬入口。此時，熱壁真空室側之基板搬出搬入口保持被開放的狀態連通至閘閥裝置。因此，例如第1、第2密封構件藉由來自熱壁真空室的熱而被加熱使密封機能降低而透過大氣，該大氣也由連通孔進入閘閥裝置內，由基板 搬出搬入口流往熱壁真空室，而可以藉由該真空室進行排氣。藉此，可以使透過外側的第2密封構件進入的大氣不會進入想要保持高的真空度的轉移真空室側，防止轉移真空室的壓力變高，而可以保持特定的真空壓力。
根據本發明之一實施例的話，在轉移真空室被連接著高真空熱壁真空室的場合，針對設於其間的閘閥裝置，藉由如前所述地構成，在減壓想要保持高的真空度的真空室時，以閥體閉塞該真空室側的基板搬出搬入口。此時，另一方的真空室側之基板搬出搬入口保持被開放的狀態連通至閘閥裝置。因此，例如第1、第2密封構件藉由來自高真空熱壁真空室的熱而被加熱使密封機能降低而透過大氣，該大氣也由連通孔進入閘閥裝置內，由基板搬出搬入口流往另一方之真空室，而可以藉由該真空室進行排氣。藉此，可以使透過外側的第2密封構件進入的大氣不會進入想要保持高的真空度的一方之真空室側，防止該真空室的壓力變高，而可以保持特定的真空壓力。
以下，參照附圖詳細說明本發明之適切的實施型態。又，於本說明書及圖式，針對實質上具有相同功能構成的構成要素，藉由賦予相同的符號而省略重複說明。又，本說明書中，1Torr為(101325/760)Pa。
(基板處理裝置的構成例)
首先，參照圖式同時說明可以適用相關於本發明的實施型態之閘閥裝置的基板處理裝置的構成例。圖1係顯示相關於實施型態之基板處理裝置的概略構成之剖面圖。圖1所示的基板處理裝置100，具備使對晶圓W進行特定的製程處理(例如成膜處理，退火處理等)之複數(例如4個)製程真空室200A~200D在轉移真空室(共通搬送室)300的周圍中介著閘閥400A~400D連接而成的製程模組(真空處理單元110)，與對此製程模組110裝載或者卸載晶圓W的裝載模組(搬送單元)120。又，製程真空室的數目，不限於圖1所示的場合。
各製程真空室200A~200D與轉移真空室300係以使其內部可以減壓至特定的真空壓力的方式被構成的，裝載模組120藉由大氣壓氛圍之裝載真空室130來構成。
閘閥400A~400D，係進行開閉被形成於轉移真空室300的側壁之基板搬出搬入口(在圖1省略圖示)，與被形成在各製程真空室200A~200D的側壁之基板搬出搬入口(在圖1省略圖示)之間者。閘閥400A~400D與各真空室200A~200D、300之側壁之間以在減壓時大氣不會由各基板搬出搬入口侵入的方式以O形環等密封構件(在圖1省略圖示)氣密地被密封。針對這些基板搬出搬入口及其密封構造將在稍後敘述。
於轉移真空室300，進行真空氛圍的製程模組110與大氣氛圍的裝載模組120之間的壓力調整的2個裝載卸載真空室140分別中藉著閘閥142而連接。各裝載卸載真空 室140，分別特過閘閥144被連接於裝載真空室130。
於轉移真空室300內，設有搬送晶圓W的轉移臂機構304。轉移臂機構304具備自由旋轉與伸縮之2個轉移臂306，能夠以交換以處理晶圓W與處理前晶圓W的方式進行搬出搬入。藉由這樣的轉移臂機構304，對各奘載卸載真空室140以及製程真空室200A~200D搬出搬入晶圓W。
於裝載真空室130，設有設置收容複數(例如25枚)晶圓W的卡匣容器122A~122C的複數卡匣台124A~124C，與作為晶圓W的定位裝置之定向器(預對準台座)126。
於裝載真空室130內，設有搬送晶圓W的裝載臂機構132。裝載臂機構132具備自由旋轉與伸縮之2個裝載臂134，能夠以交換以處理晶圓W與處理前晶圓W的方式進行搬出搬入。此外，裝載臂機構132，以可以水平移動於裝載真空室130內的方式構成。如此般，藉由裝載臂機構132，在與各卡匣容器122A~122C之間搬入搬出晶圓W，同時在定向器126及各載入載出真空室140之間搬入搬出晶圓W。
於基板處理裝置100，被連接著控制部(全體控制裝置)150，藉由此控制部150控制各製程真空室200A~200D，轉移真空室300、各載入載出真空室140、裝載真空室130、各閘閥400A~400D，142，144等。
進而，於控制部150，被連接著記憶著以控制部150 的控制實現在基板處理裝置100被執行的各種處理(對晶圓W之成膜處理等製程處理、晶圓W的搬送控制等)之用的程式或者執行程式所必要的處理條件(配方等)之未圖示的記憶部。
這些程式或處理條件亦可被記憶於硬碟或半導體記憶體，亦可以被收容於CD-ROM、DVD等可攜性的可以藉由電腦讀取的記憶媒體的狀態下設置於記憶部的特定位置。控制部150，藉由從前述記憶部讀出處理條件控制各部，而在基板處理裝置100執行所要的處理。
如此般，於基板處理裝置100，進行晶圓W的製程處理時，藉由裝載臂機構132遊卡匣容器122A~122C之某一搬出晶圓W而搬送至定向器126。接著，在定向器126被定位的晶圓，由定向器126搬出而往一方之載入載出真空室140搬入。此時，於該載入載出真空室140若有完成了必要的所有的處理之處理結束的晶圓W的話，搬出該處理結束的晶圓W之後，搬入未處理晶圓W。
往載入載出真空室140搬入晶圓W，藉由轉移臂機構304由載入載出真空室140搬出，搬入製程真空室200A~200D之中，處理該晶圓W的真空室而執行特定的製程處理。接著，在該製程真空室的處理結束了的已處理晶圓W藉由轉移臂機構304搬出。此時，該晶圓W還有接著在其他製程真空室進行處理的必要時，將晶圓W搬入進行次一處理的製程真空室，執行次一製程處理。
接著，結束了必要的所有製程處理的已處理晶圓W， 回到另一方之載入載出真空室140。回到載入載出真空室140的已處理晶圓W，藉由裝載臂機構132回到原來的卡匣容器122A~122C。
於這樣的基板處理裝置100，閘閥400A~400D關閉，在製程真空室200A~200D之某一與轉移真空室300之間進行晶圓W的搬出搬入的場合，僅該製程真空室的閘閥打開。
打開閘閥400A~400D之某一的場合，為了防止微粒的升起，必須使各製程真空室200A~200D與轉移真空室300之間不產生大的壓力差。因此，在打開閘閥400A~400D之前，轉移真空室300內的真空壓力要調整成為與搬出搬入晶圓W的製程真空室的真空壓力幾乎相等。例如，製程真空室200A係在高真空下進行晶圓W的處理之高真空真空室的場合，在與該製程真空室200A進行基板W的搬出搬入的場合，轉移真空室300也有必要保持高真空。
然而，製程真空室200B~200D之至少一個，是真空室側壁比常溫(約25℃)更高的熱壁真空室的場合，該熱會傳遞至閘閥400B~400D，所以連密封基板搬出搬入口的密封構件都會被加熱。此密封構件係以氟系橡膠等之O形環構成的，所以會有密封效果降低而有大氣透過之虞。
此時，由於密封構造或閘閥的構成而使透過密封構件的大氣由基板搬出搬入口侵入，轉移真空室300內的真空 壓力或製程真空室200A~200D的真空壓力會上升，而會發生無法保持特定的真空壓力之不良情形產生之虞。
(包含熱壁真空室之真空室構成例)
針對如前所述製程真空室200B~200D之至少有一為熱壁真空室的場合產生的不良情形，舉具體的真空室構成例同時更為詳細地說明。在此，於圖1所示的基板處理裝置100之製程真空室，舉出混合真空室側壁比常溫(約25℃)更高的熱壁真空室，與真空室側壁為常溫或者更低的溫度之冷壁真空室的場合之真空室構成例。
圖2係供說明包含熱壁真空室的構成例，係把圖1所示的製程真空室200A作為在高真空的壓力氛圍下進行晶圓W的處理之冷壁真空室，把製程真空室200B作為在比製程真空室200A更低的真空度之壓力氛圍下進行晶圓處理之熱壁真空室的場合。
圖2所示的製程真空室200A，係被構成為進行要求高真空度例如1×10-9~1×10-7 Torr程度的到達壓力之物理氣相成長法(PVD：Physical Vapor Deposition)處理的高真空PVD真空室。作為這樣的PVD處理例如可以舉出將鈦膜、銅膜等形成於晶圓W上之成膜處理。
圖2所示的製程真空室200B，係被構成為進行要求比其更低的真空度例如1×10-6~1×10-3 Torr程度的到達壓力之化學氣相成長法(CVD：Chemical Vapor Deposition)處理的高真空CVD真空室。作為這樣的CVD處理例如 可以舉出將Ru、Hf等形成於晶圓W上之成膜處理。
參照圖2同時說明這樣的製程真空室200A、200B之氣體導入系及排氣系的配管構成。如圖2所示於製程真空室200A、200B分別設有往各真空室200A、200B內導入成膜氣體等處理氣體以外，還包括例如氬氣、氖氣、氦氣、氮氣、氫氣、CO氣體等因應於晶圓W的製程處理而能夠導入必要的氣體之氣體導入系210A、210B以及排氣各真空室200A、200B內之用的排氣系220A、220B。
氣體導入系210A、210B，係分別把例如氣體供給源212A、212B透過質量流量控制器214A、214B與氣體導入閥216A、216B連接於製程真空室200A、200B而構成的。作為由氣體供給源212A往製程真空室200A導入的氣體，在形成鈦膜的場合可以舉出TiCl4氣體、Ar氣體等。
作為由氣體供給源212B往製程真空室200B導入的氣體，在形成Ru膜的場合可以舉出把在常溫下為固體的Ru錯體(例如Ru3(CO)12：ruthenium carbonium)加熱氣化之氣體，將此氣化時使用的承載氣體(例如CO氣體)、稀釋氣體(例如氬氣、氮氣)等。又，氣體導入系210A、210B，不限於圖2所示的構成。
排氣系220A、220B，係分別把例如真空泵222A、222B透過壓力調整閥224A、224B連接於製程真空室200A、200B而構成的。真空泵222A、222B例如以渦輪分子泵等之主泵與被連接於此主泵的排氣側之乾泵等輔助 泵來構成。例如進行藉由輔助泵使真空室200A、200B內排氣至一定真空度的粗排氣，再進行藉由主泵使真空室200A、200B內排氣至更高的真空度之正式排氣。
又，壓力調整閥224A、224B亦可以APC(Auto Pressure Controller，自動壓力調整器)閥構成。據此，對製程真空室200A、200B的內部由氣體導入系210A、210B導入特定的氣體時，以其內部壓力維持於目標的水準的方式，自動改變閥瓣的開度而調整排氣傳導率。
此外，針對被要求高真空度的壓力之製程真空室200A的真空泵222A也可以組入冷凍泵(cryo pump)。藉由使冷凍泵(cryo pump)與主泵及輔助泵一起動作，可以把真空室200A內調整為更高的真空度。
圖2所示之轉移真空室300，被連接於要求高真空度的PVD真空室之製程真空室200A，所以在與其之間搬出搬入晶圓W時，被要求配合製程真空室200A的壓力而維持於高真空度的壓力。
以下說明相關於這樣的轉移真空室300的氣體導入系及排氣系之配管構成。設有往真空室300內導入洗滌氣體等特定氣體之氣體導入系310，排出真空室300內之用的排氣系320。
氣體導入系310係將例如氣體供給源312透過質量流量控制器314與氣體導入閥316連接於轉移真空室300而構成。作為由氣體供給源312往轉移真空室300導入的氣體之例，可以舉出作為洗滌氣體或壓力調整氣體使用的氬 氣、氖氣、氦氣、氮氣等惰性氣體。又，氣體導入系310，不限於圖2所示的構成。
排氣系320係例如將真空泵322透過壓力調整閥324連接於轉移真空室300而構成。真空泵322例如以渦輪分子泵等之主泵與被連接於此主泵的排氣側之乾泵等輔助泵來構成。例如進行藉由輔助泵使轉移真空室300內排氣至一定真空度的粗排氣，再進行藉由主泵使轉移真空室300內排氣至更高的真空度之正式排氣。據此，轉移真空室300內的壓力，也可以減壓至例如1×10-9~1×10-6 Torr程度之高的真空壓力。
又，針對如此般被要求高真空度的壓力之轉移真空室300的真空泵222A也與前述製程真空室200A的場合同樣，可以組入冷凍泵(cryo pump)。藉由使冷凍泵(cryo pump)與主泵及輔助泵一起動作，可以把真空室200A內調整為更高的真空度。
以這樣的製程真空室200A例如根據PVD進行鈦膜成膜處理或銅膜成膜處理的場合，使真空室內成為例如1×10-8 Torr之高真空氛圍，加熱晶圓W同時供給成膜氣體而形成PVD-Ti膜或PVD-Cu膜。此外，以製程真空室200B例如根據CVD進行Ru膜成膜處理的場合，使真空室內成為例如1×10-6 Torr之高真空氛圍，加熱晶圓W同時供給成膜氣體而形成CVD-Ru膜。
如此般製程真空室200A、200B都是加熱晶圓而進行處理的，二者之真空室側壁都被加熱。然而，在製程真空 室200A，使用在常溫下不是固體的成膜原料，所以藉由使真空室壁冷卻至20℃程度可以作為冷壁真空室。
相對於此，在製程真空室200B，是把常溫下為固體的成膜原料(Ru3(CO)12)氣化而使用，所以冷卻真空室壁的話，成膜原料有凝固而附著於其內側之虞，所以不能夠冷卻真空室側壁。因此，例如真空室側壁被加熱至80℃以上的溫度成為熱壁真空室。
此處，舉出比較例同時說明被連接於這些製程真空室200A、200B的閘閥400A、400B及其密封構造。圖3、圖4係顯示相關於比較例之閘閥裝置GV0的概略構成之剖面圖。圖3係把相關於比較例的閘閥裝置GV0適用於冷壁真空室的閘閥400A的場合，圖4係把相關於比較例的閘閥裝置GV0適用於熱壁真空室的閘閥400B的場合。
相關於比較例的閘閥裝置GV0例如圖3所示地構成。亦即，圖3所示的閘閥裝置GV0具備以鋁等金屬構成的約略箱狀的筐體(外殼)402，一方的側壁被連接於製程真空室200A的側壁，另一方側壁被連接於轉移真空室300的側壁。於筐體402的側壁，被形成與形成在製程真空室200A的側壁與轉移真空室300的側壁的基板搬出搬入口203、303幾乎相同形狀的基板搬出搬入口404、406。
於閘閥裝置GV0，在轉移真空室300與筐體402之間以包圍基板搬出搬入口303、406的方式設有O形環等密封構件330，以閥體410開閉製程真空室200A之一方的 基板搬出搬入口203、404。又，在製程真空室200A與筐體402之間也以包圍基板搬出搬入口203、404的方式設有O形環等密封構件230。
閥體410，係以基板搬出搬入口404的周緣的側面為閥座，而以自由接離(自由開閉)同時自由升降的方式被構成。藉此，關閉基板搬出搬入口404時，可以把閥體410按壓於基板搬出搬入口404的周緣的側面，同時閉塞基板搬出搬入口404進行密封。又，在基板搬出搬入口404的周緣的側面與閥體之間中介著O形環等密封構件亦可。
閥體410被安裝於自由升降的升降軸420的前端，升降軸420的基端側通過往筐體402的下方突出而設置的升降導引框430內，被連接於下方的閥體驅動部432。
閥體驅動部432，係以升降驅動及開閉驅動(對基板搬出搬入口404之接離驅動)閥體410的方式構成。例如在閉塞基板搬出搬入口404的場合，係以空出不使閥體410接觸於筐體402的側壁內側的程度之間隙而上升至基板搬出搬入口404的對向位置之後，移動往閉塞基板搬出搬入口404的方向的方式來驅動。對此，打開基板搬出搬入口404的場合，使閥體410往離開基板搬出搬入口404的方向移動至空出不與筐體402的側壁內側接觸的程度之間隙之後，下降至不會妨礙通過基板搬出搬入口404進行的晶圓W的搬出搬入動作之下方的等待位置。
此處的閥體驅動部432，能夠以例如升降驅動升降軸 420的汽缸，與以閥體410進行前述的升降驅動及開閉動作的方式導引升降軸的凸輪機構來構成。這個場合，例如於升降軸420設突起，以閥體410進行前述之升降驅動及開閉驅動的方式來形成導引該突起的凸輪孔的形狀。又，閥體驅動部432的構成並不以此為限。
如此般閥體驅動部432會成為微粒產生的污染源，所以有必要與要求清淨度的筐體402的內部空間隔離。因此，於升降導引框430內以覆蓋升降軸420的方式配置伸縮管440。伸縮管440例如以不銹鋼等具有耐蝕性的氣密的蛇腹狀構件來構成。
伸縮管440被構成為因應於升降動作而自由伸縮。此處之伸縮管440其上端被安裝於被形成在筐體402的底部的孔緣，下端被安裝於升降軸420的下方。藉此，伸縮管440的內部空間與筐體402的內部空間連通，與伸縮管440的外側空間隔離。
根據這樣的閘閥裝置GV0，如圖3所示以閥體410關閉製程真空室200A之一方的基板搬出搬入口404，在開放轉移真空室300的一方的基板搬出搬入口406的狀態下使轉移真空室300減壓至高的真空壓力(例如1×10-8 Torr)而保持。在該狀態，藉由使閥體410由基板搬出搬入口404離開而下降至退避位置而打開基板搬出搬入口404。藉此，可以在轉移真空室300與製程真空室200A之間進行晶圓W的搬出搬入。
於被連接在製程真空室200A那樣的冷壁真空室的閘 閥400A，不會因為來自製程真空室200A的熱而使O形環的密封效果降低，所以適用圖3所示的閘閥裝置GV0而在開放轉移真空室300的一方的基板搬出搬入口406的狀態下減壓，也不會使轉移真空室300的壓力改變，可以保持高的真空度。
對此，如果如圖4所示，針對被連接於製程真空室200B那樣的熱壁真空室的閘閥400B，也適用圖3所示的閘閥裝置GV0，而在開放轉移真空室300的一方之基板搬出搬入口406的狀態下減壓的話，會有無法保持轉移真空室300的真空壓力之虞。
亦即，在製程真空室200B那樣的熱壁真空室其側壁變成比常溫更高的溫度(例如80℃以上)，所以其熱會傳達到閘閥400B，不僅製程真空室200B側的密封構件230，連轉移真空室300的密封構件330都會被加熱。
這樣的密封構件230、330，藉由氟系橡膠(FKM，FPM，FFKM，FEPM等)或者氟系樹脂(FEP，PFA等)構成，所以藉由該被加熱的密封構件230、330的溫度使這些的密封效果降低而使大氣透過。
例如密封構件330被加熱而大氣透過的話，如圖4所示透過密封構件330的大氣侵入基板搬出搬入口406、303而進入至轉移真空室300內，藉此使轉移真空室300內的壓力上升，所以有無法保持高真空度之虞。
如此，於被連接在熱壁真空室的閘閥400B，作為該轉移真空室300側的密封構造僅設置1個密封構件330是 無法確實大氣往轉移真空室300侵入。進而以包圍該密封構件330的外側的方式再設置1個同樣的密封構件使成為雙重密封構造，也因為這些密封構件雙方都被加熱，會使雙方的密封機能降低。亦即，僅僅使其成為雙重密封構造，也無法確實防止大氣往轉移真空室300侵入，壓力上升也不可避免。
在此場合，轉移真空室300所要求的目標壓力的真空度很高的話，即使被加熱的密封構件的溫度在100℃以下之比較低的溫度，只要被加熱到比常溫高的溫度，該目標壓力的真空度越高(壓力越低)，由密封構件侵入的大氣的量也變多，而變得無法保持轉移真空室300內的壓力。
此處，參照圖式同時說明作為這樣的密封構件採用的O形環的溫度與藉其被密封的真空室內的壓力之關係。圖5係圖示氟系橡膠(FKM)所構成的O形環的溫度與該溫度下可以保持的真空室內壓力。這顯示O形環在相同溫度下，若是比此圖還高的壓力的話就可以保持，但是比其還低的壓力就無法保持。
例如O形環的溫度為約80℃的場合，該情形下可以保持的真空室內壓力約為1×10-7 Torr。亦即，可知在此場合若為約1×10-7Torr以上的真空室內壓力的話就可以保持，相對於此，比其更低的溫度就無法保持。
圖5之圖線往右升高，所以可知O形環的溫度越高，大氣的透過量也變多，而此時可以保持的真空室內壓力也變高。此外，由真空室內壓力來看圖5的話，在1×10-8 ~1×10-7 Torr之比較高真空度的壓力範圍，即使100℃以下之比較低的溫度也變成無法保持。又，圖5所示之圖線會隨O形環的材質而改變，是否可以保持真空室內的壓力，不只要看其目標壓力而已，也應該包含O形環的材質一起判斷。
根據圖5所示之圖來考察的話，O形環的溫度超過常溫(約25℃)的話，即使在100℃以下之比較低的溫度，也會無法保持1×10-8~1×10-7Torr以下的高的真空度之壓力，相對於此，若是例如1×10-6 Torr以上的壓力的話則可以保持。
圖4所示的製程真空室200B(熱壁真空室)的側壁溫度成為80℃程度，其壓力若是1×10-6 Torr以上的低真空度的話，即使密封構件230被加熱而大氣透過其量也很少，製程真空室200B的壓力不會上升，可以保持目標的真空壓力。
對此，轉移真空室300的壓力若是在1×10-7 Torr以下的高真空度而且要保持的話，即使製程真空室200B(熱壁真空室)的側壁溫度為80℃程度，若密封構件230被加熱而大氣透過的話，轉移真空室300的壓力會上升，而無法保持目標的真空壓力。
又，大氣含有氧，所以氧伴隨著大氣進入轉移真空室300內的話，轉移真空室300的真空度越高氧的分壓也變高。因此，於轉移真空室300內存在著例如形成Ru等金屬膜之前的晶圓W的話，會有其下底膜被氧化，而對金 屬膜的密接性造成影響之虞。對此，製程真空室200B的真空度低的話，即使大氣進入其量也很少，氧分壓也低，所以不會特別造成問題。
在此，在本實施型態，針對被連接於轉移真空室與熱壁真空室之間的閘閥裝置，對於這些真空室之中，針對要保持更高真空壓力的真空室側的密封構造下功夫，同時採用在該真空室大氣不會進入的構成，可以保持該真空室的真空壓力。
(閘閥裝置的構成例)
以下，參照附圖更詳細地說明相關於這樣的本實施型態之閘閥裝置GV1的構成例。圖6係顯示相關於這樣的本實施型態之閘閥裝置GV1的概略構成之剖面圖，將此閘閥裝置GV1適用於圖2所示的熱壁真空室側的閘閥400B者。圖7為閘閥裝置GV1之作用說明圖。
如圖6所示的閘閥裝置GV1，在要保持比製程真空室200B(熱壁真空室)的壓力(例如10-6 Torr等級)更高的真空度的壓力(例如10-8 Torr等級)之轉移真空室300的側壁與閘閥裝置GV1的筐體402之側壁之間以包圍基板搬出搬入口303、406的方式設置內側之第1密封構件330A，同時以包為此的方式設置外側的第2密封構件330B而成為雙重密封構造。
進而，在閘閥裝置GV1的筐體402的側壁，設置使這些第1、第2密封構件330A、330B之間隙與閘閥裝置 GV1的內部空間連通之連通孔408，藉由閥體410而開閉轉移真空室300側的基板搬出搬入口303、406的方式構成，製程真空室200B側的基板搬出搬入口203、404為開放狀態。這些第1、第2密封構件330A、330B，例如以氟系橡膠(FKM，FPM，FFKM，FEPM等)或氟系樹脂(FEP，PFA等)所構成的O形環來構成。
又，在此製程真空室200B的壓力比轉移真空室300更高，所以在此場合之製程真空室200B側的密封構造，即使被加熱會透過的大氣也不多，壓力上升等的影響也少。因此，製程真空室200B側如圖6所示只要1個密封構件230就已足夠，採用雙重密封構造亦可。針對此密封構件230也以與前述第1、第2密封構件330A、330B同樣的材質來構成。
根據相關於這樣的本實施型態的閘閥裝置GV1的話，在減壓轉移真空室300時，以閥體410閉塞轉移真空室300側之基板搬出搬入口303、406。此時，製程真空室200B側的基板搬出搬入口203、404被開放，所以閘閥裝置GV1內透過基板搬出搬入口203、404僅與製程真空室200B內連通。
因此，驅動製程真空室200B的排氣系220的話，例如第1、第2密封構件330A、330B被加熱使密封機能降低而透過大氣，如圖7所示地該大氣也由連通孔408進入閘閥裝置GV1內，由基板搬出搬入口203、404流往製程真空室200B，而可以藉由製程真空室200B的排氣系220 進行排氣。
這樣，使內側的第1密封構件330A與外側的第2密封構件330B之間隙，透過連通孔408藉由製程真空室200B的排氣系220積極地抽真空，即便外側的第2密封構件330B透過大氣，也不會透過第1密封構件330A。藉此，在想要保持高真空度的轉移真空室300內可以使大氣不進入。
又，此時閘閥裝置GV1內的壓力與製程真空室200B內的壓力同等，亦即成為比轉移真空室300的壓力(例如10-8 Torr等級)更高的壓力(例如10-6 Torr等級)。因此，即使大氣往製程真空室200B的方向流入，其量也很少對於製程真空室200B的影響很少。
如此，根據本實施型態，即使藉由來自製程真空室200B(熱壁真空室)的熱使第1、第2密封構件330A、330B被加熱，透過外側的第2密封構件330B進入的大氣也可以使其不會進入轉移真空室300側，所以可避免因此導致轉移真空室300的壓力上升，可以保持高的真空度的壓力。
此處，進行確認針對相關於本實施型態之閘閥裝置GV1連接於製程真空室200B(熱壁真空室)的場合(圖6)之效果的實驗的結果，與連接相關於比較例的閘閥裝置GV0的場合比較同時進行說明。
圖8係顯示該實驗結果之圖，顯示製程真空室200B的側壁溫度與轉移真空室300內的壓力的關係。在此實驗 ，以轉移真空室300內的壓力之特定的真空壓力(5.0×10-8 Torr)為目標壓力予以保持的方式減壓時，改變製程真空室200B的側壁溫度而檢測轉移真空室300內的實際壓力繪圖而成。
於圖8，橫軸為製程真空室200B的側壁溫度，縱軸為轉移真空室300內的壓力。於圖8，白色四角形之圖為使用比較例的閘閥裝置GV0(圖4)的場合之實驗結果，白圓形之圖為使用相關於本實施型態的閘閥裝置GV1(圖6)的場合之實驗結果。
根據圖8的話，觀察以白色四角形所示之圖時，可知在比較例的場合(圖4)製程真空室200B的側壁溫度變得越高，轉移真空室300內的實際壓力會上升而無法保持目標壓力。
相對於此，觀察以白色圓形所示之圖時，可知在本實施型態的場合(圖6)即使製程真空室200B的側壁溫度變高，轉移真空室300內的實際壓力也不會改變，可以保持目標壓力。
如此，根據相關於本實施型態之閘閥裝置GV1的話，由實驗結果也可以確認可防止轉移真空室300的壓力變高，可以保持特定的真空壓力的效果。
又，在前述之本實施型態，作為要把轉移真空室300側的真空度保持得很高的場合，如圖2所示舉出在轉移真空室300連接熱壁真空室(製程真空室200B)，與必須要真空度比其還高的真空室(製程真空室200A)的場合 為例，但是不以此為限。熱壁真空室自身為必須要高真空度的製程真空室亦可。在此場合，也可以在想要把轉移真空室300側的真空度保持很高的場合，適用圖6所示的閘閥裝置GV1。
此外，熱壁真空室的真空度要保持得比轉移真空室300的真空度更高的場合(或者要保持熱壁真空室側的清淨度的場合)，如後述之變形例所示對熱壁真空室側的密封構造下功夫，同時以在該真空室不使大氣進入的方式構成，而保持該真空室的真空壓力亦可。
(閘閥裝置的變形例)
此處，參照圖式同時說明相關於本實施型態的閘閥裝置的變形例。圖9係顯示相關於變形例之閘閥裝置GV2的概略構成之剖面圖，圖10為其作用說明圖。在此，舉出製程真空室200B(熱壁真空室)的真空度比轉移真空室的真空度更高，而要保持該製程真空室200B側的壓力的場合為例。此處製程真空室200B係以例如10-7 Torr等級以下的高真空度下進行CVD處理之高真空CVD真空室來構成。
圖9所示的閘閥裝置GV2，在與圖6的場合相反側亦即製程真空室200B(熱壁真空室)的側壁與閘閥裝置GV2的筐體402之側壁之間以包圍基板搬出搬入口203、404的方式設置內側之第1密封構件230A，同時以包為此的方式設置外側的第2密封構件230B而成為雙重密封 構造。
進而，在閘閥裝置GV2的筐體402的側壁，設置使這些第1、第2密封構件230A、230B之間隙與閘閥裝置GV2的內部空間連通之連通孔408，藉由與圖6的場合相反側亦即閥體410來開閉製程真空室200B側的基板搬出搬入口203、404的方式構成，轉移真空室300側的基板搬出搬入口303、406為開放狀態。這些第1、第2密封構件230A、230B，以圖6所示的第1、第2密封構件330A、330B相同的材料構成。
又，在此轉移真空室300的壓力比製程真空室200B更高，所以在此場合之轉移真空室300側的密封構造，即使被加熱會透過的大氣也不多，壓力上升等的影響也少。因此，轉移真空室300側如圖9所示只要1個密封構件330就已足夠，採用雙重密封構造亦可。針對此密封構件330也以與前述第1、第2密封構件230A、230B同樣的材質來構成。
根據相關於這樣的本實施型態的變形例之閘閥裝置GV2的話，在減壓轉移真空室300時，以閥體410閉塞製程真空室200B側之基板搬出搬入口203、404。此時，轉移真空室300側的基板搬出搬入口303、406被開放，所以閘閥裝置GV2內透過基板搬出搬入口303、406僅與轉移真空室300內連通。
因此，驅動轉移真空室300的排氣系320的話，例如第1、第2密封構件230A、230B被加熱使密封機能降低 而透過大氣，如圖10所示地該大氣也由連通孔408進入閘閥裝置GV2內，由基板搬出搬入口303、406流往轉移真空室300，而可以藉由轉移真空室300的排氣系320進行排氣。
這樣，使內側的第1密封構件230A與外側的第2密封構件230B之間隙，透過連通孔408藉由轉移真空室300的排氣系320積極地抽真空，即便外側的第2密封構件230B透過大氣，也不會透過第1密封構件230A。藉此，在想要保持高真空度的製程真空室200B內可以使大氣不進入。
(閘閥裝置的其他構成例)
其次，參照圖式同時說明相關於本實施型態的閘閥裝置的其他構成例。在此，針對使用於想使轉移真空室300側的壓力保持於比製程真空室200B更高的真空度的場合之閘閥裝置GV1，舉出替代以進行閥體410的升降動作及開閉動作的方式構成閥體驅動部432，而以僅進行升降動作的方式構成閥體驅動器432，使閥體410藉由曲柄機構按壓於基板搬出搬入口406進行開閉動作的方式構成的場合為例。圖11係顯示閘閥裝置GV1的其他構成例之剖面圖。圖12為與圖11所示之轉移真空室300之閘閥裝置GV1之連接面的正面圖。
圖11所示的閘閥裝置GV1具備例如以鋁等金屬構成的約略箱狀的筐體402，一方的側壁被連接於製程真空室 200B，另一方側壁與轉移真空室300連接。於筐體402，在製程真空室200B的側壁與轉移真空室300側的側壁，分別為了通過進行搬出搬入的晶圓W，在對向於基板搬出搬入口203、303的位置設有與該基板搬出搬入口203、303幾乎同形狀的基板搬出搬入口404、406。
接著，各真空室200B，300與閘閥裝置GV1之間的密封構造與圖6的場合同樣。亦即，在此是想要把轉移真空室300的真空度保持得比製程真空室200B更高的場合，所以相對於在製程真空室200B與閘閥裝置GV1之間設有1個密封構件230，在轉移真空室300與閘閥裝置GV1之間設置第1、第2密封構件330A、330B採雙重密封構造。這些各密封構件330A、330B、230的構成，分別與圖6所示者相同。
接著，於筐體402的轉移真空室300側的側壁設置連通第1、第2密封構件330A、330B間之間隙與筐體402的內部空間之複數連通孔408。
此處之連通孔408例如配置於圖12所示的位置。亦即在圖12，分別把4個圓形的連通孔408在第1、第2密封構件330A、330B之間配置於上下左右。又，連通孔408的形狀不限於圖12所示者，亦可為狹縫或是長孔。此外，連通孔408的數目也不限於圖12所示者，亦可為5個以上或是3個以下。
圖11所示的閘閥裝置GV1，藉由使閥體410升降、進退而開閉轉移真空室300側之基板搬出搬入口303、 406。關閉基板搬出搬入口406時按壓基板搬出搬入口406同時進行閉塞。具體而言，把閥體410按壓於基板搬出搬入口406的周圍的壁面，同時閉塞基板搬出搬入口406進行密封。
此處的閥體410，於閥體支撐部412藉由連桿機構414在開閉基板搬出搬入口406的方向上自由進退地被支撐。於閥體支撐部412設有使閥體410往離開基板搬出搬入口406的方向彈推的彈推構件(例如彈簧)416。
閥體支撐部412，在藉由閥體驅動部432支撐閥體410的狀態下自由升降地構成。具體而言，閥體支撐部412被安裝於自由升降的升降軸420的前端，升降軸420的基端側通過往筐體402的下方突出而設置的升降導引框430內，被連接於下方的閥體驅動部432。閥體驅動部432，藉由例如空壓汽缸等致動器構成升降軸420，成為可以升降升降軸420。
如此般閥體驅動部432會成為微粒產生的污染源，所以有必要與要求清淨度的筐體402的內部空間隔離。因此，於升降導引框430內以覆蓋升降軸420的方式配置伸縮管440。又，伸縮管440與圖6的場合同樣例如以不銹鋼等具有耐蝕性的氣密的蛇腹狀構件來構成。
伸縮管440被構成為因應於升降動作而自由伸縮。此處之伸縮管440與圖6的場合不同，其上端被安裝於升降軸420，下端被安裝於發體驅動部432。藉此，伸縮管440的外部空間與筐體402的內部空間連通，與伸縮管 440的內部空間隔離。
於筐體402內，在該轉移真空室300側的側壁的上方，設有限制閥體410的上升動作而導引至基板搬出搬入口406側之用的閥體限制構件418。又，閥體限制構件418，以不塞住連通孔408的方式部分設於圖12中以虛線所示的位置。在圖12，顯示將2個閥體限制構件481設於位在上部的連通孔408的兩側的場合，但不以此為限。
又，在閥體410的上面，亦可如圖11、圖12所示在與閥體限制構件418之抵接部位設置由樹脂所構成的緩衝構件411。藉此，與閥體限制構件418接觸後，可以把閥體410往基板搬出搬入口406側平順地導引。
其次，參照圖式同時說明圖11所示的閘閥裝置GV1的動作。圖13A、13B、13C為圖11所示之閘閥裝置GV1之動作說明圖。圖13A顯示使閥體410下降至等待位置的場合。圖13B顯示使閥體410上升而抵接於閥體限制構件418的場合。圖13C顯示閥體410閉塞住基板搬出搬入口406的場合。
首先，在打開基板搬出搬入口406而進行晶圓W的搬出搬入動作的場合，如圖13A所示使閥體410下降至不妨礙晶圓W的搬送動作的等待位置。接著，閉塞基板搬出搬入口406的場合，藉由使升降軸420上升而使閥體支撐部412與閥體410一起上升。
接著，如圖13B所示閥體410抵皆於閥體限制構件418時，閥體410被限制住不再上升。進而使閥體支撐部 412上升的話，藉由連桿機構414閥體410抵抗彈推構件416的彈推力而往基板搬出搬入口406的方向移動，如圖13C所示閉塞轉移真空室300側的基板搬出搬入口406。
接著，使轉移真空室300側減壓至特定的真空壓力時，以閥體410關閉轉移真空室300側的基板搬出搬入口406。此時，如果藉由來自製程真空室200B的熱使第1、第2密封構件330A、330B被加熱而其密封機能下降，如圖13C所示即使大氣透過外側的第2密封構件330B，也不會透過內側的第1密封構件330A而進入轉移真空室300。
亦即，透過外側的第2密封構件330B的大氣由連通孔408進入閘閥裝置GV1內，由基板搬出搬入口404朝向製程真空室200B流動，所以可藉由製程真空室200B的排氣系220B排氣。如此，可以透過連通孔408藉由製程真空室200B的排氣係220B抽真空內側的第1密封構件330A與外側的第2密封構件330B之間隙。
如此，針對圖11所示的閘閥裝置GV1，也與圖6所示同樣，即使大氣透過外側的第2密封構件330B，也可以使其不會進入轉移真空室300側，所以可防止轉移真空室300的壓力變高，可以保持特定的真空壓力。
又，在圖11所示的閘閥裝置GV1，說明了適用藉由曲柄機構把閥體410往轉移真空室300側的基板搬出搬入口406按壓而閉塞的形式的閘閥裝置的場合，但是並不以此為限，亦可適用於例如藉由活塞機構把閥體410往轉移 真空室300側的基板搬出搬入口406按壓而閉塞的形式之閘閥裝置。
(被適用閘閥裝置的真空室構成之具體例)
其次，參照圖14同時說明於圖1所示的基板處理裝置100，被適用相關於本實施型態的閘閥裝置GV1的真空室構成之具體例。在此，舉出把圖1所示的基板處理裝置，作為把作為銅配線的下底使用的CVD-Ru膜形成於晶圓W上的裝置來構成的場合為例。
在圖14所示的真空室構成，分別把製程真空室200A、200B、200C構成為以具有：藉由PVD把鈦膜形成為障壁膜之PVD-Ti膜成膜真空室，於該鈦膜上藉由CVD形成下底的Ru膜之CVD-Ru膜成膜真空室，以及使CVD-Ru膜在含氫氛圍下進行退火的退火真空室的機能的方式構成者。據此，鈦膜成膜、CVD-Ru膜至退火處理為止晶圓W不會暴露於大氣而可以連續進行處理。
又，製程真空室200D不管如何構成皆可。例如可以構成為具有在退火後的CVD-Ru膜上形成銅膜之銅膜成膜真空室的機能。據此，直到形成銅膜為止不會使晶圓W暴露於大氣而可連續進行。
此外，製程真空室200D亦可構成為具有在CVD-Ru膜上形成銅晶種膜之銅晶種膜成膜真空室的機能。據此，直到形成銅晶種膜為止晶圓W不會暴露於大氣而連續地進行，可以將該晶圓W由基板處理裝置100搬出而收容 於卡匣容器，藉由其他裝置進行銅電鍍。又，不限於圖1所示的真空室構成，各真空室的機能分配至製程真空室200A~200D之任一個都可以。
如此般於圖14所示的真空室構成，PVD-Ti膜成膜真空室要求1×10-8 Torr程度之高真空度，對晶圓W使用在常溫下不是固體的成膜氣體(例如TiCl4氣體(常溫為液體))所以真空室側壁為可冷卻，成為20℃程度的溫度，因此相當於高真空之冷壁真空室。
CVD-Ru膜成膜真空室為1×10-6 Torr程度之低的真空度，把晶圓W加熱至150~250℃而進行的，使用在常溫下為固體的成膜氣體，所以真空室側壁無法冷卻而成為80℃程度之比常溫更高的溫度，所以相當於熱壁真空室。退火真空室，為1.0~10Torr之高的壓力，將晶圓W在150℃~400℃的高溫下加熱而進行處理，所以相當於熱壁真空室。
進而，被連接這些的轉移真空室300，是被要求1×10-8 Torr程度的高真空度與清淨度的真空室，是想要把轉移真空室300側的壓力保持於高的真空度的場合。
亦即，在與PVD-Ti膜成膜真空室之間的閘閥400A，以閘閥裝置GV0(圖3)構成即已充分，相對地CVD-Ru成膜真空室與退火真空室以相關於本實施型態的閘閥裝置GV1(圖6或圖11)構成。藉此，即使製程真空室200B的溫度上升，也可以在轉移真空室300保持特定的真空壓力。
作為這樣的熱壁真空室，參照圖15同時說明圖14所示的CVD-Ru膜成膜真空室(製程真空室200B)的具體的構成例。此CVD-Ru膜成膜真空室(製程真空室200B)，具有被構成為氣密地約略圓筒狀的容器202，於其內部載置晶圓W的承受器250係以藉由被設於其中央下部的圓筒狀的支撐構件252支撐的狀態被配置的。
承受器250被埋入加熱器254，於此加熱器254被連接著加熱器電源256。接著，根據被設於承受器250的熱電偶(未圖示)的檢測訊號藉由加熱控制器(未圖示)控制加熱器電源256，把晶圓W控制於特定的溫度。此外，於承受器250，設有支撐晶圓W而使其升降之用的3根晶圓升降栓(未圖示)對承受器250的表面自由伸出隱沒地被設置。
於容器202的頂部，供CVD成膜之用的特定的氣體往容器202內導入之用的蓮蓬頭260以與承受器250對向的方式被設置。蓮蓬頭260，係把由後述的氣體供給機構280供給的成膜氣體往容器202內吐出之用者。於蓮蓬頭260的上部設有供導入成膜氣體之氣體導入口262。此外，於蓮蓬頭260內被形成氣體擴散空間264，於其底面被形成多數的氣體吐出孔266。
於容器202的底壁，設有往下方突出的排氣室270。於排氣室270的側面被連接著排氣配管272，於此排氣配管272被連接著具有真空泵或壓力控制閥等之排氣裝置274。接著藉由使排氣裝置274動作而可以使容器202內 減壓至特定的真空壓力(例如1×10-6Torr程度)。
氣體供給機構280，具有收容在常溫下為固體的成膜原料S之羰基釕(Ruthenium carbonyl)(Ru3(CO)12)之成膜原料容器281。於成膜原料容器281的周圍設有加熱器282。於成膜原料容器281，由上方插入承載氣體供給配管283，由承載氣體供給源284透過承載氣體供給配管283把作為承載氣體之例如CO氣體往成膜原料容器281內吹入。
此外，於成膜原料容器281，被插入氣體供給配管285。此氣體供給配管285的另一端，被連接著蓮蓬頭260之氣體導入口262。據此，藉由透過承載氣體供給配管283往成膜原料容器281內供給承載氣體，可以把在成膜原料容器281內昇華之羰基釕(Ruthenium carbonyl)(Ru3(CO)12)氣體在被承載氣體搬送的狀態下透過氣體供給配管285以及蓮蓬頭260供給至容器202內。
於承載氣體供給配管283設有流量控制用的質量流量控制器286與其前後之閥287a、287b。此外，於氣體供給配管285，設有供檢測羰基釕(Ruthenium carbonyl)(Ru3(CO)12)之氣體量之用的流量計288與其前後之閥289a、289b。
於氣體供給配管285的途中，被連接著供給適當稀釋成膜氣體之用的氣體的稀釋氣體供給配管290。於稀釋氣體供給配管290，被連接著供給氬氣、氮氣等惰性氣體所構成的稀釋氣體之稀釋氣體供給源291，藉由從此稀釋氣 體供給源291透過稀釋氣體供給配管290供給稀釋氣體，使原料氣體被稀釋至適當的濃度。
來自稀釋氣體供給源291的稀釋氣體，亦作為洗滌氣體供給配管285、容器202內的殘留氣體之用的洗滌氣體而發揮功能。又，稀釋氣體供給配管290具有流量控制用的質量流量控制器292與其前後之閥293a、293b。此外，於稀釋氣體供給配管290亦可另外連接其他氣體，例如CO氣體或氫氣等。
在這樣的CVD-Ru膜成膜真空室，對於藉由PVD-Ti膜成膜真空室形成障壁膜(此處為Ti膜)之後的晶圓進行CVD-Ru膜的成膜處理。被載置於承受器250上的晶圓W，藉由加熱器254透過承受器250加熱至150~250℃。接著，藉由排氣裝置270的真空泵排氣容器202內，使容器202內調整為1×10-6 Torr程度之真空壓力。
接著，打開閥287a、287b透過承載氣體供給配管283對成膜原料容器吹入作為承載氣體之例如CO氣體，在成膜原料容器281內使藉由加熱器282加熱而昇華產生的Ru3(CO)12氣體藉由承載氣體載送而透過氣][體供給配管285及蓮蓬頭260導入容器202內。
此時，在晶圓W的表面，Ru3(CO)12氣體熱分解而產生的Ru堆積於晶圓W的Ti膜上，形成具有特定膜厚的CVD-Ru膜。又，此時之Ru3(CO)12氣體的流量，例如以1~5mL/min(sccm)程度為佳。此外，以特定比例導入稀釋氣體亦可。
於晶圓W上形成特定膜厚的CVD-Ru膜的話，關閉閥287a、287b停止Ru3(CO)12氣體的供給，由稀釋氣體供給源291把稀釋氣體作為洗滌氣體導入容器202內把Ru3(CO)12氣體進行洗滌。藉此，可以把晶圓W由容器202搬出。
然而，被連接於這樣的CVD-Ru膜成膜真空室(製程真空室200B)的閘閥400B例如藉由圖6所示的閘閥裝置GV1構成的場合，進行Ru的成膜處理的期間如圖16所示轉移真空室300側的基板搬出搬入口303、406藉由閥體410閉塞。因此，於Ru的成膜處理中，成膜氣體(在此為Ru3(CO)12氣體等)不會進入。
然而，製程真空室200B側的基板搬出搬入口203、404維持開放的狀態，所以如圖16的箭頭所示，該成膜氣體通過基板搬出搬入口203、404進入閘閥裝置GV1內，所以升降導引框430內也有進入之虞。
此時，伸縮管440，與鋁製的筐體402相比是以傳熱性低的不銹鋼等來構成，所以容易變成比周圍更低的溫度。因此，如前述之Ru3(CO)12氣體那樣，使常溫下為固體的成膜原料昇華的成膜氣體進入升降導引框430內(在此為伸縮管440的內側)的話，會有在伸縮管440的內側表面冷卻凝固而附著之虞。如此在伸縮管440上附著物維持附著的狀態下使閥體410升降的話，伸縮管440伸縮時由其表面剝下附著物而會成為微粒的發生或故障的原因。
在此，這樣的場合，例如圖16所示設置伸縮管加熱 器450，加熱伸縮管440。圖16係舉藉由把伸縮管加熱器450設於升降導引框430的周圍，加熱伸縮管440的場合為例。據此，藉由伸縮管加熱器450加熱伸縮管440可以防止伸縮管440的溫度降低。藉此，即令處理氣體進入升降導引框430內，也可以防止附著於伸縮管440的表面，所以可防止微粒產生。
又，藉由圖11所示的閘閥裝置GV1構成閘閥400B的場合，也有產生同樣問題之虞。具體而言，如圖17所示，成膜氣體進入升降導引框430內(在此為伸縮管440的外側)的話，會有在伸縮管440的外側表面冷卻而凝固附著之虞。在此場合，例如圖17所示把伸縮管加熱器450設於升降導引框430的周圍亦可。
作為這樣的伸縮管加熱器450如圖16、圖17所示不限於從外側加熱伸縮管440者，亦可把伸縮管加熱器450配設於伸縮管440的內側。
又，圖1或圖14所示的轉移真空室300與各裝載卸載真空室140之間的閘閥142，不進行以各裝載卸載真空室140使溫度上升的處理的場合，沒有必要如相關於本實施型態的閘閥裝置GV1那樣構成。對此，進行在各裝載卸載真空室140使溫度上升之類的處理的場合，針對各閘閥142以如相關於本實施型態的閘閥裝置GV1那樣構成為較佳。
[產業上利用可能性]
本發明之一實施例，可以適用於設在對基板進行製程處理之製程真空室與移轉真空室之間所設的閘閥裝置及基板處理裝置以及該基板處理方法。
以上，參照附圖說明本發明之適切的實施型態，但是本發明當然並不以相關之例為限。如果是熟悉該項技藝者，於申請專利範圍所記載之範圍內，所能夠想到的各種變更例或者修正例，當然也應該被瞭解為係屬於本發明的技術範圍內。
本國際申請案，係根據2011年3月18日所申請之日本專利第2011-061636號申請案而主張優先權者，於本申請案援用日本專利2011-061636號申請案之全部內容。
100‧‧‧基板處理裝置
110‧‧‧製程模組
120‧‧‧裝載模組
122A~122C‧‧‧卡匣容器
124A~124C‧‧‧卡匣台
126‧‧‧定向器
130‧‧‧裝載真空室
132‧‧‧裝載臂機構
136‧‧‧裝載臂
140‧‧‧載入載出真空室
142，144‧‧‧閘閥
150‧‧‧控制部
200A~200D‧‧‧製程真空室
202‧‧‧容器
203，404‧‧‧基板搬出搬入口
210A，210B‧‧‧氣體導入系
212A，212B‧‧‧氣體供給源
214A，214B‧‧‧質量流量控制器
216A，216B‧‧‧氣體導入閥
220A，220B‧‧‧排氣系
222A，222B‧‧‧真空泵
224A，224B‧‧‧壓力調整閥
230‧‧‧密封構件
250‧‧‧承受器
252‧‧‧支撐構件
254‧‧‧加熱器
256‧‧‧加熱器電源
260‧‧‧蓮蓬頭
262‧‧‧氣體導入口
264‧‧‧氣體擴散空間
266‧‧‧氣體吐出孔
270‧‧‧排氣室
272‧‧‧排氣配管
274‧‧‧排氣裝置
280‧‧‧氣體供給機構
281‧‧‧成膜原料容器
282‧‧‧加熱器
283‧‧‧運載氣體供給配管
284‧‧‧運載氣體供給源
285‧‧‧氣體供給配管
286‧‧‧質量流量控制器
287a，287b‧‧‧閥
288‧‧‧流量計
289a，289b‧‧‧閥
290‧‧‧稀釋氣體供給配管
291‧‧‧稀釋氣體供給源
292‧‧‧質量流量控制器
293a，293b‧‧‧閥
300‧‧‧轉移真空室
303，406‧‧‧基板搬出搬入口
304‧‧‧轉移臂機構
306‧‧‧轉移臂
310‧‧‧氣體導入系
312‧‧‧氣體供給源
314‧‧‧質量流量控制器
316‧‧‧氣體導入閥
320‧‧‧排氣系
322‧‧‧真空泵
324‧‧‧壓力調整閥
330‧‧‧密封構件
400A~400D‧‧‧閘閥
402‧‧‧筐體
404，406‧‧‧基板搬出搬入口
408‧‧‧連通孔
410‧‧‧閥體
411‧‧‧緩衝構件
412‧‧‧閥體支撐部
414‧‧‧連桿機構
416‧‧‧彈推構件
418‧‧‧閥體限制構件
420‧‧‧升降軸
430‧‧‧升降導引框
432‧‧‧閥體驅動部
440‧‧‧伸縮管
450‧‧‧伸縮管加熱器
GV0‧‧‧閘閥裝置
GV1‧‧‧閘閥裝置
GV2‧‧‧閘閥裝置
W‧‧‧晶圓
圖1係顯示可以適用相關於本發明的實施型態之閘閥裝置的基板處理裝置之概略構成圖。
圖2係供說明於圖1所示的基板處理裝置之具備熱壁真空室的真空室構成例之剖面圖。
圖3係顯示相關於被適用在連接於冷壁真空室的閘閥之比較例之閘閥裝置GV0的概略構成之剖面圖。
圖4係供說明把相關於比較例的閘閥裝置GV0適用於被連接在熱壁真空室的閘閥的場合之構成與作用的剖面圖。
圖5係圖示氟系橡膠(FKM)所構成的O形環的溫度與該溫度下可以保持的真空室內壓力。
圖6係顯示相關於被適用在連接於熱壁真空室的閘閥之本實施型態之閘閥裝置GV1的概略構成之剖面圖。
圖7為圖6所示之閘閥裝置GV1之作用說明圖。
圖8係圖示確認相關於本實施型態的閘閥裝置GV1的效果之實驗結果之圖，顯示製程真空室的側壁溫度與轉移真空室內壓力的關係。
圖9係顯示相關於本實施型態的變形例之閘閥裝置GV2的概略構成之剖面圖。
圖10為圖9所示之閘閥裝置GV2之作用說明圖。
圖11係顯示相關於本實施型態的閘閥裝置GV1的其他構成例之剖面圖。
圖12為與圖11所示之轉移真空室之閘閥裝置GV1之連接面的正面圖。
圖13A為圖11所示的閘閥裝置GV1的動作說明圖，顯示使閥體下降至等待位置的場合。
圖13B為圖11所示的閘閥裝置GV1的動作說明圖，顯示使閥體上升而抵接於閥體限制構件的場合。
圖13C為圖11所示的閘閥裝置GV1的動作說明圖，顯示閥體閉塞基板搬出搬入口的場合。
圖14係於圖1所示的基板處理裝置100，被適用相關於本實施型態的閘閥裝置GV1的真空室構成之具體例。
圖15係供說明於圖14所示的CVD-Ru膜成膜真空室的概略構成之剖面圖。
圖16係供說明於圖14所示的閘閥200B適用圖6所示的閘閥裝置GV1的場合的作用之剖面圖，且係進而設置伸縮管加熱器的場合。
圖17係供說明於圖14所示的閘閥200B適用圖11所示的閘閥裝置GV1的場合的作用之剖面圖，且係進而設置伸縮管加熱器的場合。
200B‧‧‧製程真空室
203，404‧‧‧基板搬出搬入口
230‧‧‧密封構件
300‧‧‧轉移真空室
303，406‧‧‧基板搬出搬入口
330A‧‧‧第1密封構件
330B‧‧‧第2密封構件
400B‧‧‧閘閥
402‧‧‧筐體
408‧‧‧連通孔
410‧‧‧閥體
420‧‧‧升降軸
430‧‧‧升降導引框
432‧‧‧閥體驅動部
440‧‧‧伸縮管

Claims (8)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵為具備：具有溫度比常溫更高的側壁，及設於前述側壁的第1基板搬出搬入口的可減壓之熱壁真空室；具有對前述熱壁真空室搬出搬入基板之搬送臂機構，及第2基板搬出搬入口的可減壓之轉移真空室；以及設在前述熱壁真空室與前述轉移真空室之間的閘閥裝置；前述閘閥裝置，具備：具有被設置連通孔，與對應於前述第1基板搬出搬入口的第1筐體基板搬出搬入口，以及對應於前述第2基板搬出搬入口的第2筐體基板搬出搬入口的側壁之筐體，及自由升降於前述筐體的內部之閥體，以及具有第1密封構件、與設於前述第1密封構件的外側之第2密封構件之雙重密封構造；前述連通孔，使前述第1密封構件與前述第2密封構件之間的間隙連通於前述筐體的內部空間，前述第1密封構件與前述第2密封構件，被設於前述熱壁真空室與前述轉移真空室之中，被要求保持更高真空度的一方之真空室的側壁與前述筐體的前述側壁之間，前述一方之真空室的基板搬出搬入口，被前述第1密封構件與前述第2密封構件包圍，藉由前述閥體開閉。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中藉由以前述閥體閉塞前述一方之真空室之基板搬出搬入口， 而與另一方真空室之間的基板搬出搬入口維持打開的狀態下減壓前述另一方真空室，使前述密封構件間的間隙，透過前述連通孔藉由前述另一方真空室抽真空。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中具備：被安裝於前述閥體的升降軸，及以覆蓋前述升降軸的下方的方式設置的，因應於前述升降軸的升降動作而自由伸縮地構成之伸縮管，與加熱前述伸縮管的伸縮管加熱器。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中進而具有被配置於不塞住前述連通孔的位置之閥體限制構件；前述閥體，由閥體本體，及藉由連桿機構支撐此閥體本體且被安裝著前述升降軸的閥體支撐部所構成；前述閥體限制構件，在對向於前述一方真空室的基板搬出搬入口的位置限制前述閥體的升降動作，透過前述連桿機構使前述閥體本體，移動於推壓在前述一方之真空室之基板搬出搬入口的方向上。
  5. 一種基板處理裝置，其特徵為具備：複數之閘閥裝置，具有第1基板搬出搬入口，對基板進行製程處理之複數製程真空室，具有第2基板搬出搬入口，透過前述複數閘閥裝置被連接於前述複數之製程真空室之各個，具有對前述複數之製程真空室之各個搬出搬入前述基板的搬送臂機構之可減壓的轉移真空室； 前述複數製程真空室，包含具有溫度比常溫更高的側壁之可減壓的熱壁真空室，與在高真空氛圍進行前述製程處理之可減壓的高真空真空室；前述複數閘閥裝置之中，至少前述熱壁真空室與前述轉移真空室之間的閘閥裝置，具備：具有被設置連通孔，與對應於前述第1基板搬出搬入口的第1筐體基板搬出搬入口，以及對應於前述第2基板搬出搬入口的第2筐體基板搬出搬入口的側壁之筐體，自由升降於前述筐體內部的閥體，與具有第1密封構件、以及被設於前述第1密封構件的外側之第2密封構件的雙重密封構造；前述連通孔，使前述第1密封構件與前述第2密封構件之間的間隙連通至前述筐體的內部空間；前述第1密封構件與前述第2密封構件，被設於前述轉移真空室的側壁與前述筐體的前述側壁之間，前述轉移真空室的第2基板搬出搬入口，被前述第1密封構件與前述第2密封構件包圍，藉由前述閥體開閉。
  6. 一種基板處理裝置，其特徵為具備：複數之閘閥裝置，具有第1基板搬出搬入口，對基板進行製程處理之複數製程真空室，具有第2基板搬出搬入口，透過前述複數閘閥裝置被連接於前述複數之製程真空室之各個，具有對前述複數之製程真空室之各個搬出搬入前述基板的搬送臂機構之可減壓的轉移真空室； 前述複數製程真空室之各個，具有溫度比常溫更高的側壁，係在高真空氛圍進行前述製程處理之可減壓的熱壁真空室；前述複數閘閥裝置之各個，具備：具有被設置連通孔，與對應於前述第1基板搬出搬入口的第1筐體基板搬出搬入口，以及對應於前述第2基板搬出搬入口的第2筐體基板搬出搬入口的側壁之筐體，自由升降於前述筐體內部的閥體，與具有第1密封構件、以及被設於前述第1密封構件的外側之第2密封構件的雙重密封構造；前述連通孔，使前述第1密封構件與前述第2密封構件之間的間隙連通至前述筐體的內部空間；前述第1密封構件與前述第2密封構件，被設於前述熱壁真空室與前述轉移真空室之中，被要求保持更高的真空度的一方的真空室的側壁與前述筐體的前述側壁之間，前述一方的真空室的基板搬出搬入口，被前述第1密封構件與前述第2密封構件包圍，藉由前述閥體開閉。
  7. 一種閘閥裝置，其特徵為：被設在具有溫度比常溫更高的側壁及設於前述側壁的第1基板搬出搬入口的可減壓之熱壁真空室，與具有對前述熱壁真空室搬出搬入基板之搬送臂機構及第2基板搬出搬入口的可減壓之轉移真空室之間的閘閥裝置；具備：具有被設置連通孔，與對應於前述第1基板搬 出搬入口的第1筐體基板搬出搬入口，以及對應於前述第2基板搬出搬入口的第2筐體基板搬出搬入口的側壁之筐體，及自由升降於前述筐體的內部之閥體，以及具有第1密封構件、與設於前述第1密封構件的外側之第2密封構件之雙重密封構造；前述連通孔，使前述第1密封構件與前述第2密封構件之間的間隙連通於前述筐體的內部空間，前述第1密封構件與前述第2密封構件，被設於前述熱壁真空室與前述轉移真空室之中，被要求保持更高真空度的一方之真空室的側壁與前述筐體的前述側壁之間，前述一方之真空室的基板搬出搬入口，被前述第1密封構件與前述第2密封構件包圍，藉由前述閥體開閉。
  8. 一種基板處理方法，其特徵為使用具備：具有溫度比常溫更高的側壁，及設於前述側壁的第1基板搬出搬入口的可減壓之熱壁真空室；具有對前述熱壁真空室搬出搬入基板之搬送臂機構，及第2基板搬出搬入口的可減壓之轉移真空室；以及設在前述熱壁真空室與前述轉移真空室之間的閘閥裝置之基板處理裝置之基板處理方法；前述閘閥裝置，具備：具有被設置連通孔，與對應於前述第1基板搬出搬入口的第1筐體基板搬出搬入口，以及對應於前述第2基板搬出搬入口的第2筐體基板搬出搬入口的側壁之筐體，及 自由升降於前述筐體的內部之閥體，以及具有第1密封構件、與設於前述第1密封構件的外側之第2密封構件之雙重密封構造；前述連通孔，使前述第1密封構件與前述第2密封構件之間的間隙連通於前述筐體的內部空間；前述第1密封構件與前述第2密封構件，被設於前述熱壁真空室與前述轉移真空室之中，被要求保持更高真空度的一方之真空室的側壁與前述筐體的前述側壁之間，前述一方之真空室的基板搬出搬入口，被前述第1密封構件與前述第2密封構件包圍，使前述一方真空室保持於高真空氛圍時，藉由前述閥體閉塞前述一方的真空室的基板搬出搬入口，在另一方的真空室的基板搬出搬入口打開的狀態下，藉由減壓前述另一方之真空室，透過前述連通孔藉由前述另一方真空室將前述密封構件間的間隙抽真空。
TW101109126A 2011-03-18 2012-03-16 A gate valve device, a substrate processing device, and a substrate processing method TWI544168B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011061636A JP5806827B2 (ja) 2011-03-18 2011-03-18 ゲートバルブ装置及び基板処理装置並びにその基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201305471A true TW201305471A (zh) 2013-02-01
TWI544168B TWI544168B (zh) 2016-08-01

Family

ID=46879185

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101109126A TWI544168B (zh) 2011-03-18 2012-03-16 A gate valve device, a substrate processing device, and a substrate processing method

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9121515B2 (zh)
JP (1) JP5806827B2 (zh)
KR (1) KR101685753B1 (zh)
TW (1) TWI544168B (zh)
WO (1) WO2012128029A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105020423A (zh) * 2014-04-30 2015-11-04 Smc株式会社 闸阀

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014200647A1 (en) * 2013-06-14 2014-12-18 Applied Materials, Inc. Particle reduction via throttle gate valve purge
JP5942937B2 (ja) * 2013-07-26 2016-06-29 トヨタ自動車株式会社 プラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法
JP6184832B2 (ja) * 2013-10-22 2017-08-23 東京エレクトロン株式会社 ゲートバルブ装置及びプラズマ処理装置
CN104743351B (zh) * 2013-12-30 2016-09-07 基准精密工业（惠州）有限公司 加工室
CN107110402B (zh) * 2014-12-19 2019-10-25 Vat控股公司 用于对真空室的室壁中的室开口进行封闭的门
KR101597818B1 (ko) * 2015-06-19 2016-02-25 주식회사 퓨젠 사각 게이트 진공밸브
JP6664207B2 (ja) * 2015-12-11 2020-03-13 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法
CN106340475A (zh) * 2016-08-24 2017-01-18 武汉华星光电技术有限公司 一种用于刻蚀装置的闸门结构及其加工方法
US10224224B2 (en) 2017-03-10 2019-03-05 Micromaterials, LLC High pressure wafer processing systems and related methods
US11761082B2 (en) * 2017-05-02 2023-09-19 Picosun Oy ALD apparatus, method and valve
US10622214B2 (en) * 2017-05-25 2020-04-14 Applied Materials, Inc. Tungsten defluorination by high pressure treatment
JP7190450B2 (ja) 2017-06-02 2022-12-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 炭化ホウ素ハードマスクのドライストリッピング
US10269571B2 (en) 2017-07-12 2019-04-23 Applied Materials, Inc. Methods for fabricating nanowire for semiconductor applications
US10179941B1 (en) 2017-07-14 2019-01-15 Applied Materials, Inc. Gas delivery system for high pressure processing chamber
JP6388182B1 (ja) 2017-07-25 2018-09-12 Smc株式会社 ゲートバルブの取付構造
CN111095513B (zh) 2017-08-18 2023-10-31 应用材料公司 高压高温退火腔室
US10276411B2 (en) 2017-08-18 2019-04-30 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
KR102659317B1 (ko) 2017-09-12 2024-04-18 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 보호 배리어 층을 사용하여 반도체 구조들을 제조하기 위한 장치 및 방법들
KR102145830B1 (ko) * 2017-10-13 2020-08-19 주식회사 라온티엠디 밸브 조립체
US10643867B2 (en) 2017-11-03 2020-05-05 Applied Materials, Inc. Annealing system and method
KR102396319B1 (ko) * 2017-11-11 2022-05-09 마이크로머티어리얼즈 엘엘씨 고압 프로세싱 챔버를 위한 가스 전달 시스템
CN111373519B (zh) * 2017-11-16 2021-11-23 应用材料公司 高压蒸气退火处理设备
KR20200075892A (ko) 2017-11-17 2020-06-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고압 처리 시스템을 위한 컨덴서 시스템
KR20190076558A (ko) 2017-12-22 2019-07-02 인베니아 주식회사 게이트 밸브 조립체
KR20190076557A (ko) 2017-12-22 2019-07-02 인베니아 주식회사 게이트 밸브 조립체
WO2019147400A1 (en) 2018-01-24 2019-08-01 Applied Materials, Inc. Seam healing using high pressure anneal
EP3762962A4 (en) 2018-03-09 2021-12-08 Applied Materials, Inc. HIGH PRESSURE ANNEALING PROCESS FOR METAL-BASED MATERIALS
US10714331B2 (en) 2018-04-04 2020-07-14 Applied Materials, Inc. Method to fabricate thermally stable low K-FinFET spacer
US10950429B2 (en) 2018-05-08 2021-03-16 Applied Materials, Inc. Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom
US10566188B2 (en) 2018-05-17 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Method to improve film stability
JP3217484U (ja) * 2018-05-31 2018-08-09 株式会社島津製作所 質量分析装置
US10704141B2 (en) 2018-06-01 2020-07-07 Applied Materials, Inc. In-situ CVD and ALD coating of chamber to control metal contamination
US10748783B2 (en) 2018-07-25 2020-08-18 Applied Materials, Inc. Gas delivery module
US10675581B2 (en) 2018-08-06 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Gas abatement apparatus
WO2020092002A1 (en) 2018-10-30 2020-05-07 Applied Materials, Inc. Methods for etching a structure for semiconductor applications
JP2022507390A (ja) 2018-11-16 2022-01-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 強化拡散プロセスを使用する膜の堆積
WO2020117462A1 (en) 2018-12-07 2020-06-11 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system
JP6741094B2 (ja) * 2019-02-21 2020-08-19 株式会社島津製作所 質量分析装置
JP7304435B2 (ja) * 2019-05-31 2023-07-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板上に膜を形成するための方法およびシステム
CN112530829A (zh) * 2019-09-18 2021-03-19 中微半导体设备(上海)股份有限公司 基片处理系统、阀板组件及其基片处理系统的工作方法
CN112530830A (zh) * 2019-09-18 2021-03-19 中微半导体设备(上海)股份有限公司 基片处理系统、阀板组件及其基片处理系统的工作方法
US11901222B2 (en) 2020-02-17 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Multi-step process for flowable gap-fill film
US20220112594A1 (en) * 2020-10-14 2022-04-14 Applied Materials, Inc. Device for sealing a vacuum chamber, vacuum processing system, and method of monitoring a load lock seal
CN114464550A (zh) * 2020-11-09 2022-05-10 东京毅力科创株式会社 基片处理系统
US11933416B2 (en) * 2021-07-16 2024-03-19 Changxin Memory Technologies, Inc. Gate valve device, cleaning method and mechanical apparatus
KR20230059635A (ko) * 2021-10-26 2023-05-03 삼성전자주식회사 밸브 구조체 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN114352171A (zh) * 2021-12-30 2022-04-15 苏州子山半导体科技有限公司 一种新型的真空密封门板结构
WO2023223991A1 (ja) * 2022-05-19 2023-11-23 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体製造装置のメインテナンス方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6037139A (ja) * 1983-08-10 1985-02-26 Hitachi Ltd ウェ−ハ移送経路におけるゲ−トバルブ機構
JPH05196150A (ja) * 1991-09-30 1993-08-06 Tokyo Electron Yamanashi Kk ゲートバルブ
JPH05272662A (ja) * 1992-03-25 1993-10-19 Fujitsu Ltd ゲートバルブ
JPH0637139A (ja) * 1992-05-19 1994-02-10 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JPH06247460A (ja) * 1993-02-18 1994-09-06 Ebara Corp 密閉容器のシール装置及びシール
JPH07198063A (ja) * 1993-12-28 1995-08-01 Benkan Corp Ｃｖｄ装置の真空排気弁
KR960002534A (ko) * 1994-06-07 1996-01-26 이노우에 아키라 감압·상압 처리장치
JP2995450B2 (ja) * 1994-06-24 1999-12-27 株式会社ベンカン Ｃｖｄ装置の真空排気弁
JPH0979388A (ja) * 1995-09-14 1997-03-25 Kokusai Electric Co Ltd ゲートバルブ
JP3644556B2 (ja) * 1996-03-29 2005-04-27 アルプス電気株式会社 成膜装置
JPH11315940A (ja) * 1998-05-07 1999-11-16 Ulvac Corp ゲートバルブ
JP3915083B2 (ja) * 1998-05-20 2007-05-16 Ｓｍｃ株式会社 高真空バルブ
US6095741A (en) * 1999-03-29 2000-08-01 Lam Research Corporation Dual sided slot valve and method for implementing the same
US6913243B1 (en) * 2000-03-30 2005-07-05 Lam Research Corporation Unitary slot valve actuator with dual valves
JP2001324032A (ja) 2000-05-17 2001-11-22 Tokyo Electron Ltd ゲートバルブおよび駆動軸の真空シール機構
JP2001330172A (ja) * 2000-05-22 2001-11-30 Nec Kansai Ltd ゲートバルブ
JP3425938B2 (ja) * 2000-12-14 2003-07-14 入江工研株式会社 ゲート弁
JP2004225878A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2004319871A (ja) * 2003-04-18 2004-11-11 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd 処理装置、処理方法およびプラズマ処理装置
JP2006124792A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置、トンネル接合磁気抵抗効果素子の製造方法
JP5005512B2 (ja) * 2007-11-07 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 ゲートバルブ装置および真空処理装置およびゲートバルブ装置における弁体の開放方法。

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105020423A (zh) * 2014-04-30 2015-11-04 Smc株式会社 闸阀
TWI580880B (zh) * 2014-04-30 2017-05-01 Ｓｍｃ股份有限公司 閘閥
CN105020423B (zh) * 2014-04-30 2018-10-26 Smc株式会社 闸阀

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140021566A (ko) 2014-02-20
US9121515B2 (en) 2015-09-01
JP5806827B2 (ja) 2015-11-10
KR101685753B1 (ko) 2016-12-12
WO2012128029A1 (ja) 2012-09-27
TWI544168B (zh) 2016-08-01
US20140003892A1 (en) 2014-01-02
JP2012197476A (ja) 2012-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI544168B (zh) A gate valve device, a substrate processing device, and a substrate processing method
JP7033647B2 (ja) 高圧処理チャンバ用のガス供給システム
JP4985031B2 (ja) 真空処理装置、真空処理装置の運転方法及び記憶媒体
JP4916140B2 (ja) 真空処理システム
US10312116B2 (en) Methods and apparatus for rapidly cooling a substrate
KR102394115B1 (ko) RuSi막의 형성 방법 및 기판 처리 시스템
JP2008251991A (ja) ロードロック装置および昇圧方法
TWI611495B (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
US10115611B2 (en) Substrate cooling method, substrate transfer method, and load-lock mechanism
US11569102B2 (en) Oxidation inhibiting gas in a manufacturing system
TWI818391B (zh) 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式
US10763137B2 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JP2012129232A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP6417916B2 (ja) 基板搬送方法、基板処理装置、及び記憶媒体
JP2004339566A (ja) 基板処理装置
JP4451653B2 (ja) 基板処理装置および半導体の製造方法
JP2023046423A (ja) 成膜方法及び成膜装置
WO2014041656A1 (ja) 真空処理装置
JP2014130895A (ja) 基板処理装置及び基板搬送方法及び半導体装置の製造方法
JP2011171509A (ja) 基板処理装置