JP2004319871A - 処理装置、処理方法およびプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の処理装置(10)は、ガスを励起して被処理体を処理する気密容器(11)を備え、気密容器を構成する一部の容器壁が、封止部材(16)を介して構成され、封止部材近傍の気密容器内側にガス導入管(15)が設けられている。本発明の処理方法では、気密容器内に被処理体(21)を設け、少なくともこの被処理体を処理している期間中、封止部材(16)の近傍から気密容器内にガスを供給する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、処理装置、処理方法およびプラズマ処理装置、特に、半導体装置や液晶表示装置の製造プロセスに用いられる処理装置およびプラズマ処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体装置や液晶表示装置等の製造プロセスにおいて、膜堆積、表面改質、あるいはエッチング等のプラズマ処理が行われている。このようなプラズマ処理を行う装置としては例えば平行平板対向電極を備えたプラズマ処理装置が知られている。このプラズマ処理装置は、被処理体を上方から搬入出するため上部電極を着脱自在に設け、この上部電極着脱自在部を封止部材であるOリングを介して、気密容器を構成したものである。このようなプラズマ処理装置は、気密容器内を真空にすることから上部電極が反りを発生し、上部電極への導通が不完全となる問題がある。この上部電極の反りによる不完全な非導通現象を回避するための手段としては、離隔して2重の導電性材料からなるOリングを設けた封止構造のプラズマ装置がある(例えば特許文献1参照)。
【0003】
また、上述のような平行平板電極構造を有するプラズマ処理装置で得られるプラズマは、電子温度が高く、またプラズマ密度が低いことから、処理中に基板のダメージが大きくかつ処理速度が遅いというプロセス上の課題があった。次世代製品においては、線幅、選択比、ダメージ制御などの要求はますます高くなっており、そのため従来とは異なる、高密度でかつ電子温度が低いプラズマ処理装置の開発が行われている。
【0004】
高密度プラズマ処理装置1として、マイクロ波を利用して高密度プラズマを発生させる図7に示すものがある。高密度プラズマ源の共通の特徴は、平行平板型プラズマ装置のように電力が電極に直接結合するのではなく、RFあるいはマイクロ波電力2が誘電体窓3を通してプラズマに結合していることである。このように電力を非容量的に伝達させることにより、電極や壁の表面における電子の消滅を抑制することができるため、電子密度の高いプラズマを発生することができる。
【0005】
図8は図7のうち電磁放射窓3と成膜室4のシール部を拡大して示している。上記プラズマ処理装置のシール部は、図8に示すとおり、電磁放射窓3と成膜室4の封止部材をOリング5によって封止されている。
【0006】
このようにシール部を有する処理装置においては、Oリングを用いた封止構造を実施する場合、シールされる部材の両者の間に数mm程度の空間6が設けられることとなる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
この隙間6の存在によって、例えば図9に示すように、酸素ガス(O2)でプラズマを生成した場合、励起された酸素原子(O)がこの空間に侵入し、封止部材であるOリング5は、プラズマ7に晒されることとなる。
このため、酸素原子(O)がOリング5と反応して、Oリング5の材料であるフッ素や炭素を含む不純物ガスや異物が発生するといった課題があった。
【0008】
Oリングによるクロスコンタミネーションの発生を回避する手段としては、2重のOリングによる封止構造にし、内側のOリングの径を外側のOリングの径より1/4以下の大きさに小さくする封止構造が知られている(例えば特許文献2参照)。
【0009】
しかしながら、内側のOリングの径が小さいながらも依然として間隙が必要である。このため、例えば酸素ガスによるプラズマCVDでは、生成されたプラズマ中の励起された酸素原子が上記隙間に侵入し、これが上記Oリングと反応し、このOリングが損傷を受ける。その結果、上記Oリングからこれを構成するフッ素や炭素を含む不純物ガスが発生する。前記不純物ガスは、上記プラズマ生成空間に拡散し、クロスコンタミネーションの原因となり、被プラズマ処理基板の膜を劣化させる。
【0010】
【特許文献1】
特開平6−112168号公報([0012]〜[0014]図1〜図3)。
【特許文献2】
特開平9−263944号公報([0008]、図4)。
【0011】
本発明の目的は、活性化された処理ガスによる封止部材の損傷を防止するようにした処理装置、処理方法およびプラズマ処理装置を提供するものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の処理装置は、ガスを励起して被処理体を処理する気密容器と、この気密容器を構成する一部の容器壁を、封止部材を介して構成するようにした処理装置であって、前記封止部材近傍の前記気密容器内側にガス導入管を設けたことを特徴とする。
本発明の処理装置は、処理ガスを励起して被処理体を処理する気密容器と、この気密容器を構成する一部の容器壁を、封止部材を介して気密容器を構成するようにした処理装置であって、前記封止部材近傍の前記気密容器内側にガスを流入させるようにしたことを特徴とする。
本発明の処理方法は、気密容器を構成する一部の容器壁を、封止部材を介して気密に構成された気密容器内に被処理体を設け、少なくともこの被処理体を処理している期間中、前記封止部材の近傍から前記気密容器内にガスを供給することを特徴とする。
本発明のプラズマ処理装置は、プラズマ生成空間を有する気密容器と、この気密容器を構成する一部の容器壁を、封止部材を介して前記気密容器を構成するようにしたプラズマ処理装置であって、前記封止部材近傍の前記気密容器内側にガス導入管を設けたことを特徴とする。
【0013】
【発明の作用および効果】
本発明によれば、活性化された処理ガスによる封止部材の損傷を防止することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を高密度プラズマ処理装置に適用した実施形態を、図1を参照して説明する。
【0015】
プラズマ処理装置10は、気密容器11と、ステージ12と、誘電性部材13と、マイクロ波源14と、処理ガス供給管15と封止手段16と、排気孔17からなる。気密容器11は、金属材料例えばアルミニュウムにより形成され、気密容器11内にはプラズマが生成され、このプラズマにより処理される被処理基板21を支持するためのステージ12が設けられている。このステージ12は、気密容器11の底部に固定され、被処理基板21の形状に応じて角型、円形などの形状であり、金属又は絶縁性の支持面が形成されている。ステージ12には、プラズマ処理が施される被処理基板21例えば半導体装置や液晶表示装置の基板が載置される。
【0016】
気密容器11(チャンバ)は、上端開放の側壁22を有し、この側壁22によりプラズマ生成空間が規定されている。側壁22は、図示の例では、全体に矩形の横断面形状を有するが、他の横断面形状のものを任意に選択することができる。
【0017】
誘電性部材13は、気密容器11を構成する一部の容器壁例えば気密容器11の上蓋として着脱自在に気密に設けられ、プラズマを生成するためのマイクロ波などの電波を伝達するためのプレートである。誘電性部材13は、気密容器11(チャンバ)の開放上端の平面形状にほぼ合致する平面形状、図示の例では矩形の平面形状を有するプレートからなる。
【0018】
誘電性部材13は石英、アルミナ、窒化アルミニウム等からなる。誘電性部材13は、気密容器11に封止部材を介して気密に封止される。誘電性部材13は、気密容器11の側壁22の開放上端に嵌合され、かつ、環状フランジ26上に載置されている。誘電性部材13上には、誘電性部材13を通して気密容器11内にマイクロ波のような電波を放射し、これによりプラズマ生成空間内にプラズマを生じさせるためのマイクロ波源14が配置されている。
【0019】
マイクロ波源14は、気密容器11内に供給された処理ガスを励起して高密度プラズマを発生するマイクロ波を発生する装置であり、発生したマイクロ波は、図示しない導波管により誘電性部材13を介して気密容器11内に伝播される。
【0020】
処理ガス供給管15は、気密容器11の側壁22に設けられ、被処理基板21を処理例えば成膜処理するための原料ガス例えば酸素ガスやアルゴンガスを気密容器11内に供給するための配管である。
【0021】
封止手段16は、上蓋である誘電性部材13と気密容器11間に介在され気密に封止するもので、弾性を有する絶縁材料や金属材料からなる例えばOリング25である。封止手段16は、環状フランジ26に設けられ、この環状フランジ26にはOリング25が一部埋まる程度の溝が設けられている。環状フランジ26は、誘電性部材14を支持するためのもので、側壁22の上端部にて内方に張り出し、側壁22の内周面に沿って一体に設けられ、断面矩形の平面形状を呈する。環状フランジ26には、Oリング25が気密容器11内に発生するプラズマにより損傷を受けないようにするためにガスを気密容器11内に流入させるための配管27が設けられている。
【0022】
この配管27に流すガスは、原料ガスでも、不活性ガス、希釈ガスなど何れでもよい。このガス流は、Oリング25の全周面に渉って形成されるように構成されている。即ち、配管27は、ガス流のOリング25の全周面に渉って形成されるように設けられている。例えば複数の配管27が環状フランジ26又は側壁22の周方向に互いに間隔をおいて設けられる。
【0023】
この環状フランジ26と誘電性部材13の周縁部には、封止手段16としてOリング25が介在されている。排気孔17は、側壁22の下端に位置して設けられ、気密容器11内から外部に不要ガスを排出し、処理期間中原料ガスを導入し、設定圧力に調整するための図示しない排気ポンプが接続される。
【0024】
次に、封止手段16の第1の実施形態を、図2乃至図6を参照して具体的に説明する。図1と同一部分には、同一符号を付与し、その詳細な説明は、重複するので省略する。誘電性部材13と、側壁22の一部をなす環状フランジ部26との間には、これらの間を密封するためのシール構造の一部をなすOリング25が介在されている。このため、Oリング25に接する誘電性部材13と環状フランジ部26との間にはわずかな環状隙間32が存する。
【0025】
フランジ部26にはOリング25の一部を受け入れるための凹溝30が形成されている。凹溝30は側壁22に沿ってその周方向へ伸び、上方に向けて開放している。凹溝30及び凹溝30に部分的に受け入れられたOリング25は、共に、環状フランジ部26をその周方向へ断面矩形状の4辺に沿って設けられている。
【0026】
Oリング25の内周側には、このOリング25がプラズマからの損傷を受けないようにOリング保護手段としてOリング25側から気密容器11内方向にガス流が形成される。このガス流を形成するための例として、図2に示すように環状フランジ部26にはOリング25より気密容器11内にガス例えば原料ガスを導入するための複数の配管27又は環状配管27が設けられている。
【0027】
配管27は側壁22及び環状フランジ部26内にこれらの厚さ方向及び上下方向へL字状に伸びている。配管27の一端は、側壁22の外周面に開口し、また、その他端はOリング25が取り巻く空間すなわちOリング25の内周側において誘電性部材13の内壁面に向けて隙間32に開放している。即ち、原料ガスは、矢印31で示すように配管27を介して隙間32に流入する。
【0028】
Oリング25の内周側には、Oリング保護手段としてさらにプラズマの侵入路を拘束するためにガス流路を狭くするための機構たとえば環状突起33が設けられている。この環状突起33は、Oリング25の設置位置より気密容器11内側で、隙間32を形成する誘電性部材13内壁面および環状フランジ26の少なくとも一方の例えば環状フランジ26の内端側に設けられている。配管27から供給されたガス流は、狭くなった環状突起33部において。急速に高速化され、プラズマの侵入を防止し、Oリング25は保護される。環状突起33は、気密容器11内のプラズマ生成空間に対する開口面積を小さくし、これにより、隙間32への生成プラズマの侵入又は流入量をより少なくし、Oリング25に対する前記プラズマによる悪影響をより低減することができる。
【0029】
処理ガス供給管15および配管27から供給するガスは、同一種のガスでもよいし、異種のガスでもよい。例えば処理ガス供給管15から原料ガスを供給し、配管27から不活性ガスを供給するようにしてもよい。
【0030】
例えば配管27から流入された原料ガスは、Oリング25の内周側において、配管27から気密容器11側へ環状突起33で急流となって流れ、隙間32から噴出され、隙間32に原料ガスが流れるためOリング25が保護される。複数の配管27を複数個設けたときは、前記原料ガスによる隙間32の充填をより短時間で、またより完全に行うことができる。この結果Oリング25は、気密容器11内に発生したプラズマ中の励起原子によるOリング25の損傷と、この損傷に伴う不純物ガスの発生が防止される。
【0031】
また、配管27から供給されるガスは、処理ガス供給管15から導入される原料ガスとは異なるガス例えばアルゴンガスのような不活性ガスを導入することができる。隙間32に流入された不活性ガス流は、同様に、配管27から気密容器11側へ環状突起33で急流となって流れ、隙間32へのプラズマの侵入を阻止する働きをする。また、前記不活性ガスは活性種となっても前記Oリング25に損傷を与えないことから、同様に、プラズマの生成に伴うOリング25の損傷を防止することができる。
【0032】
なお、処理ガス供給管15を設けず、配管27のみから原料ガスの全部を導入してもよい。
【0033】
次に、封止手段16の第2の実施形態を、図3を参照して説明する。図1および図2と同一部分には、同一符号を付与し、その詳細な説明は重複するので省略する。この実施形態は、側壁22に支持されている環状フランジ部26と誘電性部材13との間に複数例えばもう一つのOリング38を設置し、Oリング25、38間に排気孔40を設けたものである。
【0034】
Oリング38は、Oリング25の外周側の位置にOリング25と間隔をおいて配置されている。より詳細には、Oリング38は、Oリング25の受け入れ凹溝30と並列に伸びるように環状フランジ部26に設けられた他の凹溝42に部分的に受け入れられている。Oリング38は、一方のOリング25と同じ直径を有し、該Oリング25と同様に環状フランジ部26と誘電性部材13とに接し、これらの間を封止している。Oリング38、25は、同一径でも異なる径でもよい。
【0035】
他方の排気孔40は、図3に示されているように環状フランジ部26内から側壁16の外周面に開口し、その他端が両Oリング25、38間で隙間39に開放し、誘電性部材13に相対している。隙間39に連通する排気孔40はその設置数を複数とし、これらを側壁16の周方向へ互いに間隔をおいて設けてもよい。
【0036】
排気孔40に接続される排気ポンプは、排気孔40を通して、両Oリング25、38間の隙間39の部分に存する気体(図3に符号44を付した矢印で示す。)を吸引し、該隙間39の空間部分を真空にすることができる。この真空引きは、両Oリング25,38に対する環状フランジ部26及び誘電性部材13の接触圧をより高める効果がある。その結果、前記原料ガスの供給によって生じる隙間32の圧力上昇を起因とする環状フランジ26及び誘電性部材14間のシール性の低下を抑制することができる。
【0037】
上記実施形態では、誘電性部材13が気密容器11の上端部内に嵌合させた構造の例について説明したが、図4に示すように気密容器11の上端部に環状フランジ45を設け、この環状フランジ45に上記封止手段としてOリング25を介して誘電性部材13を気密に設けた構成でもよい。さらに、気密容器11の側壁面に被処理基板搬入・出用ゲートバルブ46を上記図2および図3に示す封止手段としてOリング25を介して気密に開閉可能にした構成に適用してもよい。
【0038】
さらに、気密容器11の底面47を着脱自在な構成にし、気密容器11の下端部に環状フランジ48を設け、この環状フランジ48に底面47を上記封止手段としてOリング25を介して気密に設けるようにしてもよい。さらに、上記実施形態では、プラズマ処理装置に適用した実施形態に適用した例について説明したが、気密容器内に供給された処理ガスを例えば光励起して活性化し、活性化されたガスにより被処理基板を処理する処理装置に適用してもよい。
【0039】
上記実施形態によれば、次のような効果を得ることができる。本発明によれば、前記チャンバの側壁と前記誘電性部材との間に配置されたOリングの内方側において前記誘電性部材に向けて開放する原料ガスの導入孔が設けられていることから、プラズマ処理の間、前記導入孔から前記チャンバの側壁と前記誘電性部材との間の隙間を通して、前記チャンバのプラズマ生成空間に原料ガスの全部または一部を供給することができる。
【0040】
プラズマ処理の間、前記チャンバの側壁と前記誘電性部材との間の隙間は、前記導入孔を通して導入される前記原料ガスで満たされる。前記隙間に導入された原料ガスは、前記チャンバのプラズマ生成空間に生じたプラズマと接し、その圧力が前記プラズマの圧力と拮抗する。このことから、前記プラズマ中の酸素原子のような励起原子が前記隙間を経て前記Oリングにまで達することが阻止され、前記Oリングの損傷及びこれに伴う不純物ガスの発生が防止される。
【0041】
また、前記導入孔を通して例えばアルゴンガスを導入することができる。アルゴンガスは活性種となっても前記Oリングに損傷を与えることはない。また、前記プラズマ生成空間で生じたプラズマ中の励起原子は、前記隙間を満たすアルゴン原子と衝突してエネルギを失い、不活性の状態となり、前記Oリングに損傷を与えることはない。
【0042】
前記Oリングに加えて、さらに前記Oリングの外周側にこれと間隔をおいて他のOリングが配置され、かつこれらの間で開放する排気孔が設けられるときは、両Oリング間の隙間部分を真空にして前記側壁及び前記誘電性部材と前記Oリングとをより密接にすることができ、これにより、前記原料ガスの供給に伴う前記隙間の圧力上昇による前記側壁及び前記誘電性部材間のシール性の低下を抑えることができる。
【0043】
さらに、前記導入孔の内周側の位置において前記チャンバの側壁から前記誘電性部材に向けて突出する突起が設けられるときは、前記隙間への前記プラズマの侵入をより少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】プラズマ処理装置の概略的な縦断面図である。
【図2】図1に示すプラズマ処理装置の封止部材設置箇所における部分拡大断面図である
【図3】プラズマ処理装置の他の例の部分拡大断面図である。
【図4】気密容器の上部構造の他の例を示す部分断面図である。
【図5】気密容器の底部構造の他の例を示す部分断面図である。
【図6】気密容器の底部構造のさらに他の例を示す部分断面図である。
【図7】従来のプラズマ処理装置の概略的な縦断面図である。
【図8】図7に示すプラズマ処理装置の部分拡大図である。
【図9】気密容器におけるOリングがプラズマに晒された状態を示す説明図である。
【符号の説明】
10・・・プラズマ処理装置 11・・・気密容器 13・・・誘電性部材 15・・・ガス供給管 16・・・封止手段 17・・・排気孔
Claims (8)
- 処理ガスを励起して被処理体を処理する気密容器と、
この気密容器を構成する一部の容器壁を、封止部材を介して気密容器を構成するようにした処理装置であって、
前記封止部材近傍の前記気密容器内側にガス導入管を設けたことを特徴とする処理装置。 - 前記気密容器および前記容器壁にそれぞれ対向するフランジを設け、この対向するフランジ間に前記封止部材を介在させ、この封止部材の前記気密容器内であって、前記対向するフランジの少なくとも一方のフランジに前記ガス導入孔を設けたことを特徴とする請求項1記載の処理装置。
- 封止部材は離隔して複数設けられ、封止部材間には排気管が設けられてなることを特徴とする請求項1又は2記載の処理装置。
- 前記ガス導入管の前記気密容器内壁面および前記容器壁の少なくとも一方には還状に突起が設けられ、前記封止部材と気密容器内との連通する空間を狭くすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の処理装置。
- 処理ガスを励起して被処理体を処理する気密容器と、
この気密容器を構成する一部の容器壁を、封止部材を介して気密容器を構成するようにした処理装置であって、
前記封止部材近傍の前記気密容器内側にガスを流入させるようにしたことを特徴とする処理装置。 - 前記ガス導入管に導入されるガスは、処理ガス、不活性ガス、希釈ガスなどであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の処理装置。
- 気密容器を構成する一部の容器壁を、封止部材を介して気密に構成された気密容器内に被処理体を設け、少なくともこの被処理体を処理している期間中、前記封止部材の近傍から前記気密容器内にガスを供給することを特徴とする処理方法。
- プラズマ生成空間を有する気密容器と、
この気密容器を構成する一部の容器壁を、封止部材を介して前記気密容器を構成するようにしたプラズマ処理装置であって、
前記封止部材近傍の前記気密容器内側にガス導入管を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
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