TWI409357B

TWI409357B - Plasma processing device

Info

Publication number: TWI409357B
Application number: TW095119209A
Authority: TW
Inventors: Jun Yamashita
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2005-05-30
Filing date: 2006-05-30
Publication date: 2013-09-21
Also published as: WO2006129591A1; CN101189707A; TW200702484A; US8377254B2; KR20080008389A; CN100536082C; US20100012275A1; KR101002513B1; JP2006332554A; JP4624856B2

Description

電漿處理裝置

本發明係有關一種電漿處理裝置，詳言之，係有關一種使用電漿來處理半導體基板等被處理體的電漿處理裝置。

做為電漿處理裝置已知有藉由徑線隙縫天線(Radial Line Slot Antenna)將微波導入至處理室內，而生成電漿的RLSA方式的電漿處理裝置(例如，專利文獻1)。該RLSA方式的電漿處理裝置係具備：在內部具備載置被處理體的載置台之圓筒容器；以及用來放射由隙縫板以及導波電介質所構成的微波的天線部，在圓筒容器的上端載置前述天線部，藉由密封構件密封接合部，而構成真空反應室。

[專利文獻1]WO98/33362號(例如，第1圖等)

[發明之揭示]

在RLSA方式的電漿處理裝置中，為了進行最適當的處理，而因應做為被處理體的半導體晶圓的大小(以下簡稱為晶圓)變更天線尺寸，因應目的之處理內容，而有需要使天線尺寸或晶圓和天線的距離(間隙)變化之必要。

例如，進年來有晶圓尺寸大型化的傾向，由於現狀為混合有6至12英吋的晶圓之狀況，因此有對於不同尺寸的晶圓進行相同處理之必要。又，根據半導體元件的高積積體化和微細化，而製程的條件亦複雜化，需要因應處理內容來變更間隙。又，不限定於半導體晶圓，近年來，平板顯示器(FPD)的製造所使用的玻璃基板亦有大型化的傾向。

然而，在上述專利文獻1的RLSA方式的電漿處理裝置中，藉由容器和天線的固定組合構成電漿處理裝置，因此天線尺寸或間隙的變更較為困難，現實上，為因應晶圓直徑或處理內容，有準備其他的電漿處理裝置進行處理的必要。如此，在以往的電漿處理裝置中，有所謂天線尺寸或間隙的變更之自由度較低的問題。

因而，本發明的目的在於提供一種可容易進行天線尺寸的變更或間隙變更之電漿處理裝置。

為了解決上述課題，根據本發明的第1觀點，係提供一種電漿處理裝置，係具備有：可真空排氣的處理容器；於前述處理容器內載置被處理體的載置台；及與前述處理容器的上部接合，密閉前述處理容器內的蓋部，其係：前述處理容器具備有：圍繞前述載置台的第1外殼、及裝卸自如地介在配置於前述第1外殼和前述蓋部之間的第2外殼。

又，根據本發明的第2觀點，係提供一種電漿處理裝置，係具備有：可真空排氣的處理容器；於前述處理容器內載置被處理體的載置台；與前述處理容器的上部接合，於前述處理容器內導入電磁波的電磁波導入部；及於前述處理容器內導入電漿激起用之氣體的氣體導入部，其係：前述處理容器具備有：圍繞前述載置台的第1外殼、及裝卸自如地介在配置於前述第1外殼和前述電磁波導入部之間的第2外殼。

在上述第2觀點中，前述第2外殼係因應被處理體的大小，而從預先準備的高度及/或內徑不同的複數個筒狀構件中，予以選擇而裝設亦可。又，在上述第2觀點中，前述第2外殼係因應電漿處理的內容，而從預先準備的高度及/或內徑不同的複數個筒狀構件中，予以選擇而裝設。而且，前述電磁波導入部係因應被處理體的大小，而選擇其大小而裝設為佳。

又，在上述第2觀點中，於前述第2外殼的複數處設置前述氣體導入部。此時，前述氣體導入部係具備有：朝向前述處理容器內的空間而開口的氣體導入口、及與該氣體導入口連接的氣體導入路，前述氣體導入路，係與用來將氣體均等分配至複數個前述氣體導入部而形成於前述第1外殼的上端和前述第2外殼的下端之邊界的氣體分配手段連接。在此，前述氣體分配手段係形成於前述第1外殼上端之階梯部、和形成於前述第2外殼下端的階梯部之間的間隙。

又，在上述第2觀點中，前述電磁波為微波，前述電磁波導入部係具備用來導入微波的天線亦可，前述天線係形成有複數個隙縫孔的平面天線亦可。

而且，根據本發明的第3觀點，係提供一種電漿處理裝置，係具備有：可真空排氣的處理容器；於前述處理容器內載置被處理體的載置台；與前述處理容器的上部接合，密閉該處理容器內的蓋部；及圍繞前述載置台的第1外殼，其特徵為，於前述第1外殼和前述蓋部之間構成可裝設第2外殼，並且在取出前述第2外殼的狀態下，構成可直接接合前述第1外殼和前述蓋部。

根據本發明，在對於被處理體進行電漿處理的處理容器中，由於具備裝卸自如的介在配置於第1外殼和在蓋部(或電磁波導入部)之間的第2外殼之構成，因此藉由裝設做為第2外殼之形態不同者，因應半導體晶圓等被處理體的大小或處理目的，而可容易變更間隙或蓋部(或電磁波導入部)的種類、大小等。

亦即，不需要因應被處理體的大小或處理的內容等而交換電漿處理裝置全體，可藉著僅交換第2外殼和蓋部(或電磁波導入部)而因應。

因而，可節省電漿處理裝置的開發步驟及材料費。又，亦可容易改造因應設置後的改型或新穎的應用之改造。而且，由於隨著改造或故障，而零件交換亦減少，因此可降低維理管理的成本。

以下，一邊參照添付圖面，一邊說明本發明的實施形態。

第1圖係模式表式本發明的一實施形態之電漿處理裝置100的概略構成之分解斜視圖，第2圖係電漿處理裝置100的概略剖面圖。該電漿處理裝置100係具有複數個隙縫的平面天線，例如以RLSA(Radial Line Slot Antenna；徑向線隙縫天線)將微波等微波導入至處理室內，而產生電漿，而獲得產生高密度且低電子溫度的微波電漿之電漿處理裝置而構成。

上述電漿處理裝置100係氣密性的構成，具有搬入晶圓W的已接地之略圓筒狀的反應室1。此外，反應室1的形狀亦可為剖面四角形等的角筒狀。該反應室1係具備：設為「第1外殼」的略圓筒形的外殼2(反應室基部)；以及從上方接合於該外殼2而圍繞處理空間作為「第2外殼」之圓筒形的反應室壁3(可裝卸部)。又，在反應室1的上部配備有將微波等電磁波導入至處理空間內的「電磁波導入部」的天線部30。

在外殼2的底壁2a的略中央部形成有圓形的開口部10，在底壁2a與該開口部10連通，朝向下方而突出，連設有用來均勻排出反應室1內部的氣體之氣體排氣室11。

在外殼2內設置有被支持在排氣室11的底部，用來水平支持被處理體之晶圓W的石英或陶瓷(AlN、Al₂ O₃ 等)的材質所構成的載置台(基座5)。該基座5係藉由從排氣室11的底部中央延伸至上方的圓筒狀的支持構件4加以支持，該支持構件4係被支持在排氣室11。此等支持構件4以及基座5，係由熱傳導性佳的AlN等陶瓷材料所構成。在基座5的外緣部設置有用來導引晶圓W的導引環8。又，在基座5埋入有阻抗加熱型的加熱器(未圖示)，藉由從加熱電源6給電來加熱基座5，利用該熱來加熱被處理體的晶圓W。基座5的溫度係藉由熱電偶(TC)20加以計測，例如可從室溫至電漿處理裝置1000℃為止的範圍內溫度控制。此外，在基座5具有靜電夾頭功能，亦可設為可電性裝卸晶圓W的構成。

又，在基座5對於基座5的表面可突沒的設置有用來支持晶圓W而使其升降的晶圓支持插銷(未圖示)。在基座5的外周側環狀設置有：具備用來均勻排出反應室1內的氣體的未圖示之多數個貫通孔的擋板7，該擋板7係藉由複數個支柱7a加以支持。此外，在反應室1的內周設置有由石英所構成的圓筒狀的襯墊(末圖示)，防止反應室構成材料造成的金屬污染，而維持乾淨的環境。

在上述排氣室11的側面連接有排氣管23，該排氣管23連接有包含高速真空泵浦的排氣裝置24。然後，藉由使該排氣裝置24動作，而使反應室1內的氣體均勻排出至排氣室11的空間11a內，經由排氣管23而加以排氣。藉此，將反應室1內設定為特定的真空度，例如可高速減壓至0.133Pa。

在外殼2的側壁設置有：用來進行晶圓W的搬入搬出之搬入搬出口；以及用來開關該搬入搬出口的閘閥(皆未圖示)。

在反應室1的側壁，形成有用來將處理氣體導入至反應室1內的氣體導入路。具體而言，在外殼2的側壁上端形成有階梯部18，如後所述，在形成於反應室壁3的下端的階梯部19之間形成環狀通路13(參照第5A圖)。

反應室壁3係全體設為環狀(亦可為角筒狀)，例如可做為由鋁或不鏽鋼等金屬材構成的可裝設及取出之構件。在該反應室壁3的上端部扣合有天線部30的上面板27的下端部。換言之，反應室壁3係用來支持天線部30的天線部支持構件。又，反應室壁3的下端部係與外殼2的上端接合。在第3A圖以及第3B圖表示反應室壁3的概略構成。第3A圖為外觀斜視圖，第3B圖為主要部份剖面圖。反應室壁3在本實施形態中，與外殼2的形狀對準而設為環狀，在內部形成有氣體通路14、氣體導入路15b做為氣體流路。

又，反應室壁3的內周面的下端部係環狀形成有於下方下垂成裙狀的突出部17。該突出部17係以覆蓋反應室壁3和外殼2的邊界(接面部)的方式設置，可達到防止曝露於電漿時受到電漿損害而導致劣化，例如電漿直接作用在由氟系橡膠材料[例如CHEMRAZ(商品名；GREEN、TWEED．AND．COMPANY公司製)或Viton(商品名；Dupont Dow Elastomers]等所構成的O形環等的密封構件9b之功能。

在反應室壁3的上下接合部，例如配備有O形環等的密封構件9a、9b、9c，來保持接合部的氣密狀態。在反應室壁3的下端可與外殼2的階梯部18一起形成環狀通路13，而設置有階梯部19(參照第5A圖)。

在本實施形態中，不與反應室1為一體的構造，將外殼2和反應室壁3設為分割構造。藉此，如後所述，藉由將反應室壁3與高度或直徑不同的形態交換，而對於電漿處理裝置100的間隙L的調整，或對於與晶圓W的尺寸對應的平面天線構件31的尺寸的變更，可自由度高的對應。例如，即使使處理氣體流量、壓力、溫度、微波能量等的條件變化時，藉由調整間隙L，亦有可進行與變更前相同內容的處理之情況。

做為反應室壁3的其他之改型，例如，第7A圖、第9A圖、第11A圖所示，構成略圓筒狀，外徑大致相同，可交換的準備有構件的高度或內徑不同的反應室壁3a、3b、3c。此等反應室壁3a、3b、3c，為用來支持天線部30的天線部支持構件。

此外，在取下反應室壁3的狀態下，直接使外殼2和天線部30接合亦可。

反應室1的上部成為開口部，以阻塞該開口部的方式氣密的配置有天線部30。換言之，天線部30的全體作為於上方開口的反應室1的蓋體之功能。因而，天線部30的上面板27藉由與反應室壁3、3a、3b、3c抵接而分離，亦具有使蓋體(天線部30)裝卸自如的連接於反應室1的連結部之功能。

在天線部30從基座5側依序配備有透過板28、平面天線構件31、遲波材33。此等係例如藉由鋁或不鏽鋼等的金屬材所構成的密封蓋體34、按押環36以及上面板27加以覆蓋，以環狀的按押環35予以固定。按押環35例如構成剖面觀看L字形。反應室1的上端和上面板27係藉由密封構件9c予以密封的狀態下扣合。

透過板28係由電介質如石英或Al₂ O₃ 、AlN、藍寶石、SiN等的陶瓷所構成，作為透過微波而導入至反應室1內的處理空間的微波導入窗的功能。透過板28的下面(基座5側)不限定為平坦狀，由於使微波均勻化並使電漿穩定化，因此例如亦可形成凹部或溝。該透過板28係藉由環狀配備於天線部30的外周下側的上面板27之內周面的突部27a，隔著密封構件29以氣密狀態加以支持。因而，反應室1內係氣密的保持。

平面天線構件31係構成圓板狀，在透過板28的上方位置上，與密封蓋體34的內周面扣止。該平面天線構件31係例如表面由金或銀電鍍的銅板或鋁板所構成，以特定的圖案貫通而形成有用來放射微波等的電磁波的多數個隙縫孔32的構成。

隙縫孔32係例如第4圖所示構成長溝狀，典型的相鄰接的隙縫孔32之間配置成「T」字狀，此等複數個隙縫孔32配置為同心圓狀。隙縫孔32的長度或配列間隔係因應微波的波長(λg)而決定，例如隙縫孔32的間隔配置成λg/2或λg。此外，在第4圖中，以△r表示形成同心圓狀的相鄰接的隙縫孔32之間的間隔。又，隙縫孔32亦可為圓形、圓弧狀等的其他的形狀。再者，隙縫孔32的配置形態沒有特別限制，除了同心圓狀之外，例如亦可配置為螺旋狀、放射狀。又，隙縫孔32亦可直線配列。

遲波材33係具有比真空大的電介率，設置在平面天線構件31的上面。該遲波材33例如藉由石英、陶瓷、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)等的氟系樹脂或聚亞醯胺系樹脂所構成。在真空中微波的波長變長，而產生定在波，因為無法均勻的將微波供給至處理室，因此藉由遲波材33縮短微波的波長而使微波均勻化，可生成均質的電漿。此外，平面天線構件31和透過板28之間，又遲波材33和平面天線構件31之間，係可分別密接或分離。

在密封蓋體34形成有冷卻水流路34a，藉由使冷卻水流通於此，而冷卻密封蓋體34、遲波材33、平面天線構件31、透過板28。此外，密封蓋體34係被接地。

在密封蓋體34的上壁中央形成有開口部34b，在該開口部34b連接有導波管37。在該導波管37的端部經由匹配電路38連接有微波產生裝置39。藉此，在微波產生裝置39所產生的例如頻率2.45GHz的微波，經由導波管37傳播至上述平面天線構件31。微波的頻率亦可使用8.35GHz、1.98GHz等。

導波管37係從上述密封蓋體34的開口部34b延伸出至上方的剖面圓形之同軸導波管37a；以及朝向經由模式變換器40與該同軸導波管37a的上端部連接的水平方向延伸的矩形導波管37b。矩形導波管37b和同軸導波管37a之間的模式變換器40，具有將以TE模式在矩形導波管37b內傳播的微波變換為TEM模式的功能。在同軸導波管37a的中心延伸有內導體41，內導體41在其下端部上，與平面天線構件31的中心連接固定。藉此，微波係經由同軸導波管37a的內導體41，而以放射狀有效率的朝向平面天線構件31均勻的傳播。

第5A圖係表示本實施形態的電漿處理裝置100之氣體導入路徑的構造之放大圖。在反應室壁3設置有對於反應室1供給氣體的氣體導入口15。氣體導入口15藉由氣體導入口15a和氣體導入路15b所構成。氣體導入口15a係均等的形成在反應室1的側壁之內周側的複數處(例如32處)。各氣體導入口15a係與反應室1的內壁面相對，與橫方向形成的氣體導入路15b連通，各氣體導入路15b係在反應室壁3內與朝向鉛直方向形成的氣體通路14連通。此外，氣體導入口15a及氣體導入路15b亦可形成上面板27。

氣體通路14係於外殼2的上部和反應室壁3的下部之接面部，藉由階梯部18和階梯部19所形成的間隙的環狀通路13連接。該環狀通路13係以包圍處理空間的方式，朝向略水平方向環狀的連通。又，環狀通路13係在外殼2內的任意處(例如均等的4處)與外殼2相對，而經由形成於垂直方向的通路12與氣體供給裝置16連接。環狀通路13係具有將氣體均等分配並供給至各氣體通路14的氣體分配手段的功能，具有防止處理氣體偏向供給至特定的氣體導入口15a的功能。此外，氣體導入口15a係因應在電漿處理裝置100進行的製程內容，而將處理氣體均等的導入至反應室1內，例如均等的設置有8至32個。

如此，在本實施形態中，能經由通路12、環狀通路13、各氣體通路14將從氣體供給裝置16供給的氣體，從32處的氣體導入口15a均勻的導入至反應室1內，故在反應室1內可均勻的激起電漿，謀求與晶圓W相對的製程之均勻化。又，藉由採用這種氣體流路構造，由於可簡略化用來導入氣體的配管等的設備，因此可使裝置構成簡單化。

又，設置暫時將通路12所導入的氣體分配至水平方向的環狀通路13，更在反應室壁3內設置氣體通路14，因此將氣體導入口15a設定在反應室壁3內的任意位置，而有可以將氣體導入至反應室1內的優點。

亦即，藉由製程內容，在微波導入部位(透過板28的附近)導入氣體，或反之，在微波導入部位的附近位置上，氣體的解離過度，而有對於氣體導入口15a內部造成損傷之疑問時，可容易將氣體導入口15a配置於更下方等的改型。

在第5A圖中，於外殼2的上端的階梯部18和反應室壁3下端的階梯部19之間形成環狀通路13。但是例如第5B圖所示，在外殼2的上端面設置環狀的溝，在平坦的反應室壁3的下端面之間形成環狀通路13a。又，例如第5C圖所示，在反應室壁3的下端面設置環狀的溝，在平坦的外殼2的上端面之間形成環狀通路13b。再者，雖未圖示，但是亦可在外殼2和反應室壁3的兩側設置環狀的溝，使兩方的溝相對而接合，形成環狀通路。

在以此方法構成的電漿處理裝置100中，如以下所述，對於做為被處理體的晶圓W進行電漿處理。

首先，將晶圓W搬入至反應室1內，並載置於基座5上。然後，從氣體供給裝置16例如除了將Ar、Kr、He等的稀有氣體，例如O₂ 、N₂ O、NO、NO₂ 、CO₂ 等氧化氣體，例如N₂ 、NH₃ 等的氮化氣體之外，以特定的流量使成膜氣體、蝕刻氣體等的處理氣體，經由氣體導入口15a而導入到反應室1內。

然後，將來自微波產生裝置39的微波經由匹配電路38導入至導波管37，依序通過矩形導波管37b、模式變換器40以及同軸導波管37a，而經由內導體41供給至平面天線構件31，從平面天線構件31的隙縫經由透過板28放射至反應室1內。

微波係在矩形導波管37b內，以TE模式傳播，該TE模式的微波係以模式變換器40變換成TEM模式，在同軸導波管37a內朝向平面天線構件31而傳播。從平面天線構件31經由透過板28放射到反應室1的微波，在反應室1內形成電磁場，而使處理氣體電漿化。

該電漿係藉由微波從平面天線構件31的多數個隙縫孔32放射，而以略1×10¹ ⁰ 至5×10¹ ² /cm³ 的高密度，且在晶圓W附近成為略1.5eV以下的低電子溫度電漿。因而，藉由使該電漿與晶圓W相對而作用，可抑制電漿損失之處理。此外，做為電漿處理的內容，沒有特別的限定，例如亦可以各種基板(矽基板、FPD用玻璃基板、化合物半導體基板等)之氧化處理、氮化處理、氧氮化處理、成膜處理、蝕刻處理等的各種電漿處理為對象。

第6圖、第8圖及第10圖係取下第1圖的電漿處理裝置100的反應室壁3，而分別交換為其他的反應室壁之狀態。此外，在第6圖、第8圖以及第10圖中，電漿處理裝置100的基本構成由於與第1圖及第2圖相同，因此在相同的構成附加相同的符號而省略說明。

首先，第6圖係置換第1圖的電漿處理裝置100的反應室壁3，而裝設構件高度較低的反應室壁3a之其他實施形態。第7A圖表示反應室壁3a的外觀斜視圖，第7B圖表示剖面圖。如此，藉由使用高度低的反應室壁3a，而可縮短電漿處理裝置100的天線部30的透過板28的下面至晶圓W的距離(間隙L)。如此，以僅交換反應室壁，可因應製程目的簡單地變更間隙L，因應製程條件等的處理內容，調整為最適當的間隙L，而進行電漿處理。

又，在高度較低的反應室壁3a內，於氣體通路14設置經由氣體供給路15b而連通的氣體導入口15a。此時，氣體導入口15a的位置係設定為和裝置反應室壁3之情況大致相同(第2圖)，而不需要變更與氣體導入有關的製程條件，而可僅變更間隙L。

然後，第8圖與第1圖相比，為處理直徑較小之晶圓W時之其他變形例。例如，第1圖的電漿處理裝置100應用在300mm直徑的處理時，在第8圖的實施形態中，適合200mm直徑小的晶圓W的處理，與第1圖的天線部30相比配備小型的天線部30a。

小型且小直徑的天線部30a，由於無法直接裝設在第1圖的反應室壁3，因此在以往的反應室構造中，必需準備其他的電漿處理裝置進行處理。在本實施形態中，置換為第1圖的電漿處理裝置100的反應室壁3，裝設內直徑較狹窄的寬度較寬形狀的反應室壁3b。使該反應室壁3b之內周面突出至反應室空間而裝設於外殼2，可支持小型的天線部30a。

在第9A圖表示反應室壁3b的外觀斜視圖，在第9B圖表示剖面圖。反應室壁3b為朝向內側突出的寬度較寬的環，在其下面的周緣部與外殼2抵接，而且在該上面的內緣部與內徑小的小直徑的天線部30a抵接，而可支持其之構成。

又，在反應室壁3b的下面，形成有朝向下方突出的突出部17，防止電漿直接作用於密封構件9b。

在本實施形態中，將反應室壁3b的高度設為與第1圖的反應室壁3大致相同，由於不變更間隙L，而實施相同的製程時，在相同條件下進行處理。再者，在目的之製程不同時，藉由改變反應室壁3b的高度而可變的調整間隙L。

再者，於寬度較寬的反應室壁3b內，從環狀通路13使氣體通路14朝向面對反應室內空間的氣體導入口15a傾斜而穿設，因此氣體通路14的距離與裝設反應室壁3之情況(第2圖)相比，藉由可將伸長的長度之壓力損失壓抑在最小限度，不會使氣體滯留而可順利的供給。又，氣體導入口15a的位置設定在與裝設反應室壁3的情況大致相同(第2圖)，不需變動氣體導入的條件，而可僅變更天線部的尺寸。藉此，不論晶圓W的尺寸，而可做出相同的處理狀態。

第10圖與第8圖之例相比，係表示縮短間隙L之例。在此，配備與第8圖相同的小直徑的天線部30a，藉由使用反應室壁3c做為反應室壁，可縮小間隙L。第11A圖係反應室壁3c的外觀斜視圖，第11B圖係主要部分剖面圖。該反應室壁3c與反應室壁3b相比形成高度較低，而且在其上面於環的周緣部和內側設置有段差，該段差的下段部分朝向內周側，而形成突出的剖面觀看略L字型。朝向內周側突出的段差之下段部分的上面，係平面地形成而構成支持面。因而，在朝向內周側而支持的突出面上，以較低位置可支持小直徑的天線部30a，而可任意調節間隙L。例如，藉由降低朝向內周側而突出的支持面的高度(也就是段差的高度)，可將間隙L設定為較短。

如以上所述，在本發明的電漿處理裝置100中，將可裝卸設置於外殼2的反應室壁3，與反應室壁3a至3c交換，因應製程目的可變更天線部的尺寸或變更間隙L。換言之，反應室壁3、3a、3b、3c，係在外殼2和大小不同的天線部30、30a之間做為支持座的功能。因而，因應晶圓W的大小或處理內容，以最小限度的設備變更進行最適當的電漿處理。

以上，雖然敘述本發明的實施形態，但是本發明不限定於上述實施形態，而可進行各種的變形。

例如，在第1圖中，雖舉出RLSA方式的電漿處理裝置100為例，但例如亦可應用在遙控電漿方式、ICP方式、ECR方式、表面反射波方式、磁控管方式等電漿處理裝置。

又，在上述實施形態中，雖然將反應室1分割為外殼和反應室壁，但亦可為3分割以上。

再者，在上述實施形態中，雖舉出具有用來處理圓盤狀的半導體晶圓的圓筒狀的反應室1之電漿處理裝置100為例，但並不限定於此，例如亦可將本發明的分割構造，應用於具有用來處理設為四角形的FPD用玻璃基板的水平剖面為矩形的反應室之電漿處理裝置。

[產業上利用的可能性]

本發明的電漿處理裝置，係在各種半導體裝置的製造過程中，可適當的利用。

1．．．反應室

2．．．外殼

3．．．反應室壁

2a．．．底壁

4．．．支持構件

5．．．基座

6．．．加熱電源

7．．．擋板

7a．．．支柱

8．．．導引環

10．．．開口部

11．．．排氣室

11a．．．空間

12．．．通路

13、13a．．．環狀通路

14．．．氣體通路

15．．．氣體導入口

15b．．．氣體導入路

17．．．突出部

16．．．氣體供給裝置

18、19．．．段部

20．．．熱電偶

23．．．排氣管

24．．．排氣裝置

27．．．上面板

28．．．透過板

27a．．．突部

29．．．密封構件

30．．．天線部

31．．．平面天線構件

32．．．隙縫

33．．．遲波材

34．．．密封蓋體

34a．．．冷卻水流路

34b．．．開口部

35、36．．．按押環

3a、3b、3c．．．反應室壁

37．．．導波管

38．．．匹配電路

39．．．微波產生裝置

37a．．．同軸導波管

37b．．．矩形導波管

40．．．模式變換器

41．．．內導體

30a．．．天線部

100．．．電漿處理裝置

9a、9b、9c．．．密封構件

第1圖係模式表示本發明的一實施形態之電漿處理裝置的概略構成之分解斜視圖。

第2圖係電漿處理裝置的概略剖面圖。

第3A圖係供以說明反應室壁的外觀斜視圖。

第3B圖係供以說明反應室壁的主要剖面圖。

第4圖係供以說明平面天線構件的圖面。

第5A圖係氣體導入口的附近的剖面圖。

第5B圖係氣體導入口的附近的其他例的主要部份剖面圖。

第5C圖係氣體導入口的附近的又一其他例的主要部份剖面圖。

第6圖係替換反應室壁的例之電漿處理裝置的概略剖面圖。

第7A圖係使用於第6圖的反應室壁的外觀斜視圖。

第7B圖係使用於第6圖的反應室壁的重要部分剖面圖。

第8圖係替換反應室壁的另一例之電漿處理裝置的概略剖面圖。

第9A圖係使用於第8圖的反應室壁的外觀斜視圖。

第9B圖係使用於第8圖的反應室壁的重要部分剖面圖。

第10圖係替換反應室壁的另一例之電漿處理裝置的概略剖面圖。

第11A圖係使用於第10圖的反應室壁的外觀斜視圖。

第11B圖係使用於第10圖的反應室壁的重要部分剖面圖。