JP2001185543A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JP2001185543A JP2001185543A JP37048399A JP37048399A JP2001185543A JP 2001185543 A JP2001185543 A JP 2001185543A JP 37048399 A JP37048399 A JP 37048399A JP 37048399 A JP37048399 A JP 37048399A JP 2001185543 A JP2001185543 A JP 2001185543A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放電管の寿命を延ばすことができるプラズマ
処理装置を提供する。 【解決手段】 放電管６の内部に導入したプロセスガス
Ｇにマイクロ波導波管１０を介してマイクロ波Ｍ．Ｗ．
を照射してプラズマＰ１、Ｐ２を発生させ、プラズマＰ
１、Ｐ２中の活性種を被処理物３の表面に供給して処理
を行うようにしたプラズマ処理装置である。放電管６に
向けてマイクロ波Ｍ．Ｗ．を放出するために、放電管６
に面する側のマイクロ波導波管１０の面に、マイクロ波
導波管１０の管軸方向に沿って形成されたスリット１２
を有する。スリット１２を部分的に覆うようにしてマイ
クロ波導波管１０の内部に充填され、マイクロ波導波管
１０の内部における設置位置をマイクロ波導波管１０の
管軸方向に沿って変更することができる誘電体ブロック
２０を有する。
処理装置を提供する。 【解決手段】 放電管６の内部に導入したプロセスガス
Ｇにマイクロ波導波管１０を介してマイクロ波Ｍ．Ｗ．
を照射してプラズマＰ１、Ｐ２を発生させ、プラズマＰ
１、Ｐ２中の活性種を被処理物３の表面に供給して処理
を行うようにしたプラズマ処理装置である。放電管６に
向けてマイクロ波Ｍ．Ｗ．を放出するために、放電管６
に面する側のマイクロ波導波管１０の面に、マイクロ波
導波管１０の管軸方向に沿って形成されたスリット１２
を有する。スリット１２を部分的に覆うようにしてマイ
クロ波導波管１０の内部に充填され、マイクロ波導波管
１０の内部における設置位置をマイクロ波導波管１０の
管軸方向に沿って変更することができる誘電体ブロック
２０を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
に係わり、特に、プロセスガスにマイクロ波を照射して
生成したプラズマを利用して被処理物の処理を行うプラ
ズマ処理装置に関する。
に係わり、特に、プロセスガスにマイクロ波を照射して
生成したプラズマを利用して被処理物の処理を行うプラ
ズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造用のシリコンウエーハや液晶
ディスプレイ用ガラス基板といった被処理物を処理する
ための装置として、マイクロ波プラズマを利用して被処
理物上の導電体膜、絶縁膜等を処理するプラズマ処理装
置がある。
ディスプレイ用ガラス基板といった被処理物を処理する
ための装置として、マイクロ波プラズマを利用して被処
理物上の導電体膜、絶縁膜等を処理するプラズマ処理装
置がある。
【０００３】このプラズマ処理装置の１つに、誘電体で
形成された放電管の内部にプロセスガスを導入し、マイ
クロ波導波管を介して導かれたマイクロ波を放電管の内
部のプロセスガスに照射し、放電管の内部にプラズマを
発生させるものがあり、このタイプの装置は一般にケミ
カルドライエッチング装置（以下「ＣＤＥ装置」と言
う。）と呼ばれている。
形成された放電管の内部にプロセスガスを導入し、マイ
クロ波導波管を介して導かれたマイクロ波を放電管の内
部のプロセスガスに照射し、放電管の内部にプラズマを
発生させるものがあり、このタイプの装置は一般にケミ
カルドライエッチング装置（以下「ＣＤＥ装置」と言
う。）と呼ばれている。
【０００４】このＣＤＥ装置においては、放電管の内部
にプラズマを生成することにより、プロセスガスから活
性種を生成し、この活性種を真空容器の内部に形成され
た処理室に導いて被処理物の表面に供給し、ドライエッ
チング処理やアッシング処理等の表面処理が施される。
にプラズマを生成することにより、プロセスガスから活
性種を生成し、この活性種を真空容器の内部に形成され
た処理室に導いて被処理物の表面に供給し、ドライエッ
チング処理やアッシング処理等の表面処理が施される。
【０００５】図３は従来のＣＤＥ装置の概略構成を示し
た図であり、図３に示したようにＣＤＥ装置は、排気口
８を介して内部を真空排気できる真空容器１を備えてお
り、この真空容器１の内部には処理室２が形成され、こ
の処理室２の内部には被処理物３を載置するための載置
台４が設けられている。ここで、被処理物３は、半導体
製造用のシリコンウエーハ、液晶表示用のガラス基板等
である。
た図であり、図３に示したようにＣＤＥ装置は、排気口
８を介して内部を真空排気できる真空容器１を備えてお
り、この真空容器１の内部には処理室２が形成され、こ
の処理室２の内部には被処理物３を載置するための載置
台４が設けられている。ここで、被処理物３は、半導体
製造用のシリコンウエーハ、液晶表示用のガラス基板等
である。
【０００６】真空容器１には活性種輸送管５を介して誘
電体材料より成る放電管６が接続されており、放電管６
はプロセスガス（Ｇ）を導入するためのガス導入口７を
備え、放電管６の内部にはプラズマ発生領域９が形成さ
れている。放電管６を形成する誘電体としては、石英、
アルミナ、サファイア、窒化アルミニウム等を使用する
ことができる。
電体材料より成る放電管６が接続されており、放電管６
はプロセスガス（Ｇ）を導入するためのガス導入口７を
備え、放電管６の内部にはプラズマ発生領域９が形成さ
れている。放電管６を形成する誘電体としては、石英、
アルミナ、サファイア、窒化アルミニウム等を使用する
ことができる。
【０００７】放電管６には、マイクロ波（Ｍ．Ｗ．）を
放電管６の内部に供給するための断面方形のマイクロ波
導波管１０が添設されている。マイクロ波導波管１０に
は、マイクロ波導波管１０の管軸方向に沿ってスリット
（図示せず）が形成されており、このスリットを介して
放電管６に向けてマイクロ波が放出される。なお、スリ
ットはマイクロ波導波管１０のＥ面又はＨ面のいずれに
も形成することもできる。
放電管６の内部に供給するための断面方形のマイクロ波
導波管１０が添設されている。マイクロ波導波管１０に
は、マイクロ波導波管１０の管軸方向に沿ってスリット
（図示せず）が形成されており、このスリットを介して
放電管６に向けてマイクロ波が放出される。なお、スリ
ットはマイクロ波導波管１０のＥ面又はＨ面のいずれに
も形成することもできる。
【０００８】そして、マイクロ波導波管１０によって導
かれたマイクロ波は、スリットを介して放電管６の内部
のプラズマ発生領域９に向けて放出され、ガス導入口７
から放電管６の内部に導入されたプロセスガスがマイク
ロ波によって励起されてプラズマが生成される。
かれたマイクロ波は、スリットを介して放電管６の内部
のプラズマ発生領域９に向けて放出され、ガス導入口７
から放電管６の内部に導入されたプロセスガスがマイク
ロ波によって励起されてプラズマが生成される。
【０００９】放電管６の内部のプラズマ発生領域９にて
プラズマが生成されると、プロセスガス中に活性種が生
成され、この活性種が活性種輸送管５を介して処理室２
内に導かれ、被処理物３の表面に到達した活性種によっ
てエッチング等の表面処理が行われる。
プラズマが生成されると、プロセスガス中に活性種が生
成され、この活性種が活性種輸送管５を介して処理室２
内に導かれ、被処理物３の表面に到達した活性種によっ
てエッチング等の表面処理が行われる。
【００１０】プロセスガスとしては、例えば被処理物表
面の薄膜のエッチングを行う場合には、酸素ガス
（Ｏ２）単体、或いは酸素ガスにＣＦ４、ＮＦ３、ＳＦ
６等のフッ素系ガスを添加した混合ガス、又はこれらの
ガスに水素ガスを添加したガスが使用される。
面の薄膜のエッチングを行う場合には、酸素ガス
（Ｏ２）単体、或いは酸素ガスにＣＦ４、ＮＦ３、ＳＦ
６等のフッ素系ガスを添加した混合ガス、又はこれらの
ガスに水素ガスを添加したガスが使用される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のプラズ
マ処理装置のように、マイクロ波導波管１０に設けたス
リットから放電管６に向けてマイクロ波を照射してプラ
ズマを発生させる放電形態は、一般にスロットアンテナ
方式と呼ばれるが、このスロットアンテナ方式において
は、マイクロ波導波管１０内に形成されるマイクロ波の
電磁界分布に対応した形でスリットから電磁波が照射さ
れる。このため、マイクロ波導波管１０内のマイクロ波
の電磁界分布が偏っていると、放電管６の内部のプラズ
マ発生領域９に生成されるプラズマの分布も偏ってしま
う。
マ処理装置のように、マイクロ波導波管１０に設けたス
リットから放電管６に向けてマイクロ波を照射してプラ
ズマを発生させる放電形態は、一般にスロットアンテナ
方式と呼ばれるが、このスロットアンテナ方式において
は、マイクロ波導波管１０内に形成されるマイクロ波の
電磁界分布に対応した形でスリットから電磁波が照射さ
れる。このため、マイクロ波導波管１０内のマイクロ波
の電磁界分布が偏っていると、放電管６の内部のプラズ
マ発生領域９に生成されるプラズマの分布も偏ってしま
う。
【００１２】プラズマ発生領域９にて生成されたプラズ
マは放電管６をエッチングし、これによって放電管６は
損傷を受ける。特に、フッ素ガスを添加した混合ガスを
プロセスガスとして使用すると、放電管６が石英製の場
合には、放電管６がエッチングされて肉厚が薄くなり、
放電特性が変化し、最終的には真空状態の放電管６内部
と大気圧の放電管６外部との圧力差から生じる応力によ
って放電管６の破壊が起こってしまう恐れがあった。
マは放電管６をエッチングし、これによって放電管６は
損傷を受ける。特に、フッ素ガスを添加した混合ガスを
プロセスガスとして使用すると、放電管６が石英製の場
合には、放電管６がエッチングされて肉厚が薄くなり、
放電特性が変化し、最終的には真空状態の放電管６内部
と大気圧の放電管６外部との圧力差から生じる応力によ
って放電管６の破壊が起こってしまう恐れがあった。
【００１３】そして、放電管６の内部のプラズマ発生領
域９に生成されるプラズマの分布が偏っていると、プラ
ズマ密度が濃い部分において放電管６が局所的に損耗し
てしまい、放電管６の破壊時期を早めてしまうという問
題がある。
域９に生成されるプラズマの分布が偏っていると、プラ
ズマ密度が濃い部分において放電管６が局所的に損耗し
てしまい、放電管６の破壊時期を早めてしまうという問
題がある。
【００１４】そこで従来は、上述した問題を回避するた
めに放電管６を定期的に交換しているが、放電管６を交
換するためには一旦装置を停止させなければならず、ま
た、費用もかかるので、放電管６をなるべく長い時間に
わたって使用できるようにすることが望まれている。
めに放電管６を定期的に交換しているが、放電管６を交
換するためには一旦装置を停止させなければならず、ま
た、費用もかかるので、放電管６をなるべく長い時間に
わたって使用できるようにすることが望まれている。
【００１５】本発明は、上述した事情を考慮してなされ
たものであって、放電管の寿命を延ばすことができるプ
ラズマ処理装置を提供することを目的とする。
たものであって、放電管の寿命を延ばすことができるプ
ラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、誘電体で形成された放電管の内部にプロセ
スガスを導入し、前記放電管の内部の前記プロセスガス
にマイクロ波導波管を介してマイクロ波を照射してプラ
ズマを発生させ、前記プラズマ中の活性種を被処理物の
表面に供給して処理を行うようにしたプラズマ処理装置
において、前記放電管に向けてマイクロ波を放出するた
めに、前記放電管に面する側の前記マイクロ波導波管の
面に、前記マイクロ波導波管の管軸方向に沿って形成さ
れたスリットと、前記スリットを部分的に覆うようにし
て前記マイクロ波導波管の内部に充填され、前記マイク
ロ波導波管の内部における設置位置を前記マイクロ波導
波管の管軸方向に沿って変更することができる誘電体ブ
ロックと、を備えたことを特徴とする。
に本発明は、誘電体で形成された放電管の内部にプロセ
スガスを導入し、前記放電管の内部の前記プロセスガス
にマイクロ波導波管を介してマイクロ波を照射してプラ
ズマを発生させ、前記プラズマ中の活性種を被処理物の
表面に供給して処理を行うようにしたプラズマ処理装置
において、前記放電管に向けてマイクロ波を放出するた
めに、前記放電管に面する側の前記マイクロ波導波管の
面に、前記マイクロ波導波管の管軸方向に沿って形成さ
れたスリットと、前記スリットを部分的に覆うようにし
て前記マイクロ波導波管の内部に充填され、前記マイク
ロ波導波管の内部における設置位置を前記マイクロ波導
波管の管軸方向に沿って変更することができる誘電体ブ
ロックと、を備えたことを特徴とする。
【００１７】また、好ましくは、前記スリットに面する
側と反対側の前記誘電体ブロックの面に所定形状の凹部
を形成し、アルミニウム材料より成るアルミブロックを
前記凹部に嵌合させることにより、前記スリットに面す
る側の前記誘電体ブロックの面から前記放電管に向けて
放出されるマイクロ波の量を最適化する。
側と反対側の前記誘電体ブロックの面に所定形状の凹部
を形成し、アルミニウム材料より成るアルミブロックを
前記凹部に嵌合させることにより、前記スリットに面す
る側の前記誘電体ブロックの面から前記放電管に向けて
放出されるマイクロ波の量を最適化する。
【００１８】また、好ましくは、前記誘電体ブロック
は、テフロン、石英、サファイア、アルミナ、又は窒化
アルミニウムによって形成されている。
は、テフロン、石英、サファイア、アルミナ、又は窒化
アルミニウムによって形成されている。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
プラズマ処理装置について図面を参照して説明する。な
お、本実施形態によるプラズマ処理装置は、図３に示し
た従来のプラズマ処理装置と同様に、スロットアンテナ
方式で生成したマイクロ波プラズマを利用したケミカル
ドライエッチング装置（ＣＤＥ装置）である。以下で
は、図３に示した従来のプラズマ処理装置と同一の構成
要素には同一符号を付して説明する。
プラズマ処理装置について図面を参照して説明する。な
お、本実施形態によるプラズマ処理装置は、図３に示し
た従来のプラズマ処理装置と同様に、スロットアンテナ
方式で生成したマイクロ波プラズマを利用したケミカル
ドライエッチング装置（ＣＤＥ装置）である。以下で
は、図３に示した従来のプラズマ処理装置と同一の構成
要素には同一符号を付して説明する。
【００２０】図１に示したように本実施形態によるプラ
ズマ処理装置は、排気口８を介して内部を真空排気でき
る真空容器１を備えており、この真空容器１の内部には
処理室２が形成され、この処理室２の内部には被処理物
３を載置するための載置台４が設けられている。ここ
で、被処理物３は、半導体製造用のシリコンウエーハ、
液晶表示用のガラス基板等である。
ズマ処理装置は、排気口８を介して内部を真空排気でき
る真空容器１を備えており、この真空容器１の内部には
処理室２が形成され、この処理室２の内部には被処理物
３を載置するための載置台４が設けられている。ここ
で、被処理物３は、半導体製造用のシリコンウエーハ、
液晶表示用のガラス基板等である。
【００２１】真空容器１には活性種輸送管５を介して誘
電体材料より成る放電管６が接続されており、放電管６
はプロセスガス（Ｇ）を導入するためのガス導入口７を
備え、放電管６の内部にはプラズマ発生領域９が形成さ
れている。放電管６を形成する誘電体としては、石英、
アルミナ、サファイア、窒化アルミニウム等を使用する
ことができる。放電管６には、マイクロ波（Ｍ．Ｗ．）
を放電管６の内部に供給するための断面方形のマイクロ
波導波管１０が添設されている。
電体材料より成る放電管６が接続されており、放電管６
はプロセスガス（Ｇ）を導入するためのガス導入口７を
備え、放電管６の内部にはプラズマ発生領域９が形成さ
れている。放電管６を形成する誘電体としては、石英、
アルミナ、サファイア、窒化アルミニウム等を使用する
ことができる。放電管６には、マイクロ波（Ｍ．Ｗ．）
を放電管６の内部に供給するための断面方形のマイクロ
波導波管１０が添設されている。
【００２２】マイクロ波導波管１０のＨ面には、マイク
ロ波導波管１０の管軸方向に沿ってスリット１２が形成
されており、このスリット１２を介して放電管６に向け
てマイクロ波が放出される。なお、スリットはマイクロ
波導波管１０のＥ面に形成することもできる。
ロ波導波管１０の管軸方向に沿ってスリット１２が形成
されており、このスリット１２を介して放電管６に向け
てマイクロ波が放出される。なお、スリットはマイクロ
波導波管１０のＥ面に形成することもできる。
【００２３】さらに、本実施形態においては、スリット
１２の全長の約半分に対応する領域にわたってマイクロ
波導波管１０内部に誘電体ブロック２０が充填されてい
る。この誘電体ブロック２０は、テフロン（四フッ化エ
チレン）、石英、サファイア、アルミナ、又は窒化アル
ミニウムによって形成されている。スリット１２に面す
る側と反対側の誘電体ブロック２０の面には、所定形状
の凹部２１が形成されており、この凹部２１には、アル
ミニウム材料より成るアルミブロック２２が嵌合されて
いる。誘電体ブロック２０は、アルミブロック２２と一
体に移動して、マイクロ波導波管１０の内部における設
置位置をマイクロ波導波管１０の管軸方向に沿って変更
することができる。
１２の全長の約半分に対応する領域にわたってマイクロ
波導波管１０内部に誘電体ブロック２０が充填されてい
る。この誘電体ブロック２０は、テフロン（四フッ化エ
チレン）、石英、サファイア、アルミナ、又は窒化アル
ミニウムによって形成されている。スリット１２に面す
る側と反対側の誘電体ブロック２０の面には、所定形状
の凹部２１が形成されており、この凹部２１には、アル
ミニウム材料より成るアルミブロック２２が嵌合されて
いる。誘電体ブロック２０は、アルミブロック２２と一
体に移動して、マイクロ波導波管１０の内部における設
置位置をマイクロ波導波管１０の管軸方向に沿って変更
することができる。
【００２４】誘電体ブロック２０の内部を伝播するマイ
クロ波は、その一部は誘電体ブロック２０の上面２３か
ら放電管６に向けて放出される。ここで、誘電体ブロッ
ク２０の上面２３から放出されるマイクロ波の量は、誘
電体ブロック２０の凹部の形状及びこの凹部２１に嵌合
されたアルミブロック２２によって最適化されている。
クロ波は、その一部は誘電体ブロック２０の上面２３か
ら放電管６に向けて放出される。ここで、誘電体ブロッ
ク２０の上面２３から放出されるマイクロ波の量は、誘
電体ブロック２０の凹部の形状及びこの凹部２１に嵌合
されたアルミブロック２２によって最適化されている。
【００２５】つまり、図２（ａ）を参照して説明すれ
ば、誘電体ブロック２０の内部を伝播するマイクロ波
は、その一部が誘電体ブロック２０の上面２３から放電
管６に向けて放出されてプラズマＰ１が生成され、残り
のマイクロ波は、マイクロ波導波管１０の管軸方向に沿
って誘電体ブロック２０の内部を透過した後、マイクロ
波導波管１０の先端側の半分のスリット１２を通って放
電管６側に放出されてプラズマＰ２が生成される。
ば、誘電体ブロック２０の内部を伝播するマイクロ波
は、その一部が誘電体ブロック２０の上面２３から放電
管６に向けて放出されてプラズマＰ１が生成され、残り
のマイクロ波は、マイクロ波導波管１０の管軸方向に沿
って誘電体ブロック２０の内部を透過した後、マイクロ
波導波管１０の先端側の半分のスリット１２を通って放
電管６側に放出されてプラズマＰ２が生成される。
【００２６】ここで、誘電体ブロック２０の上面２３か
ら放電管６に向けて放出されるマイクロ波の透過率は、
誘電体ブロック２０が充填されていない部分から放電管
６に向けて放出されるマイクロ波の透過率に比べて大き
い。このため、放電管６の内部では、マイクロ波の透過
率が大きい領域で生成されたプラズマＰ１はその密度が
濃くなり、一方、マイクロ波の透過率が小さい領域で生
成されたプラズマＰ２はその密度が薄くなる。そして、
プラズマ密度の濃い領域ではエッチングによる放電管６
の損耗速度が速く、プラズマ密度が薄い領域では放電管
６の損耗速度が遅い。
ら放電管６に向けて放出されるマイクロ波の透過率は、
誘電体ブロック２０が充填されていない部分から放電管
６に向けて放出されるマイクロ波の透過率に比べて大き
い。このため、放電管６の内部では、マイクロ波の透過
率が大きい領域で生成されたプラズマＰ１はその密度が
濃くなり、一方、マイクロ波の透過率が小さい領域で生
成されたプラズマＰ２はその密度が薄くなる。そして、
プラズマ密度の濃い領域ではエッチングによる放電管６
の損耗速度が速く、プラズマ密度が薄い領域では放電管
６の損耗速度が遅い。
【００２７】そこで、本実施形態においては、誘電体ブ
ロック２０をアルミブロック２２と一体に、定期的に又
は常時移動させることによって、放電管６の損耗量を放
電管６全体にわたって均一化する。これにより、放電管
６の局所的な損耗を防止して、放電管６の寿命を延ばす
ことができる。
ロック２０をアルミブロック２２と一体に、定期的に又
は常時移動させることによって、放電管６の損耗量を放
電管６全体にわたって均一化する。これにより、放電管
６の局所的な損耗を防止して、放電管６の寿命を延ばす
ことができる。
【００２８】上記構成よりなる本実施形態においては、
ガス導入口７から放電管６内に供給されたプロセスガス
にマイクロ波が照射されて、放電管６の内部でプロセス
ガスがプラズマ化され、プロセスガス中に活性種が生成
される。この活性種が活性種輸送管５を経由して処理室
２内の被処理物３の表面に供給され、エッチング処理や
アッシング処理等の表面処理が施される。
ガス導入口７から放電管６内に供給されたプロセスガス
にマイクロ波が照射されて、放電管６の内部でプロセス
ガスがプラズマ化され、プロセスガス中に活性種が生成
される。この活性種が活性種輸送管５を経由して処理室
２内の被処理物３の表面に供給され、エッチング処理や
アッシング処理等の表面処理が施される。
【００２９】プロセスガスとしては、例えば被処理物３
表面の薄膜のエッチングを行う場合には、酸素ガス（Ｏ
２）単体、或いは酸素ガスにＣＦ４、ＮＦ３、ＳＦ６等
のフッ素系ガスを添加した混合ガス、又はこれらのガス
に水素ガスを添加したガスが使用される。
表面の薄膜のエッチングを行う場合には、酸素ガス（Ｏ
２）単体、或いは酸素ガスにＣＦ４、ＮＦ３、ＳＦ６等
のフッ素系ガスを添加した混合ガス、又はこれらのガス
に水素ガスを添加したガスが使用される。
【００３０】以上述べたように本実施形態によるプラズ
マ処理装置によれば、マイクロ波導波管１０の内部に誘
電体ブロック２０を移動可能に設けたので、この誘電体
ブロック２０を適宜移動させることによって、放電管６
の局所的な損耗を防止して放電管６の寿命を延ばすこと
ができる。
マ処理装置によれば、マイクロ波導波管１０の内部に誘
電体ブロック２０を移動可能に設けたので、この誘電体
ブロック２０を適宜移動させることによって、放電管６
の局所的な損耗を防止して放電管６の寿命を延ばすこと
ができる。
【００３１】
【発明の効果】以上述べたように本発明によるプラズマ
処理装置によれば、マイクロ波導波管の内部に誘電体ブ
ロックを移動可能に設けたので、この誘電体ブロックを
適宜移動させることによって、放電管の局所的な損耗を
防止して放電管の寿命を延ばすことができる。
処理装置によれば、マイクロ波導波管の内部に誘電体ブ
ロックを移動可能に設けたので、この誘電体ブロックを
適宜移動させることによって、放電管の局所的な損耗を
防止して放電管の寿命を延ばすことができる。
【図１】本発明の第１実施形態によるプラズマ処理装置
の概略構成図。
の概略構成図。
【図２】図１に示したプラズマ処理装置におけるマイク
ロ波導波管と放電管との接続部を示した縦断面図であ
り、（ａ）は誘電体ブロックをマイクロ波導波管の基端
側に配置した図、（ｂ）は誘電体ブロックをマイクロ波
導波管の先端側に配置した図。
ロ波導波管と放電管との接続部を示した縦断面図であ
り、（ａ）は誘電体ブロックをマイクロ波導波管の基端
側に配置した図、（ｂ）は誘電体ブロックをマイクロ波
導波管の先端側に配置した図。
【図３】従来のプラズマ処理装置の概略構成図。
１ 真空容器 ２ 処理室 ３ 被処理物 ４ 載置台 ６ 放電管 ９ プラズマ発生領域 １０ マイクロ波導波管 １２ スリット ２０ 誘電体ブロック ２１ 凹部 ２２ アルミブロック ２３ 誘電体ブロックの上面 Ｐ１、Ｐ２ プラズマ
Claims (3)
- 【請求項１】誘電体で形成された放電管の内部にプロセ
スガスを導入し、前記放電管の内部の前記プロセスガス
にマイクロ波導波管を介してマイクロ波を照射してプラ
ズマを発生させ、前記プラズマ中の活性種を被処理物の
表面に供給して処理を行うようにしたプラズマ処理装置
において、 前記放電管に向けてマイクロ波を放出するために、前記
放電管に面する側の前記マイクロ波導波管の面に、前記
マイクロ波導波管の管軸方向に沿って形成されたスリッ
トと、 前記スリットを部分的に覆うようにして前記マイクロ波
導波管の内部に充填され、前記マイクロ波導波管の内部
における設置位置を前記マイクロ波導波管の管軸方向に
沿って変更することができる誘電体ブロックと、を備え
たことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】前記スリットに面する側と反対側の前記誘
電体ブロックの面に所定形状の凹部を形成し、アルミニ
ウム材料より成るアルミブロックを前記凹部に嵌合させ
ることにより、前記スリットに面する側の前記誘電体ブ
ロックの面から前記放電管に向けて放出されるマイクロ
波の量を最適化したことを特徴とする請求項１記載のプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項３】前記誘電体ブロックは、テフロン、石英、
サファイア、アルミナ、又は窒化アルミニウムによって
形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載
のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37048399A JP2001185543A (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37048399A JP2001185543A (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001185543A true JP2001185543A (ja) | 2001-07-06 |
Family
ID=18497030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37048399A Withdrawn JP2001185543A (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001185543A (ja) |
-
1999
- 1999-12-27 JP JP37048399A patent/JP2001185543A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070306 |