JP2001308066A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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Abstract
マ処理装置を提供する。 【解決手段】 誘電体で形成された放電管6の内部にプ
ロセスガスGを導入し、マイクロ波導波管10のスロッ
ト14から放射されたマイクロ波M.W.を放電管6の内部
のプロセスガスGに照射してプラズマPを発生させ、プ
ラズマP中の活性種を被処理基板3の表面に供給して処
理を行うプラズマ処理装置であり、マイクロ波発信器1
5からのマイクロ波M.W.を分配するためのマイクロ波分
配器16を備え、マイクロ波分配器16により分配され
たマイクロ波M.W.がマイクロ波導波管10の両端開口1
0a、10bからマイクロ波導波管10の内部に導入さ
れる。
Description
に係わり、特に、プロセスガスにマイクロ波を照射して
生成したプラズマを利用して被処理基板の処理を行うプ
ラズマ処理装置に関する。
ィスプレイ用ガラス基板といった被処理基板を処理する
ための装置として、マイクロ波プラズマを利用して被処
理基板のドライエッチング処理やアッシング処理等を施
すプラズマ処理装置がある。
があり、一例としては、誘電体で形成された放電管の内
部にプロセスガスを導入し、マイクロ波導波管を介して
導かれたマイクロ波を、マイクロ波導波管のスロットか
ら放射して放電管の内部のプロセスガスに照射し、放電
管の内部にプラズマを発生させるものがある。このタイ
プのプラズマ処理装置においては、プラズマ中の活性種
を真空容器の内部に形成された処理室に導いて被処理基
板の表面に供給し、ドライエッチングやアッシング等の
表面処理が施される。
は、マイクロ波導波管を介して導かれたマイクロ波をマ
イクロ波導波管のスロットから放射し、誘電体で形成さ
れたマイクロ波透過窓部材を介して真空容器の内部にマ
イクロ波を導入し、真空容器内のプロセスガスにマイク
ロ波を照射してプラズマを発生させ、このプラズマを利
用してドライエッチング等の表面処理を施すものがあ
る。
器の内部で生成したプラズマを被処理基板の表面に接触
させ、プラズマ中の活性種等によりドライエッチングや
アッシング等の表面処理を施すものと、プラズマ発生領
域と処理室とを分離してプラズマからのダウンフローを
被処理基板の表面に導いてドライエッチングやアッシン
グ等の表面処理を施すものとがある。
に、マイクロ波導波管にスロットを設け、このスロット
から放射されたマイクロ波によってプラズマ(表面波プ
ラズマ、SWP)を発生させる放電形態は、一般にスロ
ットアンテナ方式と呼ばれている。このスロットアンテ
ナ方式においては、マイクロ波導波管内で形成されるマ
イクロ波の電磁界分布に対応した形でスロットからマイ
クロ波が放射される。
ロ波は、マイクロ波発信器(マイクロ波発生源)からア
イソレーターチューナーを介してスロットアンテナまで
伝播し、その一部はプラズマ生成に投入される。一方、
プラズマ生成に投入されなかったマイクロ波は、スロッ
トを通過し、マイクロ波導波管の終端部で反射してアイ
ソレータまで帰ってくる。
していくにつれてマイクロ波電力は減衰する。このた
め、マイクロ波の導入側と終端側とで生成されるプラズ
マの密度に強弱が生じ、プラズマ密度が不均一となる。
この問題に対処するために、従来、スロットに段差を付
ける構成、つまりスロットの幅を部分的に狭める構成が
提案されている。このような構成を採用することによっ
て低電力でも高密度のプラズマを生成することが可能で
あり、均一な密度のプラズマを生成することができる。
の大口径化に伴ってプラズマ密度の均一化に対する要求
が厳しくなり、スロットに段差を付ける構成では十分に
対応できなくなってきた。また、スロットに段差を付け
る構成では、プロセス条件の変化によりマイクロ波電力
の減衰率が変化し、プラズマ密度の均一性が悪化してし
まう。プロセス条件の変化によるプラズマ密度の均一性
の悪化は、スロットの幅を調整することによって対処す
ることができるが、これは非常に手間のかかる作業であ
る。
えば被処理基板の直上にプラズマを形成するタイプのプ
ラズマ処理装置においては、被処理基板の処理の面内分
布が不均一になってしまうという問題がある。
マイクロ波透過窓部材は石英、アルミナ等の誘電体によ
って形成されているために、プラズマ密度が高い部分で
は、プラズマ密度の低い部分に比べて、エッチングによ
る誘電体の削れ量や誘電体からのダストの発生量が多く
なっている。不均一なエッチングにより誘電体の表面に
凹凸ができることにより、表面波プラズマの分布が経時
変化してしまい、さらに、放電が不安定になってしま
う。
誘電体では定期的な交換が必要になってくるが、プラズ
マ分布が不均一であると誘電体のエッチングも不均一に
なり、局所的にエッチングが進行すると誘電体の耐用期
間が短くなり、誘電体の利用効率が悪くなってしまう。
生するが、このダストはプラズマ中のプロセスガスと誘
電体内の元素(Al)が反応して発生するものであり、
誘電体を冷却することでダストの発生量を低減すること
ができる。しかし、発熱源であるプラズマの分布が不均
一であると、誘電体の温度分布も不均一となり効果的な
冷却が困難になってしまう。
たものであって、プラズマ密度分布の均一化を図り得る
プラズマ処理装置を提供することを目的とする。
に本発明は、誘電体で形成された放電管の内部にプロセ
スガスを導入し、マイクロ波導波管のスロットから放射
されたマイクロ波を前記放電管の内部のプロセスガスに
照射してプラズマを発生させ、前記プラズマ中の活性種
を被処理基板の表面に供給して処理を行うようにしたプ
ラズマ処理装置において、マイクロ波発生源からのマイ
クロ波を分配するためのマイクロ波分配器を備え、前記
マイクロ波分配器により分配されたマイクロ波を前記マ
イクロ波導波管の両端から前記マイクロ波導波管の内部
に導入するようにしたことを特徴とする。
クロ波導波管のスロットから放射されたマイクロ波を、
誘電体で形成されたマイクロ波透過窓部材を介して真空
容器内に導入し、前記真空容器内のプロセスガスにマイ
クロ波を照射してプラズマを発生させ、このプラズマを
利用して被処理基板を処理するようにしたプラズマ処理
装置において、マイクロ波発生源からのマイクロ波を分
配するためのマイクロ波分配器を備え、前記マイクロ波
分配器により分配されたマイクロ波を前記マイクロ波導
波管の両端から前記マイクロ波導波管の内部に導入する
ようにしたことを特徴とする。
から前記スロットまでの距離は、nを正の整数とした場
合にマイクロ波の波長の(n+1/2)倍である。
と前記スロットとの間の距離を調整するための手段をさ
らに有する。
ついて図1及び図2を参照して説明する。なお、本実施
形態によるプラズマ処理装置は、スロットアンテナ方式
で生成したマイクロ波プラズマを利用したケミカルドラ
イエッチング装置(CDE装置)である。
ズマ処理装置は、排気口8を介して内部を真空排気でき
る真空容器1を備えており、この真空容器1の内部には
処理室2が形成され、この処理室2の内部には被処理基
板3を載置するための載置台4が設けられている。ここ
で、被処理基板3は、半導体製造用のシリコンウェハ、
液晶表示用のガラス基板等である。
て、誘電体材料より成る放電管6が接続されており、放
電管6はプロセスガスGを導入するためのガス導入口7
を備え、放電管6の内部にはプラズマ発生領域9が形成
されている。放電管6を形成する誘電体としては、石
英、アルミナ、サファイア、窒化アルミニウム等を使用
することができる。放電管6には、マイクロ波M.W.
を放電管6の内部に供給するための断面方形のマイクロ
波導波管10が添設されている。
の上面には、プラズマ発生領域9に対応する位置に、マ
イクロ波導波管10の管軸心方向に沿ってスロット14
が形成されており、このスロット14を介して放電管6
に向けてマイクロ波が放射される。スロット14は、マ
イクロ波導波管10のE面又はH面に方形状に形成する
ことができる。
置は、マイクロ波発信器(マイクロ波発生源)15と、
このマイクロ波発信器15からのマイクロ波を分配する
ためのマイクロ波分配器16とを備えている。そして、
マイクロ波分配器16により分配されたマイクロ波がマ
イクロ波導波管10の両端開口10a、10bからマイ
クロ波導波管10の内部に導入される。また、このプラ
ズマ処理装置は、マイクロ波電力の反射を吸収するアイ
ソレーターと、マイクロ波の反射を整合する整合器とを
備えている。
ガス導入口7から放電管6内に供給されたプロセスガス
Gにマイクロ波M.W.が照射されて、放電管6の内部
でプラズマPが生成され、プラズマP中に活性種が生成
される。この活性種が活性種輸送管5を経由して処理室
2内の被処理基板3の表面に供給され、エッチング処理
やアッシング処理等の表面処理が施される。なお、被処
理基板3を載置した載置台4に直流電圧又は高周波電圧
を印加することもできる。
3表面の薄膜のエッチングを行う場合には、酸素ガス
(O2)単体、或いは酸素ガスにCF4、NF3、SF
6等のフッ素系ガスを添加した混合ガス、又はこれらの
ガスに水素ガスを添加したガスが使用される。
波導波管10の両端開口10a、10bからマイクロ波
M.W.を導入するようにしたので、両端から導入され
たマイクロ波がマイクロ波導波管10の内部で合成され
る。ここで、マイクロ波の合成条件は、マイクロ波分配
器16からスロット14までの距離により決定され、こ
の距離は、マイクロ波の波長λの(n+1/2)倍(n
=1、2、3、4・・・)であることが望ましい。ま
た、マイクロ波分配器16とスロット14との間に手動
スタブのような長さ調整手段を設けることにより、両者
間の距離を調整できるようにすればさらに望ましい。
クロ波はスロット14を介して放電管6内に均一に照射
され、このため、放電管6内で生成されるプラズマの密
度分布も均一化される。
0a、10bからマイクロ波を導入した場合の作用につ
いて、従来の技術と比較して説明する。
長手方向位置を横軸にとった場合のマイクロ波導波管内
の電界強度分布を示したグラフであり、(a)は本実施
形態によるプラズマ処理装置の例を示し、(b)はマイ
クロ波導波管の一端からマイクロ波を導入する従来方式
のプラズマ処理装置の例を示している。なお、縦軸の電
界強度は任意単位で示されている。
マ処理装置においては、スロットの長さ方向位置におけ
るマイクロ波導入側の電界強度が強く、導波管終端側に
向かって電界強度が弱くなっている。
理装置においては、マイクロ波導波管10の両端開口1
0a、10bから導入されたマイクロ波は、それぞれ減
衰していくが、波長λの(n+1/2)倍(n=1、
2、3、4・・・)の位相差でマイクロ波同士を合成す
ることにより、均一な電界強度分布(電力分布)を得る
ことができる。このため、方形のスロット14から均一
に放射されたマイクロ波によって均一なプラズマを生成
することができる。
マ処理装置によれば、放電管6の内部で生成されるプラ
ズマPの密度分布が均一化されるので、放電管6の局所
的なエッチングが防止され、ひいては、放電管6の長寿
命化、及び冷却効率の向上によるダストの低減を達成す
ることが可能であり、さらに、プラズマ分布の経時変化
や放電の不安定化を抑制することができる。
ロットの幅に段差を設ける方式ではなく、マイクロ波導
波管10の両端開口10a、10bからマイクロ波を導
入して合成させる方式を採用したので、幅広いプロセス
条件に対して均一な密度分布のプラズマPを生成するこ
とが可能であり、大口径の被処理基板3に対しても良好
な面内均一性の下でエッチング処理等を施すことができ
る。
ついて図3を参照して説明する。
ズマ処理装置は、処理室21を内部に形成する真空容器
20を備えており、この真空容器20の内部には被処理
基板23を載置するための載置台22が設けられてい
る。真空容器20の上部開口は、誘電体で形成されたマ
イクロ波透過窓部材25で封止されている。マイクロ波
透過窓部材25の上面にはマイクロ波導波管24が添設
されており、マイクロ波導波管24のマイクロ波透過窓
部材25に面する側面にはスロット26が形成されてい
る。真空容器20の側壁には、プラズマ発生領域27に
プロセスガスGを供給するためのガス導入口28が形成
されており、真空容器20の底壁には真空容器20の内
部を排気するための排気口29が形成されている。
置は、マイクロ波発信器(マイクロ波発生源)30と、
このマイクロ波発信器30からのマイクロ波を分配する
ためのマイクロ波分配器31とを備えている。そして、
マイクロ波分配器31により分配されたマイクロ波がマ
イクロ波導波管24の両端開口24a、24bからマイ
クロ波導波管24の内部に導入される。また、このプラ
ズマ処理装置は、マイクロ波電力の反射を吸収するアイ
ソレーターと、マイクロ波の反射を整合する整合器とを
備えている。
マイクロ波導波管24によって導かれたマイクロ波M.
W.をスロット26から放射して、誘電体で形成された
マイクロ波透過窓部材25を介して真空容器20内にマ
イクロ波を導入し、真空容器20内のプロセスガスGに
マイクロ波を照射してプラズマPを発生させ、このプラ
ズマPを利用して被処理基板23にエッチング処理やア
ッシング処理等の表面処理が施される。なお、被処理基
板23を載置した載置台22に直流電圧又は高周波電圧
を印加することもできる。
23表面の薄膜のエッチングを行う場合には、酸素ガス
(O2)単体、或いは酸素ガスにCF4、NF3、SF
6等のフッ素系ガスを添加した混合ガス、又はこれらの
ガスに水素ガスを添加したガスが使用される。
波導波管24の両端開口24a、24bからマイクロ波
M.W.を導入するようにしたので、両端から導入され
たマイクロ波がマイクロ波導波管24の内部で合成され
る。ここで、マイクロ波の合成条件は、マイクロ波分配
器31からスロット26までの距離により決定され、こ
の距離は、マイクロ波の波長λの(n+1/2)倍(n
=1、2、3、4・・・)であることが望ましい。ま
た、マイクロ波分配器31とスロット26との間に手動
スタブのような長さ調整手段を設けることにより、両者
間の距離を調整できるようにすればさらに望ましい。
クロ波はスロット26を介してプラズマ発生領域27内
に均一に照射され、このため、プラズマ発生領域27内
で生成されるプラズマの密度分布も均一化される。
4a、24bからマイクロ波を導入した場合の作用は上
述した第1実施形態と同様である。
マ処理装置によれば、プラズマ発生領域27で生成され
るプラズマPの密度分布が均一化されるので、マイクロ
波透過窓部材25の局所的なエッチングが防止され、ひ
いては、マイクロ波透過窓部材25の長寿命化、及び冷
却効率の向上によるダストの低減を達成することが可能
であり、さらに、プラズマ分布の経時変化や放電の不安
定化を抑制することができる。
ロットの幅に段差を設ける方式ではなく、マイクロ波導
波管24の両端開口24a、24bからマイクロ波を導
入して合成させる方式を採用したので、幅広いプロセス
条件に対して均一な密度分布のプラズマPを生成するこ
とが可能であり、大口径の被処理基板23に対しても良
好な面内均一性の下でエッチング処理等を施すことがで
きる。
処理装置によれば、プラズマの密度分布が均一化される
ので、放電管やマイクロ波透過窓部材の局所的なエッチ
ングが防止され、ひいては、放電管やマイクロ波透過窓
部材の長寿命化、及び冷却効率の向上によるダストの低
減を達成することが可能であり、さらに、プラズマ分布
の経時変化や放電の不安定化を抑制することができる。
ロットの幅に段差を設ける方式ではなく、マイクロ波導
波管の両端開口からマイクロ波を導入して合成させる方
式を採用したので、幅広いプロセス条件に対して均一な
密度分布のプラズマを生成することが可能であり、大口
径の被処理基板に対しても良好な面内均一性の下でエッ
チング処理等を施すことができる。
の概略構成図。
場合のマイクロ波導波管内の電界強度分布を示した図で
あり、(a)は本発明の第1及び第2実施形態の例を示
し、(b)は従来のプラズマ処理装置の例を示してい
る。
の概略構成図。
Claims (4)
- 【請求項1】誘電体で形成された放電管の内部にプロセ
スガスを導入し、マイクロ波導波管のスロットから放射
されたマイクロ波を前記放電管の内部のプロセスガスに
照射してプラズマを発生させ、前記プラズマ中の活性種
を被処理基板の表面に供給して処理を行うようにしたプ
ラズマ処理装置において、 マイクロ波発生源からのマイクロ波を分配するためのマ
イクロ波分配器を備え、前記マイクロ波分配器により分
配されたマイクロ波を前記マイクロ波導波管の両端から
前記マイクロ波導波管の内部に導入するようにしたこと
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項2】マイクロ波導波管のスロットから放射され
たマイクロ波を、誘電体で形成されたマイクロ波透過窓
部材を介して真空容器内に導入し、前記真空容器内のプ
ロセスガスにマイクロ波を照射してプラズマを発生さ
せ、このプラズマを利用して被処理基板を処理するよう
にしたプラズマ処理装置において、 マイクロ波発生源からのマイクロ波を分配するためのマ
イクロ波分配器を備え、前記マイクロ波分配器により分
配されたマイクロ波を前記マイクロ波導波管の両端から
前記マイクロ波導波管の内部に導入するようにしたこと
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項3】前記マイクロ波分配器から前記スロットま
での距離は、nを正の整数とした場合にマイクロ波の波
長の(n+1/2)倍であることを特徴とする請求項1
又は2に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項4】前記マイクロ波分配器と前記スロットとの
間の距離を調整するための手段をさらに有することを特
徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のプラズ
マ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000121020A JP2001308066A (ja) | 2000-04-21 | 2000-04-21 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000121020A JP2001308066A (ja) | 2000-04-21 | 2000-04-21 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2001308066A true JP2001308066A (ja) | 2001-11-02 |
Family
ID=18631736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000121020A Pending JP2001308066A (ja) | 2000-04-21 | 2000-04-21 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP2001308066A (ja) |
Cited By (1)
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2000
- 2000-04-21 JP JP2000121020A patent/JP2001308066A/ja active Pending
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