JP4059570B2 - プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法、ならびにプラズマ生成方法 - Google Patents
プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法、ならびにプラズマ生成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4059570B2 JP4059570B2 JP20581998A JP20581998A JP4059570B2 JP 4059570 B2 JP4059570 B2 JP 4059570B2 JP 20581998 A JP20581998 A JP 20581998A JP 20581998 A JP20581998 A JP 20581998A JP 4059570 B2 JP4059570 B2 JP 4059570B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- magnetic field
- chamber
- processing
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体に対してプラズマエッチングを行うプラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法、ならびにプラズマエッチング装置において被処理体をエッチングするプラズマを生成するために用いるプラズマ生成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、半導体ウエハ上に形成された薄膜の所定部分を所定形状に微細加工する技術として、ドライエッチング装置が多用されている。従来のドライエッチング装置は平行平板型電極を有するものが主流であり、RIE(反応性イオンエッチング)方式と、PE(プラズマエッチング)方式が知られている。いずれの方式の場合にも、減圧されたチャンバー内にエッチングガスのプラズマを形成して半導体ウエハ上の薄膜をエッチングするものであり、エッチングガスによるプラズマを生成させる観点およびそれを維持する観点から、エッチング室内のガス圧力を数100mTorr以上の比較的高い圧力に設定する必要がある。このように、比較的高い圧力雰囲気下におけるエッチングでは、反応副生成物が塵埃となり、特に近年の微細処理が求められる半導体装置においては、その塵埃が処理の歩留まりを低下させる原因となっている。
【0003】
また、RIE方式のドライエッチング装置では、物理的エッチングが主体であるため、たとえば500〜600eVもの高エネルギーのイオンがウエハに向けて入射され、これによって半導体ウエハがダメージを受けるという問題がある。
【0004】
一方、近年、比較的低圧雰囲気にて高密度のプラズマを生成して微細加工のエッチングを行うマグネトロンプラズマエッチング装置が実用化されている。この装置は、磁場を半導体ウエハに対して水平に印加するとともに、これに直交する高周波電界を印加して、マグネトロン放電を生じさせてエッチングするものである。
【0005】
しかし、この装置は被処理体に対して水平に磁場を印加するため、本質的に磁場方向に荷電粒子がドリフトするいわゆるE×Bドリフトが生じる。その結果、輸送される荷電粒子の下流側と上流側では、プラズマの密度のバランスが崩れ、不均一になりやすいという本質的な問題があり、これが半導体ウエハのチャージアップダメージを引き起こす。
【0006】
これに対して、このようなE×Bドリフトに基づくプラズマの不均一が本質的に生じにくい磁場形成手段を用いてプラズマ密度を向上させたエッチング装置として、ECR(Electron Cyclotron Resonance)方式のプラズマエッチング装置が検討されている。
【0007】
しかし、この方式の場合には、周波数が数GHzのマイクロ波を用いているため、共鳴磁場が極めて大きなものとなる。例えば、2.45GHzのマイクロ波に対応した共鳴磁場は875Gとなり、極めて大型の電磁石が必要となって現実的ではない。また、処理チャンバーへ大電力を投入する必要があるが、その場合には導波管を用いなければならず、装置構成が複雑になってしまう。一方、このような問題を解決するために印加する高周波の周波数を低下させることが考えられるが、その場合には電子のラーマー半径が大きくなって、電子がサイクロトロン運動をする前にチャンバー壁に衝突してエネルギーを失うこととなり、プラズマの密度を向上させることが困難となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、大型の電磁石および複雑な装置構成を用いることなく、均一で高密度のプラズマでエッチングを行うことができるプラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法、ならびにこのようなプラズマエッチング装置において被処理体をエッチングするプラズマを生成するために用いるプラズマ生成方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、第1発明は、被処理体に対してプラズマ処理が行われる処理室と、
前記処理室内の下部に設けられた、被処理体を支持する支持部材と、
前記処理室にプラズマエッチングのための処理ガスを導入する処理ガス導入手段と、
前記処理室内の上部に設けられ、前記支持部材に対向する電極に3〜300MHzの範囲の、プラズマ生成用の第1の高周波を印加する第1の高周波印加手段と、
前記支持部材に、プラズマ中のイオンを前記被処理体に向けて引き込むための第2の高周波を印加する第2の高周波印加手段と、
印加された前記第1の高周波に対応する共鳴磁場の整数倍の磁場を被処理体に対して垂直、かつ電界方向に対して平行に形成する磁場形成手段と
を具備することを特徴とするプラズマエッチング装置を提供する。
【0010】
第2発明は、第1発明のプラズマエッチング装置において、前記高周波印加手段は、前記処理室内の電極に3〜100MHzの範囲内の高周波を印加することを特徴とするプラズマエッチング装置を提供する。
【0011】
第3発明は、第1発明または第2発明のプラズマエッチング装置において、前記処理ガス導入手段は、前記支持部材上の被処理体に向けて処理ガスを供給する多数の孔を有し、内部に空間を有する導電体のシャワーヘッドを備え、該シャワーヘッドが電極として機能することを特徴とするプラズマエッチング装置を提供する。
【0012】
第4発明は、第1発明または第2発明のプラズマエッチング装置において、前記処理ガス導入手段は、前記支持部材上の被処理体に向けて処理ガスを供給する多数の孔を有し、内部に空間を有する絶縁体のシャワーヘッドを備え、該シャワーヘッドの空間内に前記電極が配置されることを特徴とするプラズマエッチング装置を提供する。
第5発明は、第1発明から第4発明のいずれかのプラズマエッチング装置において、前記磁場形成手段は、空芯コイルを有することを特徴とするプラズマエッチング装置を提供する。
第6発明は、第1発明から第4発明のいずれかのプラズマエッチング装置において、前記磁場形成手段は、給電することにより磁場を発生する電磁石を有することを特徴とするプラズマエッチング装置を提供する。
第7発明は、第1発明から第6発明のいずれかのプラズマエッチング装置において、前記処理室は、前記被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理空間を有し、前記磁場形成手段は、前記プラズマ処理空間に磁場を形成することを特徴とするプラズマエッチング装置を提供する。
第8発明は、第1発明から第7発明のいずれかのプラズマエッチング装置において、前記第1の高周波印加手段により生成されるプラズマはECRプラズマであることを特徴とするプラズマエッチング装置を提供する。
【0013】
第9発明は、プラズマエッチング装置において被処理体をエッチングするプラズマを生成するために用いるプラズマ生成方法であって、
排気システムを有し、その中の減圧状態を維持可能であり、その中の下部に被処理体を支持する支持部材を有するチャンバーを準備することと、
前記支持部材で被処理体を支持した状態で、処理ガス供給系により、処理ガスを前記チャンバーに導入することと、
第1の高周波印加手段により、前記処理室内の上部に設けられた、前記支持部材に対向する第1の電極に3〜300MHzの範囲の第1の高周波を印加することと、
第2の高周波印加手段により、前記支持部材に、プラズマ中のイオンを前記被処理体に向けて引き込むための第2の高周波を印加することと、
磁場形成手段により、印加された前記第1の高周波に対応する共鳴磁場の整数倍の磁場を、前記チャンバーの外周から電界方向に対して平行に形成することと、
を具備することを特徴とするプラズマ生成方法を提供する。
【0014】
第10発明は、第9発明のプラズマ生成方法において、前記処理ガスを導入する手段として多数のガス吐出口が形成されたシャワーヘッドを有する導体を準備することをさらに具備することを特徴とするプラズマ生成方法を提供する。
【0015】
第11発明は、第9発明または第10発明のプラズマ生成方法において、前記チャンバー内に、前記第1の電極に対向しかつ平行に配置された、被処理体の支持部材を準備することと、
前記支持部材に接続された第2の高周波電源を準備することと、
高周波が印加される前記支持部材をプラズマ中のイオン引き込みに用いることと、
をさらに具備することを特徴とするプラズマ生成方法を提供する。
【0016】
第12発明は、第9発明から第11発明のいずれかのプラズマ生成方法において、 前記第1の高周波印加手段より、27.12MHzの高周波を印加することと、
前記磁場形成手段により、共鳴磁場である10G(ガウス)の整数倍の磁場を、前記チャンバーの外周から電界方向に対して平行に形成することと、
をさらに具備することを特徴とするプラズマ生成方法を提供する。
【0017】
第13発明は、第11発明のプラズマ生成方法において、前記シャワーヘッドを絶縁材料で形成することと、
前記シャワーヘッドの内部空間に前記第1の電極を設けることと、
を具備することを特徴とするプラズマ生成方法を提供する。
【0018】
第14発明は、プラズマ生成装置を含むプラズマエッチング装置を用いたプラズマエッチング方法であって、
プラズマ生成部を有し、排気システムを有し、その中の下部に被処理体を支持する支持部材を有するチャンバーを準備することと、
前記チャンバーを減圧状態に維持することと、
処理ガス供給系により、処理ガスを前記チャンバーの前記プラズマ生成部に導入することと、
前記処理ガス供給系から供給された処理ガスを、前記チャンバーの前記プラズマ生成部に、前記チャンバーから絶縁されかつ導体で形成されて、前記支持部材に対向しかつ前記支持部材に平行に前記チャンバー内の上部に設けられたシャワーヘッドを介してシャワー状に導入することと、
前記シャワーヘッドを第1の電極として用いることと、
第1の高周波印加手段により、前記処理室内の前記第1の電極に3〜300MHzの範囲の高周波を印加することと、
前記チャンバー内で前記支持部材により、被処理体を保持することと、
前記支持部材を第2の電極として用いることと、
磁場形成手段により、印加された高周波に対応する共鳴磁場の整数倍の磁場を、前記チャンバーの外周から前記被処理体に対して垂直、かつ電界方向に対して平行に形成することと、
前記支持部材に接続された第2の高周波電源により、前記被処理体に照射されるプラズマ中のイオンを前記被処理体に引き込む高周波を印加することと、
を具備することを特徴とするプラズマエッチング方法を提供する。
【0019】
第15発明は、第14発明のプラズマエッチング方法において、前記シャワーヘッドを絶縁部材で形成することと、前記シャワーヘッドの内部空間に前記第1の電極を設けることとをさらに具備することを特徴とするプラズマエッチング方法を提供する。
【0020】
第16発明は、第14発明または第15発明のプラズマエッチング方法において、前記第1の高周波電源により印加される高周波を100MHz以下に設定することをさらに具備することを特徴とするプラズマエッチング方法を提供する。
【0021】
第17発明は、第14発明から第16発明のいずれかのプラズマエッチング方法において、前記処理ガスとして、CHF3、CF4、もしくはC4F8を含むハロゲン含有ガス、COガス、またはO2ガスを含む反応ガスと、Arを含む不活性ガスを含有する希釈ガスを用いることを特徴とするプラズマエッチング方法を提供する。
第18発明は、第14発明から第17発明のいずれかのプラズマエッチング方法において、前記磁場形成手段は、空芯コイルを有することを特徴とするプラズマエッチング方法を提供する。
第19発明は、第14発明から第17発明のいずれかのプラズマエッチング方法において、前記磁場形成手段は、給電することにより磁場を発生する電磁石を有することを特徴とするプラズマエッチング方法を提供する。
第20発明は、第14発明から第19発明のいずれかのプラズマエッチング方法において、前記処理室は、前記被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理空間を有し、前記磁場形成手段は、前記プラズマ処理空間に磁場を形成することを特徴とするプラズマエッチング方法を提供する。
第21発明は、第14発明から第20発明のいずれかに記載のプラズマエッチング方法において、前記第1の高周波印加手段により生成されるプラズマはECRプラズマであることを特徴とするプラズマエッチング方法を提供する。
【0022】
本発明においては、被処理体に垂直に磁場を印加するので、本質的にE×Bドリフトに基づくプラズマの不均一が生じず、チャージアップダメージの問題を回避することができる。すなわち、水平磁場の場合には、E×Bドリフトによって、被処理体の面方向に荷電粒子が移動し、その結果、被処理体の位置によりプラズマ密度が不均一になるが、垂直磁場の場合は、荷電粒子が被処理体の面に垂直に移動するから、磁場分布が面内で均一であれば、このような不均一は生じない。また、3〜300MHzという従来のECR方式における周波数よりも遙かに小さい周波数を用いるので、大きな磁場を必要とせず、また、大電力が不要であるため装置構成を複雑にする必要もない。さらに、マイクロ波領域の高周波を用いた場合におけるプラズマの均一性確保の困難性の問題も解消され、高密度のプラズマを形成することができる。
【0023】
本発明は、本発明者の以下の知見に基づいている。
例えば、27.12MHzの超短波領域の高周波を印加する場合には、共鳴磁場強度は約10Gとなり、この条件での電子のラーマー半径は、シース加速電圧を1000Vとした場合、約9cmとなり、マイクロ波領域である2.45GHzを印加した場合の140倍となる。しかし、磁場強度を共鳴磁場の整数倍にすると、共鳴周波数を整数倍にした際と同等のプラズマが生成される(Japanese Journal of Applied Physics Vol.29,No.11,1990,pp2641-2643)。つまり、周波数をそのままにしてラーマー半径のみを整数分の1にすることができる。したがって、印加する高周波の周波数が小さくてもエネルギー損失を回避することができる。この場合に、磁場が整数倍となっても高々100G程度でよいので、小型のマグネットで十分である。
【0024】
なお、印加する高周波の周波数を3〜300MHzにしたのは、この領域であれば磁場が小さくてよく、またこの領域がVHF〜UHFの領域であり装置の構成上、電力の投入が容易だからである。この範囲の中でも150MHz以下が好ましく、異常放電およびロスを少なくする観点からは100MHz以下が特に好ましい。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
図1は、本発明のプラズマ処理装置をエッチング処理装置に適用した一実施形態を示す断面図である。このエッチング装置は、ステンレスまたはアルミニウムからなり、減圧可能に構成され、小径の上部1aと大径の下部1bとからなる段つき円筒状のチャンバー1を有している。このチャンバー1内には、被処理体である半導体ウエハW基板を水平に支持するための支持テーブル2が図示しない昇降機構により昇降可能に設けられている。半導体ウエハWは、真空チャック、静電チャック、クランプリング等の適宜の固定手段により支持テーブル2に固定される。支持テーブル2の下方の駆動部分は、ベローズ3で覆われている。なお、チャンバー1は接地されており、支持テーブル2の中に冷媒流路が設けられ冷却可能となっている。
【0026】
チャンバー1の天壁近傍には、支持テーブル2に対向するようにシャワーヘッド4が設けられている。シャワーヘッド4は、その下面に多数のガス吐出孔5が設けられており、かつその上部にガス導入部6を有している。そして、ガス導入部6が絶縁部材7を介してチャンバー1の天壁に取り付けられている。ガス導入部6にはガス供給配管8が接続されており、このガス供給配管8の他端には、エッチング用の反応ガスおよび希釈ガスからなる処理ガスを供給する処理ガス供給系9が接続されている。この場合に、反応ガスとしては、例えばCHF3、CF4、C4F8等のハロゲン含有ガスやCOガス、O2ガス等が用いられ、希釈ガスとしては、Arガス等の不活性ガスが用いられる。このような処理ガスにより、半導体ウエハWに形成された膜、例えば酸化膜がエッチングされる。
【0027】
シャワーヘッド4には、図示しないマッチング回路を介して高周波電源10が接続されている。この高周波電源10は3〜300MHzの範囲内の周波数を有している。そして、この高周波電源10より上記範囲の周波数の高周波電力が供給されることにより、チャンバー1内に垂直に3〜300MHzの高周波電界が形成される。
【0028】
チャンバー1の上部1aの周囲には、同心状に、空芯コイル11が設けられている。この空芯コイル11は、図示しない電源から電力が供給されることにより電磁石として機能し、これによりチャンバー1内に高周波電界と平行な垂直磁場が形成される。この場合に、磁場の大きさが、高周波電源10から印加される高周波の共鳴磁場の整数倍の大きさになるように、空芯コイル11に供給される電力が調整される。例えば、高周波電源10から供給される高周波の波長が27.12MHzであるとすると、その際の共鳴磁場は約10Gであるから、その整数倍、すなわち20G、30G、40G……に設定される。そして、このような条件により電子サイクロトロン共鳴が生じ、チャンバー1内でECRプラズマが形成される。
【0029】
また、支持テーブル2には、図示しないマッチング回路を介して高周波電源12が接続されている。この高周波電源12は、周波数が例えば5MHz程度に設定され、プラズマ中のイオンを半導体ウエハWに向けて引き込む。
【0030】
チャンバー1の下部1bの一方の側壁にはゲートバルブ13が設けられており、支持テーブル2が下降された状態で、このゲートバルブ13を介して半導体ウエハWが搬入出される。また、下部1bの他方の側壁には排気ポート14が形成されており、この排気ポート14には排気系15が接続されている。そして排気系15に設けられた真空ポンプを作動させることによりチャンバー1内を所定の真空度まで減圧することができる。
【0031】
次に、このように構成されるエッチング装置の動作について説明する。
まず、ゲートバルブ13を開にした状態で、図示しない搬送アームにより半導体ウエハWをチャンバー1内に搬入し、半導体ウエハWを支持テーブル2に載置し、搬送アームが退避した後、ゲートバルブ13を閉じる。
【0032】
次に、支持テーブル2を上昇させて、半導体ウエハWとECR面との距離を所定の距離、例えば50mmになるようにする。この場合に、支持テーブル2を通流する冷媒により半導体ウエハWを所定の温度、例えば20℃に冷却する。また、チャンバー1の壁およびシャワーヘッド4の温度は例えば60℃に設定する。
【0033】
この状態で、高周波電源10から3〜300MHzの範囲の所定の周波数の高周波電力をシャワーヘッド4に供給し、チャンバー1内に高周波電界を形成するとともに、空芯コイル11に給電してチャンバー1内に垂直磁場を形成する。
【0034】
そして、排気系15の真空ポンプによりチャンバー1内を排気して10−5〜10−6Torr程度の減圧状態としてから、処理ガス供給源9から、反応ガスおよび希釈ガスからなる処理ガスを所定流量でシャワーヘッド4を介してチャンバー1内へ供給し、例えば、10〜40mTorrの圧力でエッチングする。この際の処理ガスの流量は、例えば、C4F8ガス:10sccm、COガス:50sccm、O2ガス:5sccm、Arガス:200sccmである。
【0035】
このとき、高周波電源10から供給される高周波電力の周波数を3〜300MHzの範囲内、好ましくは150MHz以下、さらに好ましくは100MHz以下になるようにする。そして、空芯コイル11に給電することによって得られる電磁石による垂直磁場の大きさを、印加された高周波の周波数における共鳴磁場の大きさの整数倍になるようにする。例えば、印加する高周波の周波数を60MHzとした場合、共鳴磁場は21.45G、また、27.12MHzとした場合、共鳴磁場は約10Gとなるが、それぞれ例えばこれらの倍の42.9G、20Gとする。
【0036】
このように、磁場強度を共鳴磁場の整数倍、例えば2倍とすると、共鳴周波数を2倍にしたのと同様の効果が生じる。つまり、印加する周波数をそのままにして電子のラーマー半径のみを1/2とすることができる。したがって、印加する高周波の周波数が低い場合における、電子のラーマ半径が大きいことに伴うエネルギー損失の問題を回避することができ、高密度のプラズマを得ることができる。
【0037】
例えば、27.12MHzの超短波領域の高周波を印加する場合には、共鳴磁場強度は約10Gとなり、この条件での電子のラーマー半径は、シース加速電圧を1000Vとした場合、約9cmと大きく、電子がチャンバー壁に衝突する頻度が高いが、磁場強度を倍の20Gとした場合は、共鳴周波数を倍にした際と同等のプラズマが形成され、電子のラーマー半径が約4.5cmとなって、電子がチャンバー壁に衝突する頻度を著しく低下させることができ、プラズマ密度を高くすることができる。
【0038】
このようなプラズマを形成しつつ、高周波電源12から、例えば5MHzの高周波電力を支持テーブル2に供給することにより、プラズマ中のイオンを半導体ウエハWに引き込み、半導体ウエハW上に形成された膜、例えば酸化膜(SiO2)をエッチングする。
【0039】
本実施の形態においては、電界方向と平行に磁場を印加するので、ウエハ近傍のシース領域では、電界方向と垂直に印加したときに生じるE×Bドリフトが、電子の熱運動速度成分を除けば、ほとんどない。したがって、E×Bドリフトによるプラズマの不均一は原理的に小さく、チャージアップダメージの問題を回避することができる。また、上述したように3〜300MHzという従来のECR方式における周波数よりも遙かに小さい周波数を用いることが可能であるから、大きな磁場を必要とせず、また、大電力が不要であるため装置構成を大型化および複雑化する必要もない。さらに、この範囲の周波数は、電力投入しやすいという利点もある。また、周波数が100MHz以下の場合には、異常放電およびロスを少なくすることができることから、この範囲が特に好ましい。
【0040】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。
図2は、本発明のプラズマ処理装置をエッチング装置に適用した他の実施形態を示す断面図であり、図1と同等のものには同じ符号を付して説明を省略する。図2の装置は誘導結合型のプラズマ発生部を有している。この装置では、図1のシャワーヘッド4に代えて、絶縁性のシャワーヘッド4’を用い、さらにこれに連続して絶縁性のガス導入部6’を用いている。そして、シャワーヘッド4’の下面に形成されたガス吐出孔5’からガスが吐出される。また、シャワーヘッド4’の内部空間には水平に電極16が設けられており、この電極16に高周波電源10が接続されている。したがって、この装置においては、高周波電源10から電極16に高周波電力が印加されることにより高周波電界が形成される。
【0041】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されることなく、種々変形可能である。処理ガスとして用いた反応ガスおよび希釈ガスの種類は、例示したものに限らず被処理体に応じて種々ガスを単独または組合せて用いることができる。また、希釈ガスは必ずしも用いなくてもよい。処理ガスを選択することにより、被エッチング膜も酸化膜に限らず種々の膜に適用することができる。さらに被処理体としては、半導体ウエハに限らず、液晶表示装置のガラス基板等他のものであってもよい。
【0042】
また、上記実施の形態では本発明をエッチング装置に適用したが、本発明の原理上エッチング装置に限らず、他のプラズマ処理に適用可能であることは明らかである。例えば、処理ガスを適宜選択することにより、CVD成膜装置に適用することも可能である。例えば、以下に示す反応等種々のものが考えられる。
SiH4+O2 → SiO2
WF6+H2 → W
TiCl4+NH3 → TiN
【0043】
また、CVD成膜の他、チャンバー内に半導体ウエハと対峙するようにターゲットを配置することによってプラズマによりターゲットをスパッタするように構成された、PVD的な成膜装置にも適用することができる。
【0044】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、ECR方式によるプラズマ発生機構をプラズマ処理装置に適用し、被処理体に垂直に磁場を印加するので、本質的にE×Bドリフトに基づくプラズマの不均一が生じず、チャージアップダメージの問題を回避することができる。また、3〜300MHzという従来のECR方式における周波数よりも遙かに小さい周波数を用いるので、大きな磁場を必要とせず、また、大電力が不要であるため、大型の磁石が不要であり、装置構成を複雑にする必要もない。さらに、マイクロ波領域の高周波を用いた場合のプラズマの均一性確保の困難性も解消され、高密度のプラズマを形成することができる。
【0045】
そして、3〜300MHzの範囲の周波数であれば、電力投入も容易である。さらに、印加する高周波の周波数を100MHz以下とすることにより、異常放電およびロスを少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のプラズマ処理装置をエッチング装置に適用した一実施形態を示す断面図。
【図2】 本発明のプラズマ処理装置をエッチング装置に適用した他の実施形態を示す断面図。
【符号の説明】
1……チャンバー
2……支持テーブル
4……シャワーヘッド
9……処理ガス供給系
10,12……高周波電源
11……空芯コイル
15……排気系
W……半導体ウエハ
Claims (21)
- 被処理体に対してプラズマ処理が行われる処理室と、
前記処理室内の下部に設けられた、被処理体を支持する支持部材と、
前記処理室にプラズマエッチングのための処理ガスを導入する処理ガス導入手段と、
前記処理室内の上部に設けられ、前記支持部材に対向する電極に3〜300MHzの範囲の、プラズマ生成用の第1の高周波を印加する第1の高周波印加手段と、
前記支持部材に、プラズマ中のイオンを前記被処理体に向けて引き込むための第2の高周波を印加する第2の高周波印加手段と、
印加された前記第1の高周波に対応する共鳴磁場の整数倍の磁場を被処理体に対して垂直、かつ電界方向に対して平行に形成する磁場形成手段と
を具備することを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 前記高周波印加手段は、前記処理室内の電極に3〜100MHzの範囲の高周波を印加することを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチング装置。
- 前記処理ガス導入手段は、前記支持部材上の被処理体に向けて処理ガスを供給する多数の孔を有し、内部に空間を有する導電体のシャワーヘッドを備え、該シャワーヘッドが電極として機能することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のプラズマエッチング装置。
- 前記処理ガス導入手段は、前記支持部材上の被処理体に向けて処理ガスを供給する多数の孔を有し、内部に空間を有する絶縁体のシャワーヘッドを備え、該シャワーヘッドの空間内に前記電極が配置されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のプラズマエッチング装置。
- 前記磁場形成手段は、空芯コイルを有することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のプラズマエッチング装置。
- 前記磁場形成手段は、給電することにより磁場を発生する電磁石を有することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のプラズマエッチング装置。
- 前記処理室は、前記被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理空間を有し、前記磁場形成手段は、前記プラズマ処理空間に磁場を形成することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のプラズマエッチング装置。
- 前記第1の高周波印加手段により生成されるプラズマはECRプラズマであることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のプラズマエッチング装置。
- プラズマエッチング装置において被処理体をエッチングするプラズマを生成するために用いるプラズマ生成方法であって、
排気システムを有し、その中の減圧状態を維持可能であり、その中の下部に被処理体を支持する支持部材を有するチャンバーを準備することと、
前記支持部材で被処理体を支持した状態で、処理ガス供給系により、処理ガスを前記チャンバーに導入することと、
第1の高周波印加手段により、前記処理室内の上部に設けられた、前記支持部材に対向する第1の電極に3〜300MHzの範囲の第1の高周波を印加することと、
第2の高周波印加手段により、前記支持部材に、プラズマ中のイオンを前記被処理体に向けて引き込むための第2の高周波を印加することと、
磁場形成手段により、印加された前記第1の高周波に対応する共鳴磁場の整数倍の磁場を、前記チャンバーの外周から電界方向に対して平行に形成することと、
を具備することを特徴とするプラズマ生成方法。 - 前記処理ガスを導入する手段として多数のガス吐出口が形成されたシャワーヘッドを有する導体を準備することをさらに具備することを特徴とする請求項9に記載のプラズマ生成方法。
- 前記チャンバー内に、前記第1の電極に対向しかつ平行に配置された、被処理体の支持部材を準備することと、
前記支持部材に接続された第2の高周波電源を準備することと、
高周波が印加される前記支持部材をプラズマ中のイオン引き込みに用いることと、
をさらに具備することを特徴とする請求項9または請求項10に記載のプラズマ生成方法。 - 前記第1の高周波印加手段より、27.12MHzの高周波を印加することと、
前記磁場形成手段により、共鳴磁場である10G(ガウス)の整数倍の磁場を、前記チャンバーの外周から電界方向に対して平行に形成することと、
をさらに具備することを特徴とする請求項9から請求項11のいずれか1項に記載のプラズマ生成方法。 - 前記シャワーヘッドを絶縁材料で形成することと、
前記シャワーヘッドの内部空間に前記第1の電極を設けることと、
を具備することを特徴とする請求項11に記載のプラズマ生成方法。 - プラズマ生成装置を含むプラズマエッチング装置を用いたプラズマエッチング方法であって、
プラズマ生成部を有し、排気システムを有し、その中の下部に被処理体を支持する支持部材を有するチャンバーを準備することと、
前記チャンバーを減圧状態に維持することと、
処理ガス供給系により、処理ガスを前記チャンバーの前記プラズマ生成部に導入することと、
前記処理ガス供給系から供給された処理ガスを、前記チャンバーの前記プラズマ生成部に、前記チャンバーから絶縁されかつ導体で形成されて、前記支持部材に対向しかつ前記支持部材に平行に前記チャンバー内の上部に設けられたシャワーヘッドを介してシャワー状に導入することと、
前記シャワーヘッドを第1の電極として用いることと、
第1の高周波印加手段により、前記処理室内の前記第1の電極に3〜300MHzの範囲の高周波を印加することと、
前記チャンバー内で前記支持部材により、被処理体を保持することと、
前記支持部材を第2の電極として用いることと、
磁場形成手段により、印加された高周波に対応する共鳴磁場の整数倍の磁場を、前記チャンバーの外周から前記被処理体に対して垂直、かつ電界方向に対して平行に形成することと、
前記支持部材に接続された第2の高周波電源により、前記被処理体に照射されるプラズマ中のイオンを前記被処理体に引き込む高周波を印加することと、
を具備することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 前記シャワーヘッドを絶縁部材で形成することと、前記シャワーヘッドの内部空間に前記第1の電極を設けることとをさらに具備することを特徴とする請求項14に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記第1の高周波電源により印加される高周波を100MHz以下に設定することをさらに具備することを特徴とする請求項14または請求項15に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記処理ガスとして、CHF3、CF4、もしくはC4F8を含むハロゲン含有ガス、COガス、またはO2ガスを含む反応ガスと、Arを含む不活性ガスを含有する希釈ガスを用いることを特徴とする請求項14から請求項16のいずれか1項に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記磁場形成手段は、空芯コイルを有することを特徴とする請求項14から請求項17のいずれか1項に記載のプラズマ方法。
- 前記磁場形成手段は、給電することにより磁場を発生する電磁石を有することを特徴とする請求項14から請求項17のいずれか1項に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記処理室は、前記被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理空間を有し、前記磁場形成手段は、前記プラズマ処理空間に磁場を形成することを特徴とする請求項14から請求項19のいずれか1項に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記第1の高周波印加手段により生成されるプラズマはECRプラズマであることを特徴とする請求項14から請求項20のいずれか1項に記載のプラズマエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20581998A JP4059570B2 (ja) | 1997-07-08 | 1998-07-07 | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法、ならびにプラズマ生成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19637897 | 1997-07-08 | ||
JP9-196378 | 1997-07-08 | ||
JP20581998A JP4059570B2 (ja) | 1997-07-08 | 1998-07-07 | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法、ならびにプラズマ生成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11251301A JPH11251301A (ja) | 1999-09-17 |
JP4059570B2 true JP4059570B2 (ja) | 2008-03-12 |
Family
ID=26509715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20581998A Expired - Fee Related JP4059570B2 (ja) | 1997-07-08 | 1998-07-07 | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法、ならびにプラズマ生成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4059570B2 (ja) |
-
1998
- 1998-07-07 JP JP20581998A patent/JP4059570B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11251301A (ja) | 1999-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100374993B1 (ko) | 이씨알플라즈마발생기및이씨알플라즈마발생기를구비하는이씨알에칭시스템 | |
KR100319664B1 (ko) | 플라즈마처리장치 | |
JP3174981B2 (ja) | ヘリコン波プラズマ処理装置 | |
KR102569911B1 (ko) | 포커스 링 및 기판 처리 장치 | |
TW200839924A (en) | Plasma processing apparatus, plasma processing method and storage medium | |
JP2002093776A (ja) | Si高速エッチング方法 | |
JPH08264515A (ja) | プラズマ処理装置、処理装置及びエッチング処理装置 | |
JP3499104B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
US20050126711A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JPH10223607A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4566373B2 (ja) | 酸化膜エッチング方法 | |
JP5893260B2 (ja) | プラズマ処理装置および処理方法 | |
JP7329131B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP4059570B2 (ja) | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法、ならびにプラズマ生成方法 | |
JP2003077904A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2005079416A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2000082698A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3192352B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2003077903A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2004349717A (ja) | プラズマエッチング処理装置 | |
JP2008166844A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH09321030A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
JPH05144773A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
JP2005079603A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH09260352A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050617 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050617 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070529 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070730 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071218 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101228 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131228 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |