JPH10275696A - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

Info

Publication number
JPH10275696A
JPH10275696A JP9095100A JP9510097A JPH10275696A JP H10275696 A JPH10275696 A JP H10275696A JP 9095100 A JP9095100 A JP 9095100A JP 9510097 A JP9510097 A JP 9510097A JP H10275696 A JPH10275696 A JP H10275696A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microwave
slot
rectangular waveguide
plasma chamber
window
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9095100A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Yoshiki
宏之 吉木
Shigeki Amadate
茂樹 天立
Tatsuya Saijo
達也 西條
Koji Itaya
耕司 板谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daihen Corp
Original Assignee
Daihen Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daihen Corp filed Critical Daihen Corp
Priority to JP9095100A priority Critical patent/JPH10275696A/ja
Publication of JPH10275696A publication Critical patent/JPH10275696A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被処理物に対して広い面積に亘って均一かつ
高速に処理することができ、しかもマイクロ波電力の使
用効率を高めたプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 側壁に細長い窓部7bを有し、窓部の内側
に被処理物13が配置されるプラズマ室7 と、電界ベクト
ルの方向に平行な側面であるE面に管軸方向へ伸びるス
ロット18b を有し、管軸方向を窓部の長手方向に一致さ
せ、かつスロットを窓部に対向させた状態で配置された
プラズマ室結合用方形導波管18と、方形導波管にマイク
ロ波を供給するマイクロ波電源1 とを備える。方形導波
管の終端に、短絡板19c を有する終端器19を設ける。ス
ロットの長手方向の長さを、方形導波管内のマイクロ波
の管内波長λg の2分の1の長さと、マイクロ波の自由
空間波長の2分の1の長さとの公倍数に設定する。スロ
ットの端部と短絡板との長さを、管内波長λg の(n/
2)(n:整数)に設定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜形成、表面改
質及びエッチング等の処理を、大面積の被処理物に対
し、均一かつ高速に行うためのプラズマ処理装置に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体及びLCDの製造工程にお
けるエッチング、アッシング、CVD等にマイクロ波を
用いたプラズマ装置が用いられている。図7は、特開平
5−335095号に示された従来のプラズマ処理装置
の全体構成図であり、図8は図7のI−I線断面図であ
り、図9は図8のT−T線断面図である。この装置は、
図7に示すように、マイクロ波電源1、アイソレータ
2、コーナ方形導波管3、方向性結合器4、インピーダ
ンス整合器5、コーナ方形導波管6、直方体状のプラズ
マ室7、プラズマ室をE面に取付けたプラズマ室結合用
方形導波管8及び終端装置9を備えている。なおE面
は、方形導波管内の電界ベクトルの方向に平行な側面で
ある。
【0003】プラズマ室7は、図8に示したように、結
合用方形導波管8側の側壁7aに方形導波管8の管軸方
向に沿って伸びる細長い矩形状の窓部7bが設けられ、
この窓部7bは石英ガラス板からなるマイクロ波透過窓
11により真空封じされている。また、プラズマ室7に
は排気口7cが設けられ、この排気口は図示しない真空
ポンプに接続されており、またプラズマ室7の1つの壁
部を気密に貫通させてプロセスガス導入パイプ12が取
り付けられている。このプラズマ室7内には、シート状
の被処理物13が巻かれたローラ14と、処理が終了し
た被処理物を巻き取る巻取りローラ15とが対向配置さ
れ、被処理物13は窓部7bに対向配置されている。
【0004】結合用方形導波管8には、E面8aに管軸
方向に伸びるスロット8bが設けられており、この方形
導波管8とプラズマ室7とは、スロット8bをプラズマ
室7の窓部7bに対向させた状態で電気的に接続されて
いる。スロット8bは、プラズマ室7の窓部7bの長手
方向とほぼ等しい長さを有するが、その幅寸法は、窓部
7bの幅寸法よりも小さく設定されている。また、長手
方向の長さは、特開平8−138889号に示されるよ
うに、マイクロ波の自由空間波長λ0 の2分の1の整数
倍に設定されるのが一般的である。
【0005】終端器9は、プラズマ室7側に供給されな
かった余分なマイクロ波を吸収するマイクロ波吸収体か
ら構成され、マイクロ波吸収体として水を用いる。プラ
ズマ室7に伝搬しなかった余分なマイクロ波は、導入口
9aから導入した水に吸収させ、マイクロ波により加熱
された水を排出口9bから排水させるようになってい
る。
【0006】上記プラズマ処理装置を用いてプラズマ処
理を行う場合には、プラズマ室7内に被処理物13をセ
ットした後、プラズマ室7内を高真空状態にする。その
後プロセスガス導入パイプ12から、プラズマ室7内に
所定のプロセスガスを、プラズマ室内が所定の圧力にな
るまで供給する。この状態でマイクロ波電源1から、ア
イソレータ2、コーナ方形導波管3、方向性結合器4、
インピーダンス整合器5、コーナ方形導波管6を通して
プラズマ室結合用方形導波管8にマイクロ波を供給する
と、結合用方形導波管8内に進入したマイクロ波は、ス
ロット8bから放射されて、プラズマ室7の窓部7bを
通してプラズマ室7内に伝搬し、プラズマ室内のプロセ
スガスをプラズマ化して帯状のプラズマを生成する。こ
のプラズマを被処理物13に照射しつつ、被処理物13
をローラ15により巻き取り移動させることにより、広
い面積の処理を連続的に行わせることができる。
【0007】特に、結合用方形導波管8の外周に磁界発
生手段10として電磁石を設けたことにより、プラズマ
室7の窓部7bと被処理物13との間の空間に磁界が生
じるので、この磁界により、反応性ガスの電離及び励起
の頻度を高めることができ、被処理物に照射されるプラ
ズマ密度が高められる。また上記磁界が、窓部からプラ
ズマ室の中央部に向かうような発散磁界となっているの
で、プラズマを被処理物13に効率よく照射させること
ができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマ処理装
置では、マイクロ波が結合用方形導波管8の内部側壁で
の反射を繰り返しつつ斜めに伝搬することに起因して、
スロット8bからプラズマ室7に放射されるマイクロ波
は、図9のマイクロ波W1 、W2 及びW3 で示すよう
に、プラズマ室7内の片側に偏った伝搬様式になり、そ
の結果、長さA′B′のスロット8bからプラズマ室7
に放射されるマイクロ波電界強度は、図10に示される
ように、プラズマ室7の長手方向に亘って均一にならな
いという問題があった。
【0009】また、終端器9をマイクロ波吸収体から構
成しているにも拘らず、スロットを設けることで生じる
反射波による定在波の山谷が存在し、その結果、マイク
ロ波電界強度は図10に示されるように、マイクロ波の
管内波長λo の2分の1毎に山谷を有した不均一な分布
となっている。したがって、発生するプラズマの分布は
不均一となっており、被処理物13の広い面積に亘る均
一処理に問題があった。
【0010】さらに、プラズマ室結合用方形導波管8に
入力されるマイクロ波電力のうち、スロット8bからプ
ラズマ室7に放射されなかった電力は、方形導波管8を
通って終端器9内のマイクロ波吸収体に消費されて全て
電力損失となるので、電力の使用効率が悪くなり、生成
されるプラズマ密度が低くなるという問題点があった。
【0011】本発明の目的は、被処理物に対して広い面
積に亘って均一かつ高速に処理することができ、しかも
マイクロ波電力の使用効率を高めたプラズマ処理装置を
提供することにある。
【0012】
【問題点を解決するための手段】本発明は、側壁に細長
い窓部を有し、窓部の内側に被処理物が配置されるプラ
ズマ室と、電界ベクトルの方向に平行な側面であるE面
に管軸方向へ伸びるスロットを有し、管軸方向を窓部の
長手方向に一致させ、かつスロットを窓部に対向させた
状態で配置されたプラズマ室結合用方形導波管と、方形
導波管にマイクロ波を供給するマイクロ波電源とを備
え、方形導波管からスロットを介してプラズマ室へマイ
クロ波を放射させるプラズマ処理装置に係わるものであ
る。
【0013】請求項1に記載の発明は、方形導波管の終
端に、短絡板を有する終端器を設け、スロットの長手方
向の長さを、方形導波管内のマイクロ波の管内波長λg
の2分の1の長さと、マイクロ波の自由空間波長の2分
の1の長さとの公倍数に設定し、スロットの端部と短絡
板との長さを、管内波長λg の(n/2)(n:整数)
に設定したものである。
【0014】上記の請求項1の発明においては、スロッ
トから開空間へのマイクロ波の放射効率もよく、しかも
放射される電界強度は、マイクロ波の管内波長が支配的
となり、その分布は空間的に極端に偏ったり、歪んだり
することがない
【0015】請求項2に記載の発明は、方形導波管の終
端に、短絡板を有する終端器を設け、スロットの長手方
向の長さを、方形導波管内のマイクロ波の管内波長λg
の2分の1の長さと、マイクロ波の自由空間波長の2分
の1の長さとの公倍数に設定し、スロットの端部と短絡
板との長さを、管内波長λg の(n/2)(n:整数)
に設定し、スロットを設けた方形導波管を少なくとも2
本設けて、方形導波管同士を平行に、かつ隣り合うスロ
ット同士を交互に方形導波管の管軸方向に管内波長λg
の(2n−1)/4(n:整数)ずらせて配置したもの
である。
【0016】上記の請求項2の発明においては、各スロ
ットからプラズマ室に放射されるマイクロ波電界強度が
マイクロ波の管内波長の2分の1に対応した山谷を有し
ているが、電界強度の強い箇所と弱い箇所とがそれぞれ
重ねられるので、各スロットから放射されるマイクロ波
電界強度よりも電界強度の強弱の大きさが大きく緩和さ
れる。
【0017】
【発明の実施の形態】
<第1の実施形態>図1は、本発明に係るプラズマ処理
装置の第1の実施形態を示す全体構成図である。同図に
おいて、1はマイクロ波電源、2はアイソレータ、3,
6はコーナ方形導波管、4は方向性結合器、5はインピ
ーダンス整合器、7はプラズマ室で、従来例で示した図
7と同様に構成される。18はスロット18bを設けた
プラズマ室結合用方形導波管、19は短絡板19cを備
えた終端器である。なお、プラズマ室7の断面図は、従
来例で示した図8と同様であるので省略する。
【0018】本実施形態は、スロットの長手方向の長さ
が、方形導波管18内のマイクロ波の管内波長λg の2
分の1の長さと、マイクロ波の自由空間波長λ0 の2分
の1の長さとの公倍数に設定される。
【0019】本実施形態はまた、従来例に示すマイクロ
波吸収体から構成された終端器の代わりに、短絡板19
cを備えた終端器19としているので、この短絡板とイ
ンピーダンス整合器5を適宜に調整することにより、結
合用方形導波管18に導入されたマイクロ波を効率よく
プラズマ室7に供給することができる。
【0020】本実施形態において、結合用方形導波管1
8にマイクロ波が供給されると、この方形導波管18の
内壁には図2に示すような表面電流が流れる。この表面
電流は、マイクロ波の定在波に起因して方形導波管内の
マイクロ波の管内波長λg の2分の1に対応した強弱を
有している。そこで、方形導波管のE面に管軸方向へ伸
びるスロットを開口すれば、表面電流の流れを切ること
になり、その開口部の上下面に電荷が誘起され、マイク
ロ波はスロットから空間へと放射される。スロットから
放射されるマイクロ波のスロットの長手方向の両端での
電界強度は、その両端部は短絡されているので零であ
る。したがって、スロットの長手方向の長さは、マイク
ロ波の管内波長λg の2分の1の整数倍とすることが望
ましい。
【0021】一方、スロットから空間に放射されたマイ
クロ波は、自由空間波長λ0 で空間中を伝搬するので、
従来では、スロットの長手方向の長さは、マイクロ波の
自由空間波長λ0 の2分の1の整数倍とされている。
【0022】本発明では、スロットの長手方向の長さ及
び位置を決定する場合、長さについては、上記のように
公倍数に設定し、また位置については、スロット18b
の端部Bと短絡板19cとの長さを、マイクロ波の管内
波長λg の(n/2)(n:整数)に設定すれば、スロ
ットから開空間へのマイクロ波の放射効率もよく、しか
も放射される電界強度は、マイクロ波の管内波長λg が
支配的となり、その分布は空間的に極端に偏ったり、歪
んだりすることがないことを見出だした。
【0023】ここで、スロットの長手方向の長さの具体
例を示すと、結合用方形導波管18として内径寸法10
9mm×55mmのWR−430導波管を用い、マイク
ロ波の周波数が2.45GHzの場合、自由空間波長λ
0 は122mm、管内波長λg は148mmとなり、各
波長の2分の1の公倍数として約370mm、約740
mm、約1110mm等が考えられる。これらの値は、
厳密には両者の公倍数となっていないが、何ら電界強度
に影響を及ぼさない。
【0024】本実施形態においては、長さABのスロッ
トからプラズマ室7に放射されるマイクロ波電界強度
が、図3に示すように、マイクロ波の管内波長λg の2
分の1毎に山谷を有するものの、山谷の波高値がほぼ一
定にそろった分布となり、プラズマ室へ放射されるマイ
クロ波の電力をプラズマ室の窓部の長手方向に沿ってほ
ぼ均一にすることができ、長い領域に亘ってプラズマ密
度をほぼ均一にすることができる。
【0025】<第2の実施形態>図4は、本発明に係る
プラズマ処理装置の第2の実施形態を示す全体構成図で
あり、図5は図4のI−I線断面図である。図4におい
て、1,1′はマイクロ波電源、2,2′はアイソレー
タ、3,3′,6,6′はコーナ方形導波管、4,4′
は方向性結合器、5,5′はインピーダンス整合器、7
はプラズマ室で、従来例で示した図7と同様に構成され
る。18,18′はスロット18b,18b′をそれぞ
れ設けたプラズマ室結合用方形導波管、19,19′は
短絡板19c,19c′をそれぞれ備えた終端器で、第
1の実施形態を示す図1と同様に構成される。なお、図
5において、従来例で示した図8と同一構成部分には同
一符号を付して、説明を省略する。
【0026】本実施形態は、本発明によるスロットを設
けた2つのプラズマ室結合用方形導波管18,18′を
設け、この結合用方形導波管18,18′の終端にそれ
ぞれ終端器19,19′が接続されている。
【0027】結合用方形導波管18,18′は、そのE
面18a,18a′に管軸方向に伸びるスロット18
b,18b′がそれぞれ設けられている。このスロット
18b,18b′同士は、適宜の間隔で平行に配置さ
れ、かつ管軸方向にマイクロ波の管内波長λg の(2n
−1)/4(n:整数)ずらせて配置されている。ま
た、方形導波管18,18′には、それぞれマイクロ波
電源1,1′、アイソレ−タ2,2′、コーナ方形導波
管3,3′,6,6′、パワーモニタ4,4′、インピ
ーダンス整合器5,5′がI−I線に対し対称的に設け
られている。
【0028】本実施形態において、マイクロ波電源1,
1′から結合用方形導波管18,18′にそれぞれマイ
クロ波を供給すると、それぞれのスロット18b,18
b′から放射されるマイクロ波電界強度は、図3示した
ように、マイクロ波の管内波長λg の2分の1毎に山谷
を有した分布となるので、マイクロ波の管内波長λgの
(2n−1)/4(n:整数)ずらせることにより、電
界強度の強い箇所と弱い箇所とがそれぞれ重ねられるよ
うに、2つのマイクロ波電界強度が合成される。
【0029】スロット18b,18b′を互いにずらせ
る長さは、好ましくは(1/4)λg または(3/4)
λg が望ましい。もし、それ以上ずらせると、1つのス
ロットのみによるマイクロ波電界強度の分布が広くな
る。すなわち、スロットの長手方向の両端部では、マイ
クロ波が合成されることなく、強弱を有したマイクロ波
電界強度の分布となる。
【0030】本実施形態においては、長さCDのスロッ
トからプラズマ室に放射されるマイクロ波電界強度が、
図6の実線で示すように、スロットの長手方向の全体に
亘って均一性が向上される。なお、図6の点線は、それ
ぞれのスロット18b、18b′から放射されるマイク
ロ波電界強度の分布を示している。
【0031】上記の第2の実施形態では、2つの結合用
方形導波管18,18′を設けたが、3つ以上でもよ
く、その場合、隣り合うスロット同士を交互に{(2n
−1)/4}λg (n:整数)ずらせて配置する。ま
た、結合用方形導波管内でのマイクロ波の伝搬方向が共
に同じ向きとなるように結合用方形導波管18,18′
を配置してもよい。
【0032】
【発明の効果】以上のように、請求項1の発明によれ
ば、プラズマ室へ放射されるマイクロ波の電力をプラズ
マ室の窓部の長手方向に沿ってほぼ均一にすることがで
き、またマイクロ波電力の使用効率が向上されるので、
生成されるプラズマの密度を長い領域に亘って均一にす
ることができ、しかもプラズマの密度を高めることがで
きる。
【0033】また請求項2の発明によれば、プラズマ室
へ放射されるマイクロ波の電力をプラズマ室の窓部の長
手方向に沿ってより一層均一にすることができ、またマ
イクロ波電力の使用効率が向上されるので、生成される
プラズマの密度を長い領域に亘ってより一層均一にする
ことができ、しかもプラズマの密度を高めることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るプラズマ処理装置の第1の実施形
態を示す全体構成図である。
【図2】結合用方形導波管の内壁を流れる表面電流を示
した図である。
【図3】第1の実施形態によるスロットの長さに対する
マイクロ波電界強度を示す図である。
【図4】本発明に係るプラズマ処理装置の第2の実施形
態を示す全体構成図である。
【図5】図4のI−I線断面図である。
【図6】第2の実施形態によるスロットの長さに対する
マイクロ波電界強度を示す図である。
【図7】従来のプラズマ処理装置の全体構成図である。
【図8】図7のI−I線断面図である。
【図9】図8のT−T線断面図である。
【図10】従来例によるスロットの長さに対するマイク
ロ波電界強度を示す図である。
【符号の説明】
1,1′ マイクロ波電源 7 プラズマ室 7b 窓部 18,18′ プラズマ室結合用方形導波管 18a,18a′ E面 18b,18b′ スロット 19,19′ 終端器 19c,19c′ 短絡板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 板谷 耕司 大阪市淀川区田川2丁目1番11号 株式会 社ダイヘン内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 側壁に細長い窓部を有し、前記窓部の内
    側に被処理物が配置されるプラズマ室と、電界ベクトル
    の方向に平行な側面であるE面に管軸方向へ伸びるスロ
    ットを有し、管軸方向を前記窓部の長手方向に一致さ
    せ、かつ前記スロットを前記窓部に対向させた状態で配
    置されたプラズマ室結合用方形導波管と、前記方形導波
    管にマイクロ波を供給するマイクロ波電源とを備え、前
    記方形導波管から前記スロットを介して前記プラズマ室
    へマイクロ波を放射させるプラズマ処理装置において、 前記方形導波管の終端に、短絡板を有する終端器を設
    け、 前記スロットの長手方向の長さが、前記方形導波管内の
    マイクロ波の管内波長λg の2分の1の長さと、マイク
    ロ波の自由空間波長の2分の1の長さとの公倍数に設定
    され、 前記スロットの端部と短絡板との長さが、前記管内波長
    λg の(n/2)(n:整数)に設定されたプラズマ処
    理装置。
  2. 【請求項2】 側壁に細長い窓部を有し、前記窓部の内
    側に被処理物が配置されるプラズマ室と、電界ベクトル
    の方向に平行な側面であるE面に管軸方向へ伸びるスロ
    ットを有し、管軸方向を前記窓部の長手方向に一致さ
    せ、かつ前記スロットを前記窓部に対向させた状態で配
    置されたプラズマ室結合用方形導波管と、前記方形導波
    管にマイクロ波を供給するマイクロ波電源とを備え、前
    記方形導波管から前記スロットを介して前記プラズマ室
    へマイクロ波を放射させるプラズマ処理装置において、 前記方形導波管の終端に、短絡板を有する終端器を設
    け、 前記スロットの長手方向の長さが、前記方形導波管内の
    マイクロ波の管内波長λg の2分の1の長さと、マイク
    ロ波の自由空間波長の2分の1の長さとの公倍数に設定
    され、 前記スロットの端部と短絡板との長さが、前記管内波長
    λg の(n/2)(n:整数)に設定され、 前記スロットを設けた前記方形導波管を少なくとも2本
    設けて、前記方形導波管同士を平行に、かつ隣り合う前
    記スロット同士を交互に前記方形導波管の管軸方向に前
    記管内波長λg の(2n−1)/4(n:整数)ずらせ
    て配置したプラズマ処理装置。
JP9095100A 1997-03-28 1997-03-28 プラズマ処理装置 Pending JPH10275696A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9095100A JPH10275696A (ja) 1997-03-28 1997-03-28 プラズマ処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9095100A JPH10275696A (ja) 1997-03-28 1997-03-28 プラズマ処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10275696A true JPH10275696A (ja) 1998-10-13

Family

ID=14128468

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9095100A Pending JPH10275696A (ja) 1997-03-28 1997-03-28 プラズマ処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10275696A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001308066A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ処理装置
EP1171645A1 (en) * 1999-03-04 2002-01-16 Energy Conversion Devices, Inc. Apparatus for the simultaneous deposition by physical vapor deposition and chemical vapor deposition and method therefor
KR100425658B1 (ko) * 1998-10-29 2004-04-03 캐논 가부시끼가이샤 마이크로파 공급기, 이를 구비한 플라즈마 처리 장치, 및 플라즈마 처리 방법
US6870123B2 (en) 1998-10-29 2005-03-22 Canon Kabushiki Kaisha Microwave applicator, plasma processing apparatus having same, and plasma processing method
US6998565B2 (en) 2003-01-30 2006-02-14 Rohm Co., Ltd. Plasma processing apparatus
JP2009224269A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Chube Univ プラズマ装置、プラズマ処理ユニット及びプラズマ処理方法
US8610353B2 (en) 2010-09-16 2013-12-17 Tokyo Electron Limited Plasma generating apparatus, plasma processing apparatus and plasma processing method
CN109219226A (zh) * 2017-07-06 2019-01-15 北京北方华创微电子装备有限公司 一种等离子体发生装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100425658B1 (ko) * 1998-10-29 2004-04-03 캐논 가부시끼가이샤 마이크로파 공급기, 이를 구비한 플라즈마 처리 장치, 및 플라즈마 처리 방법
US6870123B2 (en) 1998-10-29 2005-03-22 Canon Kabushiki Kaisha Microwave applicator, plasma processing apparatus having same, and plasma processing method
EP1171645A1 (en) * 1999-03-04 2002-01-16 Energy Conversion Devices, Inc. Apparatus for the simultaneous deposition by physical vapor deposition and chemical vapor deposition and method therefor
EP1171645A4 (en) * 1999-03-04 2003-08-27 Energy Conversion Devices Inc DEVICE FOR SIMULTANEOUS COATING BY MEANS OF PVD AND CVD AND METHOD
JP2001308066A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ処理装置
US6998565B2 (en) 2003-01-30 2006-02-14 Rohm Co., Ltd. Plasma processing apparatus
JP2009224269A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Chube Univ プラズマ装置、プラズマ処理ユニット及びプラズマ処理方法
US8610353B2 (en) 2010-09-16 2013-12-17 Tokyo Electron Limited Plasma generating apparatus, plasma processing apparatus and plasma processing method
CN109219226A (zh) * 2017-07-06 2019-01-15 北京北方华创微电子装备有限公司 一种等离子体发生装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4183934B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置、マイクロ波プラズマ処理方法及びマイクロ波給電装置
JP4837854B2 (ja) 整合器およびプラズマ処理装置
WO2006009281A1 (ja) プラズマ処理装置および方法、並びにフラットパネルディスプレイ装置の製造方法
KR0174070B1 (ko) 마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 방법
WO2006120904A1 (ja) 表面波励起プラズマ処理装置
US6298806B1 (en) Device for exciting a gas by a surface wave plasma
JPH10275696A (ja) プラズマ処理装置
US5315212A (en) Plasma processing apparatus for generating uniform strip-shaped plasma by propagating microwave through rectangular slit
JPH09289099A (ja) プラズマ処理方法および装置
JP4678905B2 (ja) プラズマ処理装置
US7015413B2 (en) Plasma generation system having a refractor
JP2010277971A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の給電方法
JPH08138889A (ja) プラズマ処理装置
JP3878267B2 (ja) プラズマ処理装置
JPH06236799A (ja) プラズマ処理装置
JP4017098B2 (ja) プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
JP3491190B2 (ja) プラズマ処理装置
JP3156492B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2857090B2 (ja) マイクロ波励起プラズマ処理装置
JP3736054B2 (ja) プラズマ処理装置
JP3136386B2 (ja) プラズマ処理装置
KR100197113B1 (ko) 장방형 도파관에서 긴 슬롯을 통해 플라즈마실에 마이크로웨이브를 조사하는 플라즈마 처리장치
JPS6360530A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPH0673567A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JP2972507B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置