TWI735692B - 臭氧處理裝置及臭氧處理方法 - Google Patents
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Abstract
本發明的課題是防止因臭氧導致氣密地封閉進行臭氧處理的處理空間之密封構件的劣化。 其解決手段的臭氧處理裝置(100)，具備：光源部(10)，具有穿透紫外線的窗構件(12)，通過窗構件(12)發射紫外線；載台(21)，與窗構件(12)相對配置，載放被處理物體(工件(W))；密封構件(17)，係窗構件(12)與載台(21)之間的空間，使載放於載台(21)的被處理物體的表面氣密性封閉在含臭氧的周圍環境中暴露於從光源部(10)所發射之紫外線的處理空間；及屏蔽氣體供應部(屏蔽氣體供應路(16d)、屏蔽氣體供應口(16e))，沿著密封構件(17)的至少一部份供應保護該密封構件(17)用的屏蔽氣體。
Description
[0001] 本發明是關於臭氧處理裝置及臭氧處理方法。更詳細而言，本發明是有關可防止因臭氧導致氣密地封閉處理空間之密封構件的劣化的臭氧處理裝置及臭氧處理方法。
[0002] 以往，例如作為半導體或液晶面板等的製造步驟中之抗蝕的光灰化處理、奈米印刷裝置之附著於模板的圖案面的抗蝕劑的除去處理、液晶用玻璃基版或矽晶圓等的乾式清洗處理、印刷基板製造步驟之污斑的除去(去污斑)處理等所使用的光處理裝置及光處理方法，已知有使用紫外線的光處理裝置及光處理方法。尤其是利用藉準分子燈所放射的真空紫外線所生成的臭氧或氧自由基等的活性體的裝置與方法可更為有效且短時間進行預定的處理，有效地被利用。 [0003] 例如專利文獻1中，作為通孔的去污斑處理，提出一種對基板照射真空紫外線的方法，提出一種在含氧的周圍環境下，對形成通孔的基板照射真空紫外線。朝著氧照射真空紫外線時，產生臭氧或氧自由基等的活性體。污斑是與該等的活性體結合，形成二氧化碳與水蒸氣後除去。並且，使二氧化碳與水蒸氣成為排氣而排氣至處理室外。 配置有基板等的被處理物體的處理室與發射真空紫外線的光源部是以透明的窗構件隔開。窗構件與被處理物體的間隔是例如設定如1mm以下的狹窄間隔，處理室是形成以密封構件氣密性封閉載放有窗構件與被處理物體的載台之間的處理空間。 [先前技術文獻] [專利文獻] [0004] 專利文獻1：日本特開2015-120129號公報
[發明概要] [發明所欲解決之課題] [0005] 上述的處理空間，由於每在搬入及搬出被處理物體時開放，使用具有橡膠構件等的彈性的構件作為密封構件。但是，如以上的密封構件會因處理空間中的臭氧而劣化，會有失去彈性而成為不具有作為密封構件的功能之虞。 為此，本發明是以防止因臭氧導致氣密地封閉進行臭氧處理的處理空間之密封構件的劣化為課題。 [用於解決課題的手段] [0006] 為解決上述課題，本發明相關的臭氧處理裝置之一樣態，具備：光源部，具有穿透真空紫外線的窗構件，通過上述窗構件發射上述真空紫外線；載台，與上述窗構件相對配置，載放被處理物體；密封構件，係上述窗構件與上述載台之間的空間，使載放於上述載台的上述被處理物體的表面氣密性封閉在含臭氧的周圍環境中暴露於從上述光源部所發射之上述真空紫外線的處理空間；及屏蔽氣體供應部，沿著上述密封構件的至少一部份供應保護該密封構件用的屏蔽氣體。 如上述，藉屏蔽氣體保護密封構件，可防止因處理空間之周圍環境的處理氣體所含的臭氧導致密封構件劣化而失去功能。 [0007] 又，上述的臭氧處理裝置中，進一步具備支撐上述窗構件的周緣部的支撐構件，上述密封構件是可配置在上述支撐構件與上述載台的外圍側面之間，推壓抵接於該載台的外圍側面氣密性封閉上述處理空間。 如上述，只要在支撐窗構件的支撐構件與載台之間配置密封構件，即可不需為氣密性封閉處理空間而將密封構件推壓抵接於窗構件。藉密封構件不推壓抵接於窗構件的構成，防止密封構件的反彈力將窗構件上推，可防止被處理物體與窗構件的間隙變得不均一。其結果，可獲得光處理的均一化。 [0008] 另外，上述的臭氧處理裝置中，上述密封構件也可形成剖面中空，藉著朝中空之空氣的注入使剖面膨脹的空氣膨脹密封件。如上述，適當使用空氣膨脹密封件作為密封構件，可容易且適當地氣密性封閉處理空間。並且，只要排出中空的氣體使密封構件收縮，即可不損傷密封構件地移動載台。 又，在上述的臭氧處理裝置中，上述屏蔽氣體供應部也可配置於較上述載台之上述被處理物體的載放面更下方。此時，可抑制屏蔽氣體供應被處理物體與窗構件之間。因此，不致有因屏蔽氣體將被處理物體之處理所需的處理氣體稀釋等造成的不良影響，可防止因臭氧導致密封構件的劣化。 [0009] 此外，上述的臭氧處理裝置中，也可在上述處理空間的上述被處理物體的表面與上述窗構件之間，進一步具備使處理用氣體沿著上述表面流動的氣體供排部。如上述，處理用氣體在被處理物體的表面與窗構件之間流動，可提高被處理物體的處理效率。 並且，上述的臭氧處理裝置中，上述密封構件是配置成環狀，上述氣體供排部具備：將上述處理用氣體供應上述處理空間的供氣口，及從上述處理空間排出上述處理用氣體的排氣口，也可配置使上述供氣口及上述排氣口在上述密封構件形成的環之中形成上述處理用氣體的流路。如上述，只要在上述密封構件形成的環之中形成處理用氣體的流路，藉屏蔽氣體也可適當維持將處理用氣體的流路限制在被處理物體上。 [0010] 此外並且，上述的臭氧處理裝置中，上述屏蔽氣體供應部也可配置在藉上述氣體供排部所形成之上述處理用氣體的流路的側方。如上述，朝處理氣體容易流入的流路的側方供應屏蔽氣體，可適當保護密封構件。 又，上述的臭氧處理裝置中，上述屏蔽氣體供應部也可配置在藉上述氣體供排部所形成之上述處理用氣體的流路的上游側。如上述，朝處理氣體的流路的上游側供應的屏蔽氣體，藉著上游側與下游側的壓力差(壓差)向下游側流動，可保護配置在該下游側的密封構件。因此，可有效防止密封構件因臭氧的劣化。 [0011] 另外，本發明的臭氧處理方法之一樣態，包括：藉密封構件氣密性封閉穿透真空紫外線的窗構件，及與上述窗構件相對配置，載放被處理物體的載台之間的空間，形成將載放於上述載台的上述被處理物體的表面暴露於在含臭氧的周圍環境中從上述光源部所發射之上述真空紫外線的處理空間的步驟，及沿著上述密封構件的至少一部份供應保護該密封構件用的屏蔽氣體的步驟。 藉此，藉著在處理空間的周圍環境之處理氣體所含的臭氧一邊防止密封構件因劣化而失能，一邊可對被處理物體實施臭氧處理。 [發明效果] [0012] 根據本發明，可防止氣密封閉進行臭氧處理之處理空間的密封構件的臭氧導致的劣化。
[0014] 以下，根據圖示說明本發明的實施形態。 第1圖是表示本實施形態之臭氧處理裝置的概略構成圖。本實施形態中，作為臭氧處理裝置的一例，例如針對去污斑處理裝置的適用例說明。 (臭氧處理裝置的構成) 臭氧處理裝置100具備：光源部10，及保持被處理物體之一例的基板(工件)W的處理部20。光源部10是將發射真空紫外線的複數紫外線光源11收納於內部，朝處理部20保持的工件W照射來自紫外線光源11的光。 [0015] 光源部10具備下方具有開口部的箱型形狀的殼體14。在殼體14的開口部透過窗框構件(支撐構件)16氣密地設有穿透真空紫外線之例如石英玻璃等的窗構件12。 光源部10(殼體14)的內部是藉著從供應口15例如供應氮氣等的惰性氣體來維持惰性氣體周圍環境。又，在光源部10內的紫外線光源11的上方，設有反射鏡13。反射鏡13是將從紫外線光源11所發射的光朝向窗構件12側反射。藉由以上的構成，相對於大致對應反射鏡13之全寬度的區域R，大致均等地照射紫外線光源11的光。 [0016] 紫外線光源11是例如射出波長220nm以下，較佳為波長190nm以下的紫外線(真空紫外線)，可利用種種習知的燈。在此設波長220nm是由於在紫外線的波長超過220nm的情況下，在分解除去起因於樹脂等的有機物質的污斑變得困難。 紫外線光源11是例如可使用封入氙氣的氙準分子燈(峰值波長172nm)、低壓水銀燈(185nm亮線)等。其中使用於去污斑處理是例如以氙準分子燈為佳。 [0017] 窗框構件16是在上下方向夾持成為窗構件12的外廓的部份。在與窗框構件16的窗構件12的下面相對的面上，形成有外圍槽16a。在此外圍槽16a與窗構件12的下面之間隔有O環16b等的彈性構件。亦即，窗框構件16是透過O環16b彈性地夾著窗構件12固定。 處理部20具備將進行紫外線照射處理(去污斑處理)的工件W吸附於表面並保持的載台21。載台21是與光源部10的窗構件12相對配置。在載台21為吸附工件W例如穿設有吸附孔(未圖示)。該載台21為確保平坦性例如以鋁材所形成。 [0018] 在與窗框構件16的載台21的外圍面(側面)相對的面上，形成有安裝密封構件17用的安裝槽16c。密封構件17是沿著載台21的側面配置的剖面中空的環狀的構件，藉著朝中空注入空氣使剖面在密封構件17的內周圍側膨脹，並藉空氣的排出使剖面收縮的空氣膨脹密封件。密封構件17是構成在膨脹狀態，使其內周圍面與載台21的側面抵接，在收縮狀態，使其內周圍面從載台21的側面分開。 第1圖表示密封構件17的膨脹狀態。如上述，密封構件17是在膨脹狀態與載台21的側面密接，氣密地封閉窗構件12與載台21之間的處理空間。 [0019] 在載台21上，形成有載放工件W可對工件W進行紫外線照射處理(去污斑處理)的處理區域R1，及禁止工件W的載放進行處理區域R1之處理準備用的準備區域R2。 窗構件12與載台21之間的處理空間是成為含臭氧的處理氣體的周圍環境，載放於載台21上的處理區域R1的工件W是在此處理氣體的周圍環境暴露於真空紫外線進行處理。 [0020] 另外，載台21是支撐在使載台21相對於窗構件12可朝著接近分離的方向(Z方向)移動的致動器51上。藉此致動器51如第2圖及第3圖表示使載台21在上下方向移動。在此，第2圖及第3圖是比第1圖表示的臭氧處理裝置100之窗構件12更下側的部份的透視圖，第2圖是表示載台21的下降時，第3圖是表示載台21的上升時的狀態。 在使載台21上下移動的期間，密封構件17維持著收縮狀態，在密封構件17的內周圍面與載台21的側面之間形成有間隙。藉此構成，在載台21上下移動時，以密封構件17抵接載台21的側面的狀態防止摩擦，可防止密封構件17的損傷。 並且，本實施形態是藉著致動器51使載台21上下移動，針對載台21相對於窗構件12接近分離的構成的情況說明，但也可以使光源部10上下移動，使窗構件12相對於載台21接近分離的構成。 [0021] 並且，在載台21的一方(第1圖的右側)的側緣部，形成有對處理空間供應處理用氣體用的供氣路24。在供氣路24連接有供應處理用氣體的供應裝置41。 又，在載台21的另一方(第1圖的左側)的側緣部，形成有將去污斑處理後的排氣排出至載台21外部用的排氣路25。在排氣路25上，安裝有噴射泵42。噴射泵42是利用流體作出減壓狀態，例如可利用壓縮機45所生成之例如壓縮空氣的流動。將此噴射泵42安裝於排氣路25，強制排出處理部20內的處理用氣體(處理氣體)。在連結排氣路25與噴射泵42的配管，設有以馬達驅動開合來調整配管的開度的水栓46。水栓46的開度與致動器51的驅動是藉控制部52控制。 [0022] 在此，作為處理用氣體是例如可使用氧氣、氧與臭氧或水蒸氣的混合氣體、在該等氣體混合惰性氣體等的氣體等。處理用氣體是在對基板W照射來自光源部10的紫外線的期間，通過供氣路24從形成在載台21上面的供氣口24a供應至處理空間，同樣地從形成在載台21上面的排氣口25a通過排氣路25作為排氣而排出到載台21外部。 供氣口24a及排氣口25a是如第2圖表示，分別沿著與處理用氣體流動的方向(X方向)正交的水平方向(Y方向)形成一列。藉以使處理用氣體在窗構件12與工件W之間的處理空間，成為從第1圖的右方向左方的流動。如上述，本實施形態的臭氧處理裝置100具備使處理用氣體沿著工件W的表面流動，形成處理用氣體的流路的氣體供排部。 [0023] 處理空間的準備區域R2是例如對氧氣的處理用氣體照射來自光源部10的紫外線，生成臭氧或氧自由基等的活性體。由於在準備區域R2不具有工件W(即無污斑)，因此在該準備區域R2中生成的活性體被新供應的處理用氣體推壓而一邊流向下游，一邊使濃度緩緩上升趨穩定化。 亦即，處理用氣體是為使處理空間之周圍環境的處理氣體的臭氧濃度成為一定(例如3%)而供應準備區域R2的氣體，照射紫外線可成為生成臭氧的氣體。準備區域R2可稱為對處理用氣體照射紫外線獲得使活性體的濃度穩定化的任務的區域。並且，處理用氣體也可以是臭氧。 [0024] 如上述，紫外線照射處理中(去污斑處理中)的處理空間的臭氧濃度為例如3%，藉未圖示的加熱機構將工件W的溫度保持在150℃左右。 本實施形態的密封構件17在其性質上，由於是以橡膠等的彈性構件所構成，因此與臭氧接觸而會顯著劣化。具體而言，暴露大約5小時即會產生所謂臭氧龜裂的龜裂，失去彈性失去作為密封構件的功能。 本實施形態的臭氧處理裝置100是將密封構件17推壓抵接於載台21的側面封閉處理空間的構造，因此在載台21的外圍，形成有與支撐密封構件17的窗框構件16之間的間隙(槽)。並且，該槽的寬度是比窗構件12與工件W的間隔寬。又，在載台21的中央區域是如所設計的流路使處理用氣體流動並排出處理氣體，但是在側方區域不具控制處理氣體流動的機構。因此，含臭氧的處理氣體容易流入形成在載台21的外圍的槽，會因處理氣體所含的臭氧而有使得密封構件17劣化之虞。 [0025] 為此，本實施形態的臭氧處理裝置100具備藉氣體屏蔽密封構件17使得密封構件17不與臭氧接觸的屏蔽氣體供應部。屏蔽氣體供應部是如第4圖表示，具備設置在窗框構件16的屏蔽氣體供應路16d。屏蔽氣體供應路16d是在密封構件17的附近，且在密封構件17的上方，具備沿著密封構件17的至少一部份形成在與載台21的側面相對的位置的屏蔽氣體供應口16e。 亦即，屏蔽氣體供應部是構成在載台21上升到以第4圖的虛線表示的紫外線照射處理的處理位置為止的狀態，在比載台21的側面的工件W的載放面更下方，且較以第4圖的虛線表示與膨脹狀態的密封構件17的載台21的抵接位置更上方，噴出屏蔽氣體。 [0026] 在此，上述處理位置是工件W上面的Y方向端部抵接在形成於窗構件12下面之微小條狀突起12a的下面的位置。條狀突起12a的Z方向的厚度是與紫外線照射處理時之窗構件12與工件W的設定間隔相等，例如1mm以下。條狀突起12a是至少形成兩條以分別抵接於工件W的Y方向兩端部。但是，條狀突起12a不限於兩條，也可以是三條以上。又，條狀突起12a之X方向的長度是與工件W的X方向的長度相同，或比工件W的X方向的長度若干長。 [0027] 又，屏蔽氣體可以是例如氮氣等的惰性氣體，或CDA(清淨乾空氣)。並且，屏蔽氣體只要不含臭氧也可以是與處理用氣體相同的氣體。但是，屏蔽氣體供應口16e是與處理用氣體的供應口24a另外設置。 屏蔽氣體供應部是如上述，從屏蔽氣體供應口16e朝向載台21的側面噴出屏蔽氣體，以形成障壁使臭氧不致來到密封構件17的周圍。藉此，可防止密封構件17因臭氧而劣化。又，也可獲得降低漏出至載台21外圍的槽變得浪費的處理氣體量的效果。 [0028] 第5圖是表示屏蔽氣體供應路16d(屏蔽氣體供應口16e)之配置位置的上視圖。 在載台21的處理用氣體的上游側(第5圖的右側)，朝著與處理用氣體的流動正交的方向穿設有一列處理用氣體的供應口24a，在載台21的處理用氣體的下游側(第5圖的左側)，同樣穿設有一列處理用氣體的排氣口25a。工件W是載放在從處理用氣體的供應口24a以隔著準備區域R2的虛線表示的矩形的位置，使處理用氣體在其工件W上從第5圖的右向左流動。 [0029] 處理空間是藉密封構件17，例如的5圖表示規定成大致長方形狀。第5圖是在長方形的長邊方向兩端部，分別沿著短邊方向形成有處理用氣體的供氣口24a及排氣口25a，處理用氣體是沿著長方形的長邊方向流動的情況的例。屏蔽氣體供應口16e是形成在載台21的四個側面之中，對應於上述長方形的長邊的兩個側面，即與處理用氣體的流動方向平行的兩個側面相對的位置。又，屏蔽氣體供應口16e是沿著處理用氣體的流動方向形成有複數個。 [0030] 如上述，從供氣口24a所供應的處理用氣體的大部份雖是通過處理用氣體的流路從排氣口25a排出，但是在流路的側方不能控制處理用氣體的流動，如維持其狀態時處理用氣體會流入載台21與窗框構件16之間的間隙(槽)。如此一來，會因含於處理用氣體的臭氧而有導致密封構件17劣化之虞。 如上述，使屏蔽氣體供應口16e沿著處理用氣體的流動方向，與對應長方形之長邊的兩個側面相對設置，藉此可防止密封構件17暴露於處理氣體所含的臭氧中。其結果，可防止密封構件17因臭氧而劣化。 [0031] 並且，屏蔽氣體供應路16d及屏蔽氣體供應口16e的配置位置不限於第5圖表示的位置。例如第6(a)圖表示，也可在載台21的所有的四個側面配置。藉此，可更確實地防止含臭氧的處理氣體流入形成於載台21的外圍的間隙。 並且，如第6(b)圖表示，也可以配置在載台21的上游側的三側面上，如第6(c)圖表示，也可以配置在載台21的上游側的一側面上。另外，如第6(d)圖表示，也可以配置在與載台21的上游側相對的兩側面上。供應上游側的屏蔽氣體是利用上游側與下游側的壓差向下游側流動。因此，將屏蔽氣體供應口16e配置在上游側，可效率良好地防止含臭氧的處理氣體流入形成於載台21外圍的間隙。 [0032] 此外，屏蔽氣體供應部也可構成可調節供應屏蔽氣體的流量。工件W上的處理用氣體的流動是利用上游側與下游側的壓力差(壓差)來控制。因此，在其上追加屏蔽氣體時會產生壓差變化，會有妨礙處理用氣體的流動之虞。 因此，為維持上游側與下游側之一定的壓差，概略也可適當進行在增加屏蔽氣體的場合減少處理用氣體，並在減少屏蔽氣體的場合增加處理用氣體的控制。如上述，調節屏蔽氣體的供應量，不會產生將原來過程所需的處理氣體稀釋，或妨礙處理用氣體的流動等的不良影響，可防止密封構件17因臭氧導致的劣化。 [0033] 另外，本實施形態的臭氧處理裝置100是運用空氣膨脹密封件作為密封構件17，將密封構件17推壓抵接於載台21的側面，形成氣密封閉窗構件12與載台21之間的處理空間的構成。 以往，去污斑處理裝置等的臭氧處理裝置是在載放工件W的載台上面的外圍部份形成外圍槽，並在其外圍槽與窗構件之間隔設O環等的密封構件，藉此氣密性封閉窗構件與載台之間的處理空間。但是，上述的習知裝置的構成是藉著將密封構件朝窗構件推壓抵接時之密封構件的反彈力將窗構件上推，會有窗構件與載台(工件W)的間隙不均一的問題。來自光源的紫外線會被處理空間中的處理用氣體吸收，使得窗構件與工件W的間隙不均一時，到達工件W的紫外線的量會因工件W的場所變得不均一，其結果，處理上造成不均一。 [0034] 相對於此，本實施形態，並非將密封構件17推壓抵接於窗構件12，而是推壓抵接載台21的側面的構成。藉此，防止因密封構件17的反彈力將窗構件12上推，可防止工件W與窗構件12的間隙變得不均一。因此，可防止起因於間隙不均一之處理的不均一。 並且，窗構件12是考慮照射的光之穿透率的薄的構件，例如相對於一邊長度的厚度為1/100以下。因此，僅藉著窗框構件16支撐窗構件12的周緣部時，窗構件12容易向下彎曲成凸形。為此，本實施形態是如第4圖表示，在窗構件12的下面設置條狀突起12a，將此條狀突起12a與工件W抵接保持著工件W與窗構件12的適當的距離。藉此，適當規定工件W與窗構件12之間的距離，可適當進行對於工件W的紫外線照射處理。 [0035] 以下，針對臭氧處理裝置100的動作順序說明。 (1) 光源部10與處理部20是上下可分離的構成。將窗構件12安裝於光源部10側。 (2) 以處理部20在下降的狀態，將已搬運的工件W載放於載台21上，藉真空吸附固定。 (3) 控制部52控制致動器51，使處理部20上升至工件W的上面抵接於形成在窗構件12的下面的條狀突起12a為止。藉此，將窗構件12與工件W的間隔，重新設定為例如1mm以下的間隔。 [0036] (4) 將空氣注入以空氣膨脹密封件構成的密封構件17，氣密性密封載台21的外圍。藉此，在窗構件12與載台21之間形成氣密的處理空間。 (5) 使供應裝置41動作，將處理用氣體導入處理空間，並使得噴射泵42動作，從處理空間排出氣體(氣體供排過程)。與此氣體供排過程同時或大概同時，使屏蔽氣體供應部動作，朝載台21外圍的槽供應屏蔽氣體。 (6) 點亮紫外線光源11，開始紫外線照射處理(去污斑處理)。 [0037] (7) 紫外線照射處理(去污斑處理)結束時，將紫外線光源11熄滅。 (8) 朝處理空間導入處理用氣體時，停止噴射泵的動作。並且，也停止屏蔽氣體的供應。 (9) 從密封構件17排出空氣，將光源部10與處理部20分離。 (10) 控制部52控制致動器51，使處理部20下降。藉此，將光源部10與處理部20上下分離。 (11) 取出工件W。 藉以上的順序，可一邊防止氣密性封閉處理空間的密封構件17因臭氧導致的劣化，並可一邊對工件W全面施以均一的紫外線照射處理(去污斑處理)。 [0038] 在以上說明的臭氧處理裝置100中，作為處理用氣體供應CDA，並作為屏蔽氣體供應氮氣，測量形成於載台21外圍之間隙的氧濃度，藉此測量處理用氣體流入該間隙的量。並且，使屏蔽氣體的流量變化實施複數次上述測量。 其結果，屏蔽氣體的流量為0，即不供應屏蔽氣體的場合，上述間隙的氧濃度與CDA的氧濃度相等，即可確認處理用氣體流入間隙。並且，隨著屏蔽氣體流量的增加使得上述間隙的氧濃度降低，在屏蔽氣體為一定的流量以上時，可確認上述間隙的氧濃度為0，即間隙被屏蔽氣體充滿而可防止處理用氣體朝間隙內流入。 [0039] 另外，變化工件W的尺寸或處理用氣體的流速進行同樣測量的場合，也可確認與上述同樣的傾向。並且，處理用氣體的流速越大(上游側與下游測的壓差越大)，也可確認為使上述間隙的氧濃度在預定值以下所需的屏蔽氣體的流量會變得越大。 如上述，以對應工件W的處理條件(工件W的尺寸或處理用氣體的流速等)的適當的流量供應屏蔽氣體，可確實防止含臭氧的處理氣體回流至載台1的外圍側面，確認可確實防止因臭氧導致密封構件17的劣化。 [0040] (變形例) 上述實施形態是針對將密封構件17推壓抵接於載台21的側面氣密性封閉處理空間的場合已作說明，但處理空間的封閉構造不限於上述。 如第7圖表示，也可以在構成處理部的載台121的外圍部與構成光源部的窗構件112之間夾著O環等的密封構件122，氣密性組裝光源部與處理部的構成。再者，第7圖是從處理用氣體G1的流動方向觀看臭氧處理裝置的圖。如以上構成的場合，如第7圖表示，也可在密封構件122的附近，且較密封構件122更於載台21中央側設置噴出屏蔽氣體G2的屏蔽氣體供應部123。此時，也與上述實施形態同樣防止處理用氣體流入流路的側方，可防止氣密性封閉處理空間的密封構件122因臭氧導致的劣化。 但是，此時，為了獲得光處理的均一化，防止起因於密封構件122的反彈力將窗構件112上推而產生之工件W與窗構件112的間隙不均一用的對策有另外探討的必要。 [0041] 又，上述實施形態中，雖針對將臭氧處理裝置運用在去污斑處理裝置的例已作說明，但本發明也可應用在抗蝕劑的光灰化處理，或抗蝕劑的除去處理，或乾式洗淨處理等。
[0042]100‧‧‧臭氧處理裝置10‧‧‧光源部12‧‧‧窗構件16‧‧‧窗框構件(支撐構件)16d‧‧‧屏蔽氣體供應路16e‧‧‧屏蔽氣體供應口17‧‧‧密封構件20‧‧‧處理部21‧‧‧載台24‧‧‧供氣路25‧‧‧排氣路51‧‧‧致動器52‧‧‧控制部W‧‧‧工件
[0013] 第1圖表示本實施形態之臭氧處理裝置的概略構成圖。 第2圖表示載台下降時的狀態的透視圖。 第3圖表示載台上升時的狀態的透視圖。 第4圖是說明屏蔽氣體供應部用的剖視圖。 第5圖表示屏蔽氣體供應口之配置位置的上視圖。 第6圖為屏蔽氣體供應口的其他的配置例。 第7圖表示臭氧處理裝置之其他例的概略構成圖。
12‧‧‧窗構件
12a‧‧‧條狀突起
16‧‧‧窗框構件(支撐構件)
16a‧‧‧外圍槽
16b‧‧‧O環
16c‧‧‧安裝槽
16d‧‧‧屏蔽氣體供應路
16e‧‧‧屏蔽氣體供應口
17‧‧‧密封構件
21‧‧‧載台
W‧‧‧工件
Claims (8)
- 一種臭氧處理裝置，具備：光源部，具有穿透真空紫外線的窗構件，通過上述窗構件發射上述真空紫外線；載台，與上述窗構件相對配置，載放被處理物體；密封構件，係氣密性封閉上述窗構件與上述載台之間的空間，使載放於上述載台的上述被處理物體的表面在含臭氧的周圍環境中暴露於從上述光源部所發射之上述真空紫外線的處理空間；及屏蔽氣體供應部，沿著上述密封構件的至少一部份供應保護該密封構件用的屏蔽氣體，進一步具備支撐上述窗構件的周緣部的支撐構件，上述密封構件是配置在上述支撐構件與上述載台的外圍側面之間，推壓抵接於該載台的外圍側面氣密性封閉上述處理空間。
- 如請求項1記載的臭氧處理裝置，其中，上述密封構件係形成為剖面中空，藉著朝中空之空氣的注入使剖面膨脹的空氣膨脹密封件。
- 如請求項1記載的臭氧處理裝置，其中，上述屏蔽氣體供應部係配置於較上述載台之上述被處理物體的載放面更下方。
- 如請求項1記載的臭氧處理裝置，其中，在上述處理空間的上述被處理物體的表面與上述窗構件之間，進一步具備使處理用氣體沿著上述表面流動的氣體供排部。
- 如請求項4記載的臭氧處理裝置，其中，上述密封構件是配置成環狀，上述氣體供排部，具備：將上述處理用氣體供應上述處理空間的供氣口，及從上述處理空間排出上述處理用氣體的排氣口，上述供氣口及上述排氣口係配置為在上述密封構件形成的環之中形成上述處理用氣體的流路。
- 如請求項5記載的臭氧處理裝置，其中，上述屏蔽氣體供應部是配置在藉上述氣體供排部所形成之上述處理用氣體的流路的側方。
- 如請求項5記載的臭氧處理裝置，其中，上述屏蔽氣體供應部是配置在藉上述氣體供排部所形成之上述處理用氣體的流路的上游側。
- 一種臭氧處理方法，包括：藉密封構件氣密性封閉穿透真空紫外線的窗構件，及與上述窗構件相對配置，載放被處理物體的載台之間的空間，形成將載放於上述載台的上述被處理物體的表面暴露於在含臭氧的周圍環境中從光 源部所發射之上述真空紫外線的處理空間的步驟，及沿著上述密封構件的至少一部份供應保護該密封構件用的屏蔽氣體的步驟。
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