JPS592750B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

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JPS592750B2
JPS592750B2 JP21172781A JP21172781A JPS592750B2 JP S592750 B2 JPS592750 B2 JP S592750B2 JP 21172781 A JP21172781 A JP 21172781A JP 21172781 A JP21172781 A JP 21172781A JP S592750 B2 JPS592750 B2 JP S592750B2
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JP
Japan
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chamber
electrode
plasma processing
vacuum
opening
Prior art date
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JP21172781A
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JPS58113378A (ja
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健一 小島
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PURAZUMA SHISUTEMU KK
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PURAZUMA SHISUTEMU KK
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、有機レジストの灰化、シリコン酸化物、シリ
コン窒化物、多結晶シリコン膜のエッチングあるいはシ
リコン、アルミニウム、クロム、モリブデン等の金属の
エッチング等に使用されるプラズマ処理装置に関するも
のである。
従来のこの種の装置は、バレル型と平行平板型の二つに
大別される。
バレル型プラズマ処理装置は、石英等で形成された円筒
型の外側に電極を配置し、これに高周波を印加してプラ
ズマを発生させる構造で、一回のプラズマ処理終了ごと
にチャンバーを大気圧に戻して、被処理物(ウェハー)
を取り出し、別の新しい被処理物をチャンバー内に入れ
て真空排気し、プラズマ処理を行なう、いわゆるバッチ
方式である。
しかし、このバレル型プラズマ処理装置は、バッチ方式
であるため、プラズマガスの状態に変化を来して、エッ
チングの均一性に劣り、また処理ごとにチャンバーを大
気圧に戻すために、プラス5 マ処理のサイクルタイム
が長くなるという欠点がある。
一方、平行平板型プラズマ処理装置は、石英あるいはス
テンレス等の金属製チャンバー内に平行平板型に電極を
配置し、これに高周波を印加して10プラズマを発生さ
せる構造で、この平行平板型は上記のバレル型に比較し
エッチングの均一性、エッチング形状等の点において優
れた性能を有し、この平行平板型プラズマ処理装置は、
バレル型プラズマ処理装置の場合と同様なバッチ方式が
まず15実用化されたが、処理能力、性能の向上を目的
としてプラズマ処理室の前後に真空予備室を配設し、プ
ラズマ処理室を常に真空に保持したままで処理を進行で
きる連続処理装置が現在においては実用化されている。
ク0 ところが、この連続処理装置は、プラズマ処理室
内が常に一定の真空状態に保持されてプラズマガスの状
態に変化がないため、良好なプラズマ処理をなし得ると
いう利点を有するものの、プラズマ処理室の前後に配し
た真空予備室の容積がプラグ5 ズマ処理室と同等か、
もしくは少なくとも3分の1程度であるために装置の大
型化をよぎなくされ、また被処理物の真空予備室からプ
ラズマ処理室への搬送、またはプラズマ処理室から真空
予備室への搬送は真空中での搬送となるため、その搬送
手30段の特殊化および制御シーケンスの複雑化が必然
であるという問題点を有する。
本発明は、このような従来の欠点、問題点に鑑みなされ
たもので、その目的とするところは、被処理物のプラズ
マ処理を極めて良好にして、かつ35速やかになし得る
プラズマ処理装置を提供しようとするものである。
また本発明のもう一つの目的は、被処理物の搬送を真空
中はもとより、大気中においての搬送をも可能とするこ
とによつて従来の如き特殊な搬送機構を不要とし、さら
に従来不可欠であつた前後の大きな予備室を不要とする
ことによつて装置全体を小型化したプラズマ処理装置を
提供しようとするものである。
この目的のため、本発明は、プラズマ処理室を形成する
開口部をもつたチヤンバ一と、このチヤンバ一内におい
て往復動して、チヤンバ一開口部を内側から覆うように
密閉する遮蔽弁兼用電極と、チヤンバ一開口部を外側よ
り密閉して遮蔽弁兼用電極との間に予備真空室を形成す
る被処理物の載置電極とを備えた構成を特徴とするもの
である。
以下、本発明を図示の実施例に基づいて説明する。1は
プラズマ処理室2を形成するチヤンバ一で、好ましくは
全体が石英あるいはステンレス等の金属材をもつて構成
され、その上面部には、プラズマを発生するに足る真空
状態を得るための真空ポンプ等の排気手段(図示せず)
に連らなる排気孔3が設けられ、また側面部には、所望
のプラズマを発生する反応ガスの導入孔4が設けられる
と共に、下面部中央には、やや大径の開口部5が設けら
れている。
6はチヤンバ一1内において往復動して、開口部5を内
側から覆うように密閉する遮蔽弁を兼ねた平行平板電極
の一方の電極で、縦断面?形を呈し、その周側部7は絶
縁物によつて形成されているが、全体を金属で形成する
ことも勿論可能である。
遮蔽弁兼用電極6の上面中央部には弁棒8が連結されて
おり、この弁棒8のチヤンバ一1より突出した土端部は
エアシリンダ、モータ等の動力手段9と連結され、この
動力手段9の駆動により弁棒8を介して遮蔽弁兼用電極
6が往復動(図示の場合には上下方向に往復動)して、
チヤンバ一1の開口部5を密閉し、またはその密閉を解
除するようになつており、また遮蔽弁兼用電極6の往復
動はプラズマ処理室2内の真空状態を保持したままでな
されなければならないため、遮蔽弁兼用電極6の上面と
チヤンバ一1の上部下面との間にはベローズ10が介装
され、またチヤンバ一1の遮蔽弁兼用電極6の周側部7
の下端対接面にはOリング11が周設されて、これらベ
ローズ10、0リング11によつて気密性が保持される
ようになつている〜 12は平行平板電極の他方の電極で、その上面には被処
理物(ウエハ一)Aが載置され、この載置電極12は高
周波が印加されるためにその周面部13は絶縁物で絶縁
され、図示していないが、被処理物Aを温度調節するた
め、冷却媒体を流す構造を有している。
そして、この載置電極12は、図示しないがエアシリン
ダ、モータ等の動力手段によつて往復動して、外側より
チヤンバ一1の開口部5を密閉して遮蔽弁兼用電極6と
の間に予備真空室14を形成し、また開口部5の密閉を
解除するようになつている。
なお、本実施例においては、載置電極の一部たる外周縁
部12′を開口部5の周縁に設け、この外周縁部12′
内に載置電極12が嵌り込むことによつて一体の載置電
極が形成されるようにした場合を示したが、これに限定
されず、載置電極12のみによることも可能である。
チヤンバ一1の開口部5は外側より載置電極12により
密閉されて、遮蔽弁兼用電極6との間に予備真空室14
が形成されるが、この予備真空室14内はOリング15
によつてその気密性が保持されると共に、遮蔽弁兼用電
極6と弁棒8に連通させて穿設された排気兼用リーク孔
16を介して真空引きを行なつたり、あるいは大気圧に
り一クしたりすることができるようになつている。
なお、本実施例は、被処理物Aを載置する電極12側に
高周波を印加する場合を示したが、遮蔽弁兼用電極6側
に高周波を印加するように構成してもよく、また遮蔽弁
兼用電極6と載置電極12の形状も図示の形状に限定さ
れず、適宜に設計変更し得ることは勿論である。次に上
記の構成に係る本発明装置の動作について説明する。
第2図に示すように、チヤンバ一1内では遮蔽弁兼用電
極6が内側からチヤンバ一開口部5を覆うように密閉し
てプラズマ処理室2内を真空状態に保持している。
一方、チヤンバ一1の開口部5は開放されて大気に通じ
ているため、予備真空室14は大気圧となつている。こ
の状態においては遮蔽弁兼用電極6は大気圧によつて力
を受けるが、動力手段9の動力のほか、図示してないが
、ロツク機構をもつて開口部5の密閉を確実に保持して
いる。
被処理物(ウエハ一)Aは、図示していないがコンベア
等の搬送手段によつて移送され、第2図に示すように、
載置電極12上に載置固定される。
次いで、第1図に示すように、被処理物Aを載置した電
極12がエアシリンダ、モータ等の動力手段によつて上
動してチヤンバ一1の開口部5を外側から閉塞すると、
Oリング15によつて密閉されると共に、外周縁部12
′と載置電極12とが一体的となつて平行平板電極の他
方の電極が形成され、これによつて予備真空室14内は
大気と遮断される。次いで、予備真空室14内は排気兼
用リーク孔16を通して真空ポンプにより真空に排気さ
れる。
この場合、予備真空室14はプラズマ処理室2に比較し
て200分の1〜1000分の1程度の容積でしかない
ため、ほとんど瞬時にプラズマ処理室2と同程度の真空
に達する。プラズマ処理室2と予備真空室14が同程度
の真空状態となつたならば、動力手段9の作動を介して
遮蔽弁兼用電極6が第3図に示すように、上動してプラ
ズマ処理室2と予備真空室14は同一室となると共に、
遮蔽弁兼用電極6はプラズマを発生するのに適切な位置
で上動を停止し、反応ガスが導入孔4よりチヤンバ一1
内に導入される。
そして、載置電極12側に高周波が印加されることによ
つてプラズマが発生し、被処理物Aの工ツチング等のプ
ラズマ処理が行なわれる。プラズマ処理が終了すると、
再び遮蔽弁兼用電極6が下動して第1図に示すように、
プラズマ処理室2と予備真空室14に区画する。
次いで、この状態において排気兼用リーク孔16より窒
素ガス等を予備真空室14内に導入して、予備真空室1
4内を大気圧に戻す。
次いで、プラズマ処理がなされた処理物を載置した電極
12は第2図に示すように、動力手段の動作により下動
して、チヤンバ一1の開口部5から離れ、処理物は搬送
手段によつて載置電極12上から次の工程へ移送され、
これによつて一連の工程は終了する。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、プラ
ズマ処理室は大気にさらされることなく常に真空状態に
保持されてプラズマガスの状態に変化がないため、極め
て良好なプラズマ処理をなし得ると共に、プラズマ処理
室を形成する同一チヤンバ一内に予備真空室を設けた構
成から、従来の連続処理装置に比較して占有スペースが
少なくてすむばかりか、予備真空室の容積がプラズマ処
理室の容積に比較して200分の1から1000分の1
程度と小さいために、予備真空室の排気をほとんど瞬時
に行なうことができ、従来に比較して一連の処理サイク
ル時間を大幅に短縮することができるものである。
また本発明によれば、被処理物の搬送を大気中で行なう
ことができるので、従来のような搬送手段の特殊化およ
び制御シーケンスの複雑化がなくなり、構造の簡略化と
相まつて実施上での経済的負担が少なくてすむ等本発明
によつて得られる効果は多大である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るプラズマ処理装置の一例での縦断
面図、第2図および第3図は動作状態を示す縦断面図で
ある。 1・・・・・・チヤンバ一、2・・・・・・プラズマ処
理室、5・・・・・・開口部、6・・・・・・遮蔽弁兼
用電極、8・・・・・・弁棒、9・・・・・・動力手段
、12・・・・・・載置電極、14・・・・・・予備真
空室、A・・・・・・被処理物。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 プラズマ処理室を形成する開口部をもつたチャンバ
    ーと、このチャンバー内において往復動して、上記チャ
    ンバー開口部を内側から覆うように密閉する遮蔽弁兼用
    電極と、上記チャンバーの開口部を外側より密閉して上
    記遮蔽弁兼用電極との間に予備真空室を形成する被処理
    物の載置電極とを備えたことを特徴とするプラズマ処理
    装置。
JP21172781A 1981-12-25 1981-12-25 プラズマ処理装置 Expired JPS592750B2 (ja)

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JPS58113378A JPS58113378A (ja) 1983-07-06
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