JP2000215835A - 真空処理装置および真空処理方法 - Google Patents
真空処理装置および真空処理方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 減圧時および大気導入時に要する時間を短縮
することができ、処理効率や品質を向上させることがで
きる真空処理装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 ベース部材３に装着され上面に基板７を
載置する電極４との上方に、電極４側に開口した凹部１
０ａを有する外蓋１０を昇降自在に設け、凹部１０ａ内
に上下動する中蓋１１を備えた。外蓋１０をベース部材
３に気密に当接させた状態で凹部１０ａと電極４により
囲まれる第１の密閉室をプラズマ処理空間とし、外蓋１
０をベース部材３に当接させた状態で凹部１０ａを密閉
した中蓋１１と電極４との間に形成される第２の密閉室
に真空ポンプ３３と大気ベント装置３４を接続した。こ
れにより減圧、大気導入時には小容積の第２の密閉室の
みを対象とすればよく、減圧、大気導入に要する時間を
短縮することができる。
することができ、処理効率や品質を向上させることがで
きる真空処理装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 ベース部材３に装着され上面に基板７を
載置する電極４との上方に、電極４側に開口した凹部１
０ａを有する外蓋１０を昇降自在に設け、凹部１０ａ内
に上下動する中蓋１１を備えた。外蓋１０をベース部材
３に気密に当接させた状態で凹部１０ａと電極４により
囲まれる第１の密閉室をプラズマ処理空間とし、外蓋１
０をベース部材３に当接させた状態で凹部１０ａを密閉
した中蓋１１と電極４との間に形成される第２の密閉室
に真空ポンプ３３と大気ベント装置３４を接続した。こ
れにより減圧、大気導入時には小容積の第２の密閉室の
みを対象とすればよく、減圧、大気導入に要する時間を
短縮することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板などのワーク
を真空処理する真空処理装置に関するものである。
を真空処理する真空処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ処理など、減圧下で行われる処
理のための装置である真空処理装置では、ベース部材と
蓋部材を組み合わせて密閉空間が形成される。処理対象
物であるワークはこの密閉空間内に載置され、密閉空間
は真空ポンプなどの減圧手段によって減圧される。そし
て真空処理の終了後には密閉空間内に再び大気を導入し
常圧に戻す真空破壊が行われる。
理のための装置である真空処理装置では、ベース部材と
蓋部材を組み合わせて密閉空間が形成される。処理対象
物であるワークはこの密閉空間内に載置され、密閉空間
は真空ポンプなどの減圧手段によって減圧される。そし
て真空処理の終了後には密閉空間内に再び大気を導入し
常圧に戻す真空破壊が行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記減圧過程では、密
閉空間を所定の真空度まで減圧するために所定の減圧時
間を要する。この減圧時間は一般に数十秒のオーダーで
あり、この時間は電子部品の製造工程や実装工程のタク
トタイムと比較すると相当長いものである。このため、
生産性向上のため、この減圧時間や前述の大気導入に要
する時間を短縮することが従来より求められていた。
閉空間を所定の真空度まで減圧するために所定の減圧時
間を要する。この減圧時間は一般に数十秒のオーダーで
あり、この時間は電子部品の製造工程や実装工程のタク
トタイムと比較すると相当長いものである。このため、
生産性向上のため、この減圧時間や前述の大気導入に要
する時間を短縮することが従来より求められていた。
【０００４】しかしながら従来の真空処理装置では、減
圧時間を短縮しようとすれば大容量の真空ポンプを使用
する必要があり、これにより装置の大型化や設備費用の
アップを招き、更には大容量の真空ポンプからは大量の
オイルミストが排出されるため、装置周囲の空気を汚染
するという問題点があった。
圧時間を短縮しようとすれば大容量の真空ポンプを使用
する必要があり、これにより装置の大型化や設備費用の
アップを招き、更には大容量の真空ポンプからは大量の
オイルミストが排出されるため、装置周囲の空気を汚染
するという問題点があった。
【０００５】また、真空処理としてプラズマ処理を行う
場合にはワークの品種によって最適の電極間距離が存在
する。しかしながら従来の真空処理装置では電極間距離
が固定されていたため、個々のワークについては必ずし
も最適条件下での処理を行うことができず、処理効率や
品質の向上を妨げるという問題点もあった。
場合にはワークの品種によって最適の電極間距離が存在
する。しかしながら従来の真空処理装置では電極間距離
が固定されていたため、個々のワークについては必ずし
も最適条件下での処理を行うことができず、処理効率や
品質の向上を妨げるという問題点もあった。
【０００６】そこで本発明は、減圧時および大気導入時
に要する時間を短縮することができ、処理効率や品質を
向上させることができる真空処理装置を提供することを
目的とする。
に要する時間を短縮することができ、処理効率や品質を
向上させることができる真空処理装置を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の真空処理
装置は、ベース部材と、このベース部材に装着されワー
クを載置する載置部を備えた電極と、前記ベース部材の
上方にこのベース部材に対して相対的に上下動自在に配
設され前記電極側に開口した凹部を有する外蓋と、この
外蓋を前記ベース部材に気密に当接させた状態で前記凹
部と前記載置部により囲まれる第１の密閉室と、前記凹
部内に配設され凹部を密閉する中蓋と、前記外蓋を前記
ベース部材に気密に当接させた状態で前記凹部を密閉し
た中蓋と前記載置部との間に形成される第２の密閉室
と、この第２の密閉室に接続され空気を排気して減圧す
る減圧手段とを備えた。
装置は、ベース部材と、このベース部材に装着されワー
クを載置する載置部を備えた電極と、前記ベース部材の
上方にこのベース部材に対して相対的に上下動自在に配
設され前記電極側に開口した凹部を有する外蓋と、この
外蓋を前記ベース部材に気密に当接させた状態で前記凹
部と前記載置部により囲まれる第１の密閉室と、前記凹
部内に配設され凹部を密閉する中蓋と、前記外蓋を前記
ベース部材に気密に当接させた状態で前記凹部を密閉し
た中蓋と前記載置部との間に形成される第２の密閉室
と、この第２の密閉室に接続され空気を排気して減圧す
る減圧手段とを備えた。
【０００８】請求項２記載の真空処理装置は、請求項１
記載の真空処理装置であって、前記中蓋は接地されてお
り、前記電極に高周波電圧を印加する高周波電源を接続
した。
記載の真空処理装置であって、前記中蓋は接地されてお
り、前記電極に高周波電圧を印加する高周波電源を接続
した。
【０００９】請求項３記載の真空処理装置は、請求項１
記載の真空処理装置であって、前記中蓋が前記凹部を密
閉した状態で前記外蓋を前記ベース部材より離反させ、
この状態で載置部上のワークの搬入・搬出を可能にし
た。
記載の真空処理装置であって、前記中蓋が前記凹部を密
閉した状態で前記外蓋を前記ベース部材より離反させ、
この状態で載置部上のワークの搬入・搬出を可能にし
た。
【００１０】請求項４記載の真空処理装置は、請求項１
記載の真空処理装置であって、前記外蓋を前記ベース部
材に接離させる第１の駆動手段と、前記中蓋を前記凹部
の内側で移動させる第２の駆動手段とを備えた。
記載の真空処理装置であって、前記外蓋を前記ベース部
材に接離させる第１の駆動手段と、前記中蓋を前記凹部
の内側で移動させる第２の駆動手段とを備えた。
【００１１】請求項５記載の真空処理装置は、請求項１
記載の真空処理装置であって、前記中蓋は、前記外蓋が
前記ベース部材に気密に当接している状態で、前記凹部
の内側で移動する。
記載の真空処理装置であって、前記中蓋は、前記外蓋が
前記ベース部材に気密に当接している状態で、前記凹部
の内側で移動する。
【００１２】請求項６記載の真空処理方法は、ベース部
材と、このベース部材に装着されワークを載置する載置
部を備えた電極と、前記ベース部材の上方にこのベース
部材に対して相対的に上下動自在に配設され、前記電極
側に開口した凹部を有する外蓋と、前記凹部内に配置さ
れ凹部を密閉可能な中蓋を備えた真空処理装置における
真空処理方法であって、前記載置部にワークを載置する
第１工程と、前記外蓋を前記ベース部材に気密に当接さ
せて前記ワークを収容する第１の密閉室を形成する第２
工程と、前記第１の密閉室の空気を排気して減圧を行う
第３工程と、前記減圧された密閉空間内でプラズマを発
生させる第４工程と、前記凹部を中蓋で密閉して前記第
１の密閉室にワークを収容する第２の密閉室と中蓋とで
囲まれた第３の密閉室とに分割する第５工程と、前記第
２の密閉室を大気圧に戻す第６工程と、前記中蓋で凹部
を密閉した状態で前記外蓋を前記ベース部材から離す第
７工程と、前記載置部からワークを取り出し次のワーク
をこの載置部に載置する第８の工程と、前記外蓋を前記
ベース部材に当接させて次のワークを収容する第２の密
閉室を形成する第９工程と、前記第２の密閉室の空気を
排気して減圧を行う第１０工程と、前記中蓋による凹部
の密閉状態を解除して前記第２の密閉室と第３の密閉室
を連結して第１の密閉室とする第１１工程とを含み、以
降前記第４の工程から第１１の工程までの各工程を繰り
返すようにした。
材と、このベース部材に装着されワークを載置する載置
部を備えた電極と、前記ベース部材の上方にこのベース
部材に対して相対的に上下動自在に配設され、前記電極
側に開口した凹部を有する外蓋と、前記凹部内に配置さ
れ凹部を密閉可能な中蓋を備えた真空処理装置における
真空処理方法であって、前記載置部にワークを載置する
第１工程と、前記外蓋を前記ベース部材に気密に当接さ
せて前記ワークを収容する第１の密閉室を形成する第２
工程と、前記第１の密閉室の空気を排気して減圧を行う
第３工程と、前記減圧された密閉空間内でプラズマを発
生させる第４工程と、前記凹部を中蓋で密閉して前記第
１の密閉室にワークを収容する第２の密閉室と中蓋とで
囲まれた第３の密閉室とに分割する第５工程と、前記第
２の密閉室を大気圧に戻す第６工程と、前記中蓋で凹部
を密閉した状態で前記外蓋を前記ベース部材から離す第
７工程と、前記載置部からワークを取り出し次のワーク
をこの載置部に載置する第８の工程と、前記外蓋を前記
ベース部材に当接させて次のワークを収容する第２の密
閉室を形成する第９工程と、前記第２の密閉室の空気を
排気して減圧を行う第１０工程と、前記中蓋による凹部
の密閉状態を解除して前記第２の密閉室と第３の密閉室
を連結して第１の密閉室とする第１１工程とを含み、以
降前記第４の工程から第１１の工程までの各工程を繰り
返すようにした。
【００１３】各請求項記載の発明によれば、電極に設け
られたワークの載置部と外蓋の凹部によって形成される
第１の密閉室と、凹部内に設けられた中蓋と載置部によ
って形成される第２の密閉室とを備え、減圧時および大
気導入時には第２の密閉室のみを対象として減圧、大気
導入を行うことにより、減圧、大気導入に要する時間を
短縮することができる。
られたワークの載置部と外蓋の凹部によって形成される
第１の密閉室と、凹部内に設けられた中蓋と載置部によ
って形成される第２の密閉室とを備え、減圧時および大
気導入時には第２の密閉室のみを対象として減圧、大気
導入を行うことにより、減圧、大気導入に要する時間を
短縮することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態の真空
処理装置の断面図、図２、図３、図４、図５、図６、図
７、図８は同真空処理装置の部分断面図である。
参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態の真空
処理装置の断面図、図２、図３、図４、図５、図６、図
７、図８は同真空処理装置の部分断面図である。
【００１５】まず図１を参照して真空処理装置の構造を
説明する。図１において基台１上にはフレーム２が立設
されている。フレーム２の上端部にはベース部材３が水
平に固着されており、ベース部材３の下面には絶縁部材
５を介して電極４がボルト６によって装着されている。
ボルト６と電極４の間には絶縁体から成る座金６ａが装
着されている。絶縁部材５とベース部材３および絶縁部
材５と電極４とのそれぞれの当接面は、シール部材１８
（図２）によって気密が確保されている。電極４の上部
はベース部材３に設けられた開口部３ａ（図２参照）内
に嵌入している。電極４の上面はワークである基板７を
載置する載置部となっており、電極４は高周波電源部１
６に接続されている。高周波電源部１６を駆動すること
により、電極４には高周波電圧が印加される。
説明する。図１において基台１上にはフレーム２が立設
されている。フレーム２の上端部にはベース部材３が水
平に固着されており、ベース部材３の下面には絶縁部材
５を介して電極４がボルト６によって装着されている。
ボルト６と電極４の間には絶縁体から成る座金６ａが装
着されている。絶縁部材５とベース部材３および絶縁部
材５と電極４とのそれぞれの当接面は、シール部材１８
（図２）によって気密が確保されている。電極４の上部
はベース部材３に設けられた開口部３ａ（図２参照）内
に嵌入している。電極４の上面はワークである基板７を
載置する載置部となっており、電極４は高周波電源部１
６に接続されている。高周波電源部１６を駆動すること
により、電極４には高周波電圧が印加される。
【００１６】ベース部材３の上面には外蓋１０が当接し
ている。外蓋１０はブラケット１３に固着されており、
ブラケット１３は第１の駆動手段であるシリンダ１４の
ロッド１５と結合されている。シリンダ１４を上下駆動
することにより外蓋１０は上下動し、ベース部材３に対
して接離する。外蓋１０の内部には電極４側に開口した
凹部１０ａが設けられており、凹部１０ａ内には水平な
中蓋１１がロッド１２によって上下動自在に配設されて
いる。外蓋１０の上面には第２の駆動手段である中蓋１
１の上下駆動機構部２０が設けられており、モータ２１
を回転駆動することにより、ロッド１２を介して中蓋１
１は凹部１０ａ内で上下方向に移動する。
ている。外蓋１０はブラケット１３に固着されており、
ブラケット１３は第１の駆動手段であるシリンダ１４の
ロッド１５と結合されている。シリンダ１４を上下駆動
することにより外蓋１０は上下動し、ベース部材３に対
して接離する。外蓋１０の内部には電極４側に開口した
凹部１０ａが設けられており、凹部１０ａ内には水平な
中蓋１１がロッド１２によって上下動自在に配設されて
いる。外蓋１０の上面には第２の駆動手段である中蓋１
１の上下駆動機構部２０が設けられており、モータ２１
を回転駆動することにより、ロッド１２を介して中蓋１
１は凹部１０ａ内で上下方向に移動する。
【００１７】次に図２および図４を参照して外蓋１０、
中蓋１１によって構成される真空処理用の密閉室および
中蓋１１の上下駆動機構２０について説明する。図４に
おいて、外蓋１０に設けられた凹部１０ａは電極４側に
開口しており、この凹部１０ａと電極４の上面とで囲ま
れる空間は第１の密閉室８となっている。一方、図２に
おいて凹部１０ａの下部には内側に向って張り出した当
接部１０ｃが設けられており、中蓋１１を凹部１０ａ内
で下降させて当接部１０ｃの上面のシール部材２９に気
密に当接させることにより、凹部１０ａは気密に仕切ら
れて密閉される。外蓋１０をベース部材３に気密に当接
させた状態で、中蓋１１と電極４の上面の間の空間は第
２の密閉室９を構成し、第２の密閉室９内には電極４上
に載置された基板７が収容される。
中蓋１１によって構成される真空処理用の密閉室および
中蓋１１の上下駆動機構２０について説明する。図４に
おいて、外蓋１０に設けられた凹部１０ａは電極４側に
開口しており、この凹部１０ａと電極４の上面とで囲ま
れる空間は第１の密閉室８となっている。一方、図２に
おいて凹部１０ａの下部には内側に向って張り出した当
接部１０ｃが設けられており、中蓋１１を凹部１０ａ内
で下降させて当接部１０ｃの上面のシール部材２９に気
密に当接させることにより、凹部１０ａは気密に仕切ら
れて密閉される。外蓋１０をベース部材３に気密に当接
させた状態で、中蓋１１と電極４の上面の間の空間は第
２の密閉室９を構成し、第２の密閉室９内には電極４上
に載置された基板７が収容される。
【００１８】外蓋１０には、第２の密閉室９に連通する
気孔１０ｂが設けられている。また、中蓋１１と凹部１
０ａとで形成される空間は、第３の密閉室８０となる。
すなわち、中蓋１１で凹部１０ａを密閉することによ
り、第１の密閉室８は第２の密閉室９と第３の密閉室８
０に分割される。気孔１０ｂはベース部材３の配管孔３
ｂに接続された配管部材１７を介して、図１に示すよう
にプロセスガス制御部３１を構成する真空計３２、真空
ポンプ３３、大気ベント装置３４およびガス供給装置３
５のそれぞれに接続されている。真空計３２は第１の密
閉室８または第２の密閉室９内の真空度を検出する。真
空ポンプ３３は減圧手段であり、第２の密閉室９の内部
の空気を排気する。大気ベント装置３４は、外蓋１０の
開放に先立って内部に大気を導入して真空破壊を行う。
ガス供給装置３５は、減圧された第１の密閉室８または
第２の密閉室９内に、アルゴンガスなどのプラズマ発生
用ガスを供給する。前記各部で構成されるプロセスガス
制御部３１は、制御部３０によって制御される。
気孔１０ｂが設けられている。また、中蓋１１と凹部１
０ａとで形成される空間は、第３の密閉室８０となる。
すなわち、中蓋１１で凹部１０ａを密閉することによ
り、第１の密閉室８は第２の密閉室９と第３の密閉室８
０に分割される。気孔１０ｂはベース部材３の配管孔３
ｂに接続された配管部材１７を介して、図１に示すよう
にプロセスガス制御部３１を構成する真空計３２、真空
ポンプ３３、大気ベント装置３４およびガス供給装置３
５のそれぞれに接続されている。真空計３２は第１の密
閉室８または第２の密閉室９内の真空度を検出する。真
空ポンプ３３は減圧手段であり、第２の密閉室９の内部
の空気を排気する。大気ベント装置３４は、外蓋１０の
開放に先立って内部に大気を導入して真空破壊を行う。
ガス供給装置３５は、減圧された第１の密閉室８または
第２の密閉室９内に、アルゴンガスなどのプラズマ発生
用ガスを供給する。前記各部で構成されるプロセスガス
制御部３１は、制御部３０によって制御される。
【００１９】再び図２において、外蓋１０の上面には支
持台２２が設けられ、支持台２２の上面にはモータ２１
が配設されている。モータ２１の出力軸（図示せず）に
は直動機構２３が連結されており、モータ２１を回転駆
動することにより、直動機構２３に連結されたロッド１
２は上下動する。ロッド１２は外蓋１０に設けられた開
口部１０ｄを通して凹部１０ａ内に挿通しており、した
がってモータ２１を駆動することにより、中蓋１１は凹
部１０ａ内で上下方向に移動する。このとき、ロッド１
２の挿通部は保持部材２７に保持されたシール部材２８
によって気密が保たれているため、中蓋１１の上下動作
において第３の気密室８０は、外蓋１０の外部に対して
密閉状態を保っている。
持台２２が設けられ、支持台２２の上面にはモータ２１
が配設されている。モータ２１の出力軸（図示せず）に
は直動機構２３が連結されており、モータ２１を回転駆
動することにより、直動機構２３に連結されたロッド１
２は上下動する。ロッド１２は外蓋１０に設けられた開
口部１０ｄを通して凹部１０ａ内に挿通しており、した
がってモータ２１を駆動することにより、中蓋１１は凹
部１０ａ内で上下方向に移動する。このとき、ロッド１
２の挿通部は保持部材２７に保持されたシール部材２８
によって気密が保たれているため、中蓋１１の上下動作
において第３の気密室８０は、外蓋１０の外部に対して
密閉状態を保っている。
【００２０】上下駆動機構２０はストッパ駆動モータ２
４を備えており、ストッパ駆動モータ２４はストッパ２
５を回転させる。これによりストッパ２５は、ロッド１
２に設けられたストッパ溝２６に嵌合する。この中蓋１
１の上下動は制御部３０によって制御され、凹部１０ａ
内の任意位置に中蓋１１を保持することが可能となって
いる。中蓋１１は電気的に接地されており、電極４と対
向する電極となっているため、中蓋１１の上下位置を調
整することにより、プラズマ放電時の放電電極間距離を
調整することができる。またシリンダ１４およびストッ
パ駆動モータ２４の動作も制御部３０によって制御され
る。
４を備えており、ストッパ駆動モータ２４はストッパ２
５を回転させる。これによりストッパ２５は、ロッド１
２に設けられたストッパ溝２６に嵌合する。この中蓋１
１の上下動は制御部３０によって制御され、凹部１０ａ
内の任意位置に中蓋１１を保持することが可能となって
いる。中蓋１１は電気的に接地されており、電極４と対
向する電極となっているため、中蓋１１の上下位置を調
整することにより、プラズマ放電時の放電電極間距離を
調整することができる。またシリンダ１４およびストッ
パ駆動モータ２４の動作も制御部３０によって制御され
る。
【００２１】この真空処理装置は上記のように構成さ
れ、以下動作について図３〜図８を参照して説明する。
図３は真空処理としてのプラズマ処理を開始する前の状
態を示しており、外蓋１０が上昇した状態で電極４上に
処理対象の基板７が載置される（第１工程）。このと
き、中蓋１１は上昇した位置にあり、凹部１０ａは開放
状態となっている。次いで図４に示すように外蓋１０を
下降させてベース部材３に当接させ第１の密閉室８を形
成する（第２の工程）。そして第１の密閉室８内を真空
ポンプ３３によって排気して減圧し（第３の工程）、ガ
ス供給装置３５によってプラズマ発生用ガスを供給す
る。次いで電極４と中蓋１１の間に高周波電圧を印加す
ることにより、第１の密閉室８内にはプラズマが発生し
（第４の工程）、基板７のプラズマ処理が行われる。こ
のとき、中蓋１１の高さ位置は任意に調整できるため、
処理対象の基板７に応じた適正な電極間距離Ｌを設定し
て良好なプラズマ処理を行うことができる。
れ、以下動作について図３〜図８を参照して説明する。
図３は真空処理としてのプラズマ処理を開始する前の状
態を示しており、外蓋１０が上昇した状態で電極４上に
処理対象の基板７が載置される（第１工程）。このと
き、中蓋１１は上昇した位置にあり、凹部１０ａは開放
状態となっている。次いで図４に示すように外蓋１０を
下降させてベース部材３に当接させ第１の密閉室８を形
成する（第２の工程）。そして第１の密閉室８内を真空
ポンプ３３によって排気して減圧し（第３の工程）、ガ
ス供給装置３５によってプラズマ発生用ガスを供給す
る。次いで電極４と中蓋１１の間に高周波電圧を印加す
ることにより、第１の密閉室８内にはプラズマが発生し
（第４の工程）、基板７のプラズマ処理が行われる。こ
のとき、中蓋１１の高さ位置は任意に調整できるため、
処理対象の基板７に応じた適正な電極間距離Ｌを設定し
て良好なプラズマ処理を行うことができる。
【００２２】この後、図５に示すようにモータ２１を駆
動してロッド１２を下降させ、中蓋１１を凹部１０ａ内
の当接部１０ｃの上面に当接させる。これにより、凹部
１０ａは中蓋１１により密閉されて第３の密閉室８０が
形成される。一方、中蓋１１と電極４の間の空間は第２
の密閉室９となる。すなわち、第１の密閉室８はワーク
を収容する第２の密閉室９と中蓋１１と凹部で囲まれた
第３の密閉室８０とに分割される（第５工程）。ここで
ストッパ駆動モータ２４を駆動することにより、ストッ
パ２５をストッパ溝２６に嵌合させ中蓋１１が当接部１
０ｃから離れないようにする。そしてこの状態で大気ベ
ント装置３４によって第２の密閉室９内には大気が導入
され、大気圧に戻る（第６工程）。
動してロッド１２を下降させ、中蓋１１を凹部１０ａ内
の当接部１０ｃの上面に当接させる。これにより、凹部
１０ａは中蓋１１により密閉されて第３の密閉室８０が
形成される。一方、中蓋１１と電極４の間の空間は第２
の密閉室９となる。すなわち、第１の密閉室８はワーク
を収容する第２の密閉室９と中蓋１１と凹部で囲まれた
第３の密閉室８０とに分割される（第５工程）。ここで
ストッパ駆動モータ２４を駆動することにより、ストッ
パ２５をストッパ溝２６に嵌合させ中蓋１１が当接部１
０ｃから離れないようにする。そしてこの状態で大気ベ
ント装置３４によって第２の密閉室９内には大気が導入
され、大気圧に戻る（第６工程）。
【００２３】このとき、第２の密閉室９の内容積は、凹
部１０ａ全体の容積（第１の密閉室８）に比べて小さい
ため、大気導入時の時間が短縮される。大気導入後に
は、中蓋１１には第２の密閉室９内に導入された大気に
より上向きの力が作用するが、この力はストッパ２５に
よって支持されるため、直動機構２３やモータ２１に過
大な力が伝達されることがない。
部１０ａ全体の容積（第１の密閉室８）に比べて小さい
ため、大気導入時の時間が短縮される。大気導入後に
は、中蓋１１には第２の密閉室９内に導入された大気に
より上向きの力が作用するが、この力はストッパ２５に
よって支持されるため、直動機構２３やモータ２１に過
大な力が伝達されることがない。
【００２４】この後、図６に示すように外蓋１０を上昇
させてベース部材３から離反させる（第７工程）。そし
てこの状態で、処理後の基板の電極４上からの搬出およ
び新たな基板７の電極４上への搬入が行われ（第８工
程）、この後に外蓋１０を下降させてベース部材に当接
させて次のワークを収容する第２の密閉室９を形成する
（第９工程）。このとき中蓋１１より上部の第３の密閉
室８０内は、図４において行ったプラズマ処理時のガス
の状態（真空状態）がそのまま保たれている。すなわ
ち、中蓋１１によって凹部１０ａを密閉した状態で電極
４上の基板７の搬入搬出が可能となっており、新たに供
給される基板７は第２の密閉室９内に収容される。そし
てこの状態で真空ポンプ３３を駆動して第２の密閉室９
内の真空排気を行う（第１０工程）。このとき、前述の
ように第２の密閉室９内の内容積は小さいため真空排気
に要する時間を大幅に短縮することができる。
させてベース部材３から離反させる（第７工程）。そし
てこの状態で、処理後の基板の電極４上からの搬出およ
び新たな基板７の電極４上への搬入が行われ（第８工
程）、この後に外蓋１０を下降させてベース部材に当接
させて次のワークを収容する第２の密閉室９を形成する
（第９工程）。このとき中蓋１１より上部の第３の密閉
室８０内は、図４において行ったプラズマ処理時のガス
の状態（真空状態）がそのまま保たれている。すなわ
ち、中蓋１１によって凹部１０ａを密閉した状態で電極
４上の基板７の搬入搬出が可能となっており、新たに供
給される基板７は第２の密閉室９内に収容される。そし
てこの状態で真空ポンプ３３を駆動して第２の密閉室９
内の真空排気を行う（第１０工程）。このとき、前述の
ように第２の密閉室９内の内容積は小さいため真空排気
に要する時間を大幅に短縮することができる。
【００２５】この後、第２の密閉室９が真空状態となっ
たらストッパ駆動モータ２４によってストッパ２５の嵌
合を解除し、図８に示すようにモータ２１を駆動して中
蓋１１をプラズマ処理に適した電極間距離Ｌとなる高さ
まで上昇させる。これにより、第２の密閉室９と第３の
密閉室８０は連結されて第１の密閉室８となり（第１１
工程）、基板７はこの第１の密閉室８、すなわちプラズ
マ処理空間内にある。この後第１の密閉室８内のプラズ
マ発生用ガスを所定圧力に調整し、図４と同様に中蓋１
１と電極４の間に高周波電圧を印加して基板７のプラズ
マ処理を行う。そして処理終了後には再び中蓋１１を下
降させる。これにより前述の図５に示す状態なり、これ
以降第４工程から第１１工程までの各工程の動作が繰り
返される。
たらストッパ駆動モータ２４によってストッパ２５の嵌
合を解除し、図８に示すようにモータ２１を駆動して中
蓋１１をプラズマ処理に適した電極間距離Ｌとなる高さ
まで上昇させる。これにより、第２の密閉室９と第３の
密閉室８０は連結されて第１の密閉室８となり（第１１
工程）、基板７はこの第１の密閉室８、すなわちプラズ
マ処理空間内にある。この後第１の密閉室８内のプラズ
マ発生用ガスを所定圧力に調整し、図４と同様に中蓋１
１と電極４の間に高周波電圧を印加して基板７のプラズ
マ処理を行う。そして処理終了後には再び中蓋１１を下
降させる。これにより前述の図５に示す状態なり、これ
以降第４工程から第１１工程までの各工程の動作が繰り
返される。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、ワークの載置部と外蓋
の凹部によって形成される第１の密閉室と、凹部内に設
けられた中蓋と載置部によって形成される第２の密閉室
とを備え、減圧時および大気導入時には第２の密閉室の
みを対象として減圧、大気導入を行うようにしたので、
減圧、大気導入に要する時間を短縮して生産性を向上さ
せることができる。
の凹部によって形成される第１の密閉室と、凹部内に設
けられた中蓋と載置部によって形成される第２の密閉室
とを備え、減圧時および大気導入時には第２の密閉室の
みを対象として減圧、大気導入を行うようにしたので、
減圧、大気導入に要する時間を短縮して生産性を向上さ
せることができる。
【図１】本発明の一実施の形態の真空処理装置の断面図
【図２】本発明の一実施の形態の真空処理装置の部分断
面図
面図
【図３】本発明の一実施の形態の真空処理装置の部分断
面図
面図
【図４】本発明の一実施の形態の真空処理装置の部分断
面図
面図
【図５】本発明の一実施の形態の真空処理装置の部分断
面図
面図
【図６】本発明の一実施の形態の真空処理装置の部分断
面図
面図
【図７】本発明の一実施の形態の真空処理装置の部分断
面図
面図
【図８】本発明の一実施の形態の真空処理装置の部分断
面図
面図
３ ベース部材 ４ 電極 ７ 基板（ワーク） １０ 外蓋 １０ａ 凹部 １１ 中蓋 １６ 高周波電源部 ３０ 制御部 ３３ 真空ポンプ ３４ 大気ベント装置 ３５ ガス供給装置
Claims (6)
- 【請求項１】ベース部材と、このベース部材に装着され
ワークを載置する載置部を備えた電極と、前記ベース部
材の上方にこのベース部材に対して相対的に上下動自在
に配設され前記電極側に開口した凹部を有する外蓋と、
この外蓋を前記ベース部材に気密に当接させた状態で前
記凹部と前記載置部により囲まれる第１の密閉室と、前
記凹部内に配設され凹部を密閉する中蓋と、前記外蓋を
前記ベース部材に気密に当接させた状態で前記凹部を密
閉した中蓋と前記載置部との間に形成される第２の密閉
室と、この第２の密閉室に接続され空気を排気して減圧
する減圧手段とを備えたことを特徴とする真空処理装
置。 - 【請求項２】前記中蓋を接地し、前記電極に高周波電圧
を印加する高周波電源を接続したことを特徴とする請求
項１記載の真空処理装置。 - 【請求項３】前記中蓋が前記凹部を密閉した状態で前記
外蓋を前記ベース部材より離反させ、この状態で載置部
上のワークの搬入・搬出を可能にしたことを特徴とする
請求項１記載の真空処理装置。 - 【請求項４】前記外蓋を前記ベース部材に接離させる第
１の駆動手段と、前記中蓋を前記凹部の内側で移動させ
る第２の駆動手段とを備えたことを特徴とする請求項１
記載の真空処理装置。 - 【請求項５】前記中蓋は、前記外蓋が前記ベース部材に
気密に当接している状態で、前記凹部の内側で移動する
ことを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。 - 【請求項６】ベース部材と、このベース部材に装着され
ワークを載置する載置部を備えた電極と、前記ベース部
材の上方にこのベース部材に対して相対的に上下動自在
に配設され、前記電極側に開口した凹部を有する外蓋
と、前記凹部内に配置され凹部を密閉可能な中蓋を備え
た真空処理装置における真空処理方法であって、前記載
置部にワークを載置する第１工程と、前記外蓋を前記ベ
ース部材に気密に当接させて前記ワークを収容する第１
の密閉室を形成する第２工程と、前記第１の密閉室の空
気を排気して減圧を行う第３工程と、前記減圧された密
閉空間内でプラズマを発生させる第４工程と、前記凹部
を中蓋で密閉して前記第１の密閉室にワークを収容する
第２の密閉室と中蓋とで囲まれた第３の密閉室とに分割
する第５工程と、前記第２の密閉室を大気圧に戻す第６
工程と、前記中蓋で凹部を密閉した状態で前記外蓋を前
記ベース部材から離す第７工程と、前記載置部からワー
クを取り出し次のワークをこの載置部に載置する第８の
工程と、前記外蓋を前記ベース部材に当接させて次のワ
ークを収容する第２の密閉室を形成する第９工程と、前
記第２の密閉室の空気を排気して減圧を行う第１０工程
と、前記中蓋による凹部の密閉状態を解除して前記第２
の密閉室と第３の密閉室を連結して第１の密閉室とする
第１１工程とを含み、以降前記第４の工程から第１１の
工程までの各工程を繰り返すことを特徴とする真空処理
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01558899A JP3449275B2 (ja) | 1999-01-25 | 1999-01-25 | 真空処理装置および真空処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01558899A JP3449275B2 (ja) | 1999-01-25 | 1999-01-25 | 真空処理装置および真空処理方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003138847A Division JP2004006356A (ja) | 2003-05-16 | 2003-05-16 | 真空処理装置および真空処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000215835A true JP2000215835A (ja) | 2000-08-04 |
| JP3449275B2 JP3449275B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=11892897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01558899A Expired - Fee Related JP3449275B2 (ja) | 1999-01-25 | 1999-01-25 | 真空処理装置および真空処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3449275B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006032344A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Nordson Corp | 超高速均一プラズマ処理装置 |
| JP2012126977A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Ulvac Japan Ltd | 真空成膜装置及び成膜方法 |
| JP2012184482A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Ulvac Japan Ltd | 真空成膜装置及び成膜方法 |
| JP2012184481A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Ulvac Japan Ltd | 真空一貫基板処理装置及び成膜方法 |
| CN115896716A (zh) * | 2021-08-24 | 2023-04-04 | 达威应材有限公司 | 真空磁石调整机构 |
-
1999
- 1999-01-25 JP JP01558899A patent/JP3449275B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006032344A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Nordson Corp | 超高速均一プラズマ処理装置 |
| JP2012126977A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Ulvac Japan Ltd | 真空成膜装置及び成膜方法 |
| JP2012184482A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Ulvac Japan Ltd | 真空成膜装置及び成膜方法 |
| JP2012184481A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Ulvac Japan Ltd | 真空一貫基板処理装置及び成膜方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3449275B2 (ja) | 2003-09-22 |
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