JP2012184481A - 真空一貫基板処理装置及び成膜方法 - Google Patents
真空一貫基板処理装置及び成膜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012184481A JP2012184481A JP2011049615A JP2011049615A JP2012184481A JP 2012184481 A JP2012184481 A JP 2012184481A JP 2011049615 A JP2011049615 A JP 2011049615A JP 2011049615 A JP2011049615 A JP 2011049615A JP 2012184481 A JP2012184481 A JP 2012184481A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- gas
- vacuum
- substrate
- inner chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】多角形の搬送室11、並びに該多角形の各辺にそれぞれ接続されたリリースエッチング装置12、ALD装置13及びロードロック室18等を備えた真空一貫基板処理装置である。リリースエッチングとALD成膜とを真空一貫で行うことにより、最終的に得られたデバイスにおける電気的特性・光学的特性が改善されると共にディスプレイの生産歩留まりが改善され得る。
【選択図】図1
Description
内チャンバーの容積=第1のバッファタンクの容積<第2のバッファタンクの容積
・処理対象物搬送時:内チャンバー32のみを開閉し、ヒータ等の加熱手段はONのままにしておく。内チャンバー32を開く前に内チャンバー32内をパージする。
・メンテナンス時:ヒータ等の加熱手段をOFFにし、その後、内チャンバー32を開け、外チャンバー31内をパージし、その後、外チャンバー31を開ける。
第2の原料ガス:H2Oガス
不活性ガス:N2
N2ガス流量:各1SLM
TMAガスの原料容器の温度:20〜80℃
H2Oガスの原料容器の温度:20〜80℃
ガス流路系の温度:20〜80℃
基板の表面積:8000cm2
内チャンバー(成膜エリア)の容量:770mm×960mm×10mmt
内チャンバーの温度:90〜150℃
バッファタンク容量:14〜140cc
13 ALD装置 14 プラズマクリーニング室(処理室)
15 バッファチャンバー(処理室) 16 ガスクリーニング室(処理室)
17 加熱室(処理室) 18 ロードロック室(処理室)
2 反応室 21 基板支持ステージ
22 外チャンバー 22a 側壁
22b 天板 22c 底板
22d、22e、22f バルブ 23 内チャンバー
23a (内チャンバー用)天板部材 23b 突起状部分
23c、23d バルブ 24 ゲートバルブ
25 基板搬送・搬出口 26 第1のバッファタンク
26a、26b、26c バルブ 27 第2のバッファタンク
27a、27b、27c バルブ 28 エッチングガスタンク
3 真空成膜装置 31 外チャンバー
31a 天板 32 内チャンバー(反応室)
32a 天板 32b 底壁
33 ゲートバルブ 34 搬送室
35 ガスノズル 36 支持部材
37、37a、37b 上部防着板 38、39、41 下部防着板
40 側壁防着板 61 トラップ
62 外筒部材 63 ガス導入口
64 排出口 65 底部材
66 内筒部材 67 加熱手段
71 第1のガス供給系 71a 第1の原料ガス容器
71b、71c、71e バルブ 71d バッファタンク
72 第2のガス供給系 72a 第2の原料ガス容器
72b、72c、72e バルブ 72d バッファタンク
73 供給系 73a 不活性ガス源
73b、73d バルブ 73c マスフローコントローラー
74 供給系 74a、74c バルブ
74b マスフローコントローラー 75 排出・排気系
75a バルブ 76 圧力調整用バルブ
77 真空ポンプ S 基板
Claims (19)
- 多角形の搬送室、並びに該多角形の各辺にそれぞれ接続されたロードロック室、加熱室、リリースエッチング装置、及び真空成膜装置を備え、さらに真空排気系を備えた真空一貫基板処理装置であって、該真空成膜装置が、複数の原料ガスを交互にパルス的に反応室に供給し、該反応室内に設けられた昇降自在の支持ステージ上に載置される基板上で該原料ガスの反応により成膜する成膜装置であり、該真空成膜装置の外壁で構成され、開閉自在の天板を備えた外チャンバーと、該外チャンバー内の下方部分に設置され、開閉自在の天板を備えた反応室である内チャンバーとの二重構造チャンバーにより構成されており、該内チャンバー内に該原料ガスを供給するガスノズルが該基板の表面に対して平行になるように内チャンバー内に設けられ、該内チャンバー内の該原料ガスの排出径路には、成膜に寄与しなかった該原料ガスが導入されるトラップであって、内部に加熱手段が設けられているトラップが設けられ、そして該トラップの下流側には真空成膜装置内の圧力を調整するための圧力調整用バルブ及び真空排気系がこの順番で設けられてなり、該内チャンバー内に載置される該基板上で成膜されるように構成されていることを特徴とする真空一貫基板処理装置。
- 多角形の搬送室、並びに該多角形の各辺にそれぞれ接続されたロードロック室、リリースエッチング装置、及び真空成膜装置を備え、さらに真空排気系を備えた真空一貫基板処理装置であって、該真空成膜装置が、複数の原料ガスを交互にパルス的に反応室に供給し、該反応室内に設けられた昇降自在の支持ステージ上に載置される基板上で該原料ガスの反応により成膜する成膜装置であり、該真空成膜装置の外壁で構成され、開閉自在の天板を備えた外チャンバーと、該外チャンバー内の下方部分に設置され、開閉自在の天板を備えた反応室である内チャンバーとの二重構造チャンバーにより構成されており、該内チャンバー内に該原料ガスを供給するガスノズルが該基板の表面に対して平行になるように内チャンバー内に設けられ、該内チャンバー内の該原料ガスの排出径路には、成膜に寄与しなかった該原料ガスが導入されるトラップであって、内部に加熱手段が設けられているトラップが設けられ、そして該トラップの下流側には真空成膜装置内の圧力を調整するための圧力調整用バルブ及び真空排気系がこの順番で設けられてなり、該内チャンバー内に載置される該基板上で成膜されるように構成されていることを特徴とする真空一貫基板処理装置。
- 多角形の搬送室、並びに該多角形の各辺にそれぞれ接続されたロードロック室、加熱室、リリースエッチング装置、及び真空成膜装置を備え、さらに真空排気系を備えた真空一貫基板処理装置であって、該真空成膜装置が、複数の原料ガスを交互にパルス的に反応室に供給し、該反応室内に設けられた昇降自在の支持ステージ上に載置される基板上で該原料ガスの反応により成膜する成膜装置であり、該真空成膜装置の外壁で構成され、開閉自在の天板を備えた外チャンバーと、該外チャンバー内の下方部分に設置され、開閉自在の天板を備えた反応室である内チャンバーとの二重構造チャンバーにより構成されており、該内チャンバー内に該原料ガスを供給するガスノズルが該基板の表面に対して平行になるように内チャンバー内に設けられてなり、該内チャンバー内に載置される該基板上で成膜されるように構成されていることを特徴とする真空一貫基板処理装置。
- 多角形の搬送室、並びに該多角形の各辺にそれぞれ接続されたロードロック室、リリースエッチング装置、及び真空成膜装置を備え、さらに真空排気系を備えた真空一貫基板処理装置であって、該真空成膜装置が、複数の原料ガスを交互にパルス的に反応室に供給し、該反応室内に設けられた昇降自在の支持ステージ上に載置される基板上で該原料ガスの反応により成膜する成膜装置であり、該真空成膜装置の外壁で構成され、開閉自在の天板を備えた外チャンバーと、該外チャンバー内の下方部分に設置され、開閉自在の天板を備えた反応室である内チャンバーとの二重構造チャンバーにより構成されており、該内チャンバー内に該原料ガスを供給するガスノズルが該基板の表面に対して平行になるように内チャンバー内に設けられてなり、該内チャンバー内に載置される該基板上で成膜されるように構成されていることを特徴とする真空一貫基板処理装置。
- 前記リリースエッチング装置が、反応室を有する真空エッチング装置であり、該反応室が、エッチングガスを任意の圧力で室内に導入するガス導入径路と該反応室内のエッチングによる反応生成物ガス及び残余の該エッチングガスを排出するガス排出径路とを備え、該反応室内に設けられた支持ステージ上に載置される被処理膜を備えた基板上で、該反応室への該エッチングガスの導入と反応室内の該反応生成物ガス及び残余のエッチングガスの排出とを繰り返すことにより、該エッチングガスと被処理膜との反応により被処理膜をエッチングするように構成されており、また、該反応室の外壁で構成されている外チャンバーと、該外チャンバー内に昇降自在に配置された内チャンバー用天板部材であって、エッチング時に降下されて該外チャンバーの底板と共にエッチング処理室である内チャンバーを構成する内チャンバー用天板部材とを備えたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の真空一貫基板処理装置。
- 前記真空成膜装置において、内チャンバーの天板の内側の壁面に上部防着板が設けられ、ガスノズルの周辺下部に及び支持ステージ上に載置される基板の裏面に対向する位置に、それぞれ、下部防着板が設けられ、そして内チャンバーの側壁に側壁防着板が設けられるように構成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の真空一貫基板処理装置。
- 前記下部防着板が設けられる基板の裏面に対向する位置が、裏面周縁であることを特徴とする請求項6に記載の真空一貫基板処理装置。
- 前記真空成膜装置において、複数の原料ガスのうちの少なくとも1種のガスを供給する供給手段の途中に、この原料ガスを充填するバッファタンクが設けられ、このバッファタンク内に充填された原料ガスをガスノズルから内チャンバー内に供給するように構成されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の真空一貫基板処理装置。
- 前記真空成膜装置において、複数の原料ガスのそれぞれのガスを供給する各供給手段の途中に、この原料ガスを充填するバッファタンクがそれぞれ設けられ、各バッファタンク内に充填された原料ガスをガスノズルから内チャンバー内に供給するように構成されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の真空一貫基板処理装置。
- 前記真空成膜装置において、複数の原料ガスが2種類の原料ガスからなり、第1及び第2の原料ガスのそれぞれを供給する各供給手段の途中に、該第1及び第2の原料ガスをそれぞれ充填するバッファタンクが設けられ、各バッファタンク内に充填されたガスをガスノズルから内チャンバー内に供給するように構成されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の真空一貫基板処理装置。
- 前記真空成膜装置において、第1の原料ガスがトリメチルアルミニウムガスであり、第2の原料ガスがH2Oガスであることを特徴とする請求項10に記載の真空一貫基板処理装置。
- 前記真空成膜装置において、外チャンバー及び内チャンバーのそれぞれの天板を開閉せしめる機構を備えていることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の真空一貫基板処理装置。
- 前記真空成膜装置において、外チャンバー及び内チャンバーのそれぞれの天板をモーター駆動により開閉せしめる機構を備えていることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の真空一貫基板処理装置。
- 前記真空一貫基板処理装置において、さらに、プラズマクリーニング室又はガスクリーニング室、バッファチャンバー及び封止室から選ばれた少なくとも1種を備えていることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載の真空一貫基板処理装置。
- 多角形の搬送室、並びに該多角形の各辺にそれぞれ接続されたロードロック室、リリースエッチング装置、及び真空成膜装置を備え、さらに真空排気系を備えた真空一貫基板処理装置であって、該リリースエッチング装置が、反応室を有する真空エッチング装置であり、該反応室が、エッチングガスを任意の圧力で該室内に導入するガス導入径路と該反応室内のエッチングガスによる反応生成物及び残余の該エッチングガスを排出するガス排出径路とを備え、該反応室内に設けられた支持ステージ上に載置される被処理膜を備えた基板上で、該反応室への該エッチンガスの導入と反応室内の該反応生成物ガス及び残余のエッチングガスの排出とを繰り返すことにより、該エッチングガスと被処理膜との反応により被処理膜をエッチングするように構成されており、また、該反応室の外壁で構成されている外チャンバーと、該外チャンバー内に昇降自在に配置された内チャンバー用天板部材であって、エッチング時に降下されて該外チャンバーの底板と共にエッチング処理室である内チャンバーを構成する内チャンバー用天板部材とを備えてなり、また、該真空成膜装置が、複数の原料ガスを交互にパルス的に反応室に供給し、該反応室内に設けられた昇降自在の支持ステージ上に載置される基板上で該原料ガスの反応により成膜する真空成膜装置であり、該真空成膜装置の外壁で構成され、開閉自在の天板を備えた外チャンバーと、該外チャンバー内の下方部分に設置され、開閉自在の天板を備えた反応室である内チャンバーとの二重構造チャンバーにより構成されており、該内チャンバー内に該原料ガスを供給するガスノズルが該基板の表面に対して平行になるように内チャンバー内に設けられ、内チャンバーの天板の内側の壁面に上部防着板が、該ガスノズルの下部周辺及び該支持ステージ上に載置される基板の裏面に対向する位置に、それぞれ、下部防着板が、及び該内チャンバーの側壁にも側壁防着板が設けられており、該内チャンバー内の該原料ガスの排出径路には、成膜に寄与しなかった該原料ガスが導入されるトラップであって、内部に加熱手段が設けられているトラップが設けられ、そして該トラップの下流側には真空成膜装置内の圧力を調整するための圧力調整用バルブ及び真空排気系がこの順番で設けられてなり、該内チャンバー内に載置される該基板上で成膜されるように構成されていることを特徴とする真空一貫基板処理装置。
- 前記真空一貫基板処理装置において、さらに、加熱室、プラズマクリーニング室又はガスクリーニング室、バッファチャンバー及び封止室から選ばれた少なくとも1種を備えたことを特徴とする請求項15に記載の真空一貫基板処理装置。
- 請求項1〜16のいずれか1項に記載の一貫基板処理装置を用いる成膜方法であって、犠牲層が表面に形成されている基板を多角形の真空搬送室を介してリリースエッチング装置内に搬送し、室内にフッ化希ガスを導入して、真空下、基板上の犠牲層をリリースエッチングし、かくして得られた基板を、該真空搬送室を介して真空成膜装置の成膜室を構成する反応室内へ搬送し、該反応室内に設けられた昇降自在の支持ステージ上に載置し、第1の原料ガスと第2の原料ガスとを交互にパルス的に反応室に供給して、第1の原料ガスの供給、吸着、及び排出と、第2の原料ガスの供給、吸着した第1の原料ガスと第2の原料ガスの反応、及び第2の原料ガスの排出とを交互に繰り返し実施し、該基板上に成膜する際に、該真空成膜装置の外壁で構成され、開閉自在の天板を備えた外チャンバー内の下方部分に設置され、開閉自在の天板を備えた反応室である内チャンバー内の該支持ステージ上に基板を載置し、該基板の表面に対して平行になるように該内チャンバー内に設けられているガスノズルから第1の原料ガス及び第2の原料ガスを該内チャンバー内に交互にパルス的に供給して該基板上でこの2種のガスを反応させて成膜し、その場合、第1の原料ガス及び第2の原料ガスの供給を、それぞれ、該第1及び第2の原料ガスの供給手段の途中に設けられた各バッファタンク内に溜められたガスをガスノズルから内チャンバー内に供給するようにして実施し、また、該内チャンバー内の成膜に寄与しなかった第1の原料ガス及び第2の原料ガスを、該内チャンバーの下流に設けられたトラップ内に導入して、熱処理して分解しながら成膜することを特徴とする成膜方法。
- 前記第1の原料ガスがトリメチルアルミニウムガスであり、第2の原料ガスがH2Oガスであることを特徴とする請求項17に記載の成膜方法。
- 前記犠牲層が、Mo膜、W膜、Si膜、及びTi膜から選ばれた少なくとも1種の層であることを特徴とする請求項17又は18に記載の成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011049615A JP5750281B2 (ja) | 2011-03-07 | 2011-03-07 | 真空一貫基板処理装置及び成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011049615A JP5750281B2 (ja) | 2011-03-07 | 2011-03-07 | 真空一貫基板処理装置及び成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012184481A true JP2012184481A (ja) | 2012-09-27 |
JP5750281B2 JP5750281B2 (ja) | 2015-07-15 |
Family
ID=47014792
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011049615A Active JP5750281B2 (ja) | 2011-03-07 | 2011-03-07 | 真空一貫基板処理装置及び成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5750281B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104746040A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 株式会社日立国际电气 | 衬底处理系统、半导体器件的制造方法及存储介质 |
JP2019073787A (ja) * | 2017-10-19 | 2019-05-16 | 株式会社村田製作所 | 成膜方法 |
CN112413151A (zh) * | 2019-08-21 | 2021-02-26 | 佳能特机株式会社 | 阀装置以及成膜装置 |
WO2023181242A1 (ja) * | 2022-03-24 | 2023-09-28 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置及びプログラム |
WO2024057509A1 (ja) * | 2022-09-15 | 2024-03-21 | 日本碍子株式会社 | XeF2ドライエッチングシステム及びプロセス |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11200035A (ja) * | 1998-01-19 | 1999-07-27 | Anelva Corp | スパッタ化学蒸着複合装置 |
JP2000215835A (ja) * | 1999-01-25 | 2000-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空処理装置および真空処理方法 |
JP2000232077A (ja) * | 1999-02-10 | 2000-08-22 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置 |
JP2002527253A (ja) * | 1998-10-15 | 2002-08-27 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | エッチングプロセスを用いたシリコンの処理方法 |
JP2004006801A (ja) * | 2002-04-11 | 2004-01-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 縦型半導体製造装置 |
JP2004358407A (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Tokyo Electron Ltd | 排気系のトラップ構造及び補助トラップ並びに排気系における排気トラップの捕集効率を高める方法 |
JP2005539146A (ja) * | 2002-10-08 | 2005-12-22 | マイクロン テクノロジー, インク. | 原子層蒸着方法及び原子層蒸着装置 |
JP2008192642A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP2008542532A (ja) * | 2005-05-23 | 2008-11-27 | エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド | Ald反応物による真空ポンプの損傷を防止する方法及び装置 |
JP2008542545A (ja) * | 2005-06-03 | 2008-11-27 | ヴィーコ、インストルマンツ、インク | 薄膜の蒸着時間を短縮する方法および装置 |
JP2009209435A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 原子層成膜装置 |
JP2009266888A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Ulvac Japan Ltd | エッチング装置 |
JP2010212433A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 原子層堆積装置 |
JP2010212434A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 原子層堆積装置及び薄膜形成方法 |
JP2012126977A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Ulvac Japan Ltd | 真空成膜装置及び成膜方法 |
JP2012126976A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Ulvac Japan Ltd | 真空成膜装置及び成膜方法 |
-
2011
- 2011-03-07 JP JP2011049615A patent/JP5750281B2/ja active Active
Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11200035A (ja) * | 1998-01-19 | 1999-07-27 | Anelva Corp | スパッタ化学蒸着複合装置 |
JP2002527253A (ja) * | 1998-10-15 | 2002-08-27 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | エッチングプロセスを用いたシリコンの処理方法 |
JP2000215835A (ja) * | 1999-01-25 | 2000-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空処理装置および真空処理方法 |
JP2000232077A (ja) * | 1999-02-10 | 2000-08-22 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置 |
JP2004006801A (ja) * | 2002-04-11 | 2004-01-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 縦型半導体製造装置 |
JP2005539146A (ja) * | 2002-10-08 | 2005-12-22 | マイクロン テクノロジー, インク. | 原子層蒸着方法及び原子層蒸着装置 |
JP2004358407A (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Tokyo Electron Ltd | 排気系のトラップ構造及び補助トラップ並びに排気系における排気トラップの捕集効率を高める方法 |
JP2008542532A (ja) * | 2005-05-23 | 2008-11-27 | エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド | Ald反応物による真空ポンプの損傷を防止する方法及び装置 |
JP2008542545A (ja) * | 2005-06-03 | 2008-11-27 | ヴィーコ、インストルマンツ、インク | 薄膜の蒸着時間を短縮する方法および装置 |
JP2008192642A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP2009209435A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 原子層成膜装置 |
JP2009266888A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Ulvac Japan Ltd | エッチング装置 |
JP2010212433A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 原子層堆積装置 |
JP2010212434A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 原子層堆積装置及び薄膜形成方法 |
JP2012126977A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Ulvac Japan Ltd | 真空成膜装置及び成膜方法 |
JP2012126976A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Ulvac Japan Ltd | 真空成膜装置及び成膜方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104746040A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 株式会社日立国际电气 | 衬底处理系统、半导体器件的制造方法及存储介质 |
US20150187611A1 (en) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing system, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium |
JP2019073787A (ja) * | 2017-10-19 | 2019-05-16 | 株式会社村田製作所 | 成膜方法 |
CN112413151A (zh) * | 2019-08-21 | 2021-02-26 | 佳能特机株式会社 | 阀装置以及成膜装置 |
CN112413151B (zh) * | 2019-08-21 | 2023-12-01 | 佳能特机株式会社 | 阀装置以及成膜装置 |
WO2023181242A1 (ja) * | 2022-03-24 | 2023-09-28 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置及びプログラム |
WO2024057509A1 (ja) * | 2022-09-15 | 2024-03-21 | 日本碍子株式会社 | XeF2ドライエッチングシステム及びプロセス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5750281B2 (ja) | 2015-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101753736B1 (ko) | 처리 장치 및 성막 방법 | |
TWI461569B (zh) | Atomic layer deposition device | |
US9068261B2 (en) | Atomic layer deposition apparatus and thin film forming method | |
TWI428986B (zh) | 半導體裝置之製造方法及基板處理裝置 | |
KR101247828B1 (ko) | 반도체 처리용 성막 방법 및 성막 장치와, 컴퓨터로 판독 가능한 매체 | |
JP5720406B2 (ja) | ガス供給装置、熱処理装置、ガス供給方法及び熱処理方法 | |
JP5750281B2 (ja) | 真空一貫基板処理装置及び成膜方法 | |
KR101576135B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
JP2012126977A (ja) | 真空成膜装置及び成膜方法 | |
JP6040075B2 (ja) | 真空成膜装置及び成膜方法 | |
WO2004042112A1 (ja) | 金属カルボニルガスを使用するcvd方法 | |
JP4563113B2 (ja) | シリコン酸化膜の形成方法、半導体デバイスの製造方法および基板処理装置 | |
JP2014232816A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理方法 | |
JP2012184482A (ja) | 真空成膜装置及び成膜方法 | |
TW201937601A (zh) | 除去方法及處理方法 | |
JP5350329B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法および基板処理装置 | |
JP4963817B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5848788B2 (ja) | 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法 | |
JP5021688B2 (ja) | 原子層成長装置 | |
JP2007227471A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2012126976A (ja) | 真空成膜装置及び成膜方法 | |
JP2005243737A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4918109B2 (ja) | 原子層成長装置 | |
US11972946B2 (en) | Method for removing impurities in thin film and substrate processing apparatus | |
JP4415005B2 (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140117 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140612 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140806 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141003 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150422 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150428 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150518 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5750281 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |