JPH06112165A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH06112165A JPH06112165A JP4283735A JP28373592A JPH06112165A JP H06112165 A JPH06112165 A JP H06112165A JP 4283735 A JP4283735 A JP 4283735A JP 28373592 A JP28373592 A JP 28373592A JP H06112165 A JPH06112165 A JP H06112165A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマ処理装置のウェハ載置テーブルを効
果的に冷却できる構造にする。 【構成】 ウェハ載置テーブル１５外側とチャンバー載
置台１６の内側間の隙間を下方への排気通路１８とし、
また、前記基台内側部１２と基台外側部１３との間の柱
部１４以外の隙間も下方への排気通路１９とし、この排
気通路１９を基台１１の下面に取り付けたロアブロック
２０に形成したロート状排気通路２１に連続している。
また、排気通路２１内にはロータリアクチュエータ２２
にて開閉操作されるバタフライ弁２３を設け、更に、ロ
アブロック２０の下面には真空引き用のターボ分子ポン
プ２４を取り付け、チャンバー１７内のガスを垂直に吸
引するようにしている。
果的に冷却できる構造にする。 【構成】 ウェハ載置テーブル１５外側とチャンバー載
置台１６の内側間の隙間を下方への排気通路１８とし、
また、前記基台内側部１２と基台外側部１３との間の柱
部１４以外の隙間も下方への排気通路１９とし、この排
気通路１９を基台１１の下面に取り付けたロアブロック
２０に形成したロート状排気通路２１に連続している。
また、排気通路２１内にはロータリアクチュエータ２２
にて開閉操作されるバタフライ弁２３を設け、更に、ロ
アブロック２０の下面には真空引き用のターボ分子ポン
プ２４を取り付け、チャンバー１７内のガスを垂直に吸
引するようにしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハやガラス基
板等の被処理物表面に形成した被膜のエッチング等に用
いるプラズマ処理装置に関する。
板等の被処理物表面に形成した被膜のエッチング等に用
いるプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハ等にエッチング処理やＣＶ
Ｄ処理を行なうプラズマ処理装置の一般的な構造は特開
平３−１７０６８４号公報に示されるように、基台に形
成した開口に下方からウェハ載置テーブルを臨ませると
ともに、開口の周囲にチャンバーを被せるようにし、ウ
ェハ載置テーブルが上昇して開口内に挿入された状態で
ウェハ載置テーブルと基台との間は気密にシールされる
構造とされ、更にチャンバー内を真空にするための排気
通路は基台に横方向に穿設されている。
Ｄ処理を行なうプラズマ処理装置の一般的な構造は特開
平３−１７０６８４号公報に示されるように、基台に形
成した開口に下方からウェハ載置テーブルを臨ませると
ともに、開口の周囲にチャンバーを被せるようにし、ウ
ェハ載置テーブルが上昇して開口内に挿入された状態で
ウェハ載置テーブルと基台との間は気密にシールされる
構造とされ、更にチャンバー内を真空にするための排気
通路は基台に横方向に穿設されている。
【０００３】ところで、エッチング処理等には従来から
フロン系ガスが反応ガスとして用いられているが、フロ
ン系ガスは環境問題からその使用が制限される傾向にあ
る。このフロン系ガスに代わるガスとして塩素系ガスが
注目されている。この塩素系ガスは−６０℃程度の低温
で最適なエッチング特性を発揮することが知られてい
る。
フロン系ガスが反応ガスとして用いられているが、フロ
ン系ガスは環境問題からその使用が制限される傾向にあ
る。このフロン系ガスに代わるガスとして塩素系ガスが
注目されている。この塩素系ガスは−６０℃程度の低温
で最適なエッチング特性を発揮することが知られてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
プラズマ処理装置にあっては、ウェハ載置テーブルを基
台の開口内に下方から臨ませた状態でシールが行なわれ
るようにしているので、ウェハ載置テーブルと開口との
隙間は極めて微小である。このためウェハ載置テーブル
に基台を介して外部の温度が伝達されやすい。このよう
な構造のプラズマ処理装置に反応ガスとして塩素系ガス
を導入した場合、ウェハ載置テーブルを低温に保つこと
が困難であるので、最適なエッチング条件を作り出すこ
とができない。
プラズマ処理装置にあっては、ウェハ載置テーブルを基
台の開口内に下方から臨ませた状態でシールが行なわれ
るようにしているので、ウェハ載置テーブルと開口との
隙間は極めて微小である。このためウェハ載置テーブル
に基台を介して外部の温度が伝達されやすい。このよう
な構造のプラズマ処理装置に反応ガスとして塩素系ガス
を導入した場合、ウェハ載置テーブルを低温に保つこと
が困難であるので、最適なエッチング条件を作り出すこ
とができない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、被処理物（以下単にウェハという）載置テーブ
ルの外側とチャンバー若しくはチャンバー載置台の内側
に空間を形成し、この空間を全て下方への排気通路とし
た。
発明は、被処理物（以下単にウェハという）載置テーブ
ルの外側とチャンバー若しくはチャンバー載置台の内側
に空間を形成し、この空間を全て下方への排気通路とし
た。
【０００６】
【作用】ウェハ載置テーブルの外側には排気通路が存在
しており、この排気通路内は真空（減圧）状態にあるの
で、外部の温度がウェハ載置テーブル及びテーブル上の
ウェハに伝達されない。
しており、この排気通路内は真空（減圧）状態にあるの
で、外部の温度がウェハ載置テーブル及びテーブル上の
ウェハに伝達されない。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図１は本発明に係るプラズマ処理装
置を組み込んだ処理システムの全体平面図、図２は同プ
ラズマ処理装置の縦断面図、図３は同プラズマ処理装置
の要部拡大縦断面図、図４は図３とは異なる位置から見
たプラズマ処理装置の要部拡大縦断面図、図５はチャン
バー載置台を外した状態での図３のＡーＡ線断面図、図
６はチャンバー載置台を外した状態での図３のＢーＢ線
断面図である。
説明する。ここで、図１は本発明に係るプラズマ処理装
置を組み込んだ処理システムの全体平面図、図２は同プ
ラズマ処理装置の縦断面図、図３は同プラズマ処理装置
の要部拡大縦断面図、図４は図３とは異なる位置から見
たプラズマ処理装置の要部拡大縦断面図、図５はチャン
バー載置台を外した状態での図３のＡーＡ線断面図、図
６はチャンバー載置台を外した状態での図３のＢーＢ線
断面図である。
【０００８】プラズマ処理システムは中央にウェハの搬
入及び搬出を行なうハンドリングステーション１を設置
している。このハンドリングステーション１は平面視で
五角形をなし、このハンドリングステーション１の２つ
の側面にはロードロック機構２を介してウェハカセット
収納部３を付設し、別の２つの側面には同じくロードロ
ック機構４を介して本発明に係るプラズマ処理装置１０
を付設している。
入及び搬出を行なうハンドリングステーション１を設置
している。このハンドリングステーション１は平面視で
五角形をなし、このハンドリングステーション１の２つ
の側面にはロードロック機構２を介してウェハカセット
収納部３を付設し、別の２つの側面には同じくロードロ
ック機構４を介して本発明に係るプラズマ処理装置１０
を付設している。
【０００９】また、ハンドリングステーション１内部に
は回動及び伸縮動可能なウェハ移載アーム５を設け、ウ
ェハカセット収納部３内のウェハＷを１枚づつ位置決め
してプラズマ処理装置１０内に搬入するとともに、処理
が済んだウェハＷを自動的にウェハカセット収納部３内
に戻すようにしている。
は回動及び伸縮動可能なウェハ移載アーム５を設け、ウ
ェハカセット収納部３内のウェハＷを１枚づつ位置決め
してプラズマ処理装置１０内に搬入するとともに、処理
が済んだウェハＷを自動的にウェハカセット収納部３内
に戻すようにしている。
【００１０】プラズマ処理装置１０は基台１１を基台内
側部１２と基台外側部１３に分け、これら基台内側部１
２と基台外側部１３とを４ヶ所の柱部１４で連結し、基
台内側部１２上にはウェハ載置テーブル１５を取り付
け、基台外側部１３上にはチャンバー載置台１６を取り
付け、このチャンバー載置台１６上に合成石英からなる
チャンバー１７を固着している。尚、チャンバー載置台
１６を設けず直接チャンバー１７を基台外側部１３上に
取り付けてもよい。尚、基台内側部１２，基台外側部１
３及び柱部１４は断熱セラミックスなどの断熱材を使用
することが好ましい。
側部１２と基台外側部１３に分け、これら基台内側部１
２と基台外側部１３とを４ヶ所の柱部１４で連結し、基
台内側部１２上にはウェハ載置テーブル１５を取り付
け、基台外側部１３上にはチャンバー載置台１６を取り
付け、このチャンバー載置台１６上に合成石英からなる
チャンバー１７を固着している。尚、チャンバー載置台
１６を設けず直接チャンバー１７を基台外側部１３上に
取り付けてもよい。尚、基台内側部１２，基台外側部１
３及び柱部１４は断熱セラミックスなどの断熱材を使用
することが好ましい。
【００１１】ウェハ載置テーブル１５外側とチャンバー
載置台１６の内側間には隙間が全周に亘って形成され、
この隙間を下方への排気通路１８とし、また、前記基台
内側部１２と基台外側部１３との間の柱部１４以外の隙
間も下方への排気通路１９とし、この排気通路１９を基
台１１の下面に取り付けたロアブロック２０に形成した
ロート状排気通路２１に連続している。
載置台１６の内側間には隙間が全周に亘って形成され、
この隙間を下方への排気通路１８とし、また、前記基台
内側部１２と基台外側部１３との間の柱部１４以外の隙
間も下方への排気通路１９とし、この排気通路１９を基
台１１の下面に取り付けたロアブロック２０に形成した
ロート状排気通路２１に連続している。
【００１２】また、排気通路２１内にはロータリアクチ
ュエータ２２にて開閉操作されるバタフライ弁２３を設
け、更に、ロアブロック２０の下面には真空引き用のタ
ーボ分子ポンプ２４を取り付け、チャンバー１７内のガ
スを垂直に吸引するようにしている。尚、ターボ分子ポ
ンプ２４はロアブロック２０の側面に取り付け、排気通
路を下部において横に曲げてもよい。
ュエータ２２にて開閉操作されるバタフライ弁２３を設
け、更に、ロアブロック２０の下面には真空引き用のタ
ーボ分子ポンプ２４を取り付け、チャンバー１７内のガ
スを垂直に吸引するようにしている。尚、ターボ分子ポ
ンプ２４はロアブロック２０の側面に取り付け、排気通
路を下部において横に曲げてもよい。
【００１３】一方、前記柱部１４には冷媒の導入管２
５、冷媒の排出管２６及びウェハ載置テーブル１５に高
周波を印加する電極２７を挿入している。冷媒の導入管
２５から導入された冷媒はポート２８を通ってウェハ載
置テーブル１５内の冷却通路２９内に導入され、ウェハ
載置テーブル１５上のウェハＷを冷却した後、ポート２
８及び排出管２６を通って外部に排出される。
５、冷媒の排出管２６及びウェハ載置テーブル１５に高
周波を印加する電極２７を挿入している。冷媒の導入管
２５から導入された冷媒はポート２８を通ってウェハ載
置テーブル１５内の冷却通路２９内に導入され、ウェハ
載置テーブル１５上のウェハＷを冷却した後、ポート２
８及び排出管２６を通って外部に排出される。
【００１４】また、基台１１内にはシリンダユニット３
０を設け、このシリンダユニット３０のロッド３１上端
に四方に放射状に伸びるアーム３２を固着し、このアー
ム３２にウェハＷのクランパ３３を取り付けている。ク
ランパ３３は円筒部３４をウェハ載置テーブル１５の外
周面に摺接するように配設し、この円筒部３４の上端部
に内方に突出する環状部３５を一体的に設け、この環状
部３５の内端下面にウェハ押え部３６を形成し、更に環
状部３５の下面から内方に向かってウェハＷの下面周縁
を支持するフック状の支持部３７を複数個設けている。
尚、ウェハ載置テーブル１５の上面にはクランパ３３が
下降した際に前記支持部３７が入り込む凹部３８を形成
している。
０を設け、このシリンダユニット３０のロッド３１上端
に四方に放射状に伸びるアーム３２を固着し、このアー
ム３２にウェハＷのクランパ３３を取り付けている。ク
ランパ３３は円筒部３４をウェハ載置テーブル１５の外
周面に摺接するように配設し、この円筒部３４の上端部
に内方に突出する環状部３５を一体的に設け、この環状
部３５の内端下面にウェハ押え部３６を形成し、更に環
状部３５の下面から内方に向かってウェハＷの下面周縁
を支持するフック状の支持部３７を複数個設けている。
尚、ウェハ載置テーブル１５の上面にはクランパ３３が
下降した際に前記支持部３７が入り込む凹部３８を形成
している。
【００１５】以上においてウェハＷ表面にエッチング処
理を施すには、冷媒の導入管２５から冷媒をウェハ載置
テーブル１５内の冷却通路２９内に供給してウェハ載置
テーブル１５を冷却し、この状態でシリンダユニット３
０のロッド３１を突出せしめてクランパ３３を上昇さ
せ、クランパ３３の環状部３５と支持部３７との間にウ
ェハＷを側方から挿入し、支持部３７上にウェハＷを載
置する。
理を施すには、冷媒の導入管２５から冷媒をウェハ載置
テーブル１５内の冷却通路２９内に供給してウェハ載置
テーブル１５を冷却し、この状態でシリンダユニット３
０のロッド３１を突出せしめてクランパ３３を上昇さ
せ、クランパ３３の環状部３５と支持部３７との間にウ
ェハＷを側方から挿入し、支持部３７上にウェハＷを載
置する。
【００１６】次いで、シリンダユニット３０のロッド３
１を引き込み、クランパ３３を下降せしめてウェハＷを
ウェハ載置テーブル１５の上面に載置し、ウェハＷの上
面周縁部を押え部３６にてウェハ載置テーブル１５の上
面に押し付ける。この時支持部３７はウェハＷから離れ
て凹部３８内に入り込む。
１を引き込み、クランパ３３を下降せしめてウェハＷを
ウェハ載置テーブル１５の上面に載置し、ウェハＷの上
面周縁部を押え部３６にてウェハ載置テーブル１５の上
面に押し付ける。この時支持部３７はウェハＷから離れ
て凹部３８内に入り込む。
【００１７】而る後、チャンバー１７内を減圧し、塩素
系の反応ガスをチャンバー１７内に導入し、チャンバー
１７（上部電極）にマイクロ波（高周波）を印加し、チ
ャンバー１７内にプラズマを発生させて反応ガスを活性
化し、マスクのパターンに沿ってウェハＷ表面をエッチ
ングする。
系の反応ガスをチャンバー１７内に導入し、チャンバー
１７（上部電極）にマイクロ波（高周波）を印加し、チ
ャンバー１７内にプラズマを発生させて反応ガスを活性
化し、マスクのパターンに沿ってウェハＷ表面をエッチ
ングする。
【００１８】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
ウェハ載置テーブルの外側全体を排気通路としたので、
外部の温度が基台を介してウェハ載置テーブル及びテー
ブル上のウェハに伝達されることがない。したがってウ
ェハ載置テーブルを低温に保持することができ、例えば
塩素系ガス等のように低温で優れた特性を発揮するガス
を用いる場合等に好適する。
ウェハ載置テーブルの外側全体を排気通路としたので、
外部の温度が基台を介してウェハ載置テーブル及びテー
ブル上のウェハに伝達されることがない。したがってウ
ェハ載置テーブルを低温に保持することができ、例えば
塩素系ガス等のように低温で優れた特性を発揮するガス
を用いる場合等に好適する。
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置を組み込んだ処
理システムの全体平面図
理システムの全体平面図
【図２】同プラズマ処理装置の縦断面図
【図３】同プラズマ処理装置の要部拡大縦断面図
【図４】図３とは異なる位置から見たプラズマ処理装置
の要部拡大縦断面図
の要部拡大縦断面図
【図５】チャンバー載置台を外した状態での図３のＡー
Ａ線断面図
Ａ線断面図
【図６】チャンバー載置台を外した状態での図３のＢー
Ｂ線断面図
Ｂ線断面図
１０…プラズマ処理装置、１１…基台、１２…基台内側
部、１３…基台外側部、１４…柱部、１５…ウェハ載置
テーブル、１６…チャンバー載置台、１７…チャンバ
ー、１８，１９，２１…排気通路、２４…ターボ分子ポ
ンプ、２５…冷媒の導入管、Ｗ…ウェハ。
部、１３…基台外側部、１４…柱部、１５…ウェハ載置
テーブル、１６…チャンバー載置台、１７…チャンバ
ー、１８，１９，２１…排気通路、２４…ターボ分子ポ
ンプ、２５…冷媒の導入管、Ｗ…ウェハ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 脇 達生 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 基台を内側部と外側部に分け、基台内側
部には被処理物載置テーブルを取り付け、基台外側部に
はプラズマ処理空間を画成するチャンバー若しくはチャ
ンバー載置台を取り付け、前記被処理物載置テーブルの
外側とチャンバー若しくはチャンバー載置台の内側に形
成される空間を全て下方への排気通路としたことを特徴
とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記基台内側部と基台外側部とは複数の
柱部で連結され、これら柱部以外の空間を全て排気通路
とし、また少なくとも１つの柱部を介して外部から基台
内側部へ必要な部材を挿入したことを特徴とする請求項
１に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04283735A JP3142397B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04283735A JP3142397B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112165A true JPH06112165A (ja) | 1994-04-22 |
| JP3142397B2 JP3142397B2 (ja) | 2001-03-07 |
Family
ID=17669429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04283735A Expired - Fee Related JP3142397B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3142397B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100884552B1 (ko) * | 2007-04-20 | 2009-02-18 | 파이니스트 주식회사 | 공정챔버의 배기 밸브 |
| KR100885625B1 (ko) * | 2007-04-23 | 2009-02-25 | 주식회사 아토 | 플라즈마를 이용한 ｂｐｓｇ 증착 장치 |
| JP2017228531A (ja) * | 2011-10-05 | 2017-12-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 対称プラズマ処理チャンバ |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58225639A (ja) * | 1982-06-24 | 1983-12-27 | Toshiba Corp | 有機物エツチング方法 |
| JPS6154631A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-18 | Jeol Ltd | エツチング方法 |
| JPS6276521A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-08 | Nec Corp | 電子ビ−ムエツチング方法 |
| JPS62252941A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置 |
| JPH0425230U (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-28 | ||
| JPH0478134A (ja) * | 1990-07-20 | 1992-03-12 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
-
1992
- 1992-09-29 JP JP04283735A patent/JP3142397B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
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| JPS62252941A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置 |
| JPH0425230U (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-28 | ||
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Cited By (3)
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| KR100885625B1 (ko) * | 2007-04-23 | 2009-02-25 | 주식회사 아토 | 플라즈마를 이용한 ｂｐｓｇ 증착 장치 |
| JP2017228531A (ja) * | 2011-10-05 | 2017-12-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 対称プラズマ処理チャンバ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3142397B2 (ja) | 2001-03-07 |
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