JP2017228531A - 対称プラズマ処理チャンバ - Google Patents

対称プラズマ処理チャンバ Download PDF

Info

Publication number
JP2017228531A
JP2017228531A JP2017130091A JP2017130091A JP2017228531A JP 2017228531 A JP2017228531 A JP 2017228531A JP 2017130091 A JP2017130091 A JP 2017130091A JP 2017130091 A JP2017130091 A JP 2017130091A JP 2017228531 A JP2017228531 A JP 2017228531A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
central
disposed
region
substrate support
chamber body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017130091A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6346698B2 (ja
Inventor
ディー カードゥッチ ジェームズ
D Carducci James
ディー カードゥッチ ジェームズ
タバッソリ ハミッド
Tabassoli Hamid
タバッソリ ハミッド
バラクリシュナ アジト
Ajit Balakrishna
バラクリシュナ アジト
チェン ジガング
Zhigang Chen
チェン ジガング
ヌグエン アンドリュー
Andrew Nguyen
ヌグエン アンドリュー
エー ブッフベルガー ジュニア ダグラス
A Buchberger Douglas Jr
エー ブッフベルガー ジュニア ダグラス
ラマスワミー カーティク
Ramaswamy Kartik
ラマスワミー カーティク
ラウフ シャヒド
Shahid Rauf
ラウフ シャヒド
エス コリンズ ケネス
Kenneth S Collins
エス コリンズ ケネス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2017228531A publication Critical patent/JP2017228531A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6346698B2 publication Critical patent/JP6346698B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32541—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32743—Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3322—Problems associated with coating
    • H01J2237/3323—Problems associated with coating uniformity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3343—Problems associated with etching
    • H01J2237/3344—Problems associated with etching isotropy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【解決手段】チャンバを介して極めて対称的な電気的な、熱的な、及びガス流のコンダクタンスを可能にするプラズマチャンバ設計を提供する。【効果】このような対称性を提供することによって、チャンバ内に形成されたプラズマは、チャンバの処理領域内に配置された基板の表面全体に亘る均一性を自然に改善する。更に、他のチャンバへの追加（例えば、上部電極と下部電極との間や、ガス流入口と被処理基板の間のギャップを操作する機能を提供するなど）は、従来のシステムに比べて、より優れたプラズマ処理の制御と均一性を可能にする。【選択図】図１

Description

発明の背景
（発明の分野）
本発明は概して、電極間に印加された高周波電力によってプラズマが励起される基板製
造用プラズマ処理装置に関する。より具体的には、本発明は、電気的な、ガス流の、及び
熱的な対称性を改良されたプラズマ均一性制御に対して提供するプラズマ処理チャンバに
関する。
（関連技術の説明）
フラットパネルディスプレイや集積回路等の電子デバイスは、一般に、層を基板上に堆
積し、堆積された材料を所望のパターンにエッチングする一連の処理工程によって製造さ
れる。処理工程は、一般的に、物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、プラズマＣＶ
Ｄ（ＰＥＣＶＤ）、及び他のプラズマ処理を含む。具体的には、プラズマ処理は、真空チ
ャンバに処理ガス混合物を供給し、電気的又は電磁気的な力（ＲＦ電力）を印加して、処
理ガスをプラズマ状態に励起する必要がある。プラズマは、ガス混合物を所望の蒸着又は
エッチング処理を行うイオン種に分解する。
プラズマ処理が遭遇する一つの問題は、基板の中心とエッジ領域の間の不均一な処理を
引き起こす処理中に、基板表面上に均一なプラズマ密度を確立することに伴う困難性であ
る。均一なプラズマ密度を確立することの難しさの理由の一つは、物理的なプロセスチャ
ンバ設計の非対称性に起因する自然の電気的な、ガス流の、及び熱的な偏り（スキュー）
に関与している。このような偏りは当然、方位による不均一なプラズマ密度をもたらすの
みならず、中心から端部までのプラズマ均一性を制御するための他の処理変数又は「ノブ
」の使用を困難にしている。
したがって、改良されたプラズマ均一性制御のための電気的な、ガス流の、及び熱的な
対称性を向上させたプラズマ処理装置に対する必要性が存在する。
本発明の一実施形態では、処理領域を囲む蓋アセンブリ及びチャンバ本体を含むプラズ
マ処理装置が提供される。基板支持アセンブリは、チャンバ本体内に配置される。チャン
バ本体内の排気領域を画定する排気アセンブリが提供される。チャンバ本体は、処理領域
を排気領域と流体接続する基板支持アセンブリの中心軸の周りに対称的に配置された複数
の通路を含む。基板支持アセンブリは、処理領域及び排気領域から流体的に密閉された中
央領域内に配置された下部電極及び支持台を含む。複数のアクセスチューブが、中央領域
へのアクセスを提供するためにチャンバ本体を通して配置され、基板支持アセンブリの中
心軸周りに対称的に配置されている。
別の一実施形態では、プラズマ処理装置は、処理領域を囲む蓋アセンブリ及びチャンバ
本体を含む。基板支持アセンブリは、チャンバ本体内に配置される。蓋アセンブリは、処
理ガスを処理領域内に分配するように構成された中央マニホールドと、処理ガスを処理領
域内に分配するように構成された１以上の外側マニホールドを有する上部電極を含む。ま
た、蓋アセンブリは、基板支持アセンブリの中心軸周りに対称的に配置された複数のガス
チューブを介して、１以上の外側マニホールドに結合されたリングマニホールドを含む。
更に別の一実施形態では、プラズマ処理装置は、処理領域を囲む蓋アセンブリ及びチャ
ンバ本体を含む。基板支持アセンブリは、チャンバ本体内に配置される。上部ライナーは
、処理領域を囲むチャンバ本体内に配置される。上部ライナーは、貫通して配置され、基
板支持アセンブリの中心軸周りに対称的に配置された複数のスロットを備えた円筒壁を有
する。バッキングライナーは、複数のスロットのうちの少なくとも１つを覆う円筒壁に結
合される。メッシュライナーは、基板支持アセンブリの周りに環状に配置され、上部ライ
ナーに電気的に結合される。
本発明の上述した構成を詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本
発明のより具体的な説明を、実施形態を参照して行う。実施形態のいくつかは添付図面に
示されている。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態を示しているに過ぎ
ず、したがってこの範囲を制限していると解釈されるべきではなく、本発明は他の等しく
有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の概略断面図である。 図１の処理装置の上部電極の概略上面図である。 図１の処理装置の処理領域を囲むチャンバ本体の上部内に配置されている上部ライナーアセンブリの概略斜視図である。 チャンバ本体と上部ライナーアセンブリの一部の部分断面図である。 図１に示される線４−４に沿った処理装置の概略図である。 図１の処理装置を通って延びるアクセスチューブのレイアウトの概略図である。
詳細な説明
前述したように、従来のプラズマシステムの問題は、チャンバ内の非対称性のために均
一なプラズマ密度を提供することが困難であることである。本発明の実施形態では、チャ
ンバを通して、極めて対称的な、電気的な、熱的な、及びガス流のコンダクタンスを可能
にするチャンバ設計を提供することによって、この問題を軽減する。このような対称性を
提供することによって、チャンバ内で形成されたプラズマは、チャンバの処理領域内に配
置された基板の表面全体に亘る均一性を自然に改善する。更に、他のチャンバへの追加（
例えば、上部電極と下部電極の間や、ガス流入口と被処理基板の間のギャップを操作する
機能を提供するなど）は、従来のシステムに比べて、より優れたプラズマ処理の制御と均
一性を可能にする大型のプロセスウィンドウを提供する。
図１は、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置１００の概略断面図である。プラ
ズマ処理装置１００は、プラズマエッチングチャンバ、プラズマ化学蒸着チャンバ、物理
蒸着チャンバ、プラズマ処理チャンバ、イオン注入チャンバ、又は他の適当な真空処理チ
ャンバが可能である。図１に示されるように、プラズマ処理装置１００は、一般的に、チ
ャンバ蓋アセンブリ１１０、チャンバ本体アセンブリ１４０、排気アセンブリ１９０を含
み、これらは総じて処理領域１０２及び排気領域１０４を囲んでいる。実際には、処理ガ
スは、処理領域１０２内に導入され、ＲＦ電力を用いて点火され、プラズマとなる。基板
１０５は基板支持アセンブリ１６０上に配置され、基板１０５上でプラズマ処理（例えば
、エッチング、化学蒸着法、物理蒸着法、イオン注入、プラズマアニール、プラズマ処理
、軽減処理、又はその他のプラズマ処理）を行うために、処理領域１０２内に生成された
プラズマに曝される。排気領域１０４を介してプラズマ処理から使用済み処理ガスと副産
物を除去する排気アセンブリ１９０によって、真空は処理領域１０２内で維持される。
蓋アセンブリ１１０は、一般的に、チャンバ本体アセンブリ１４０によって分離支持さ
れる上部電極１１２（又は陽極）と、上部電極１１２を囲むチャンバ蓋１１４を含む。図
２は、上部電極１１２の概略上面図である。上部電極１１２は、導電性ガス入口チューブ
１２６を介してＲＦ電源１０３に結合される。導電性ガス入口チューブ１２６は、チャン
バ本体アセンブリ１４０の中心軸（ＣＡ）と同軸であり、これによってＲＦ電力と処理ガ
スの両方が対称的に供給される。上部電極１１２は、伝熱板１１８に取り付けられたシャ
ワーヘッド板１１６を含む。シャワーヘッド板１１６、伝熱板１１８、及びガス入口チュ
ーブ１２６は全て、ＲＦ導電性材料（アルミニウムやステンレス鋼等）で製造されている
。
シャワーヘッド板１１６は、中央マニホールド１２０及び１以上の外側マニホールド１
２２を有する。１以上の外側マニホールド１２２は、中央マニホールド１２０を囲んでい
る。中央マニホールド１２０は、ガス入口チューブ１２６を介してガス供給源１０６から
処理ガスを受け入れ、複数のガス通路１２１を介して受け入れた処理ガスを処理領域１０
２の中央部分に分配する。外側マニホールド１２２は処理ガスを受け入れ、ガス供給源１
０６から中央マニホールド１２０内に受け入れたものと同一又は異なるガス混合物が可能
である。その後、外側マニホールド１２２は、複数のガス通路１２３を介して処理領域１
０２の外側部分に受け入れた処理ガスを分配する。マニホールド１２０、１２２はプレナ
ムとして機能し、均一な圧力がそれぞれのマニホールド１２０、１２２に結合した各ガス
通路１２１に提供されるのに十分な容積を有する。シャワーヘッド板１１６のデュアルマ
ニホールド構成は、処理領域１０２内へのガスの供給制御の改善を可能にする。例えば、
処理領域１０２の中央部、つまり、内部に配置された基板１０５の中央部に供給された処
理ガスは、処理領域１０２の外側部、つまり、基板１０５の外側部に供給された処理ガス
とは異なる流量及び／又は圧力で導入することができる。従来のシングルマニホールドの
バージョンとは対照的に、マルチマニホールドシャワーヘッド板１１６は、中央から端部
までの処理結果の制御を強化できる。
図１及び図２を参照すると、ガス供給源１０６からの処理ガスは、入口チューブ１２６
の周囲に同心円状に配置されたリングマニホールド１２８内に入口チューブ１２７を介し
て送られていることが分かる。リングマニホールド１２８から、複数のガスチューブ１２
９を介して外側マニホールド１２２へ処理ガスが送られる。一実施形態では、リングマニ
ホールド１２８は、リングマニホールド１２８からガスチューブ１２９内へガスが均等に
流れるのを保証するために再帰的なガス通路を含む。リングマニホールド１２８とガスチ
ューブ１２９は、導電性材料（アルミニウムやステンレス鋼等）から製造される。このよ
うに、リングマニホールド１２８及びガスチューブ１２９は、潜在的に処理領域１０２内
のプラズマの均一性に効果をもたらす上部電極１１２によって提供される電界の偏りを引
き起こすＲＦ電流の対称性に影響を及ぼす可能性がある。
電界中でのこのような偏りを防ぐために、ガスチューブ１２９は、処理装置１００を介
して垂直に延びる中心軸（ＣＡ）周りに対称に配置される。このように、ガスチューブ１
２９は、中心部に位置するリングマニホールド１２８から等間隔の角度（Ａ）で延びてお
り、これによって冷却板１１８を通って外側マニホールド１２２内に処理ガスを供給する
。例えば、図２に示される実施形態は、１２０度の角度を隔てた３本のガスチューブ１２
９を示している。他の例（図示せず）では、中心軸（ＣＡ）の周りに対称に、つまり互い
に等間隔の角度で配置されているならば、より多くの又はより少ないガスチューブ１２９
を使用することもできる。リング状のマニホールドを採用し、中心軸（ＣＡ）周りに対称
にガスチューブ１２９を配置することによって、上部電極１１２の電気的な対称性が、処
理領域１０２内でより均一で整合性のあるプラズマの形成をもたらす点において、従来の
システムよりも大幅に改善される。更に、ガスチューブ１２９の対称的な配置は、外側マ
ニホールド１２２内に均一極座標配列内のガスを提供し、これによって外側マニホールド
１２２内で方位的に均一な圧力分布を提供し、その結果、ガス通路１２３を通して処理領
域１０２内へ方位的に均一なガス流を提供し、これによって処理の均一性を高める。
熱伝導流体が流体入口チューブ１３０を介して伝熱板１１８に流体源１０９から供給さ
れる。流体は、伝熱板１１８内に配置された１以上の流体チャネル１１９を通って循環し
、流体出口チューブ１３１を介して流体供給源１０９に戻される。適当な熱伝導流体は、
水、水ベースのエチレングリコールの混合物、ペルフルオロポリエーテル（例えば、ガル
デン（商標名）流体）、オイルベースの熱伝導流体、又は類似の流体を含む。
流体入口チューブ１３０と流体出口チューブ１３１は、それぞれ非導電性材料（適当な
プラスチック材料等）から製造される。このように、チューブ自体は上部電極１１２の電
気的対称性には影響を与えない。しかしながら、フィッティング１３２は、導電性材料（
アルミニウム又はステンレス鋼等）から製造され、このため偏り効果を引き起こす上部電
極１１２の電気的対称性に影響を及ぼす可能性がある。このように、フィッティング１３
２と同じ材料から製造され、同じ大きさと形状を有する導電プラグ１３３は、図２に示さ
れるように、中心軸（ＣＡ）周りに対称的に配置され、これによってプラグ１３３及びフ
ィッティング１３２は共に、チャンバ本体アセンブリ１４０の中心軸（ＣＡ）周りにセン
タリングされた極座標配列を画定する。導電性プラグ１３３の追加は、上部電極１１２の
電気的な対称性を向上させ、処理領域１０２内において従来のシステムで利用可能なもの
よりもより均一で整合性のあるプラズマ形成をもたらす。
図１に戻って参照すると、チャンバ本体アセンブリ１４０は、処理環境に耐性のある導
電性材料（アルミニウム又はステンレス鋼等）から作られたチャンバ本体１４２を含む。
基板支持アセンブリ１６０は、チャンバ本体１４２内の中央に配置され、中心軸（ＣＡ）
周りに対称的に処理領域１０２内の基板１０５を支持するように配置される。
図３Ａは、処理領域１０２を囲むチャンバ本体１４２の上部内に配置された上部ライナ
ーアセンブリ１４４の概略等角図である。上部ライナーアセンブリ１４４は、導電性のプ
ロセス適合性材料（例えば、アルミニウム、ステンレス鋼、及び／又はイットリア（例え
ば、イットリアを被覆したアルミニウム）等）から構成することができる。実際には、上
部ライナーアセンブリ１４４は、処理領域１０２内のプラズマからチャンバ本体１４２の
上部を遮蔽し、定期的なクリーニング及びメンテナンスを可能にするために取り外し可能
である。一実施形態では、上部ライナーアセンブリ１４４は、チャンバ内の温度対称性及
び処理領域１０２内に供給されるプラズマの対称性を高めるために、例えばＡＣヒーター
（図示せず）によって、温度制御される。
図１及び図３Ａを参照すると、チャンバ本体１４２は、上部ライナーアセンブリ１４４
の外側フランジ１４５を支持する棚部１４３を含む。上部ライナーアセンブリ１４４の内
側フランジ１４６は、上部電極１１２を支持する。絶縁体１１３は、上部ライナーアセン
ブリ１４４と上部電極１１２との間に配置され、これによってチャンバ本体アセンブリ１
４０と上部電極１１２との間の電気的絶縁を提供する。
上部ライナーアセンブリ１４４は、内側及び外側フランジ（１４６、１４５）、底壁１
４８、及び内壁１４９に取り付けられた外壁１４７を含む。外壁１４７及び内壁１４９は
、実質的に垂直な円筒形の壁である。外壁１４７は、処理領域１０２内のプラズマからチ
ャンバ本体１４２を遮蔽するように配置され、内壁１４９は、処理領域１０２内のプラズ
マから基板支持アセンブリ１６０の側面を少なくとも部分的に遮蔽するように配置されて
いる。底壁１４８は、本明細書内で続いて説明される排気通路１８９が形成された一部の
領域を除いて、内壁及び外壁（１４９、１４７）に結合される。
図１に戻って参照すると、処理領域１０２は、基板支持アセンブリ１６０から／への基
板１０５の出し入れを可能にするチャンバ本体１４２内に配置されたスリットバルブトン
ネル１４１を介してアクセスされる。上部ライナーアセンブリ１４４は、スリットバルブ
トンネル１４１に一致する貫通して配置されたスロット１５０を有する。チャンバ本体ア
センブリ１４０は、スリットバルブトンネル１４１及びスロット１５０を密閉するために
スリットバルブドア１５３を垂直方向に拡張し、基板１０５の通過を可能にするために、
スリットバルブドア１５３を垂直方向に格納するように配置され構成されたアクチュエー
タ１５２を含むスリットバルブドアアセンブリ１５１を含む。図面の混乱を最小限にする
ために、スリットバルブドアアセンブリ１５１及びその部品は、図１内でハッチングされ
ていない。スリットバルブドア１５３は、ライナー内での電気的対称性の増加を提供する
ために、上部ライナーアセンブリ１４４の材料（例えば、イットリアを被覆したアルミニ
ウム）と実質的に一致する材料で構成することができる。一実施形態では、スリットバル
ブドア１５３は、処理領域１０２内の熱的対称性の向上を提供するために、上部ライナー
アセンブリ１４４の温度と一致するように、例えば、ＡＣヒータ（図示せず）によって、
温度制御される。
図３Ａを参照すると、スロット１５０の大きさ及び形状に実質的に一致した追加のスロ
ット１５４が、上部ライナーアセンブリ１４４を介して配置されている。スロット１５４
は、中心軸（ＣＡ）周りで対称的に上部ライナーアセンブリ１４４を介して配置されてい
る。例えば、図３Ａに示されるように、２つのスロット１５４が、スロット１５０から１
２０度の角度で配置され、これによってスロット１５０及びスロット１５４は、中心軸（
ＣＡ）周りに極座標配列を形成する。スロット１５４は、スロット１５０の存在に起因し
て上部ライナーアセンブリ１４４内に存在する電流密度及び／又は分布の変化を補正する
ために、上部ライナーアセンブリ１４４の周りで対称的に配置される。また、スロット１
５０及び１５４は、チャンバ内に改善された電気的対称性を提供するために、それぞれの
ガスチューブ１２９に沿って配置することができる。
図３Ｂは、チャンバ本体１４２及び上部ライナーアセンブリ１４４の一部分の部分断面
図である。上部ライナーアセンブリ１４４のスロット１５４に取り付けられ、これを覆う
バッキングライナー１５５を設けてもよい。バッキングライナー１５５は、スリットバル
ブドア１５３を模倣した大きさ、形状、材料から構成されている。また、バッキングライ
ナー１５５は、上部ライナーアセンブリ１４４と導電接触し、上部ライナーアセンブリ１
４４と電気的及び熱的接触を維持する。このように、バッキングライナー１５５は、従来
のシステムで利用可能なものよりも、処理領域１０２内においてより均一なプラズマ密度
を可能にするために、上部ライナーアセンブリ１４４の周りに電気的のみならず熱的対称
性を更に提供する。
図４は、明確にするために基板１０５を取り除いた、図１に示される線４−４に沿って
取られた処理装置１００の模式図である。図１及び図４を参照すると、基板支持アセンブ
リ１６０は、チャンバ本体アセンブリ１４０の中心領域１５６内の中央に配置され、中心
軸（ＣＡ）を共有している。つまり、中心軸（ＣＡ）は、基板支持アセンブリ１６０の中
心を垂直に通る。基板サポートアセンブリ１６０は、一般的に、下部電極１６１（又はカ
ソード）と中心軸（ＣＡ）が中心を通過する中空台座１６２を含み、中心領域１５６内に
配置され、チャンバ本体１４２によって支持された中央支持部材１５７によって支持され
る。中心軸（ＣＡ）は、中央支持部材１５７の中心も通る。下部電極１６１は、マッチン
グネットワーク（図示せず）及び後述するように中空台座１６２を通って導かれたケーブ
ル（図示せず）を介してＲＦ電源１０３に連結されている。ＲＦ電力が上部電極１１２及
び下部電極１６１に供給されると、その間に形成される電界は、処理領域１０２内に存在
する処理ガスに点火してプラズマを生成する。
中央支持部材１５７は、締結具及びＯリング（図示せず）などによって、チャンバ本体
１４２に対して密閉されており、下部電極１６１は、ベローズ１５８などによって、中央
支持部材１５７に対して密閉されている。このように、中心領域１５６は処理領域１０２
から密閉され、処理領域１０２を真空状態に維持しつつ、大気圧に維持することができる
。
作動アセンブリ１６３は、中央領域１５６内に配置され、チャンバ本体１４２及び／又
は中央支持部材１５７に取り付けられている。なお、作動アセンブリ１６３は、図面の混
乱を最小限に抑えるために、ハッチング無しで示されている。作動アセンブリ１６３は、
アクチュエータ１６４（例えば、モータ）、リードスクリュー１６５、及び台座１６２に
取り付けられたナット１６６を含む。実際には、アクチュエータ１６４はリードスクリュ
ー１６５を回転させ、今度はリードスクリュー１６５がナット１６６を上下動させ、こう
して台座１６２を上下動させる。下部電極１６１が台座１６２によって支持されているの
で、作動アセンブリ１６３は、チャンバ本体１４２、中央支持部材１５７、及び上部電極
１１２に対する下部電極１６１の垂直運動を提供する。処理領域１０２内での下部電極１
６１のそのような垂直方向の動きは、下部電極１６１と上部電極１１２との間に可変ギャ
ップを提供し、これによって両者間に形成される電界を増加させる制御を可能にし、同様
に処理領域１０２内に形成されたプラズマの密度をより大きくする制御を提供する。更に
、基板１０５は下部電極１６１によって支持されているので、基板１０５とシャワーヘッ
ド板１１６との間のギャップも変化させることができ、基板１０５全面に亘る処理ガス分
布のより柔軟な制御をもたらす。
また、下部電極１６１によって支持され、上部ライナーアセンブリ１４４の内壁１４９
に重複するプラズマスクリーン１５９が、処理領域１０２内のプラズマから基板支持アセ
ンブリ１６０及びベローズ１５８を保護するために提供される。プラズマスクリーン１５
９は台座１６２に結合され、台座１６２と共に垂直方向に移動するので、プラズマスクリ
ーン１５９と上部ライナーアセンブリ１４４の内壁１４９との間の重複部分は、プラズマ
スクリーン１５９と上部ライナーアセンブリ１４４が外れて、台座１６２の下方の領域の
露出が、処理ガスに曝されることを許容することなしに、台座１６２が全動作範囲を使用
可能にするのに十分である。
基板支持アセンブリ１６０は、リフトピンアセンブリ１６７を更に含み、これによって
基板１０５のロード及びアンロードを促進する。リフトピンアセンブリ１６７は、リフト
ピンプレート１６９に取り付けられたリフトピン１６８を含む。リフトピンプレート１６
９は、下部電極１６１内の開口部１７０内に配置され、リフトピン１６８は、開口部１７
０と処理領域１０２との間に配置されたリフトピン穴１７１を通って延びている。リフト
ピンプレート１６９は、下部電極１６１内の開口部１７３を通って、中空台座１６２内へ
と延びるリードスクリュー１７２に結合されている。アクチュエータ１９５（例えばモー
タ）を台座１６２上に配置することができる。なお、アクチュエータ１９５は、図面の混
乱を最小限に抑えるためにハッチング無しで示されている。アクチュエータ１９５は、リ
ードスクリュー１７２を前進又は後退させるナットを回転させる。リードスクリュー１７
２は、リフトピンプレート１６９に結合されている。このように、アクチュエータ１９５
は、リードスクリュー１７２にリフトピンプレート１６９の上下動を引き起こすので、リ
フトピン１６８は延長又は格納される。したがって、アクチュエータ１９５は、下部電極
１６１の垂直方向の位置には関係なく、リフトピン１６８の延長又は格納を可能にする。
このようなリフトピン１６８の独立した作動を提供することにより、基板１０５の垂直方
向の位置は、下部電極１６１の垂直方向の位置から独立して変更可能であり、これによっ
て基板１０５のロードとアンロードの両方の間、更には基板１０５の処理の間により柔軟
な位置制御を可能とし、例えば、処理中に基板を持ち上げることによって、裏面ガスを基
板の下から逃がすことができる。
基板支持アセンブリ１６０は、開口部１７０を排気領域１０４と連結する通気ライン１
７４を更に含む。通気ライン１７４は、後述するように、中空台座１６２を通って中央に
導かれ、中心軸（ＣＡ）周りに対称的なスポークパターンで配置された複数のアクセスチ
ューブ１８０のうちの１つを通ってチャンバ本体１４２から外へと導かれる。通気ライン
１７４は、リフトピンホール１７１を介して開口部１７０内に漏れる可能性のある任意の
処理ガスを除去するために、開口部１７０の排気用に用意されている。更に、開口部１７
０の排気は、下部電極１６１又はリフトピン１６８上に配置された基板１０５の裏側に存
在する可能性のある処理ガスを除去するのにも役立つ。
基板支持アセンブリ１６０は、貫通して配置され、ガス供給ライン１７８を介して不活
性ガス供給部１７７に結合されたガスポート１７６を含むこともできる。ガス供給部１７
７は、処理ガスが基板１０５の裏面を処理するのを防ぐために、ガス供給ライン１７８及
びガスポート１７６を通して、基板１０５の裏面へ、不活性ガス（ヘリウムなど）を供給
する。ガス供給ライン１７８はまた、中空台座１６２を通って導かれ、複数のアクセスチ
ューブ１８０のうちの１つを通ってチャンバ本体１４２から外へと導かれる。
基板支持アセンブリ１６０は、処理中に下部電極１６１に温度制御を提供するために、
下部電極１６１内の１以上の熱交換チャネル（図示せず）を介して熱交換流体源１９８か
ら導かれた１以上の流体入口ライン１７９及び流体出口ライン１８１を更に含むことがで
きる。流体入口ライン１７９及び流体出口ライン１８１は、下部電極１６１から中空台座
１６２を通して導かれ、複数のアクセスチューブ１８０のうちの１つを通してチャンバ本
体１４２から外へと導かれる。
一実施形態では、基板支持アセンブリ１６０は、下部電極１６１内に配置された１以上
の温度センサ１８２を更に含み、これによって下部電極１６１の温度制御を促進すること
ができる。
一実施形態では、下部電極１６１は、静電チャックであり、したがって、内部に配置さ
れた１以上の電極（図示せず）を含む。電圧源（図示せず）は、基板１０５に対して１以
上の電極にバイアスを掛け、これによって処理中に適所に基板１０５を保持するための吸
引力を生成する。１以上の電極を電圧源に結合するケーブル接続は、中空台座１６２を通
して導かれ、複数のアクセスチューブ１８０のうちの１つを通してチャンバ本体１４２か
ら外へと導かれる。
図５は、チャンバ本体アセンブリ１４０のスポーク１９１内のアクセスチューブ１８０
のレイアウトの概略図である。図１及び図５を参照すると、スポーク１９１及びアクセス
チューブ１８０は、図示されるように、処理装置１００の中心軸（ＣＡ）の周りにスポー
クパターンで対称的に配置されている。図示の実施形態では、３つの同一のアクセスチュ
ーブ１８０が、チャンバ本体１４２を通って中央領域１５６内へと配置され、これによっ
てチャンバ本体１４２の外側から下部電極１６１までの複数のチューブ及びケーブルの供
給を促進する。下部電極１６２の垂直方向の移動を促進するために、アクセスチューブ１
８０のそれぞれを通る開口部１８３は、下部電極１６１の垂直移動範囲にほぼ等しい。例
えば、１つの構成では、下部電極１６２は、約７．２インチの距離、垂直方向に移動可能
である。この場合、アクセスチューブ１８０のそれぞれの開口部１８３の高さも約７．２
インチである。これらの距離をほぼ同じに保つことは、必要なケーブルの長さを最小限に
し、更に下部電極１６１の垂直方向の動作の間にケーブルが結合し摩耗するのを防止する
のに役立つ。また、スポーク１９１の幅（Ｗ）は最小化され、これによって高アスペクト
比（高さ：幅）が提供され、これによってなおもユーティリティ（例えば、ガス、配線）
のための十分な余地を許容しながら、排気チャネル１８９の開放領域は増す。このような
構成は、排ガスの流れ抵抗を低減し、その結果、ポンピングのためのエネルギー消費を低
減させ、より小型で低コストのポンプをもたらす。
下部電極１６１へのケーブル配線を更に促進するために、ケーブル配線は複数のアクセ
スチューブ１８０間で分割される。例えば、流体ライン（１７９、１８１）、ガス供給ラ
イン１７８、及び真空チューブ１７４の全ては、アクセスチューブ１８０ａを通して提供
することができ、温度センサ用ケーブル１８４及びその他の電気ケーブル（例えば、アク
チュエータ１６４、１９５への電気ケーブル）は、アクセスチューブ１８０ｂを通して提
供することができ、ＲＦ電圧供給及びその他の電気ケーブル（例えば、チャッキング機能
用の電極への電気ケーブル）は、アクセスチューブ１８０ｃを通して提供することができ
る。このように、チャンバ本体１４２の外側から下部電極１６２までのケーブルの数と量
は、下部電極１６１の移動を促進するために適切なクリアランスを提供しながら、アクセ
スチューブ１８０のサイズを最小限にするために、アクセスチューブ１８０間で分割され
る。
アクセスチューブ１８０は、アルミニウム又はステンレス鋼などの材料で構成すること
ができる。アクセスチューブ１８０の対称的なスポーク配置は、処理装置１００の電気的
及び熱的な対称性を更に促進するように設計されている。一実施形態では、アクセスチュ
ーブ１８０は、１２０度離れて配置され、アクセスチューブ１８０の各々は、それぞれの
ガスチューブ１２９と整列している。アクセスチューブ１８０の対称的な配置は、処理領
域１０２内ではるかにより均一なプラズマ形成を可能にし、処理中に基板１０５の表面全
域に亘たってプラズマ密度の制御を改善するために、チャンバ本体１４２内、特に処理領
域１０２内に電気的及び熱的な対称性を更に提供する。
図１及び図４に戻って参照すると、排気通路１８９は、中心軸（ＣＡ）周りに対称的に
上部ライナーアセンブリ１４４内に配置されている。排気通路１８９は、処理領域１０２
から排気領域１０４を介して、そして排気ポート１９６を介してチャンバ本体１４２から
外へガスの排出を可能にする。排気ポート１９６は、チャンバ本体アセンブリ１４０の中
心軸（ＣＡ）の周りにセンタリングされ、これによってガスが排気通路１８９を通して均
等に引かれる。排気ライナー１８７は、排気時に処理ガスからチャンバ本体１４２を保護
するために、チャンバ本体１４２内に設けられた排気チャネル１８８内の各々の排気通路
１８９の下方にそれぞれ配置される。排気ライナー１８７は、上述したように、上部ライ
ナーアセンブリ１４４と同様の材料で構成できる。
排気チャネル１８８は、実質的に電気的な相互作用が存在しないように処理領域１０２
から離れて配置されている。しかしながら、中心軸（ＣＡ）周りにおける排気チャネル１
８８の対称的な配置は、処理装置１００内に改善された熱的及びガス流の対称性を提供す
る。例えば、中心軸（ＣＡ）周りの排気チャネル１８８の対称的な配置、したがって、処
理領域１０２は、処理領域１０２からのガスの対称的な除去を促進し、その結果、基板１
０５全域に亘って対称的なガス流をもたらす。また、排気チャネル１８８及び排気ライナ
ー１８７の対称的な配置は、チャンバ内の熱分布の対称性を促進する。このように、処理
装置１００内における排気チャネル１８８の対称的な配置は、処理領域１０２内の均一な
プラズマ形成を促進し、処理領域１０２内のプラズマ密度及びガス流を柔軟に制御できる。
排気アセンブリ１９０は、チャンバ本体１４２の底部で排気領域１０４に隣接して配置
される。排気アセンブリは、真空ポンプ１９４に結合されたスロットルバルブ１９２を含
むことができる。スロットルバルブ１９２は、真空ポンプ１９４と組み合わせて使用する
ポペット型のバルブであってもよく、これによって処理領域１０２から排気通路１８９を
通して、及び中央に配置された排気ポート１８９を通してチャンバから外へ排ガスを対称
的に引くことによって、処理領域１０２内で真空条件を制御することができ、更に処理領
域１０２内のプラズマ条件のより柔軟な制御を提供することができる。図１に示されるよ
うに、ポペット型のバルブは、一様な３６０度のギャップ１９８を提供し、これを通して
排ガスが排気ポート１８９を通して引かれる。対照的に、従来のダンパー型のスロットル
バルブは、排ガスの流れのために不均一なギャップを提供する。例えば、ダンパー型のバ
ルブが開いたときに、バルブの片側はバルブのもう片側よりも多くのガスを引く。このよ
うに、ポペット型のスロットルバルブは、従来のプラズマ処理チャンバで使用される従来
のダンパー型のスロットルバルブよりもガスコンダクタンスの偏りの効果が少ない。
再び図１及び図４を参照すると、導電性傾斜メッシュライナー４００が、上部ライナー
アセンブリ１４４の下部に配置されている。傾斜メッシュライナー４００は、導電性プロ
セス適合性材料（例えば、アルミニウム、ステンレス鋼、及び／又はイットリア（例えば
、イットリアを被覆したアルミニウム））から構成することができる。傾斜メッシュライ
ナー４００は底壁４０２及び底壁４０２から外側上向きに角度を付けて延びる外壁４０４
を有することができる。外壁４０４は、貫通して形成された複数の開口部４１０を有する
ことができる。開口部４１０は、傾斜メッシュライナー４００の中心軸周りに対称的に配
置することができ、これによってそれを通して排ガスを均一に引くことを可能にし、次に
は処理領域１０２内の均一なプラズマ形成を促進し、処理領域１０２内のプラズマ密度及
びガス流のより柔軟な制御を可能にする。一実施形態では、傾斜メッシュライナー４００
の中心軸は、チャンバ本体アセンブリ１４０の中心軸（ＣＡ）と整列している。
メッシュライナー４００の底壁４０２は、上部ライナーアセンブリ１４４の底壁１４８
及び／又は内壁１４９に電気的に結合することができる。更に、メッシュライナー４００
の外壁４０４は、上部電極ライナーアセンブリ１４４の外壁１４７に電気的に結合するこ
とができる。ＲＦプラズマが処理領域１０２内に存在する場合には、グランドへのリター
ンパスを求めるＲＦ電流は、メッシュライナー４００の表面に沿って上部ライナーアセン
ブリ１４４の外壁１４７へと伝わることができる。こうして、メッシュライナー４００の
環状対称構成は、グランドへの対称なＲＦリターンを提供し、上部ライナーアセンブリ４
００の下部に任意のＲＦ対称性をバイパスする。
したがって、本発明の実施形態は、極めて対称的な、電気的な、熱的な、及びチャンバ
を通過するガス流のコンダクタンスを可能にするチャンバ設計を提供することにより、チ
ャンバ内の非対称性に起因する均一なプラズマ密度を提供するのが困難な従来のプラズマ
システムの問題を解決する。このような対称性を提供することにより、チャンバ内で形成
されたプラズマは、チャンバの処理領域内に配置された基板の表面全体に亘って均一性を
自然に改善した。この改善された対称性と共に、他のチャンバへの追加（例えば、上部電
極と下部電極との間や、ガス流入口と被処理基板の間のギャップを操作する機能を提供す
るなど）は、従来のシステムに比べて、より優れたプラズマ処理の制御と均一性を可能に
する。
上記は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の及び更なる実施形態は本発
明の基本的範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の特許請求の範
囲に基づいて定められる。

Claims (20)

  1. 処理領域を囲む蓋アセンブリ及びチャンバ本体と、
    チャンバ本体内に排気領域を画定する排気アセンブリと、
    蓋アセンブリの下方でチャンバ本体に結合された中央支持部材と、
    処理領域と排気領域の間に配置され、中央支持部材に移動自在に結合された基板支持アセンブリであって、基板支持アセンブリは、下部電極と支持台を含み、下部電極は、中央支持部材に対して密閉され、中央領域を囲み、処理領域及び排気領域から中央領域を隔離している基板支持アセンブリと、
    基板支持アセンブリの周りに対称的に配置され、処理領域を排気領域に流体接続させる複数の排気チャネルと、
    チャンバ本体を貫通して中央支持部材の下方に配置され、中央領域へのアクセスを提供する複数のアクセスチューブとを含むプラズマ処理装置。
  2. チャンバ本体は、基板支持台の中心軸の周りに対称的に貫通形成された排気口を有する請求項１記載の装置。
  3. 蓋アセンブリは、処理ガスを処理領域内に分配するように構成された中央マニホールドと、処理ガスを処理領域内に分配するように構成された１以上の外側マニホールドとを有する上部電極を含む請求項１記載の装置。
  4. 基板支持アセンブリの中心軸周りに対称的に配置された複数のガスチューブを介して、１以上の外側マニホールドに結合されたリングマニホールドを含む請求項３記載の装置。
  5. 蓋アセンブリは、
    各々が導電性フィッティングを有する流体入口及び流体出口と、
    複数の導電性プラグを含み、導電性フィッティング及び導電性プラグは、基板支持アセンブリの中心軸周りに対称的に配置されている請求項１記載の装置。
  6. アクセスチューブのうちの１つを通して提供され、下部電極内に配置された１以上のリフトピンホールに流体結合される真空チューブを含む請求項１記載の装置。
  7. 中央領域内に配置され、中央支持部材に結合され、基板支持アセンブリをある距離垂直に移動させるように構成される第１作動装置を含む請求項１記載の装置。
  8. 前記距離は、アクセスチューブの各々の開口部の垂直方向の長さと実質的に同じである請求項７記載の装置。
  9. 中央領域内に配置され、基板支持アセンブリ内に配置された複数の基板支持ピンを垂直に移動させるように構成される第２作動装置を含む請求項１記載の装置。
  10. 処理領域を囲む上部ライナーを含み、上部ライナーは、貫通して配置され、基板支持アセンブリの中心軸周りに対称的に配置された複数のスロットを備えた円筒壁を有する請求項１記載の装置。
  11. 複数のスロットのうちの少なくとも１つを覆う円筒壁に結合されたバッキングライナーを含む請求項１０記載の装置。
  12. 基板支持アセンブリの周りに環状に配置され、上部ライナーに電気的に結合されたメッシュライナーを含む請求項１０記載の装置。
  13. メッシュライナーは上部ライナーの底壁に結合され、貫通して配置される複数の開口部を有し、複数の開口部は、メッシュライナーの中心軸周りに対称的に配置される請求項１２記載の装置。
  14. プラズマ処理装置であって、
    処理領域を囲む蓋アセンブリ及びチャンバ本体であって、蓋アセンブリは、
    処理ガスを処理領域内に分配するように構成された中央マニホールドと、処理ガスを処理領域内に分配するように構成された１以上の外側マニホールドを有する上部電極と、
    垂直軸の周りに対称的に配置された複数のガスチューブを介して、１以上の外側マニホールドに結合されたリングマニホールドを含む蓋アセンブリ及びチャンバ本体と、
    チャンバ本体内の垂直軸の周りに対称的に配置された複数の排気チャネルと、
    蓋アセンブリの下方でチャンバ本体に結合された中央支持部材と、
    チャンバ本体内で処理領域と排気領域との間に垂直軸と同一直線上の中心軸の周りに配置された基板支持アセンブリであって、基板支持アセンブリは中央支持部材に移動自在に結合され、
    中央支持部材に対して密閉され、処理領域から中央領域を流体密閉するチャンバ本体の中央領域内に配置された下部電極及び支持台と、
    チャンバ本体を貫通して配置され、中央領域へのアクセスを提供する複数のアクセスチューブであって、支持台の下方に配置されたチャンバ本体から水平方向に延びる複数のアクセスチューブとを含む基板支持アセンブリとを含むプラズマ処理装置。
  15. 蓋アセンブリは、
    各々が導電性フィッティングを有する流体入口及び流体出口と、
    複数の導電性プラグを含み、導電性フィッティング及び導電性プラグは、基板支持アセンブリの中心軸周りに対称的に配置されている請求項１４記載の装置。
  16. 基板支持アセンブリは、中央領域内に配置され、中央支持部材に結合され、基板支持アセンブリをある距離垂直に移動させるように構成される第１作動装置を含む請求項１４記載の装置。
  17. 前記距離は、アクセスチューブの各々の開口部の垂直方向の長さと実質的に同じである請求項１６記載の装置。
  18. 中央領域内に配置され、基板支持アセンブリ内に配置された複数の基板支持ピンを垂直に移動させるように構成される第２作動装置を含む請求項１６記載の装置。
  19. プラズマ処理装置であって、
    上部ライナーの底壁の上方に位置する処理領域を囲む蓋アセンブリ及びチャンバ本体と、
    蓋アセンブリの下方でチャンバ本体に結合された中央支持部材と、
    中央支持部材に移動自在に結合され、処理領域と排気領域との間に配置された基板支持アセンブリであって、基板支持アセンブリは、
    中央支持部材に対して密閉されたチャンバ本体の中央領域内に配置され、中央領域を囲み、処理領域及び排気領域から中央領域を密閉する下部電極及び支持台と、
    チャンバ本体を貫通して配置され、中央領域へのアクセスを提供する複数のアクセスチューブであって、中央支持部材の下方に配置されたチャンバ本体から水平方向に延び、基板支持アセンブリの中心軸の周りに対称的にスポークパターンで離間されて配置される複数のアクセスチューブとを含む基板支持アセンブリと、
    基板支持アセンブリの中心軸の周りに対称的に配置された上部ライナーの底壁内に配置された複数の排気通路と、
    排気領域を画定し、チャンバ本体内で中心軸の周りに対称的に配置された複数の排気チャネルであって、各々は、複数のアクセスチューブのうちの２つの間の複数の排気通路のうちの対応する１つの下方に延び、各々のアクセスチューブは、処理領域から垂直方向に離間している複数の排気チャネルとを含むプラズマ処理装置。
  20. 基板支持アセンブリは、中央領域内に配置され、中央支持部材に結合され、基板支持アセンブリをある距離垂直に移動させるように構成される第１作動装置を含む請求項１９記載の装置。
JP2017130091A 2011-10-05 2017-07-03 対称プラズマ処理チャンバ Active JP6346698B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161543565P 2011-10-05 2011-10-05
US61/543,565 2011-10-05

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013079172A Division JP6300451B2 (ja) 2011-10-05 2013-04-05 対称プラズマ処理チャンバ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017228531A true JP2017228531A (ja) 2017-12-28
JP6346698B2 JP6346698B2 (ja) 2018-06-20

Family

ID=48022257

Family Applications (10)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012222719A Active JP6308716B2 (ja) 2011-10-05 2012-10-05 対称プラズマ処理チャンバ
JP2013079246A Pending JP2013211269A (ja) 2011-10-05 2013-04-05 対称プラズマ処理チャンバ
JP2013079051A Active JP6168823B2 (ja) 2011-10-05 2013-04-05 対称性を有するプラズマ処理装置および蓋アセンブリ
JP2013079053A Active JP6177567B2 (ja) 2011-10-05 2013-04-05 対称プラズマ処理チャンバ
JP2013079172A Active JP6300451B2 (ja) 2011-10-05 2013-04-05 対称プラズマ処理チャンバ
JP2017130091A Active JP6346698B2 (ja) 2011-10-05 2017-07-03 対称プラズマ処理チャンバ
JP2017208841A Active JP6815302B2 (ja) 2011-10-05 2017-10-30 対称プラズマ処理チャンバ
JP2020001158A Active JP7030144B2 (ja) 2011-10-05 2020-01-08 対称プラズマ処理チャンバ
JP2021187619A Active JP7250098B2 (ja) 2011-10-05 2021-11-18 対称プラズマ処理チャンバ
JP2023043799A Pending JP2023078317A (ja) 2011-10-05 2023-03-20 対称プラズマ処理チャンバ

Family Applications Before (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012222719A Active JP6308716B2 (ja) 2011-10-05 2012-10-05 対称プラズマ処理チャンバ
JP2013079246A Pending JP2013211269A (ja) 2011-10-05 2013-04-05 対称プラズマ処理チャンバ
JP2013079051A Active JP6168823B2 (ja) 2011-10-05 2013-04-05 対称性を有するプラズマ処理装置および蓋アセンブリ
JP2013079053A Active JP6177567B2 (ja) 2011-10-05 2013-04-05 対称プラズマ処理チャンバ
JP2013079172A Active JP6300451B2 (ja) 2011-10-05 2013-04-05 対称プラズマ処理チャンバ

Family Applications After (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017208841A Active JP6815302B2 (ja) 2011-10-05 2017-10-30 対称プラズマ処理チャンバ
JP2020001158A Active JP7030144B2 (ja) 2011-10-05 2020-01-08 対称プラズマ処理チャンバ
JP2021187619A Active JP7250098B2 (ja) 2011-10-05 2021-11-18 対称プラズマ処理チャンバ
JP2023043799A Pending JP2023078317A (ja) 2011-10-05 2023-03-20 対称プラズマ処理チャンバ

Country Status (5)

Country Link
US (8) US9741546B2 (ja)
JP (10) JP6308716B2 (ja)
KR (12) KR101361757B1 (ja)
CN (6) CN103050363B (ja)
TW (13) TWI659674B (ja)

Families Citing this family (355)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
TWI502617B (zh) 2010-07-21 2015-10-01 應用材料股份有限公司 用於調整電偏斜的方法、電漿處理裝置與襯管組件
KR20120043636A (ko) * 2010-10-26 2012-05-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 ｃｖｄ 장치
JP5837178B2 (ja) * 2011-03-22 2015-12-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 化学気相堆積チャンバ用のライナアセンブリ
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
TWI659674B (zh) * 2011-10-05 2019-05-11 應用材料股份有限公司 電漿處理設備及蓋組件
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10586686B2 (en) 2011-11-22 2020-03-10 Law Research Corporation Peripheral RF feed and symmetric RF return for symmetric RF delivery
KR102044568B1 (ko) * 2011-11-24 2019-11-13 램 리써치 코포레이션 대칭형 rf 복귀 경로 라이너
US9082590B2 (en) 2012-07-20 2015-07-14 Applied Materials, Inc. Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and RF distribution plates
US10170279B2 (en) 2012-07-20 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Multiple coil inductively coupled plasma source with offset frequencies and double-walled shielding
US9449794B2 (en) 2012-07-20 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and spiral coil antenna
US9879684B2 (en) 2012-09-13 2018-01-30 Kla-Tencor Corporation Apparatus and method for shielding a controlled pressure environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
KR102130061B1 (ko) 2013-03-15 2020-07-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 매우 대칭적인 4-폴드 가스 주입부를 갖는 플라즈마 반응기
JP6457498B2 (ja) * 2013-05-23 2019-01-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 半導体処理チャンバ用の被覆されたライナーアセンブリ
US9837250B2 (en) * 2013-08-30 2017-12-05 Applied Materials, Inc. Hot wall reactor with cooled vacuum containment
KR101518398B1 (ko) * 2013-12-06 2015-05-08 참엔지니어링(주) 기판 처리 장치
CN104752131B (zh) * 2013-12-25 2017-07-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 上电极组件进气装置及上电极组件
KR20160118205A (ko) * 2014-02-06 2016-10-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 개선된 유동 전도성 및 균일성을 위해 축방향으로 대칭가능한 인라인 ｄｐｓ 챔버 하드웨어 설계
CN104862667B (zh) * 2014-02-26 2017-04-19 甘志银 对称的气相沉积设备的反应腔体
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
JP6660936B2 (ja) * 2014-04-09 2020-03-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 改良されたフロー均一性／ガスコンダクタンスを備えた可変処理容積に対処するための対称チャンバ本体設計アーキテクチャ
US20150371889A1 (en) * 2014-06-20 2015-12-24 Applied Materials, Inc. Methods for shallow trench isolation formation in a silicon germanium layer
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
KR102262109B1 (ko) * 2014-08-01 2021-06-10 세메스 주식회사 플라즈마 발생 장치, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 및 기판 처리 균일도 조절 방법
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
JP6544902B2 (ja) * 2014-09-18 2019-07-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP6373160B2 (ja) * 2014-10-15 2018-08-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR102438139B1 (ko) 2014-12-22 2022-08-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 높은 처리량의 프로세싱 챔버를 위한 프로세스 키트
US11333246B2 (en) * 2015-01-26 2022-05-17 Applied Materials, Inc. Chamber body design architecture for next generation advanced plasma technology
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10049862B2 (en) * 2015-04-17 2018-08-14 Lam Research Corporation Chamber with vertical support stem for symmetric conductance and RF delivery
KR101682155B1 (ko) * 2015-04-20 2016-12-02 주식회사 유진테크 기판 처리 장치
KR101792941B1 (ko) * 2015-04-30 2017-11-02 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이 화학기상증착장치 및 그 세정방법
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US11004661B2 (en) * 2015-09-04 2021-05-11 Applied Materials, Inc. Process chamber for cyclic and selective material removal and etching
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
JP6607795B2 (ja) * 2016-01-25 2019-11-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
KR102206515B1 (ko) * 2016-03-25 2021-01-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고온 프로세싱을 위한 챔버 라이너
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
CN109314034B (zh) * 2016-06-15 2021-11-16 瑞士艾发科技 真空处理室及制造真空处理的板形基底的方法
KR102251209B1 (ko) * 2016-06-15 2021-05-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고 전력 플라즈마 에칭 프로세스들을 위한 가스 분배 플레이트 조립체
KR101680850B1 (ko) * 2016-06-28 2016-11-29 주식회사 기가레인 배기유로의 크기가 조절되는 플라즈마 처리 장치
US9958782B2 (en) * 2016-06-29 2018-05-01 Applied Materials, Inc. Apparatus for post exposure bake
US20180005851A1 (en) * 2016-07-01 2018-01-04 Lam Research Corporation Chamber filler kit for dielectric etch chamber
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
JP6738485B2 (ja) * 2016-08-26 2020-08-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 低圧リフトピンキャビティハードウェア
WO2018039315A1 (en) * 2016-08-26 2018-03-01 Applied Materials, Inc. Plasma screen for plasma processing chamber
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102587615B1 (ko) * 2016-12-21 2023-10-11 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치의 온도 조절기 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
CN108257840B (zh) * 2016-12-29 2021-03-30 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子处理装置
CN106783500A (zh) * 2017-01-03 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 镀膜设备
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10559451B2 (en) * 2017-02-15 2020-02-11 Applied Materials, Inc. Apparatus with concentric pumping for multiple pressure regimes
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) * 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10636629B2 (en) 2017-10-05 2020-04-28 Applied Materials, Inc. Split slit liner door
KR102470206B1 (ko) * 2017-10-13 2022-11-23 삼성디스플레이 주식회사 금속 산화막의 제조 방법 및 금속 산화막을 포함하는 표시 소자
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
CN108346554A (zh) * 2018-04-24 2018-07-31 西南林业大学 一种等离子体刻蚀与沉积设备及方法
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US10555412B2 (en) 2018-05-10 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
JP7301075B2 (ja) * 2018-06-14 2023-06-30 エムケーエス インストゥルメンツ，インコーポレイテッド リモートプラズマ源用のラジカル出力モニタ及びその使用方法
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
JP6921796B2 (ja) * 2018-09-28 2021-08-18 芝浦メカトロニクス株式会社 プラズマ処理装置
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
WO2020081644A1 (en) * 2018-10-18 2020-04-23 Lam Research Corporation Lower plasma exclusion zone ring for bevel etcher
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11476145B2 (en) 2018-11-20 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias
SG11202103597SA (en) 2018-11-21 2021-06-29 Applied Materials Inc Device and method for tuning plasma distribution using phase control
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
CN111383896B (zh) * 2018-12-29 2023-10-13 北京北方华创微电子装备有限公司 内衬及反应腔室
US11127610B2 (en) * 2019-01-04 2021-09-21 Lam Research Corporation Split chamber assembly
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
WO2020154310A1 (en) 2019-01-22 2020-07-30 Applied Materials, Inc. Feedback loop for controlling a pulsed voltage waveform
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11508554B2 (en) 2019-01-24 2022-11-22 Applied Materials, Inc. High voltage filter assembly
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20210135357A (ko) * 2019-04-05 2021-11-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 가변 유동 밸브를 갖는 프로세스 시스템
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
WO2020231665A1 (en) * 2019-05-13 2020-11-19 Applied Materials, Inc. Titanium liner to reduce metal contamination
JP7329960B2 (ja) * 2019-05-14 2023-08-21 東京エレクトロン株式会社 載置台およびプラズマ処理装置
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
CN114072898A (zh) 2019-05-24 2022-02-18 应用材料公司 基板处理腔室
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
JP7374016B2 (ja) * 2019-06-18 2023-11-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR20200145977A (ko) 2019-06-21 2020-12-31 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR102239116B1 (ko) * 2019-08-07 2021-04-09 세메스 주식회사 기판처리장치
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
CN112447579B (zh) * 2019-09-04 2023-10-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理器、晶片顶升装置及其方法
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
CN110571119A (zh) * 2019-09-05 2019-12-13 合肥晞隆光电有限公司 离子源放电室导气结构以及离子源
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US11564292B2 (en) 2019-09-27 2023-01-24 Applied Materials, Inc. Monolithic modular microwave source with integrated temperature control
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
US11236424B2 (en) * 2019-11-01 2022-02-01 Applied Materials, Inc. Process kit for improving edge film thickness uniformity on a substrate
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
CN113035680B (zh) * 2019-12-24 2024-06-14 中微半导体设备(上海)股份有限公司 用于真空设备的调平机构和等离子体处理装置
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11581206B2 (en) 2020-03-06 2023-02-14 Applied Materials, Inc. Capacitive sensor for chamber condition monitoring
US11545346B2 (en) 2020-03-06 2023-01-03 Applied Materials, Inc. Capacitive sensing data integration for plasma chamber condition monitoring
US11415538B2 (en) 2020-03-06 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Capacitive sensor housing for chamber condition monitoring
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
US12100576B2 (en) * 2020-04-30 2024-09-24 Applied Materials, Inc. Metal oxide preclean chamber with improved selectivity and flow conductance
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202203319A (zh) * 2020-06-24 2022-01-16 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11462389B2 (en) 2020-07-31 2022-10-04 Applied Materials, Inc. Pulsed-voltage hardware assembly for use in a plasma processing system
JP7479236B2 (ja) 2020-07-31 2024-05-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
US11901157B2 (en) 2020-11-16 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
JP2022079159A (ja) * 2020-11-16 2022-05-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US11798790B2 (en) 2020-11-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
CN112509901B (zh) * 2020-11-19 2022-03-22 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室及半导体工艺设备
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11499223B2 (en) 2020-12-10 2022-11-15 Applied Materials, Inc. Continuous liner for use in a processing chamber
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
US11881375B2 (en) 2021-04-15 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Common substrate and shadow ring lift apparatus
US11495470B1 (en) 2021-04-16 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma
JP7308330B2 (ja) 2021-05-10 2023-07-13 ピコサン オーワイ 基板処理装置及び方法
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
US11948780B2 (en) 2021-05-12 2024-04-02 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11791138B2 (en) 2021-05-12 2023-10-17 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11967483B2 (en) 2021-06-02 2024-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma excitation with ion energy control
US20220399185A1 (en) 2021-06-09 2022-12-15 Applied Materials, Inc. Plasma chamber and chamber component cleaning methods
US11810760B2 (en) 2021-06-16 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of ion current compensation
US11569066B2 (en) 2021-06-23 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US11476090B1 (en) 2021-08-24 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Voltage pulse time-domain multiplexing
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
US12106938B2 (en) 2021-09-14 2024-10-01 Applied Materials, Inc. Distortion current mitigation in a radio frequency plasma processing chamber
US11694876B2 (en) 2021-12-08 2023-07-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing
CN114420604A (zh) * 2022-01-17 2022-04-29 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室组件、半导体工艺设备及其方法
DE102022102768A1 (de) * 2022-02-07 2023-08-10 Stephan Wege Symmetrischer Prozessreaktor
JP7245378B1 (ja) 2022-03-23 2023-03-23 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 基板処理装置
JP7092959B1 (ja) 2022-03-23 2022-06-28 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 基板処理装置
US11972924B2 (en) 2022-06-08 2024-04-30 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US12111341B2 (en) 2022-10-05 2024-10-08 Applied Materials, Inc. In-situ electric field detection method and apparatus
KR102627141B1 (ko) * 2023-07-20 2024-01-23 (주)효진이앤하이 플라즈마 가스 변환 시스템

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06112165A (ja) * 1992-09-29 1994-04-22 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd プラズマ処理装置
JPH0955374A (ja) * 1995-06-08 1997-02-25 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2001077088A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2002025987A (ja) * 2000-07-07 2002-01-25 Tokyo Electron Ltd 誘導結合プラズマ処理装置
JP2006501609A (ja) * 2002-09-30 2006-01-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システムにおける、堆積シールドを有する改良された上部電極板のための方法及び装置
JP2010171286A (ja) * 2009-01-26 2010-08-05 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置

Family Cites Families (167)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5841658B2 (ja) * 1979-06-15 1983-09-13 パイオニア株式会社 ドライエッチング装置
JPS5841658A (ja) 1981-09-02 1983-03-10 Furukawa Electric Co Ltd:The 連続鋳造法
US4982067A (en) * 1988-11-04 1991-01-01 Marantz Daniel Richard Plasma generating apparatus and method
JPH02224231A (ja) * 1988-11-30 1990-09-06 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2888253B2 (ja) * 1989-07-20 1999-05-10 富士通株式会社 化学気相成長法およびその実施のための装置
JPH0383334A (ja) 1989-08-28 1991-04-09 Tokyo Electron Ltd プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
US6545420B1 (en) 1990-07-31 2003-04-08 Applied Materials, Inc. Plasma reactor using inductive RF coupling, and processes
US5698070A (en) * 1991-12-13 1997-12-16 Tokyo Electron Limited Method of etching film formed on semiconductor wafer
US5346578A (en) * 1992-11-04 1994-09-13 Novellus Systems, Inc. Induction plasma source
JP2593282Y2 (ja) * 1992-11-10 1999-04-05 株式会社島津製作所 プラズマｃｖｄ装置
JPH06295866A (ja) 1993-04-08 1994-10-21 Canon Inc プラズマ反応装置
JPH07249586A (ja) * 1993-12-22 1995-09-26 Tokyo Electron Ltd 処理装置及びその製造方法並びに被処理体の処理方法
JP3671379B2 (ja) 1994-02-03 2005-07-13 アネルバ株式会社 静電吸着された被処理基板の離脱機構を持つプラズマ処理装置および静電吸着された被処理基板の離脱方法
JP3608121B2 (ja) * 1994-03-18 2005-01-05 アネルバ株式会社 基板の機械的脱離機構およびその機構を用いた脱離方法
TW254030B (en) * 1994-03-18 1995-08-11 Anelva Corp Mechanic escape mechanism for substrate
US5900103A (en) 1994-04-20 1999-05-04 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
US5641375A (en) * 1994-08-15 1997-06-24 Applied Materials, Inc. Plasma etching reactor with surface protection means against erosion of walls
JP3360098B2 (ja) * 1995-04-20 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置のシャワーヘッド構造
JP3121524B2 (ja) * 1995-06-07 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 エッチング装置
US5708556A (en) 1995-07-10 1998-01-13 Watkins Johnson Company Electrostatic chuck assembly
US6070551A (en) 1996-05-13 2000-06-06 Applied Materials, Inc. Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films
US5820723A (en) * 1996-06-05 1998-10-13 Lam Research Corporation Universal vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support
US5948704A (en) 1996-06-05 1999-09-07 Lam Research Corporation High flow vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support
US6170428B1 (en) 1996-07-15 2001-01-09 Applied Materials, Inc. Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor
US5800621A (en) 1997-02-10 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Plasma source for HDP-CVD chamber
US6432203B1 (en) 1997-03-17 2002-08-13 Applied Komatsu Technology, Inc. Heated and cooled vacuum chamber shield
US6083344A (en) 1997-05-29 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Multi-zone RF inductively coupled source configuration
US6189483B1 (en) 1997-05-29 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Process kit
JP3501930B2 (ja) * 1997-12-01 2004-03-02 株式会社ルネサステクノロジ プラズマ処理方法
US6273022B1 (en) * 1998-03-14 2001-08-14 Applied Materials, Inc. Distributed inductively-coupled plasma source
US6073577A (en) * 1998-06-30 2000-06-13 Lam Research Corporation Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof
US6192827B1 (en) 1998-07-03 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Double slit-valve doors for plasma processing
US6231716B1 (en) * 1998-11-09 2001-05-15 Applied Materials, Inc. Processing chamber with rapid wafer exchange
JP2000286242A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US20040149214A1 (en) * 1999-06-02 2004-08-05 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
US6245192B1 (en) * 1999-06-30 2001-06-12 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
JP2001023955A (ja) * 1999-07-07 2001-01-26 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置
US6406545B2 (en) * 1999-07-27 2002-06-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor workpiece processing apparatus and method
JP4394778B2 (ja) 1999-09-22 2010-01-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP4592856B2 (ja) 1999-12-24 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 バッフル板及びガス処理装置
JP4437351B2 (ja) * 2000-01-14 2010-03-24 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマエッチング装置
US6517634B2 (en) 2000-02-28 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber lid assembly
US6572708B2 (en) 2000-02-28 2003-06-03 Applied Materials Inc. Semiconductor wafer support lift-pin assembly
US7196283B2 (en) * 2000-03-17 2007-03-27 Applied Materials, Inc. Plasma reactor overhead source power electrode with low arcing tendency, cylindrical gas outlets and shaped surface
JP4454781B2 (ja) * 2000-04-18 2010-04-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4291499B2 (ja) 2000-06-28 2009-07-08 パナソニック株式会社 真空処理装置
US6403491B1 (en) * 2000-11-01 2002-06-11 Applied Materials, Inc. Etch method using a dielectric etch chamber with expanded process window
JP4535356B2 (ja) * 2000-12-19 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 プラズマ装置
AU2002227418A1 (en) 2001-01-22 2002-08-06 Tokyo Electron Limited Vertically translatable chuck assembly and method for a plasma reactor system
US6514870B2 (en) 2001-01-26 2003-02-04 Applied Materials, Inc. In situ wafer heat for reduced backside contamination
KR100443905B1 (ko) * 2001-03-23 2004-08-09 삼성전자주식회사 화학 기상 증착장치
JP2002286242A (ja) * 2001-03-27 2002-10-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 空気調和装置
JP2002343787A (ja) 2001-05-17 2002-11-29 Research Institute Of Innovative Technology For The Earth プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法
JP2002367965A (ja) 2001-06-05 2002-12-20 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US6527911B1 (en) * 2001-06-29 2003-03-04 Lam Research Corporation Configurable plasma volume etch chamber
TWI234417B (en) 2001-07-10 2005-06-11 Tokyo Electron Ltd Plasma procesor and plasma processing method
KR100431660B1 (ko) * 2001-07-24 2004-05-17 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조를 위한 건식 식각 장치
JP2003056617A (ja) 2001-08-20 2003-02-26 Nissan Motor Co Ltd 衝撃エネルギ吸収構造部材
JP2003124287A (ja) * 2001-10-19 2003-04-25 Komatsu Electronic Metals Co Ltd エピタキシャルウェハ製造装置及びウェハ製造方法
JP2003163206A (ja) * 2001-11-28 2003-06-06 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及びマルチチャンバシステム
JP4030302B2 (ja) * 2001-12-18 2008-01-09 株式会社アルバック 真空処理装置
JP4389424B2 (ja) 2001-12-25 2009-12-24 東京エレクトロン株式会社 被処理体の搬送機構及び処理システム
AU2002367178A1 (en) * 2001-12-27 2003-07-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Etching method and plasma etching device
WO2003060973A1 (fr) * 2002-01-10 2003-07-24 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement
US6664738B2 (en) 2002-02-27 2003-12-16 Hitachi, Ltd. Plasma processing apparatus
JP4099092B2 (ja) * 2002-03-26 2008-06-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法、高速ロータリバルブ
US20050139321A1 (en) 2002-07-03 2005-06-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP4127488B2 (ja) 2002-07-03 2008-07-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
ITBO20020440A1 (it) * 2002-07-05 2004-01-05 Cefla Coop Unita per l ' acquisizione e la visualizzazione di immagini radiografiche dentali
US7311942B2 (en) * 2002-08-29 2007-12-25 Micron Technology, Inc. Method for binding halide-based contaminants during formation of a titanium-based film
JP4141234B2 (ja) 2002-11-13 2008-08-27 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
JP4584565B2 (ja) 2002-11-26 2010-11-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20040129221A1 (en) 2003-01-08 2004-07-08 Jozef Brcka Cooled deposition baffle in high density plasma semiconductor processing
JP4173389B2 (ja) * 2003-03-19 2008-10-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4079834B2 (ja) * 2003-06-04 2008-04-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
JP2005034817A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Ucb Sa 放射線硬化可能な固体粒状組成物から耐熱性の隆起したプリントの形成方法
TWM250219U (en) 2003-07-22 2004-11-11 Global Win Technology Co Ltd Fixing apparatus of water-cooling heat sink
US20050022736A1 (en) * 2003-07-29 2005-02-03 Lam Research Inc., A Delaware Corporation Method for balancing return currents in plasma processing apparatus
EP1667217A1 (en) * 2003-09-03 2006-06-07 Tokyo Electron Limited Gas treatment device and heat readiting method
JP4607517B2 (ja) * 2003-09-03 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2005089823A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Seiji Sagawa 成膜装置および成膜方法
JP4288127B2 (ja) * 2003-09-30 2009-07-01 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置
US7294224B2 (en) * 2003-12-01 2007-11-13 Applied Materials, Inc. Magnet assembly for plasma containment
US20050230350A1 (en) * 2004-02-26 2005-10-20 Applied Materials, Inc. In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
US8317968B2 (en) * 2004-04-30 2012-11-27 Lam Research Corporation Apparatus including gas distribution member supplying process gas and radio frequency (RF) power for plasma processing
CN100449708C (zh) * 2004-05-27 2009-01-07 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
DE102004028784A1 (de) * 2004-06-16 2006-01-05 Behr Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Luftzuführung in einen Innenraum eines Fahrzeuges
TWI574318B (zh) * 2004-06-21 2017-03-11 Tokyo Electron Ltd A plasma processing apparatus, a plasma processing method, and a computer-readable recording medium
KR101063737B1 (ko) * 2004-07-09 2011-09-08 주성엔지니어링(주) 기판 제조장비의 샤워헤드
JP4559202B2 (ja) * 2004-07-30 2010-10-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置
JP4770167B2 (ja) * 2004-12-16 2011-09-14 株式会社島津製作所 表面波励起プラズマｃｖｄ装置を用いた成膜方法
KR100661744B1 (ko) 2004-12-23 2006-12-27 주식회사 에이디피엔지니어링 플라즈마 처리장치
KR100572118B1 (ko) 2005-01-28 2006-04-18 주식회사 에이디피엔지니어링 플라즈마 처리장치
JP4979576B2 (ja) * 2005-03-30 2012-07-18 パナソニック株式会社 プラズマドーピング方法及びプラズマ処理装置
US7541826B2 (en) * 2005-05-13 2009-06-02 Kla-Tencor Corporation Compliant pad wafer chuck
KR20060127599A (ko) * 2005-06-08 2006-12-13 삼성전자주식회사 기판처리장치
US7621285B2 (en) * 2005-09-15 2009-11-24 Steris Inc. Tunnel washer system with improved cleaning efficiency
DE102005046463A1 (de) * 2005-09-22 2007-04-05 Infineon Technologies Ag Plasmabearbeitungsgerät
JP4665795B2 (ja) * 2006-02-23 2011-04-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
WO2007099957A1 (ja) 2006-02-28 2007-09-07 Tokyo Electron Limited プラズマ処理装置およびそれに用いる基板加熱機構
JP4878188B2 (ja) 2006-03-20 2012-02-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、堆積物モニタ装置、及び堆積物モニタ方法
US7432467B2 (en) 2006-03-28 2008-10-07 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP5031252B2 (ja) 2006-03-30 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
ATE505703T1 (de) * 2006-05-29 2011-04-15 Webasto Ag Kälte- und/oder wärmespeicher
JP4850592B2 (ja) * 2006-06-14 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2007335755A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
EP1879382B1 (en) * 2006-07-10 2017-09-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Multi-screen display apparatus and method for digital broadcast receiver
US20080029032A1 (en) * 2006-08-01 2008-02-07 Sun Jennifer Y Substrate support with protective layer for plasma resistance
JP2008041969A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板の脱離方法
KR101480971B1 (ko) 2006-10-10 2015-01-09 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 전구체 전달 시스템
US20080193673A1 (en) 2006-12-05 2008-08-14 Applied Materials, Inc. Method of processing a workpiece using a mid-chamber gas distribution plate, tuned plasma flow control grid and electrode
KR101312292B1 (ko) 2006-12-11 2013-09-27 엘아이지에이디피 주식회사 플라즈마 처리장치의 기판 파손 방지장치 및 그 방법
US7732728B2 (en) 2007-01-17 2010-06-08 Lam Research Corporation Apparatuses for adjusting electrode gap in capacitively-coupled RF plasma reactor
US7943007B2 (en) * 2007-01-26 2011-05-17 Lam Research Corporation Configurable bevel etcher
US8444926B2 (en) 2007-01-30 2013-05-21 Applied Materials, Inc. Processing chamber with heated chamber liner
JP4928991B2 (ja) 2007-03-12 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5348848B2 (ja) 2007-03-28 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4874870B2 (ja) 2007-05-29 2012-02-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理装置
TWI339860B (en) 2007-06-29 2011-04-01 Winbond Electronics Corp Method of manufacturing a semiconductor structure and method of manufacturing a shallow trench isolation structure
US8416773B2 (en) * 2007-07-11 2013-04-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Packet monitoring
US8108883B2 (en) * 2007-07-16 2012-01-31 Apteryx, Inc. Methods of populating a third-party document with digital information content
US9184072B2 (en) * 2007-07-27 2015-11-10 Mattson Technology, Inc. Advanced multi-workpiece processing chamber
KR101437522B1 (ko) * 2007-09-05 2014-09-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 반응기 챔버에서 웨이퍼 에지 가스 주입부를 갖는캐소드 라이너
US20090071403A1 (en) 2007-09-19 2009-03-19 Soo Young Choi Pecvd process chamber with cooled backing plate
US8313610B2 (en) 2007-09-25 2012-11-20 Lam Research Corporation Temperature control modules for showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses
JP2009088298A (ja) * 2007-09-29 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5329072B2 (ja) * 2007-12-03 2013-10-30 東京エレクトロン株式会社 処理容器およびプラズマ処理装置
WO2009078921A1 (en) 2007-12-19 2009-06-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor gas distribution plate with path splitting manifold
US20090159213A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor gas distribution plate having a path splitting manifold immersed within a showerhead
US20090162262A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Applied Material, Inc. Plasma reactor gas distribution plate having path splitting manifold side-by-side with showerhead
US8512509B2 (en) * 2007-12-19 2013-08-20 Applied Materials, Inc. Plasma reactor gas distribution plate with radially distributed path splitting manifold
US20090188624A1 (en) 2008-01-25 2009-07-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing flow uniformity in a process chamber
US20090188625A1 (en) * 2008-01-28 2009-07-30 Carducci James D Etching chamber having flow equalizer and lower liner
JP5222442B2 (ja) 2008-02-06 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 基板載置台、基板処理装置及び被処理基板の温度制御方法
WO2009099660A2 (en) * 2008-02-08 2009-08-13 Lam Research Corporation Adjustable gap capacitively coupled rf plasma reactor including lateral bellows and non-contact particle seal
JP5188849B2 (ja) * 2008-03-14 2013-04-24 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置
JP5264238B2 (ja) 2008-03-25 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7987814B2 (en) * 2008-04-07 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance
JP2008226857A (ja) 2008-05-16 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及び装置
JP2010016343A (ja) * 2008-06-30 2010-01-21 Advanced Display Process Engineering Co Ltd ガス供給装置及びこれを用いた基板処理装置｛Ａｐｐａｒａｔｕｓｆｏｒｓｕｐｐｌｙｉｎｇｇａｓａｎｄａｐｐａｒａｔｕｓｆｏｒｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇｓｕｂｓｔｒａｔｅｕｓｉｎｇｔｈｅｓａｍｅ｝
CN102105618B (zh) * 2008-07-31 2012-07-25 佳能安内华股份有限公司 等离子处理设备和电子器件制造方法
CN102160167B (zh) * 2008-08-12 2013-12-04 应用材料公司 静电吸盘组件
KR20100055618A (ko) * 2008-11-18 2010-05-27 주식회사 케이씨텍 샤워헤드 및 이를 구비하는 플라즈마 처리장치
CN101740340B (zh) * 2008-11-25 2011-12-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔室及半导体加工设备
US8627783B2 (en) * 2008-12-19 2014-01-14 Lam Research Corporation Combined wafer area pressure control and plasma confinement assembly
DE112010000869B4 (de) * 2009-01-09 2013-10-17 Ulvac, Inc. Plasmaverarbeitungsvorrichtung und Verfahren zum Bilden monokristallinen Siliziums
US20100186674A1 (en) 2009-01-26 2010-07-29 E. I. Du Pont De Nemours And Company Methods and compositions for treating fertilized avian eggs
US20100247804A1 (en) * 2009-03-24 2010-09-30 Applied Materials, Inc. Biasable cooling pedestal
US8313612B2 (en) 2009-03-24 2012-11-20 Lam Research Corporation Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking
JP5350043B2 (ja) * 2009-03-31 2013-11-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR101058832B1 (ko) 2009-05-11 2011-08-24 엘아이지에이디피 주식회사 플라즈마를 이용한 기판처리장치의 안테나 구조
US8360003B2 (en) * 2009-07-13 2013-01-29 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with uniform process rate distribution by improved RF ground return path
DE102009035386B4 (de) * 2009-07-30 2011-12-15 Cochlear Ltd. Hörhilfeimplantat
JP5496568B2 (ja) * 2009-08-04 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5650935B2 (ja) * 2009-08-07 2015-01-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び位置決め方法並びにフォーカスリング配置方法
US9313872B2 (en) 2009-10-27 2016-04-12 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP5551420B2 (ja) * 2009-12-04 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びその電極間距離の測定方法並びにプログラムを記憶する記憶媒体
JP2011146464A (ja) * 2010-01-13 2011-07-28 Panasonic Corp プラズマ処理装置
JP5554099B2 (ja) 2010-03-18 2014-07-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20110226739A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Process chamber liner with apertures for particle containment
JP5567392B2 (ja) * 2010-05-25 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
TWI502617B (zh) 2010-07-21 2015-10-01 應用材料股份有限公司 用於調整電偏斜的方法、電漿處理裝置與襯管組件
JP5723130B2 (ja) 2010-09-28 2015-05-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5781349B2 (ja) 2011-03-30 2015-09-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2012222719A (ja) 2011-04-13 2012-11-12 Nec Access Technica Ltd 中継装置及び電力制御方法
TWI659674B (zh) 2011-10-05 2019-05-11 應用材料股份有限公司 電漿處理設備及蓋組件
TWM520621U (zh) * 2015-01-29 2016-04-21 Hsueh-Ju Chen 瓦斯熱水器精密步進電機控制氣閥

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06112165A (ja) * 1992-09-29 1994-04-22 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd プラズマ処理装置
JPH0955374A (ja) * 1995-06-08 1997-02-25 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2001077088A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2002025987A (ja) * 2000-07-07 2002-01-25 Tokyo Electron Ltd 誘導結合プラズマ処理装置
JP2006501609A (ja) * 2002-09-30 2006-01-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システムにおける、堆積シールドを有する改良された上部電極板のための方法及び装置
JP2010171286A (ja) * 2009-01-26 2010-08-05 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201937994A (zh) 2019-09-16
TWI762170B (zh) 2022-04-21
JP2013211268A (ja) 2013-10-10
TW202231135A (zh) 2022-08-01
JP2022028829A (ja) 2022-02-16
KR20130037197A (ko) 2013-04-15
KR20200120588A (ko) 2020-10-21
US10535502B2 (en) 2020-01-14
KR102009784B1 (ko) 2019-08-12
KR101361757B1 (ko) 2014-02-12
CN103050362B (zh) 2017-05-17
CN103050363A (zh) 2013-04-17
CN107516627A (zh) 2017-12-26
US11315760B2 (en) 2022-04-26
TW201325323A (zh) 2013-06-16
KR102039454B1 (ko) 2019-11-01
TWI830183B (zh) 2024-01-21
KR20240127935A (ko) 2024-08-23
JP2013179055A (ja) 2013-09-09
US10546728B2 (en) 2020-01-28
JP2013211269A (ja) 2013-10-10
US20220254606A1 (en) 2022-08-11
US20160314940A1 (en) 2016-10-27
CN103035469B (zh) 2017-10-27
TW202418889A (zh) 2024-05-01
CN107516627B (zh) 2020-04-24
US20160314936A1 (en) 2016-10-27
KR102423749B1 (ko) 2022-07-22
TWI659674B (zh) 2019-05-11
US20160314942A1 (en) 2016-10-27
US10580620B2 (en) 2020-03-03
KR102009783B1 (ko) 2019-08-12
JP2018037413A (ja) 2018-03-08
JP2023078317A (ja) 2023-06-06
TWI672981B (zh) 2019-09-21
TW202131764A (zh) 2021-08-16
TWI646869B (zh) 2019-01-01
KR101944894B1 (ko) 2019-02-01
CN103050363B (zh) 2017-09-22
KR20130037195A (ko) 2013-04-15
KR20190122626A (ko) 2019-10-30
CN103035469A (zh) 2013-04-10
JP2013084602A (ja) 2013-05-09
TW201316846A (zh) 2013-04-16
JP6300451B2 (ja) 2018-03-28
JP2013179054A (ja) 2013-09-09
CN103094045A (zh) 2013-05-08
US20170271129A1 (en) 2017-09-21
JP6168823B2 (ja) 2017-07-26
KR102697479B1 (ko) 2024-08-20
TW201813455A (zh) 2018-04-01
TW201325324A (zh) 2013-06-16
US20200185192A1 (en) 2020-06-11
TWI594667B (zh) 2017-08-01
TWI568319B (zh) 2017-01-21
TW201325326A (zh) 2013-06-16
KR102299994B1 (ko) 2021-09-08
CN103050362A (zh) 2013-04-17
KR20210100056A (ko) 2021-08-13
JP7030144B2 (ja) 2022-03-04
JP2020098787A (ja) 2020-06-25
US20160314937A1 (en) 2016-10-27
KR102024584B1 (ko) 2019-09-24
CN103094044B (zh) 2018-11-02
TW201743663A (zh) 2017-12-16
TW201325325A (zh) 2013-06-16
US10453656B2 (en) 2019-10-22
KR20130037168A (ko) 2013-04-15
US10615006B2 (en) 2020-04-07
TWI661746B (zh) 2019-06-01
KR102166643B1 (ko) 2020-10-16
JP6346698B2 (ja) 2018-06-20
KR20130037196A (ko) 2013-04-15
TW201813454A (zh) 2018-04-01
TWI638587B (zh) 2018-10-11
TWI719473B (zh) 2021-02-21
KR101944895B1 (ko) 2019-02-01
JP6308716B2 (ja) 2018-04-11
KR20220103078A (ko) 2022-07-21
KR20130050946A (ko) 2013-05-16
JP6177567B2 (ja) 2017-08-09
KR20130037198A (ko) 2013-04-15
CN103094045B (zh) 2018-01-26
TWI666975B (zh) 2019-07-21
US20130087286A1 (en) 2013-04-11
TW201813453A (zh) 2018-04-01
JP7250098B2 (ja) 2023-03-31
CN103094044A (zh) 2013-05-08
KR20170102189A (ko) 2017-09-08
JP6815302B2 (ja) 2021-01-20
US9741546B2 (en) 2017-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6346698B2 (ja) 対称プラズマ処理チャンバ

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180425

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180508

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180525

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6346698

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250