KR20210135357A - 가변 유동 밸브를 갖는 프로세스 시스템 - Google Patents

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liner assembly
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에릭 키하라 소노
비쉬와스 쿠마르 판데이
한셀 로
크리스토퍼 에스. 올슨
토빈 코프만-오스본
르네 조지
라라 호릴차크
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 고 종횡비 구조들의 등각 산화를 위한 프로세스 챔버에 관한 것이다. 프로세스 챔버는 일 실시예에서, 제1 개구부 및 제1 개구부에 대향하는 제2 개구부를 포함하는 몸체 - 개구부는 제1 단부 및 제1 단부에 대향하는 제2 단부를 포함함 -; 및 제1 개구부와 제2 개구부 사이에 배치된 유동 밸브 - 유동 밸브는 처리 챔버의 중심 축에 대해 약 0 도 내지 약 90 도의 각도들로 유동 밸브의 이동을 제공하는 회전가능한 샤프트에 의해 몸체에 결합됨 - 를 포함하는 라이너 조립체를 포함한다.

Description

가변 유동 밸브를 갖는 프로세스 시스템
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 반도체 디바이스 제조를 위한 프로세스 챔버들에 관한 것으로, 특히, 가변 플라즈마 유동을 제공하는 밸브를 갖는 프로세스 챔버에 관한 것이다.
규소 집적 회로들의 제조는, 칩 상의 최소 피처 크기들을 감소시키면서 디바이스들의 개수를 증가시키기 위해 제조 작동들에 어려운 요구들을 해왔다. 이러한 요구들은, 상이한 물질들의 층들을 어려운 토폴로지들 상에 퇴적시키고 그러한 층들 내에 추가의 피처들을 식각하는 것을 포함하는 제조 작동들에까지 확장되었다. 차세대 NAND 플래시 메모리를 위한 제조 프로세스들은 특히 난제인 디바이스 기하형상들 및 규모들을 수반한다. NAND는 데이터를 유지하는 데에 전력을 필요로 하지 않는 비휘발성 저장 기술의 유형이다. 동일한 물리적 공간 내에 메모리 용량을 증가시키기 위해, 3차원 NAND(3D NAND) 설계가 개발되었다. 그러한 설계는 전형적으로, 기판에 실질적으로 수직으로 연장되는 하나 이상의 표면을 갖는 구조를 생성하기 위해 기판 상에 퇴적된 다음 식각되는, 교번하는 산화물 층들 및 질화물 층들을 도입한다. 하나의 구조는 100개 초과의 그러한 층들을 가질 수 있다. 그러한 설계들은 30:1 이상의 종횡비들을 갖는 고 종횡비(HAR) 구조들을 포함할 수 있다.
HAR 구조들은 종종, 질화규소(SiNx) 층들로 코팅된다. 균일하게 두꺼운 산화물 층을 생성하기 위한 그러한 구조들의 등각 산화가 난제이다. 갭들 및 트렌치들을 단순히 충전하는 대신에, HAR 구조들 상에 층들을 등각으로(conformally) 퇴적시키기 위해 새로운 제조 작동들이 필요하다.
그러므로, 개선된 프로세스 챔버 및 그 내부에서 사용하기 위한 구성요소들이 필요하다.
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 반도체 디바이스 제조, 더 구체적으로, 고 종횡비 구조들의 등각 산화를 위한 프로세스 챔버에 관한 것이다. 프로세스 챔버는, 일 실시예에서, 제1 개구부 및 제1 개구부에 대향하는 제2 개구부를 포함하는 몸체를 포함하는 라이너 조립체를 포함한다. 개구부는 제1 단부 및 제1 단부에 대향하는 제2 단부를 포함하고, 유동 밸브는 제1 개구부와 제2 개구부 사이에 배치된다. 유동 밸브는, 처리 챔버의 중심 축에 대해 약 0 도 내지 약 90 도의 각도들로 유동 밸브의 이동을 제공하는 회전가능한 샤프트에 의해 몸체에 결합된다.
다른 실시예에서, 라이너 조립체에 의해 원격 플라즈마 챔버에 결합된 프로세스 챔버를 포함하는 처리 시스템이 개시된다. 라이너 조립체는 제1 개구부, 및 제1 개구부에 대향하는 제2 개구부를 포함하는 몸체를 포함한다. 제1 개구부는 제1 단부 및 제1 단부에 대향하는 제2 단부를 포함한다. 몸체는 또한, 제1 개구부와 제2 개구부 사이에 배치된 유동 밸브를 포함하고, 유동 밸브는, 프로세스 챔버의 중심 축에 대해 약 0 도 내지 약 90 도의 각도들로 유동 밸브의 이동을 제공하는 회전가능한 샤프트에 의해 몸체에 결합된다.
다른 실시예에서, 프로세스 시스템은, 기판 지지 부분 및 기판 지지 부분에 결합된 챔버 몸체를 포함하는 프로세스 챔버를 포함한다. 챔버 몸체는 제1 측 및 제1 측에 대향하는 제2 측을 포함한다. 프로세스 챔버는 제1 측에 배치된 라이너 조립체를 더 포함하고, 라이너 조립체는 프로세스 챔버의 중심선에 대해 회전가능한 유동 밸브를 포함한다. 프로세스 챔버는, 제2 측에 인접하여 기판 지지 부분에 위치된 분산된 펌핑 구조, 및 커넥터에 의해 프로세스 챔버에 결합된 원격 플라즈마 공급원을 더 포함하고, 여기서 커넥터는, 원격 플라즈마 공급원으로부터 처리 체적까지의 유체 유동 경로를 형성하기 위해 라이너 조립체에 연결된다.
본 개시내용의 위에서 언급된 피처들이 상세히 이해될 수 있도록, 위에 간략히 요약된 본 개시내용의 더 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있으며, 이들 중 일부는 첨부 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부 도면들은 단지 예시적인 실시예들만을 예시하고 따라서 그의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 되며, 다른 동등하게 효과적인 실시예들을 허용할 수 있다는 점에 주목해야 한다.
도 1a는 본원에 설명된 실시예들에 따른 프로세스 시스템의 단면도이다.
도 1b는 본원에 설명된 실시예들에 따른 프로세스 시스템의 사시도이다.
도 1c는 본원에 설명된 실시예들에 따른 프로세스 시스템의 개략적인 평면도이다.
도 2a 및 2b는 프로세스 챔버의 개략적인 상부 단면도들이다.
도 3은 커넥터에 결합된 라이너 조립체의 개략적인 등각도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 라이너 조립체의 개략적인 등각도이다.
이해를 용이하게 하기 위해, 가능한 경우, 도면들에 공통된 동일한 요소들을 지시하는 데에 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 요소들 및 피처들이 추가의 언급 없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있다는 것이 고려된다.
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 균일한 막 형성, 예를 들어, 고 종횡비 구조들의 등각 산화를 위한 프로세스 챔버에 관한 것이다. 프로세스 챔버는, 챔버 몸체의 제1 측에 위치된 라이너 조립체 및, 제1 측에 대향하는, 챔버 몸체의 제2 측에 인접하여 기판 지지 부분에 위치된 2개의 펌핑 포트들을 포함한다. 측부 펌핑 매니폴드가 프로세스 챔버에 결합된다. 측부 펌핑 매니폴드는 프로세스 챔버 내의 라디칼들의 유동을 제어하기 위해 단독으로 또는 2개의 펌핑 포트들과 조합하여 사용될 수 있다. 측부 펌핑 매니폴드는 프로세스 챔버의 양 측에 위치될 수 있다. 라이너 조립체는, 라이너 조립체로부터 펌핑 포트들로의 라디칼들의 유동을 제어하기 위한 유동 밸브를 포함한다. 라이너 조립체는 프로세스 가스들, 예컨대, 라디칼들과의 상호작용을 최소화하기 위해 석영으로 제조될 수 있다. 라이너 조립체는 라디칼들의 유동 협착을 감소시키도록 설계되고, 증가된 라디칼 농도 및 선속으로 이어진다. 유동 밸브는 라이너 조립체에 제공되고, 프로세스 챔버의 처리 영역을 통하는 라디칼들의 유동을 조정하는 데에 사용될 수 있다. 추가적으로, 2개의 펌핑 포트들은, 프로세스 챔버의 처리 영역을 통하는 라디칼들의 유동을 조정하기 위해 개별적으로 제어될 수 있다.
도 1a는 본원에 설명된 실시예들에 따른 프로세스 시스템(100)의 단면도이다. 프로세스 시스템(100)은 프로세스 챔버(102) 및 원격 플라즈마 공급원(104)을 포함한다. 프로세스 챔버(102)는 급속 열 처리(RTP) 챔버일 수 있다. 원격 플라즈마 공급원(104)은, 예를 들어, 약 6 kW의 전력으로 작동할 수 있는 임의의 적합한 원격 플라즈마 공급원, 예컨대, 마이크로파 결합 플라즈마 공급원일 수 있다. 원격 플라즈마 공급원(104)은 원격 플라즈마 공급원(104)에 형성된 플라즈마를 프로세스 챔버(102) 쪽으로 유동시키기 위해 프로세스 챔버(102)에 결합된다. 원격 플라즈마 공급원(104)은 커넥터(106)를 통해 프로세스 챔버(102)에 결합된다. 커넥터(106)의 구성요소들은 명확성을 위해 도 1a에서 생략되며, 커넥터(106)는 도 3과 관련하여 상세히 설명된다. 원격 플라즈마 공급원(104)에 형성된 라디칼들은, 기판의 처리 동안 커넥터(106)를 통해 프로세스 챔버(102) 내로 유동한다.
원격 플라즈마 공급원(104)은, 플라즈마가 생성되는 튜브(110)를 둘러싸는 몸체(108)를 포함한다. 튜브(110)는 석영 또는 사파이어로 제조될 수 있다. 몸체(108)는 유입구(112)에 결합된 제1 단부(114)를 포함하고, 하나 이상의 가스 공급원(118)이, 하나 이상의 가스를 원격 플라즈마 공급원(104) 내에 도입하기 위해 유입구(112)에 결합될 수 있다. 일 실시예에서, 하나 이상의 가스 공급원(118)은 산소 함유 가스 공급원을 포함하고, 하나 이상의 가스는 산소 함유 가스를 포함한다. 몸체(108)는 제1 단부(114)에 대향하는 제2 단부(116)를 포함하고, 제2 단부(116)는 커넥터(106)에 결합된다. 결합 라이너(도시되지 않음)가 제2 단부(116)에서 몸체(108) 내에 배치될 수 있다. 결합 라이너는 도 3과 관련하여 상세히 설명된다. 전원(120)(예를 들어, RF 전원)은 플라즈마의 형성을 용이하게 하도록 전력을 원격 플라즈마 공급원(104)에 제공하기 위해 정합 네트워크(122)를 통해 원격 플라즈마 공급원(104)에 결합될 수 있다. 플라즈마의 라디칼들은 커넥터(106)를 통해 프로세스 챔버(102)로 유동된다.
프로세스 챔버(102)는 챔버 몸체(125), 기판 지지 부분(128), 및 윈도우 조립체(130)를 포함한다. 챔버 몸체(125)는 제1 측(124) 및 제1 측(124)에 대향하는 제2 측(126)을 포함한다. 기판(142)이 프로세스 챔버(102)에 진입하고 빠져나가는 것을 허용하기 위해, 슬릿 밸브 개구부(131)가 챔버 몸체(125)의 제2 측(126)에 형성된다. 일부 실시예들에서, 상부 측벽(134)에 의해 에워싸인 램프 조립체(132)가 윈도우 조립체(130) 위에 위치되고 윈도우 조립체(130)에 결합된다. 램프 조립체(132)는 복수의 램프들(136) 및 복수의 튜브들(138)을 포함할 수 있고, 각각의 램프(136)는 대응하는 튜브(138)에 배치될 수 있다. 윈도우 조립체(130)는 복수의 광 파이프들(140)을 포함할 수 있고, 각각의 광 파이프(140)는, 복수의 램프들(136)에 의해 생성되는 열 에너지가, 프로세스 챔버(102)에 배치된 기판에 도달할 수 있도록, 대응하는 튜브(138)와 정렬될 수 있다. 일부 실시예들에서, 진공 압력은, 복수의 광 파이프들(140) 내에 형성된 체적에 유체적으로 결합된 배기부(144)에 진공을 인가함으로써 복수의 광 파이프들(140)에 제공된다. 윈도우 조립체(130)는, 윈도우 조립체(130)를 통해 냉각 유체를 순환시키기 위해서 윈도우 조립체에 형성된 도관(143)을 가질 수 있다.
처리 영역(146)은 챔버 몸체(125), 기판 지지 부분(128), 및 윈도우 조립체(130)에 의해 한정될 수 있다. 기판(142)은 처리 영역(146)에 배치되고, 지지 링(148)에 의해 반사기 플레이트(150) 위에 지지된다. 지지 링(148)은, 기판(142)의 회전을 용이하게 하기 위해, 회전가능한 실린더(152) 상에 장착될 수 있다. 실린더(152)는 자기 부상 시스템(도시되지 않음)에 의해 부상되고 회전될 수 있다. 반사기 플레이트(150)는 기판(142)의 균일한 가열을 용이하게 하고 프로세스 시스템(100)의 에너지 효율을 촉진하기 위해 에너지를 기판(142)의 후면에 반사한다. 기판(142)의 온도를 모니터링하는 것을 용이하게 하기 위해, 복수의 광섬유 프로브들(154)이 기판 지지 부분(128) 및 반사기 플레이트(150)를 통해 배치될 수 있다.
라이너 조립체(156)는, 라디칼들이 원격 플라즈마 공급원(104)으로부터 프로세스 챔버(102)의 처리 영역(146)으로 유동하도록, 챔버 몸체(125)의 제1 측(124)에 배치된다. 라이너 조립체(156)는, 프로세스 가스들, 예컨대, 산소 라디칼들과의 상호작용을 감소시키기 위해, 내산화성인 물질, 예컨대, 석영으로 제조될 수 있다. 라이너 조립체(156)는 프로세스 챔버(102)로 유동하는 라디칼의 유동 협착을 감소시키도록 설계된다. 라이너 조립체(156)는 아래에서 상세히 설명된다. 프로세스 챔버(102)는, 라이너 조립체(156)로부터 펌핑 포트들로의 라디칼들의 유동을 제어하기 위해, 챔버 몸체(125)의 제2 측(126)에 인접하여 기판 지지 부분(128)에 형성된 분산된 펌핑 구조(133)를 더 포함한다. 분산된 펌핑 구조(133)는 챔버 몸체(125)의 제2 측(126)에 인접하여 위치된다. 분산된 펌핑 구조(133)는 도 1c와 관련하여 상세히 설명된다.
프로세스 챔버(102)는 측부 펌핑 매니폴드(135)를 더 포함한다. 측부 펌핑 매니폴드(135)는 챔버 몸체(125)의 측벽에 형성되고, 도 1a에서 기판(142)에 의해 적어도 부분적으로 가려진다. 측부 펌핑 매니폴드(135)는 제1 측(124)과 제2 측(126) 사이에서 챔버 몸체(125) 상에 위치된다. 분산된 펌핑 구조(133)와 마찬가지로, 측부 펌핑 매니폴드(135)는 라이너 조립체(156)로부터 처리 영역(146)을 통하는 라디칼들의 유동을 제어하는 데에 활용된다. 측부 펌핑 매니폴드(135)는 단독으로 또는 분산된 펌핑 구조(133)와 조합하여 사용될 수 있다.
제어기(180)는 프로세스 시스템(100)의 다양한 구성요소들, 예컨대, 프로세스 챔버(102) 및/또는 원격 플라즈마 공급원(104)의 작동을 제어하기 위해 그에 결합될 수 있다. 제어기(180)는 일반적으로, 중앙 처리 유닛(CPU)(182), 메모리(186), 및 CPU(182)를 위한 지원 회로들(184)을 포함한다. 제어기(180)는, 특정 지원 시스템 구성요소들과 연관된 다른 컴퓨터들 또는 제어기들(도시되지 않음)을 통해서, 또는 직접적으로 프로세스 시스템(100)을 제어할 수 있다. 제어기(180)는 다양한 챔버들 및 하위 프로세서들을 제어하기 위해 산업 현장에서 사용될 수 있는 임의의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서 중 하나일 수 있다. 메모리(186), 또는 컴퓨터 판독가능 매체는, 쉽게 입수가능한 메모리, 예컨대, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 판독 전용 메모리(ROM), 플로피 디스크, 하드 디스크, 플래시 드라이브, 또는 임의의 다른 형태의 로컬 또는 원격 디지털 저장소 중 하나 이상일 수 있다. 지원 회로들(184)은 통상적인 방식으로 프로세서를 지원하기 위해 CPU(182)에 결합된다. 지원 회로들(184)은 캐시, 전력 공급부들, 클럭 회로들, 입력/출력 회로 및 하위시스템들 등을 포함한다. 처리 단계들은, 프로세스 시스템(100)의 작동들을 제어하기 위해서 제어기(180)를 특정 목적 제어기로 조정하기 위해 실행되거나 호출될 수 있는 소프트웨어 루틴(188)으로서 메모리(186)에 저장될 수 있다. 제어기(180)는 본원에 설명된 임의의 방법들을 수행하도록 구성될 수 있다.
도 1b는 본원에 설명된 실시예들에 따른 프로세스 시스템(100)의 사시도이다. 도 1b에 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버(102)는, 제1 측(124) 및 제1 측(124)에 대향하는 제2 측(126)을 갖는 챔버 몸체(125)를 포함한다. 명확성을 위해 도 1a의 윈도우 조립체(130) 및 램프 조립체(132)가 제거된 상태로 프로세스 시스템(100)이 도 1b에 도시된다. 프로세스 챔버(102)는 프레임(160)에 의해 지지될 수 있고, 원격 플라즈마 공급원(104)은 프레임(162)에 의해 지지될 수 있다. 제1 도관(164)은 2개의 펌핑 포트들(도 1b에서는 보이지 않음) 중 하나에 결합되고, 프로세스 챔버(102) 내의 라디칼들의 유동을 제어하기 위해 밸브(170)가 제1 도관(164)에 제공된다. 제2 도관(166)은 2개의 펌핑 포트들 중 다른 펌핑 포트(도 1b에서는 보이지 않음)에 결합되고, 프로세스 챔버(102) 내의 라디칼들의 유동을 제어하기 위해 밸브(172)가 제2 도관(166)에 제공된다. 제3 도관(171)은 측부 펌핑 매니폴드(135)에 결합된다. 프로세스 챔버(102) 내의 라디칼들의 유동을 제어하기 위해 밸브(173)가 제3 도관에 제공된다. 제1 도관(164), 제2 도관(166), 및 제3 도관(171)은, 진공 펌프(도시되지 않음)에 연결될 수 있는 주 배기 도관(168)에 결합된다.
도 1c는 본원에 설명된 실시예들에 따른, 도 1a의 프로세스 시스템(100)의 개략적인 평면도이다. 도 1c에 도시된 바와 같이, 프로세스 시스템(100)은, 커넥터(106)를 통해 프로세스 챔버(102)에 결합된 원격 플라즈마 공급원(104)을 포함한다. 명확성을 위해 도 1a의 윈도우 조립체(130) 및 램프 조립체(132)가 제거된 상태로 프로세스 시스템(100)이 도 1c에 도시된다. 프로세스 챔버(102)는, 제1 측(124) 및 제2 측(126)을 갖는 챔버 몸체(125)를 포함한다. 챔버 몸체(125)는 내부 에지(195) 및 외부 에지(197)를 포함할 수 있다. 외부 에지(197)는 제1 측(124) 및 제2 측(126)을 포함할 수 있다. 내부 에지(195)는 프로세스 챔버(102)에서 처리되고 있는 기판의 형상과 유사한 형상을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 챔버 몸체(125)의 내부 에지(195)는 원형이다. 외부 에지(197)는 도 1c에 도시된 바와 같이 직사각형, 다각형 또는 다른 적합한 형상일 수 있다. 일 실시예에서, 챔버 몸체(125)는 베이스 링이다. 라이너 조립체(156)는 챔버 몸체(125)의 제1 측(124)에 배치된다. 라이너 조립체(156)는 유동 밸브(190)를 포함한다. 유동 밸브(190)는 기판(142)에 걸친 라디칼들의 유동을 조정하는 데에 활용된다. 예를 들어, 유동 밸브(190)는 유체 유동을 기판(142)의 중심으로부터 편향시키고/거나 기판(142)의 에지 근처에 더 높은 농도의 라디칼들을 제공하는 데에 사용될 수 있다. 유동 밸브(190)가 없다면, 기판(142) 상에 형성된 산화물 층은 불균일한 두께를 가질 수 있고, 그에 의해 기판의 중심에서의 산화물 층은 기판의 에지에서의 산화물 층보다 두껍다. 유동 밸브(190)를 활용함으로써, 기판 상에 형성된 산화물 층은 종래의 접근법들(예를 들어, 유동 밸브(190)가 없음)과 비교하여 강화된 두께 균일성 및 등각성을 가질 수 있다.
프로세스 챔버(102)는, 2개 이상의 펌핑 포트들(174 및 176)을 갖는 분산된 펌핑 구조(133)를 포함한다. 2개 이상의 펌핑 포트들은 하나 이상의 진공 공급원에 연결되고 독립적으로 유동 제어된다. 일 실시예에서, 도 1c에 도시된 바와 같이, 2개의 펌핑 포트들(174, 176)은 챔버 몸체(125)의 제2 측(126)에 인접하여 기판 지지 부분(128)에 형성된다. 2개의 펌핑 포트들(174, 176)은 이격되고, 프로세스 요건들에 기초하여 독립적으로 또는 함께 제어될 수 있다. 펌핑 포트(174)는 도관(164)(도 1b)에 연결될 수 있고, 펌핑 포트(174)로부터의 펌핑은 밸브(170)에 의해 제어될 수 있다. 펌핑 포트(176)는 도관(166)(도 1b)에 연결될 수 있고, 펌핑 포트(176)로부터의 펌핑은 밸브(172)에 의해 제어될 수 있다. 산화물 층 두께 균일성은, 원하는 두께 균일성 및 등각성을 달성하기 위해, 각각의 펌핑 포트(174, 176)로부터의 펌핑을 개별적으로 그리고/또는 동시에 제어함으로써 더 개선될 수 있다. 제1 측(124)으로부터 제2 측(126)으로 프로세스 챔버(102)를 통해 유동하는 유체, 예컨대, 산소 라디칼들은, 프로세스 챔버 내의 특정 영역의 밸브(172) 및/또는 밸브(170)를 개방함으로써 증가될 수 있고 산화물 두께의 균일성 및 등각성을 변경할 수 있다. 프로세스 챔버(102)를 통해 유동하는 증가된 유체는 유체 밀도, 예컨대, 산소 라디칼 밀도를 증가시킬 수 있고, 기판(142) 상의 더 빠른 퇴적으로 이어진다. 펌핑 포트(174) 및 펌핑 포트(176)가 이격되고 독립적으로 그리고/또는 동시에 제어되기 때문에, 기판(142)의 상이한 부분들에 걸쳐 유동하는 유체가 증가되거나 감소될 수 있고, 기판(142)의 상이한 부분들에서의 산화물 층의 두께 불균일성을 보상하기 위해 기판(142)의 상이한 부분들 상의 더 빠르거나 더 느린 퇴적으로 이어진다. 추가적으로, 측부 펌핑 매니폴드(135)는 라디칼 유동을 더 제어하기 위해 펌핑 포트들(174, 176) 중 하나 또는 양쪽 모두와 조합하여 또는 단독으로 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 2개의 펌핑 포트들(174, 176)은 선(199)을 따라 이격된 관계로 위치된다. 일 실시예에서, 선(199)은 챔버 몸체(125)의 제1 측(124)으로부터 제2 측(126)으로의 가스 유동 경로에 수직이다. 도 1c에 도시된 바와 같이, 선(199)은 챔버 몸체(125)의 제2 측(126)에 인접할 수 있고, 선(199)은 기판 지지 링(148)의 외부에 있을 수 있다. 일부 실시예들에서, 선(199)은 기판 지지 링(148)의 일부와 교차할 수 있다. 일부 실시예들에서, 선(199)은 가스 유동 경로에 수직하지 않고, 선(199)은 가스 유동 경로에 대해 예각 또는 둔각을 형성할 수 있다. 펌핑 포트들(174, 176)은, 도 1c에 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버(102)의 중심 축(198)에 대해 대칭으로 또는 비대칭으로 기판 지지 부분(128)에 배치될 수 있다. 측부 펌핑 매니폴드(135)는 프로세스 챔버(102)의 중심 축(198)에 직교하는 배향으로 제공된다. 유동 밸브(190)는 피벗 지점(196)에서 라이너 조립체(156)에 결합된다. 피벗 지점은 회전가능한 샤프트를 포함한다. 일부 실시예들에서, 피벗 지점(196)은 프로세스 챔버(102)의 중심 축(198)을 따라 위치된다.
도 2a 및 2b는 프로세스 챔버(102)의 개략적인 상부 단면도들이다. 도 1a에 도시된 윈도우 조립체(130) 및 램프 조립체(132)는 명확성을 위해 제거되었다. 도 2a 및 2b에서, 플라즈마 유동 경로는 원격 플라즈마 공급원(104)(도시되지 않음)으로부터 커넥터(106)를 통해 처리 영역(146)으로 이어지는 화살표들(200)로 표시된다. 도 2a에서, 펌핑 포트들(174, 176)은 처리 영역(146)으로부터 플라즈마를 배기한다. 도 2b에서, 펌핑 포트들(174, 176)뿐만 아니라 측부 펌핑 매니폴드(135)도 처리 영역(146)으로부터 플라즈마를 배기하는 데에 활용된다. 유동 경로(200)는 유동 밸브(190)의 상류에서 프로세스 챔버(102)의 중심 축(198)에 대체로 평행하다. 그러나, 유동 밸브(190)의 조정은 유동 밸브(190)의 하류의 유동 경로(200)를 변경한다.
유동 밸브(190)는 플라즈마 유동 경로(200) 내에 위치된다. 유동 밸브(190)는 원격 플라즈마 공급원(104) 및 커넥터(106)의 하류에, 그리고 기판 지지 링(148) 상에 위치된 기판(142)의 상류에 위치된다. 유동 밸브(190)는 피벗 지점(196)을 중심으로 회전하도록 구성된다. 유동 밸브(190)는 프로세스 챔버(102) 내의 라디칼들의 유동을 제어하기 위해 프로세스 챔버(102)의 중심 축(198)에 대해 회전될 수 있다. 회전은 각도(θ)로 표시된다. 각도(θ)는 화살표(210)에 의해 표시된 방향을 따라 변할 수 있다. 각도(θ)는 프로세스 챔버(102)의 중심 축(198)에 대해 (프로세스 챔버(102)의 중심 축(198)에 평행한) 0 도 내지 최대 약 90 도로 변할 수 있다.
유동 밸브(190)는 수동으로 조정될 수 있거나 액추에이터(205)에 결합될 수 있다. 일부 실시예들에서, 유동 밸브(190)의 각도(θ)는, 이전에 처리된 기판에 대한 측정들이 완료된 후에 프로세스 실행들 사이에서 조정된다. 예를 들어, 프로세스 챔버(102)에서의 처리 후에 제1 기판의 산화물 두께 균일성이 측정된다. 제1 기판의 두께 균일성이 사양에 미치지 못하는 경우, 유동 밸브(190)는 제2 기판을 처리하기 위해 조정된다. 추가적으로, 펌핑 포트들(174, 176)과 측부 펌핑 매니폴드(135)의 상이한 조합들을 사용함으로써 산화물 균일성이 조정될 수 있다.
도 3은 커넥터(106)에 결합된 라이너 조립체(156)의 개략적인 등각도이다. 라이너 조립체(156)의 제1 개구부(300)가 도시된다. 제1 개구부(300)는 프로세스 챔버(102)(도 3에 도시되지 않음)의 처리 영역(146)(도 1a)과 유체 연통한다. 제1 개구부(300)는, 커넥터(106)에 결합된 제2 개구부(305)에 대향한다. 제1 개구부(300)는 제2 개구부(305)보다 크다.
제1 개구부(300)는 하부 측벽(310) 및 상부 측벽(315)을 포함한다. 하부 측벽(310) 및 상부 측벽(315)은 제1 개구부(300)에 걸쳐 평탄할 수 있거나 제1 개구부(300)에 걸쳐 만곡될 수 있다. 제1 개구부(300)는 제1 높이(H1) 및 제2 높이(H2)를 포함한다. 제1 높이(H1)는 제2 높이(H2)와 동일할 수 있거나, 제1 높이(H1)는 제2 높이(H2)와 상이할 수 있다. 라이너 조립체(156)를 통한 플라즈마 유동을 변화시키기 위해, 하부 측벽(310) 및 상부 측벽(315)의 형상, 및 제1 높이(H1) 및 제2 높이(H2) 중 하나 또는 양쪽 모두를 변화시키는 것이 제공될 수 있다.
예를 들어, 제2 높이(H2)가 제1 높이(H1) 미만일 수 있고, 그에 의해, 하부 측벽(310) 및 상부 측벽(315) 중 하나 또는 양쪽 모두가 내측으로 만곡된다(즉, 오목하다). 이 예에서, 제1 개구부(300)의 중심 영역(320)은 제1 개구부(300)의 단부들(325)에 비해 수축된다.
제1 개구부(300)의 프로파일의 변동들은 더 넓은 영역 상의 균일한 유동을 유지하는 데에 활용된다. 일 구현에서, 하부 측벽(310) 및 상부 측벽(315)의 형상, 및/또는 제1 높이(H1) 및 제2 높이(H2) 중 하나 또는 양쪽 모두에서의 변동들은 제1 개구부(300)의 중심 영역(320)에서의 35% 감소를 제공한다. 다른 구현에서, 하부 측벽(310) 및 상부 측벽(315)의 형상, 및/또는 제1 높이(H1) 및 제2 높이(H2) 중 하나 또는 양쪽 모두에서의 변동들은 제1 개구부(300)의 중심 영역(320)에서의 40% 감소를 제공한다. 다른 구현에서, 하부 측벽(310) 및 상부 측벽(315)의 형상, 및/또는 제1 높이(H1) 및 제2 높이(H2) 중 하나 또는 양쪽 모두에서의 변동들은 제1 개구부(300)의 중심 영역(320)에서의 60% 감소를 제공한다. 다른 구현에서, 하부 측벽(310) 및 상부 측벽(315)의 형상, 및/또는 제1 높이(H1) 및 제2 높이(H2) 중 하나 또는 양쪽 모두에서의 변동들은 제1 개구부(300)의 중심 영역(320)에서의 65% 감소를 제공한다.
본원에 설명된 바와 같은 라이너 조립체(156) 및 유동 밸브(190)를 갖는 프로세스 챔버(102)의 시험이 수행되었다. 유동 밸브(190)는, 제1 개구부(300) 라이너 조립체(156)가, 다양한 프로파일들을 갖는 조건으로 다양한 각도들(각도(θ)(도 2a 및 2b에 도시됨))에서 시험되었다. 시험들에 기초하여 산화물 막의 중심 대 에지 균일성이 측정되었다.
도 4는 다른 실시예에 따른 라이너 조립체(156)의 개략적인 등각도이다. 라이너 조립체(156)는 다른 실시예들에서와 같이 커넥터(106)에 결합된다. 도 4의 라이너 조립체(156)는 다수의 유동 밸브들(190)을 제외하고는 도 3에 설명된 라이너 조립체와 유사하다. 추가적으로, 유동 밸브들(190)의 피벗 지점들(196)은 각각의 유동 밸브들(190)의 중심에 또는 중심 근처에 있다. 도 3에서 설명된, 도 4의 다른 요소들은 간결성을 위해 다시 설명되지 않을 것이다.
다수의 유동 밸브들(190)은 도 4에 도시된 바와 같이 서로에 대해 각을 이루어 그리고/또는 선형으로 분리된다. 유동 밸브들(190) 각각의 길이, 높이 및/또는 각도 위치는 동일할 수 있거나 동일하지 않을 수 있다. 4개의 유동 밸브들(190)이 도 4에 도시되지만, 유동 밸브들의 개수는 프로세스 요건들에 따라 더 많거나 더 적을 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같은 유동 밸브(190) 또는 도 4에 도시된 다수의 유동 밸브들(190)은 플라즈마 유동을 기판의 중심에 대해 비대칭으로 또는 오프셋되게 지향시키는 데에 활용된다. 어떠한 플라즈마도 기판의 중심으로 직접 유동되지 않도록, 유동 밸브(190)의 각도(θ)의 조정이 활용된다. 유동 밸브(190)의 각도 배향으로 인해, 회전 동안 플라즈마 유동의 특정 양이 기판에 의해 "드래깅"된다. 비대칭적 플라즈마 유동은, 기판의 중심을 향해 지향되는 종래의 주입과 비교해, 기판의 특정 부분에 걸쳐 평행하고/거나 직선인 일정한 두께 층을 제공할 것이다. 층 두께 프로파일은 위에서 설명된 다양한 펌핑 방식들을 사용하여 제어되거나 더 수정될 수 있다.
전술한 내용은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들은 그의 기본 범위로부터 벗어나지 않고 안출될 수 있으며, 그의 범위는 후속하는 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 반도체 처리 챔버를 위한 라이너 조립체로서,
    제1 개구부 및 상기 제1 개구부에 대향하는 제2 개구부를 포함하는 몸체 - 상기 개구부는 제1 단부 및 상기 제1 단부에 대향하는 제2 단부를 포함함 -; 및
    상기 제1 개구부와 상기 제2 개구부 사이에 배치된 유동 밸브 - 상기 유동 밸브는 상기 처리 챔버의 중심 축에 대해 약 0 도 내지 약 90 도의 각도들로 상기 유동 밸브의 이동을 제공하는 회전가능한 샤프트에 의해 상기 몸체에 결합됨 -
    를 포함하는, 라이너 조립체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 몸체는 상기 제1 개구부를 경계짓는, 상부 측벽 및 하부 측벽을 포함하는, 라이너 조립체.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 상부 측벽 및 상기 하부 측벽 중 하나 또는 양쪽 모두는 오목 형상을 갖는, 라이너 조립체.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1 개구부는 상기 제1 단부와 상기 제2 단부 사이에 중심 영역을 갖고, 상기 제1 개구부는 상기 중심 영역에서 약 0% 감소 내지 약 80% 감소를 갖는, 라이너 조립체.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제1 개구부는 상기 제1 단부와 상기 제2 단부 사이에 중심 영역을 갖고, 상기 제1 개구부는 상기 중심 영역에서 40% 감소를 갖는, 라이너 조립체.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제1 개구부는 상기 제1 단부와 상기 제2 단부 사이에 중심 영역을 갖고, 상기 제1 개구부는 상기 중심 영역에서 60% 감소를 갖는, 라이너 조립체.
  7. 처리 시스템으로서,
    라이너 조립체에 의해 원격 플라즈마 챔버에 결합된 프로세스 챔버
    를 포함하고, 상기 라이너 조립체는:
    제1 개구부 및 상기 제1 개구부에 대향하는 제2 개구부를 포함하는 몸체 - 상기 개구부는 제1 단부 및 상기 제1 단부에 대향하는 제2 단부를 포함함 -; 및
    상기 제1 개구부와 상기 제2 개구부 사이에 배치된 유동 밸브 - 상기 유동 밸브는 상기 몸체에 대해 약 0 도 내지 약 90 도의 각도들로 상기 유동 밸브의 이동을 제공하는 회전가능한 샤프트에 의해 상기 몸체에 결합됨 -
    를 포함하는, 처리 시스템.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 몸체는 상기 제1 개구부를 경계짓는, 상부 측벽 및 하부 측벽을 포함하는, 처리 시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 상부 측벽 및 상기 하부 측벽 중 하나 또는 양쪽 모두는 오목 형상을 갖는, 처리 시스템.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제1 개구부는 상기 제1 단부와 상기 제2 단부 사이에 중심 영역을 갖고, 상기 제1 개구부는 상기 중심 영역에서 약 0% 감소 내지 약 80% 감소를 갖는, 처리 시스템.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 제1 개구부는 상기 제1 단부와 상기 제2 단부 사이에 중심 영역을 갖고, 상기 제1 개구부는 상기 중심 영역에서 40% 감소를 갖는, 처리 시스템.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 제1 개구부는 상기 제1 단부와 상기 제2 단부 사이에 중심 영역을 갖고, 상기 제1 개구부는 상기 중심 영역에서 60% 감소를 갖는, 처리 시스템.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 유동 밸브는 복수의 유동 밸브들을 포함하는, 처리 시스템.
  14. 제7항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버는 측부 펌핑 포트를 포함하는, 처리 시스템.
  15. 프로세스 시스템으로서,
    프로세스 챔버
    를 포함하고, 상기 프로세스 챔버는:
    기판 지지 부분;
    상기 기판 지지 부분에 결합된 챔버 몸체 - 상기 챔버 몸체는 제1 측 및 상기 제1 측에 대향하는 제2 측을 포함하고, 상기 챔버 몸체 및 상기 기판 지지 부분은 처리 체적을 협동적으로 한정함 -;
    상기 제1 측에 배치된 라이너 조립체 - 상기 라이너 조립체는 상기 프로세스 챔버의 중심선에 대해 회전가능한 유동 밸브를 포함함 -; 및
    상기 제2 측에 인접하여 상기 기판 지지 부분에 위치된 분산된 펌핑 구조; 및
    커넥터에 의해 상기 프로세스 챔버에 결합된 원격 플라즈마 공급원
    을 포함하고, 상기 커넥터는 상기 원격 플라즈마 공급원으로부터 상기 처리 체적까지의 유체 유동 경로를 형성하기 위해 상기 라이너 조립체에 연결되는, 프로세스 시스템.
KR1020217035823A 2019-04-05 2020-03-13 가변 유동 밸브를 갖는 프로세스 시스템 KR20210135357A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4993360A (en) * 1988-03-28 1991-02-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Vapor growth apparatus having a diffuser section containing a flow regulating member
JPH07190203A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Fuji Inbatsuku Kk スロットルバルブ
US6450116B1 (en) * 1999-04-22 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Apparatus for exposing a substrate to plasma radicals
JP2005064037A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ処理装置及びアッシング方法
US20050221618A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Amrhein Frederick J System for controlling a plenum output flow geometry
JP4428175B2 (ja) * 2004-09-14 2010-03-10 株式会社Ｓｕｍｃｏ 気相エピタキシャル成長装置および半導体ウェーハの製造方法
KR20070076988A (ko) * 2006-01-21 2007-07-25 삼성전자주식회사 회전각 측정기를 구비하는 쓰로틀 밸브 및 상기 쓰로틀밸브를 구비하는 챔버 압력 조절기
US8067061B2 (en) * 2007-10-25 2011-11-29 Asm America, Inc. Reaction apparatus having multiple adjustable exhaust ports
TWI502617B (zh) * 2010-07-21 2015-10-01 應用材料股份有限公司 用於調整電偏斜的方法、電漿處理裝置與襯管組件
TWI638587B (zh) * 2011-10-05 2018-10-11 美商應用材料股份有限公司 對稱電漿處理腔室
US10294560B2 (en) * 2013-09-03 2019-05-21 Lam Research Corporation High-conductance, non-sealing throttle valve with projections and stop surfaces
US20170162366A1 (en) * 2015-12-08 2017-06-08 Asm Ip Holding B.V. Film forming apparatus, recording medium, and film forming method
US11615944B2 (en) * 2017-05-31 2023-03-28 Applied Materials, Inc. Remote plasma oxidation chamber
KR102029011B1 (ko) * 2017-09-11 2019-10-07 주식회사 솔텍코리아 박막 증착물 세정장치

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