TW202203319A - 基板處理裝置 - Google Patents

基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202203319A
TW202203319A TW110121097A TW110121097A TW202203319A TW 202203319 A TW202203319 A TW 202203319A TW 110121097 A TW110121097 A TW 110121097A TW 110121097 A TW110121097 A TW 110121097A TW 202203319 A TW202203319 A TW 202203319A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
chamber
substrate
substrate processing
inner space
processing apparatus
Prior art date
Application number
TW110121097A
Other languages
English (en)
Inventor
澤地淳
廣瀬潤
西嶋拓哉
曽根一朗
佐藤優
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2021072755A external-priority patent/JP2022008057A/ja
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202203319A publication Critical patent/TW202203319A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32513—Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32633—Baffles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3288—Maintenance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/002—Cooling arrangements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本發明旨在提供一種技術，可以輕易地維修：區隔出在內部對基板進行處理之基板處理空間的腔室。 本發明之基板處理裝置，具備：第1腔室、基板固持器、致動器、第2腔室、以及至少一個固定器具。基板固持器及第2腔室，配置於第1腔室的內部空間內。致動器，使基板固持器在第1位置與第2位置之間移動。第2腔室，在基板固持器位於第1位置時，與基板固持器一同區隔出基板處理空間。第2腔室，在基板固持器位於第2位置時，能經由第1腔室的開口而在第1腔室的內部空間與外部之間進行搬運。至少一個固定器具，在第1腔室的內部空間，將第2腔室以可解除的方式，固定於第1腔室。

Description

基板處理裝置
本發明之例示的實施形態，係有關於基板處理裝置、基板處理系統、以及維修方法。
電漿處理裝置，係用在對於基板的電漿處理。電漿處理裝置，具備腔室及基板固持器。基板固持器，係在腔室內固持基板。基板，係在腔室內，藉由處理氣體所生成之電漿產生的化學物種，而受到處理。 ［習知技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開2019－197849號公報
［發明所欲解決的問題］
本發明提供一種技術，可以輕易地維修：區隔出在內部對基板進行處理之基板處理空間的腔室。 ［解決問題之技術手段］
於一個例示的實施形態，提供一種基板處理裝置。基板處理裝置具備：第1腔室、基板固持器、致動器、第2腔室、以及至少一個固定器具。第1腔室，具有內部空間及開口。基板固持器，配置於該第1腔室的內部空間內。致動器，構成為使基板固持器在第1位置與第2位置之間移動。第2腔室，配置於第1腔室的內部空間內。第2腔室，在基板固持器位於第1位置時，與基板固持器一同區隔出基板處理空間。第2腔室，在基板固持器位於第2位置時，能經由開口而在第1腔室的內部空間與外部之間進行搬運。至少一個固定器具，構成為在第1腔室的內部空間，將第2腔室以可解除的方式，固定於第1腔室。 ［發明之效果］
若藉由一個例示的實施形態，可以輕易地維修區隔出在內部對基板進行處理之基板處理空間的腔室。
以下針對各種例示的實施形態，進行說明。
於一個例示的實施形態，提供一種基板處理裝置。基板處理裝置，具備：第1腔室、基板固持器、致動器、第2腔室、以及至少一個固定器具。第1腔室，具有內部空間及開口。基板固持器，配置於第1腔室的內部空間內。致動器，構成為使基板固持器在第1位置與第2位置之間移動。第2腔室，配置於第1腔室的內部空間內。第2腔室，在基板固持器位於第1位置時，與基板固持器一同區隔出基板處理空間。第2腔室，在基板固持器位於第2位置時，能經由開口而在第1腔室的內部空間與外部之間進行搬運。至少一個固定器具，構成為在第1腔室的內部空間，將第2腔室以可解除的方式，固定於第1腔室。
於上述實施形態之基板處理裝置，基板係在第2腔室內接受處理。第2腔室，係被配置於第1腔室內，而被固定於第1腔室。第2腔室對第1腔室的固定，可以解除。再者，在第2腔室對第1腔室的固定被解除之狀態下，就可以將第2腔室從第1腔室的開口，搬出至第1腔室的外側。故而，若藉由上述實施形態，可以輕易地維修區隔出在內部對基板進行處理之基板處理空間的腔室，亦即第2腔室。
於一個例示的實施形態，第2腔室亦可含有阻流板、以及一個或複數個環狀構件。阻流板，係配置成當基板固持器位於第1位置時，會環繞著基板固持器。一個或複數個環狀構件，係配置成當基板固持器位於第1位置時，會在基板處理空間環繞著載置於基板固持器上的基板。
於一個例示的實施形態，亦可構成為：至少一個固定器具，在第1腔室的內部空間內，將第2腔室的頂部以可解除的方式，固定於第1腔室之頂部。
於一個例示的實施形態，至少一個固定器具，亦可含有卡合構件及偏壓構件；卡合構件，構成為與第2腔室之頂部卡合；偏壓構件，構成為在卡合構件卡合於第2腔室之頂部的狀態下，將卡合構件朝上方偏壓。
於一個例示的實施形態，基板處理裝置亦可更進一步地具備：解除機構，構成為解除至少一個固定器具所為之第2腔室對第1腔室的固定。
於一個例示的實施形態，解除機構，亦可含有空氣供給器。
於一個例示的實施形態，至少一個固定器具，亦可含有卡合構件及凸輪機構。卡合構件，構成為與第2腔室之頂部卡合。凸輪機構，構成為使卡合於第2腔室之頂部的卡合構件往上方移動，以使第2腔室之頂部接觸第1腔室之頂部。
於一個例示的實施形態，第1腔室，亦可含有基板搬運口。第2腔室，亦可含有可動閘門，在第1腔室的內部空間，當第2腔室固定於第1腔室時，可動閘門係與基板搬運口相向。基板處理裝置，亦可更進一步地具備追加的致動器，構成為使可動閘門在開啟位置與關閉位置之間受到驅動。
於另一例示的實施形態，亦提供一種基板處理裝置。基板處理裝置，具備：第1腔室、基板固持器、第2腔室、至少一個致動器、以及至少一個固定器具。第1腔室，具有第1內部空間及第1開口。基板固持器，配置於第1內部空間內。第2腔室，配置於第1內部空間內，具有第2內部空間及第2開口。至少一個致動器，構成為在第1內部空間，使基板固持器及第2腔室中之至少一個，在第1狀態與第2狀態之間相對地移動。第1狀態，係基板固持器封閉第2開口之狀態；第2狀態，係基板固持器離開第2開口之狀態。至少一個固定器具，構成為在第1內部空間，將第2腔室以可解除的方式，固定於第1腔室。第2腔室，在至少一個固定器具所為之第2腔室對第1腔室的固定被解除時，能經由第1開口而在第1內部空間與第1腔室的外部之間進行搬運。
於一個例示的實施形態，第2腔室，亦可在第2狀態下，當至少一個固定器具所為之第2腔室對第1腔室的固定被解除時，能經由第1開口而在第1內部空間與第1腔室的外部之間進行搬運。
於一個例示的實施形態，至少一個致動器，亦可含有第1致動器，構成為於第1內部空間使基板固持器在第1上側位置與第1下側位置之間移動。基板固持器，於第1狀態下係配置於第1上側位置，於第2狀態下係配置於第1下側位置。
於一個例示的實施形態，至少一個致動器，亦可含有第2致動器，構成為於第1內部空間使第2腔室在第2上側位置與第2下側位置之間移動。第2腔室，於第1狀態下係配置於第2上側位置，於第2狀態下係配置於第2下側位置。
以下將參照圖式，針對各種例示的實施形態，進行詳細說明。又，於各圖式中，對於相同或相當的部分，會標注相同符號。
於一個例示的實施形態，基板處理系統，具備：一個以上的製程模組、搬運模組、搬運裝置、以及控制部。圖1係顯示一個例示的實施形態之基板處理系統的圖式。圖1所示之基板處理系統PS，具備：製程模組PM1～PM6、搬運模組CTM、搬運裝置CTU（參照圖5）、以及控制部MC。
基板處理系統PS，亦可更進一步地具備：工件台2a～2d、容器4a～4d、對準器AN、預載模組LL1、LL2、以及搬運模組TM。又，在基板處理系統PS的工件台之個數、容器之個數、預載模組之個數，可以係一個以上的任意之個數。再者，在基板處理系統PS的製程模組之個數，可以係一個以上的任意之個數。
工件台2a～2d，沿著裝填模組LM的一側邊緣排列。容器4a～4d，分別搭載於工件台2a～2d上。容器4a～4d之各個，係例如稱為FOUP（Front Opening Unified Pod；前開式晶圓傳送盒）的容器。容器4a～4d之各個，構成為於其內部容納基板W。
裝填模組LM，具有腔室。裝填模組LM之腔室內的壓力，係設定為大氣壓。裝填模組LM，具有搬運裝置TU1。搬運裝置TU1，係例如多關節機械手臂，由控制部MC所控制。搬運裝置TU1，構成為經由裝填模組LM的腔室以搬運基板W。搬運裝置TU1，可在容器4a～4d之各個與對準器AN之間、對準器AN與預載模組LL1、LL2之各個之間、以及預載模組LL1、LL2之各個與容器4a～4d之各個之間，搬運基板W。對準器AN，連接至裝填模組LM。對準器AN，構成為會進行基板W的位置之調整（位置之校準）。
預載模組LL1及預載模組LL2，各自設在裝填模組LM與搬運模組TM之間。預載模組LL1及預載模組LL2，各自提供預備減壓室。
搬運模組TM，經由閘閥而分別連接至預載模組LL1及預載模組LL2。搬運模組TM，具有可減壓的搬運腔室TC。搬運模組TM，具有搬運裝置TU2。搬運裝置TU2，係例如多關節機械手臂，由控制部MC所控制。搬運裝置TU2，構成為經由搬運腔室TC以搬運基板W。搬運裝置TU2，可在預載模組LL1、LL2之各個與製程模組PM1～PM6之各個之間、以及在製程模組PM1～PM6中之任意二個製程模組之間，搬運基板W。
製程模組PM1～PM6之各個，係構成為進行專用之基板處理的裝置。製程模組PM1～PM6中之至少一個製程模組，係後文所述之例示的實施形態之基板處理裝置。
搬運模組CTM，具有腔室。搬運模組CTM之腔室，與例示的實施形態之基板處理裝置的第1腔室，係經由形成於該第1腔室之側壁的開口而連接。搬運裝置CTU，係例如多關節機械手臂。搬運裝置CTU，構成為會將設在基板處理裝置之第1腔室內的第2腔室，搬運至搬運模組CTM的腔室。又，於圖1所示之例，搬運模組CTM，連接至製程模組PM5。於一實施形態，基板處理系統PS，亦可具備分別連接至一個以上之製程模組的一個以上之搬運模組CTM。於一實施形態，搬運模組TM，亦可用作搬運模組CTM。
控制部MC，構成為控制基板處理系統PS之各部位。控制部MC，可以係具備處理器、記憶裝置、輸入裝置、顯示裝置等的電腦。控制部MC，執行記錄於記憶裝置之控制程式，並基於記錄於該記憶裝置的製程配方資料，以控制基板處理系統PS之各部位。後文所述之例示的實施形態之維修方法，係藉由控制部MC所為之基板處理系統PS之各部位的控制，而得以在基板處理系統PS執行。
以下將針對例示的實施形態之基板處理裝置，進行說明。圖2係概略顯示一實施形態之基板處理裝置的圖式。圖2所示之基板處理裝置1，係電容耦合型的電漿處理裝置。基板處理裝置1，具備第1腔室10。第1腔室10，提供內部空間。第1腔室10，含有腔室主體12。腔室主體12，有施作電性接地。腔室主體12，例如係由鋁形成。於腔室主體12之表面，亦可形成耐腐蝕性的膜層。耐腐蝕性的膜層，例如係由氧化鋁或氧化釔這類材料形成。
腔室主體12，含有側壁12s。側壁12s，係大致圓筒狀。側壁12s的中心軸線，係在鉛直方向上延伸；於圖2，顯示為軸線AX。第1腔室10，提供基板搬運口12p。基板搬運口12p，亦可係在側壁12s提供。第1腔室10之內側的空間，係經由基板搬運口12p而與搬運模組TM的搬運腔室TC連接。基板搬運口12p，可藉由閘閥12g而開閉。基板W，在第1腔室10的內側與第1腔室10的外側之間搬運時，會通過基板搬運口12p。
第1腔室10，更進一步地提供開口12o（第1開口）。開口12o，亦可係在側壁12s提供。開口12o，具有可供後文所述之第2腔室通過的尺寸。第1腔室10之內側的空間（內部空間或第1內部空間），經由開口12o而與搬運模組CTM連接。開口12o，可藉由閘閥12v而開閉。
基板處理裝置1，更進一步地具備基板固持器14。基板固持器14，配置於第1腔室10內。基板固持器14，具有載置區域14m。基板固持器14，構成為固持著載置於載置區域14m上的基板W。基板固持器14，亦可係以固持部15而受到固持。固持部15，係大致圓筒狀。固持部15，係由例如石英這類的絕緣體形成。固持部15，亦可係由底板16往上方延伸。
基板固持器14，亦可含有下部電極18及靜電吸盤20。下部電極18，係大致圓盤狀。下部電極18的中心軸線，與軸線AX大略一致。下部電極18，係由鋁這類的導體形成。下部電極18，於其內部提供流路18f。流路18f，係以例如漩渦狀延伸。流路18f，連接至急冷單元19。急冷單元19，係設在第1腔室10之外部。急冷單元19，對流路18f供給冷媒。供給至流路18f的冷媒，會送回急冷單元19。
基板處理裝置1，亦可更進一步地具備第1高頻電源21及第2高頻電源22。第1高頻電源21，係產生第1高頻電力的電源。第1高頻電力，具有適於生成電漿的頻率。第1高頻電力的頻率，係例如27MHz以上。第1高頻電源21，經由匹配器21m而電性連接至下部電極18。匹配器21m，具有用以使負載側（下部電極18側）的阻抗與第1高頻電源21之輸出阻抗匹配的匹配電路。又，第1高頻電源21，亦可並非連接至下部電極18，而是經由匹配器21m而連接至後文所述之上部電極。
第2高頻電源22，係產生第2高頻電力的電源。第2高頻電力，具由適宜對基板W引入離子的頻率。第2高頻電力的頻率，例如係13.56MHz以下。第2高頻電源22，經由匹配器22m而電性連接至下部電極18。匹配器22m，具有用以使負載側（下部電極18側）的阻抗與第2高頻電源22之輸出阻抗匹配的匹配電路。
靜電吸盤20，設在下部電極18上。靜電吸盤20，含有主體與電極20a。靜電吸盤20的主體，係大致圓盤狀。靜電吸盤20的中心軸線，與軸線AX大略一致。靜電吸盤20的主體，係由陶瓷形成。靜電吸盤20之主體的頂面，構成上述之載置區域14m。電極20a，係由導體所形成的薄膜。電極20a，設在靜電吸盤20的主體內。電極20a，經由開關20s而連接至直流電源20d。若對電極20a施加來自直流電源20d的電壓，就會在靜電吸盤20與基板W之間產生靜電引力。藉由所產生的靜電引力，就會使基板W被吸往靜電吸盤20，而受到靜電吸盤20固持。基板處理裝置1，亦可提供氣體管線，以對靜電吸盤20與基板W的背面之間的間隙，供給熱傳導氣體（例如：氦氣）。
基板固持器14，亦可固持邊緣環ER。基板W係在邊緣環ER所圍繞出的區域內，載置於靜電吸盤20上。邊緣環ER，係例如由矽、石英、或碳化矽所形成。
基板固持器14，亦可更進一步地具備外周部23。外周部23，係沿著下部電極18、靜電吸盤20、以及固持部15的外周而延伸。外周部23，係由石英這樣的絕緣體所形成。
基板處理裝置1，更進一步地具備致動器24。致動器24，係構成為會使基板固持器14在第1位置（第1上側位置）與第2位置（第1下側位置）之間移動。第1位置，係相對於第2位置而為上方的位置。致動器24，可以具有固持部和驅動部。致動器24的固持部，固持著基板固持器14，而往下方延伸。致動器24的驅動部，會產生用以經由固持部而移動基板固持器14的動力。致動器24的驅動部，含有例如馬達。
第1腔室10，可以更進一步地含有頂部26。頂部26係設置於側壁12s上，以封閉腔室主體12的上端開口。頂部26，係在後文所述的第2腔室之頂部的上方延伸。
於一實施形態，頂部26亦可含有：背襯部27、環狀部28、環狀部29、以及加熱單元30。背襯部27，係配置於基板固持器14的上方。背襯部27，構成上部電極31之局部。上部電極31，係設於基板固持器14的上方。
環狀部28，係大致環形。環狀部28，係由鋁這類金屬形成。環狀部28，係隔著加熱單元30而設在側壁12s上。加熱單元30，於其內部內建加熱器。環狀部29，係大致環形。環狀部29，係設在背襯部27與環狀部28之間。環狀部29，係由石英這類的絕緣體形成。
基板處理裝置1，更進一步地具備第2腔室32。第2腔室32，配置於第1腔室10內。第2腔室32，亦可提供第2內部空間及第2開口。第2內部空間，係第2腔室32之內側的空間；而第2開口，係連續至第2腔室32的開口。第2開口，可以在第2腔室32的下部提供。
當基板固持器14位於第1位置時，第2腔室32就會與基板固持器14一同區隔出處理空間S，亦即基板處理空間。當基板固持器14位於第1位置時，會形成以基板固持器14封閉第2腔室32之第2開口的第1狀態。於第1狀態，第2內部空間會成為基板處理空間。另一方面，當基板固持器14移動至第2位置，就會形成基板固持器14離開第2開口的第2狀態。
第2腔室32，以可拆除的方式固定於第1腔室10。再者，第2腔室32，能經由開口12o而在第1腔室10的內側與外側之間進行搬運。第2腔室32，亦可由鋁這類的導體形成。於第2腔室32之表面，亦可形成耐腐蝕性的膜層。耐腐蝕性的膜層，例如係由氧化鋁或氧化釔這類材料形成。
基板處理裝置1，更進一步地具備至少一個固定器具34及解除機構36。固定器具34，構成為在第1腔室10的內部空間，將第2腔室32以可解除的方式，固定於第1腔室10。解除機構36，構成為解除固定器具34所為之第2腔室32的固定。至於固定器具34及解除機構36之詳情，留待後文敍述。
於一實施形態，第2腔室32亦可含有：頂部32c、側部32s、阻流板32b、以及一個或複數個環狀構件32r。頂部32c，在處理空間S的上方延伸。於一實施形態，頂部32c亦可含有：頂板38及環狀部39。頂板38，係大致圓盤狀。環狀部39，係大致環形。環狀部39，繞著軸線AX而在圓周方向上延伸，並從頂板38的外緣，朝徑向延伸。環狀部39，固持著頂板38。頂板38的外緣，係配置在環狀部39的內緣上。又，上述加熱單元30，也夾在環狀部39與環狀部28之間。
側部32s，在處理空間S的側向延伸。側部32s，係大致圓筒狀。於一實施形態，側部32s，連續至頂部32c的環狀部39之外緣，而從環狀部39的外緣往下方延伸。
阻流板32b，在側部32s與基板固持器14之間延伸。阻流板32b，配置成當基板固持器14位於第1位置時，會環繞著基板固持器14。阻流板32b，係大致環形。阻流板32b，提供複數個貫穿孔。基板處理裝置1，可以更進一步地具備排氣裝置40。排氣裝置40，含有自動壓力控制閥這類的壓力調整器及渦輪分子泵這類的減壓泵。排氣裝置40，係在阻流板32b的下方，連接至第1腔室10的底部。
環狀構件32r，係大致環形。環狀構件32r，配置成當基板固持器14位於第1位置時，會環繞著載置於基板固持器14上的基板W；亦即，環狀構件32r的內緣，隔著邊緣環ER而環繞著載置區域14m。環狀構件32r，被固持在阻流板32b的內緣上。
頂板38與背襯部27，在第2腔室32固定於第1腔室10的狀態下，構成上部電極31。在此狀態下，頂板38的頂面，會抵接背襯部27的底面。於一實施形態，上部電極31，亦可構成為噴淋頭。頂板38，提供複數個氣體噴出孔38h。複數個氣體噴出孔38h，在頂板38的板厚方向（鉛直方向）將其加以貫穿。頂板38，亦可由矽形成。或者，頂板38亦可藉由在鋁這類的導體製之構件的表面上形成耐腐蝕性的膜層而構成。耐腐蝕性的膜層，例如係由氧化鋁或氧化釔這類材料形成。
背襯部27，例如係由鋁形成。背襯部27，於其內部提供流路27f。流路27f係在背襯部27內，以例如漩渦狀延伸。流路27f，連接至急冷單元42。急冷單元42，係設在第1腔室10的外側。急冷單元42，對流路27f供給冷媒。供給至流路27f的冷媒，會送回急冷單元42。
背襯部27，於其內部提供氣體擴散室27d。再者，背襯部27，提供複數個孔洞27h。複數個孔洞27h，係由氣體擴散室27d往下方延伸。複數個孔洞27h，在第2腔室32固定於第1腔室10的狀態下，會分別連接至複數個氣體噴出孔38h。氣體擴散室27d，連接著空氣供給部44。
空氣供給部44，亦可含有氣體來源群45、閥群46、流量控制器群47、以及閥群48。氣體來源群45，含有複數個氣體來源。閥群46及閥群48，各自含有複數個閥。流量控制器群47，含有複數個流量控制器。複數個流量控制器，各自係質量流量控制器或壓力控制式的流量控制器。氣體來源群45的複數個氣體來源，各自經由閥群46之對應的閥、流量控制器群47之對應的流量控制器、以及閥群48之對應的閥，而連接至氣體擴散室27d。在基板處理裝置1，會使氣體來源群45的複數個氣體來源中所選擇之一個以上之氣體來源所送出的氣體，經由氣體擴散室27d及複數個孔洞27h，而從複數個氣體噴出孔38h供給處理空間S。
於一實施形態，第2腔室32的側部32s，亦可在基板搬運口12p與第2腔室32的內部之間的區域，提供開口。側部32s，亦可含有用以關閉此開口的可動閘門50。基板處理裝置1，為了移動可動閘門50，亦可更進一步地具備驅動機構51。驅動機構51，構成為會使可動閘門50在基板搬運口12p與第2腔室32的內部之間的區域（亦即，側部32s的開口）、以及自該區域退開的場所之間移動。亦即，驅動機構51，構成為會使可動閘門50在開啟位置與關閉位置之間移動。開啟位置，係在關閉位置之上方的位置。
於一實施形態，驅動機構51，亦可含有致動器52及固持部54。致動器52，構成為會產生使得可動閘門50在開啟位置與關閉位置之間移動的動力。致動器52，亦可含有例如馬達。固持部54，固持著可動閘門50。固持部54，例如呈棒狀，而在鉛直方向上延伸。固持部54的上端54t，含有往水平方向突出之突出部。可動閘門50，具有從阻流板32b大致水平延伸的部位50a。部位50a，提供凹部50b。凹部50b，形成為可供固持部54之上端54t的突出部嵌入。部位50a，更進一步地提供凹部50c。凹部50c，形成為可供搬運裝置CTU之後文所述之臂體的突出部嵌入。固持部54，連接至致動器52。致動器52，透過固持部54而使可動閘門50移動。
以下，將針對固定器具34及解除機構36，進行說明。於一實施形態，固定器具34，將第2腔室32的頂部32c以可解除的方式，固定於第1腔室10的頂部26。
圖3係顯示一個例示的實施形態之固定器具及解除機構的圖式。於一實施形態，固定器具34，含有複數個固持部56及複數個偏壓構件58。固定器具34，亦可更進一步地含有板件59。又，固定器具34的固持部56之個數及偏壓構件58之個數，亦可分別係一個。
複數個固持部56，各自具有卡合構件56b。卡合構件56b，構成為與第2腔室32之頂部32c卡合。於一實施形態，卡合構件56b形成為可供頂部32c由該處懸掛。複數個偏壓構件58，構成為在卡合構件56b卡合於第2腔室32之頂部32c的狀態下，將卡合構件56b朝上方偏壓。亦即，複數個偏壓構件58，係設置來將頂部32c推向第1腔室10之頂部26。
於一實施形態，第1腔室10之頂部26，提供空洞26c。空洞26c，亦可繞著軸線AX而在圓周方向上延伸。空洞26c，係以蓋體55來閉合。蓋體55，設在第1腔室10之頂部26上，以封閉空洞26c。頂部26，更進一步地提供複數個孔洞26h。複數個孔洞26h，亦可沿著以軸線AX為中心的複數個同心圓而等間隔地排列。複數個孔洞26h，會從空洞26c朝下方延伸，並朝向頂部32c開口。頂部32c，提供複數個凹部39r。複數個凹部39r，在第2腔室32固定於第1腔室10之狀態下，係各自連繫至複數個孔洞26h。
於一實施形態，複數個固持部56，各自呈棒狀。複數個固持部56之各自的卡合構件56b，係朝水平方向突出。複數個凹部39r之各自的底部，含有擴張部39e。擴張部39e，形成為可供複數個固持部56中之對應的固持部之卡合構件56b嵌入。於一例中，亦可使複數個固持部56，各自係螺釘；亦可使複數個固持部56之各自的卡合構件56b，係螺釘的頭部。
複數個固持部56，係由空洞26c穿過複數個孔洞26h而往下方延伸。在頂部32c懸掛於複數個固持部56的狀態下，複數個固持部56之卡合構件56b會分別配置於複數個凹部39r及該等的擴張部39e之中。
複數個固持部56之上端，係在空洞26c中，固定於板件59。複數個偏壓構件58，配置於空洞26c中。複數個偏壓構件58，係配置在從下方區隔出空洞26c的頂部26之一面與板件59之間。於一實施形態，複數個偏壓構件58，各自係彈簧（例如螺旋彈簧）。複數個偏壓構件58，設置成各自在空洞26c中環繞著複數個固持部56。
於一實施形態，解除機構36含有空氣供給器。空氣供給器，為了解除固定器具34所為之頂部32c的固定，會賦予空氣壓力，以使頂部32c從第1腔室10之頂部26朝下方分離。解除機構36的空氣供給器，可向蓋體55與板件59之間的間隙供給氣體。若對蓋體55與板件59之間的間隙供給氣體，則板件59及複數個固持部56會往下方移動，而頂部32c就會從第1腔室10之頂部26朝下方分離。亦即，固定器具34所為之頂部32c的固定，就會被解除。在固定器具34所為之頂部32c的固定被解除之狀態，第2腔室32對第1腔室10的固定就會被解除，而第2腔室32就可以從第1腔室10的內側往第1腔室10的外側搬運。
以下將參照圖4～圖12，針對一個例示的實施形態之維修方法，進行說明。再者，針對用於維修方法的控制部MC之控制，進行說明。圖4～圖12之各圖，係顯示一個例示的實施形態之維修方法之執行當下的基板處理系統之狀態的圖式。於維修方法，第2腔室32，會為了該維修，而從第1腔室10拆除，並搬運至搬運模組CTM。
在進行維修方法前，會形成上述第1狀態。於第1狀態，第2腔室32係位於第2上側位置。於維修方法，首先，基板固持器14會如圖4所示，從第2腔室32朝下方分離。亦即，基板固持器14會從第1位置（第1上側位置）往第2位置（第1下側位置）移動，而形成第2狀態。致動器24，會被控制部MC控制，而使基板固持器14從第2腔室32朝下方分離。
接著，於維修方法，如圖5所示，閘閥12v會開啟，而搬運裝置CTU的臂體會從搬運模組CTM，經由開口12o而導入至第1腔室10內。搬運裝置CTU的臂體，會被導入至第1腔室10內，而使其突出部AP會位於可動閘門50的凹部50c下方。搬運裝置CTU，會被控制部MC控制，而使其臂體被導入至第1腔室10內。
接著，於維修方法，可動閘門50會從驅動機構51的固持部54，被傳遞至搬運裝置CTU的臂體。驅動機構51及搬運裝置CTU會為此而受到控制部MC控制。
為了將可動閘門50從驅動機構51的固持部54傳遞至搬運裝置CTU的臂體，可動閘門50會如圖6所示，朝下方移動。可動閘門50會被驅動機構51移動至下方，以使搬運裝置CTU的臂體之突出部AP嵌入凹部50c。驅動機構51會被控制部MC控制，而使可動閘門50移動至下方。在突出部AP嵌入凹部50c之狀態下，可動閘門50會進行搬運裝置CTU的臂體固持。
接著，為了將可動閘門50從驅動機構51的固持部54傳遞至搬運裝置CTU的臂體，被搬運裝置CTU的臂體所固持之可動閘門50，會如圖7所示，朝水平方向移動。可動閘門50，會藉由搬運裝置CTU而朝水平方向移動，以使固持部54之上端54t的突出部從可動閘門50的凹部50b分離。搬運裝置CTU，會被控制部MC控制，而使其臂體所固持之可動閘門50，朝水平方向移動。
接著，於維修方法，如圖8所示，固持部54會往下方移動，以免干擾可動閘門50。驅動機構51，會被控制部MC控制，而使固持部54移動至下方。接著，為了使可動閘門50回到圖6所示之原本位置，可動閘門50會藉由搬運裝置CTU而朝水平方向移動。搬運裝置CTU，會被控制部MC控制，而使可動閘門50朝水平方向移動。
接著，於維修方法，為了將第2腔室32（可動閘門50以外的第2腔室32之其餘部位）傳遞至搬運裝置CTU的臂體，會解除固定器具34所為之第2腔室32的固定。具體而言，如圖9所示，第2腔室32（可動閘門50以外的第2腔室32之其餘部位）會被移動至下方，而解除第2腔室32對第1腔室10的固定。第2腔室32，會藉由解除機構36而被移動至下方。解除機構36，為了對搬運裝置CTU傳遞第2腔室32之其餘部位，會被控制部MC控制，而解除固定器具34所為之第2腔室32的固定。
接著，於維修方法，第2腔室32會朝水平方向移動。第2腔室32，如圖10所示，會藉由搬運裝置CTU而朝水平方向移動，以使複數個固持部56之各自的卡合構件56b從複數個凹部39r的擴張部39e分離。搬運裝置CTU，會被控制部MC控制，而使第2腔室32朝水平方向移動。
接著，於維修方法，第2腔室32會被移動至下方。第2腔室32，如圖11所示，會被搬運裝置CTU移動至下方，而得以從1腔室10的內側，經由開口12o，搬運至搬運模組CTM。亦即，第2腔室32，會被移動至第2下側位置。搬運裝置CTU，會被控制部MC控制，而使第2腔室32移動至下方。
接著，於維修方法，第2腔室32會如圖12所示，藉由搬運裝置CTU，而從第1腔室10的內側，經由開口12o，被搬運至搬運模組CTM。搬運裝置CTU，會被控制部MC控制，而使第2腔室32從第1腔室10的內側搬運至搬運模組CTM。
如以上說明，基板W係在第2腔室32內，接受處理。第2腔室32，係被配置於第1腔室10內，而被固定於第1腔室10。第2腔室32對第1腔室10的固定，可以使用解除機構36來解除。再者，在第2腔室32對第1腔室10的固定被解除之狀態下，就可以將第2腔室32從設在第1腔室10之側壁的開口12o，搬出至第1腔室10的外側。故而，可以輕易地維修區隔出在內部對基板W進行處理之處理空間S的腔室，亦即第2腔室32。再者，若藉由基板處理系統PS及上述維修方法，就可以將第2腔室32從第1腔室10的內側自動地搬出。所以，第2腔室32之維修（例如更換）所造成之基板處理系統PS的非運轉期間就會縮短。
以下將參照圖13。圖13係顯示另一例示的實施系統之固定器具及解除機構的圖式。基板處理裝置1，亦可取代固定器具34及解除機構36，而具備圖13所示之固定器具34B及解除機構36B。
固定器具34B，含有複數個固持部56B及凸輪機構60。固定器具34B中的固持部56B之個數，亦可係一個。複數個固持部56B之各自的卡合構件56b，與複數個固持部56之各自的卡合構件56b同樣地構成為會與第2腔室32之頂部32c卡合。於一實施形態，複數個固持部56B之各自的卡合構件56b，與複數個固持部56之各自的卡合構件56b同樣地形成為可供頂部32c由該處懸掛。凸輪機構60，構成為會使複數個固持部56B往上方移動，而使頂部32c抵接第1腔室10之頂部26。
如圖13所示，複數個固持部56B，各自呈棒狀。第1腔室10之頂部26，提供複數個由其內部往下方延伸的孔洞26h。複數個孔洞26h，亦可繞著軸線AX周圍而等間隔配置。複數個孔洞26h，在第2腔室32固定於第1腔室10之狀態下，連繫至複數個凹部39r。複數個固持部56B，分別配置於複數個孔洞26h中。再者，在頂部32c懸掛於複數個固持部56B的狀態下，複數個固持部56B之卡合構件56b會分別配置於複數個凹部39r及該等之擴張部39e中。
固定器具34B，含有複數個軸體61及凸輪62。第1腔室10之頂部26，更進一步地提供複數個孔洞26i。複數個孔洞26i，分別與複數個孔洞26h交叉，並相對於軸線AX而在徑向延伸。複數個軸體61分別以在徑向延伸的方式而配置於複數個孔洞26i中。複數個軸體61之各自的一端，係由頂部26朝向外側突出，而構成凸輪從動件61f。複數個軸體61之各自的另一端，提供斜面61s。於複數個固持部56B，各自形成了讓複數個軸體61中之對應的軸體61穿過的開口。複數個軸體61之各自的斜面61s，在複數個固持部56B中之對應的固持部56B之各個，由上方抵接著區隔出開口的部位。
凸輪62係環狀，繞著軸線AX周圍而延伸。凸輪62，設置成圍繞著複數個軸體61之各自的一端（亦即：凸輪從動件61f）。凸輪62，提供凸輪面62s。複數個軸體61之各自的凸輪從動件61f，抵接著凸輪面62s。
若使凸輪62繞著軸線AX周圍而旋轉，複數個軸體61就會沿著徑向移動。一旦使凸輪62繞著軸線AX周圍而旋轉，以使複數個軸體61靠近軸線AX，則複數個固持部56B就會往上方移動。其結果，第2腔室32，會以頂部32c抵接第1腔室10之頂部26的狀態，受到固定。另一方面，若使凸輪62繞著軸線AX周圍而旋轉，以使複數個軸體61離開軸線AX，則複數個固持部56B就會往下方移動。其結果，第2腔室32會從第1腔室10朝下方分離，而解除第2腔室32對第1腔室10的固定。
解除機構36B，會產生用以使凸輪62繞著軸線AX周圍而旋轉的動力。解除機構36B，例如含有馬達。若解除機構36B使凸輪62繞著軸線AX周圍而旋轉，以使複數個軸體61離開軸線AX，第2腔室32就會從第1腔室10朝下方分離，而解除第2腔室32對第1腔室10的固定。
以下將參照圖14。圖14係顯示再一例示的實施系統之固定器具及解除機構的圖式。基板處理裝置1，亦可取代固定器具34及解除機構36，而具備圖14所示之固定器具34C及解除機構36C。
固定器具34C，含有複數個固持部56C及凸輪機構70。固定器具34C中的固持部56C之個數，亦可係一個。複數個固持部56C之各自的卡合構件56b，與複數個固持部56之各自的卡合構件56b同樣地形成為可供頂部32c由該處懸掛。凸輪機構70，構成為會使複數個固持部56C往上方移動，並使頂部32c抵接第1腔室10之頂部26。
如圖14所示，複數個固持部56C，各自呈棒狀。第1腔室10之頂部26，提供複數個由其內部往下方延伸的孔洞26h。複數個孔洞26h，亦可繞著軸線AX周圍而等間隔配置。複數個孔洞26h，在第2腔室32固定於第1腔室10之狀態下，連繫至複數個凹部39r。複數個固持部56C，分別配置於複數個孔洞26h中。再者，在頂部32c懸掛於複數個固持部56C的狀態下，複數個固持部56C之卡合構件56b會分別配置於複數個凹部39r及該等之擴張部39e中。
第1腔室10之頂部26，更進一步地提供複數個孔洞26j。複數個孔洞26j，分別與複數個孔洞26h交叉，並相對於軸線AX而在徑向延伸。複數個固持部56C之上端，分別配置於複數個孔洞26j中。複數個固持部56C之上端，分別構成複數個凸輪從動件56f。
凸輪機構70，含有複數個凸輪從動件56f、以及複數個凸輪軸體71。複數個凸輪軸體71，分別配置於複數個孔洞26j中。複數個凸輪軸體71，各自係大致圓筒狀，並相對於軸線AX而在徑向延伸。複數個凸輪軸體71之各自的兩端，受到一對凸輪軸承72固持。複數個凸輪軸體71，各自以可繞著其中心軸線周圍而旋轉的方式，受到一對凸輪軸承72固持。
複數個凸輪軸體71之各個，於其內側提供凸輪面。複數個凸輪從動件56f，各自抵接著複數個凸輪軸體71中之對應的凸輪軸體71之凸輪面。
若使複數個凸輪軸體71繞著其中心軸線周圍而旋轉，複數個凸輪從動件56f（亦即：複數個固持部56C之上端）就會往上方或下方移動。其結果，複數個固持部56C會往上方或下方移動。若使複數個凸輪軸體71旋轉，以使複數個固持部56C往上方移動，則第2腔室32會以頂部32c抵接第1腔室10之頂部26的狀態，受到固定。另一方面，若使複數個凸輪軸體71旋轉，以使複數個固持部56C往下方移動，則第2腔室32會從第1腔室10朝下方分離，而解除第2腔室32對第1腔室10的固定。
解除機構36C，會產生經由軸體73而使複數個凸輪軸體71旋轉的動力。解除機構36C，例如含有馬達。若解除機構36C使複數個凸輪軸體71旋轉，以使複數個固持部56C往下方移動，第2腔室32就會從第1腔室10朝下方分離，而解除第2腔室32對第1腔室10的固定。
以上針對各種例示的實施形態進行了說明，但並不限定於上述例示的實施形態，亦可進行各種追加、省略、置換、及變更。再者，亦可組合不同實施形態中的要素，以形成另一實施形態。
例如，於另一實施形態，基板處理裝置亦可係：感應耦合型電漿處理裝置、電子迴旋共振（ECR）電漿處理裝置、或使用微波以生成電漿之電漿處理裝置這樣的其他類型電漿處理裝置。再者，於再一實施形態，基板處理裝置亦可係：構成為進行電漿處理以外之基板處理的基板處理裝置。
從以上說明，當可理解本說明書之各種實施形態，係出自說明之目的而在本說明書加以說明，在不脫離本發明之範圍及主旨的情況下，得進行各種變更。因此，本說明書所揭露之各種實施形態並非用以限定，本發明真正的範圍與主旨，將以隨附之申請專利範圍來呈現。
1:基板處理裝置 2a~2d:工件台 4a~4d:容器 10:第1腔室 12:腔室主體 12g:閘閥 12s:側壁 12o:開口 12p:基板搬運口 12v:閘閥 14:基板固持器 14m:載置區域 15:固持部 16:底板 18:下部電極 18f:流路 19:急冷單元 20:靜電吸盤 20a:電極 20d:直流電源 20s:開關 21:第1高頻電源 21m,22m:匹配器 22:第2高頻電源 23:外周部 24:致動器 26:頂部 26c:空洞 26h,26i,26j:孔洞 27:背襯部 27d:氣體擴散室 27f:流路 27h:孔洞 28,29:環狀部 30:加熱單元 31:上部電極 32:第2腔室 32b:阻流板 32c:頂部 32r:環狀構件 32s:側部 34,34B,34C:固定器具 36,36B,36C:解除機構 38:頂板 38h:氣體噴出孔 39:環狀部 39e:擴張部 39r:凹部 40: 排氣裝置 42:急冷單元 44:空氣供給部 45:氣體來源群 46:閥群 47:流量控制器群 48:閥群 50:可動閘門 50a:部位 50b,50c:凹部 51:驅動機構 52:致動器 54:固持部 54t:上端 55:蓋體 56,56B,56C:固持部 56b:卡合構件 56f,61f:凸輪從動件 58:偏壓構件 59:板件 60,70:凸輪機構 61s:斜面 62:凸輪 62s:凸輪面 71:凸輪軸體 72:凸輪軸承 73:軸體 AN:對準器 AX:軸線 CTU:搬運裝置 CTM:搬運模組 ER:邊緣環 LL1,LL2:預載模組 LM:搬運模組 MC:控制部 PM1~6:製程模組 PS:基板處理系統 S:處理空間 TC:搬運腔室 TM:搬運模組 TU1,TU2:搬運裝置 W:基板
【圖1】係顯示一個例示的實施形態之基板處理系統的圖式。 【圖2】概略顯示一個例示的實施形態之基板處理裝置的圖式。 【圖3】係顯示一個例示的實施形態之固定器具及解除機構的圖式。 【圖4】係顯示一個例示的實施形態之維修方法之執行當下的基板處理系統之狀態的圖式。 【圖5】係顯示一個例示的實施形態之維修方法之執行當下的基板處理系統之狀態的圖式。 【圖6】係顯示一個例示的實施形態之維修方法之執行當下的基板處理系統之狀態的圖式。 【圖7】係顯示一個例示的實施形態之維修方法之執行當下的基板處理系統之狀態的圖式。 【圖8】係顯示一個例示的實施形態之維修方法之執行當下的基板處理系統之狀態的圖式。 【圖9】係顯示一個例示的實施形態之維修方法之執行當下的基板處理系統之狀態的圖式。 【圖10】係顯示一個例示的實施形態之維修方法之執行當下的基板處理系統之狀態的圖式。 【圖11】係顯示一個例示的實施形態之維修方法之執行當下的基板處理系統之狀態的圖式。 【圖12】係顯示一個例示的實施形態之維修方法之執行當下的基板處理系統之狀態的圖式。 【圖13】係顯示另一例示的實施系統之固定器具及解除機構的圖式。 【圖14】係顯示再一例示的實施系統之固定器具及解除機構的圖式。
1:基板處理裝置
10:第1腔室
12:腔室主體
12g:閘閥
12s:側壁
12o:開口
12p:基板搬運口
12v:閘閥
14:基板固持器
14m:載置區域
15:固持部
16:底板
18:下部電極
18f:流路
19:急冷單元
20:靜電吸盤
20a:電極
20d:直流電源
20s:開關
21:第1高頻電源
21m,22m:匹配器
22:第2高頻電源
23:外周部
24:致動器
26:頂部
27:背襯部
27d:氣體擴散室
27f:流路
27h:孔洞
28,29:環狀部
30:加熱單元
31:上部電極
32:第2腔室
32b:阻流板
32c:頂部
32r:環狀構件
32s:側部
34:固定器具
36:解除機構
38:頂板
38h:氣體噴出孔
39:環狀部
40:排氣裝置
42:急冷單元
44:空氣供給部
45:氣體來源群
46:閥群
47:流量控制器群
48:閥群
50:可動閘門
50a:部位
50b,50c:凹部
51:驅動機構
52:致動器
54:固持部
54t:上端
56:固持部
58:偏壓構件
AX:軸線
ER:邊緣環
S:處理空間
W:基板

Claims (12)

  1. 一種基板處理裝置，包括： 第1腔室，具有內部空間及開口； 基板固持器，配置於該第1腔室的該內部空間內； 致動器，構成為使該基板固持器在第1位置與第2位置之間移動； 第2腔室，配置於該第1腔室的該內部空間內，在該基板固持器位於該第1位置時，該第2腔室與該基板固持器一同區隔出基板處理空間，而在該基板固持器位於該第2位置時，該第2腔室能經由該開口而在該第1腔室的該內部空間與外部之間進行搬運；以及 至少一個固定器具，構成為在該第1腔室的該內部空間，將該第2腔室以可解除的方式固定於該第1腔室。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 該第2腔室，包含阻流板、以及一個或複數個環狀構件；該阻流板，係配置成當該基板固持器位於該第1位置時，環繞著該基板固持器；該一個或複數個環狀構件，係配置成當該基板固持器位於該第1位置時，在該基板處理空間環繞著載置於該基板固持器上的基板。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中， 該至少一個固定器具，構成為在該第1腔室的該內部空間，將該第2腔室的頂部以可解除的方式固定於該第1腔室的頂部。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中， 該至少一個固定器具，包含卡合構件及偏壓構件； 該卡合構件，構成為與該第2腔室之頂部卡合； 該偏壓構件，構成為在該卡合構件卡合於該第2腔室之頂部的狀態下，將該卡合構件朝上方偏壓。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，更包括： 解除機構，構成為將由該至少一個固定器具所為之該第2腔室對該第1腔室的固定予以解除。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中， 該解除機構，包含空氣供給器。
  7. 如請求項3之基板處理裝置，其中， 該至少一個固定器具，包含卡合構件、及凸輪機構： 該卡合構件，構成為與該第2腔室之頂部卡合； 該凸輪機構，構成為使卡合於該第2腔室之頂部的該卡合構件往上方移動，以令該第2腔室之頂部接觸該第1腔室之頂部。
  8. 如請求項2至7項中任一項之基板處理裝置，其中， 該第1腔室，具有基板搬運口； 該第2腔室，包含可動閘門，在該第1腔室的該內部空間，當該第2腔室被固定於該第1腔室時，該可動閘門係與該基板搬運口相向； 該基板處理裝置，更包括追加的致動器，構成為使該可動閘門在開啟位置與關閉位置之間受到驅動。
  9. 一種基板處理裝置，包括： 第1腔室，具有第1內部空間及第1開口； 基板固持器，配置於該第1內部空間內； 第2腔室，配置於該第1內部空間內，具有第2內部空間及第2開口； 至少一個致動器，構成為在該第1內部空間，使該基板固持器及該第2腔室中之至少一個，在第1狀態與第2狀態之間相對地移動，該第1狀態，係該基板固持器封閉該第2開口之狀態，該第2狀態，係該基板固持器離開該第2開口之狀態；以及 至少一個固定器具，構成為在該第1內部空間，將該第2腔室以可解除的方式固定於該第1腔室，在將該至少一個固定器具所為之該第2腔室對該第1腔室的固定予以解除時，該第2腔室能經由該第1開口而在該第1內部空間與該第1腔室的外部之間進行搬運。
  10. 如請求項9之基板處理裝置，其中， 在該第2狀態下，當將由該至少一個固定器具所為之該第2腔室對該第1腔室的固定予以解除時，該第2腔室能經由該第1開口而在該第1內部空間與該第1腔室的外部之間進行搬運。
  11. 如請求項9或10之基板處理裝置，其中， 該至少一個致動器，包含第1致動器，該第1致動器構成為於該第1內部空間使該基板固持器在第1上側位置與第1下側位置之間移動；該基板固持器，於該第1狀態下係配置於該第1上側位置，於該第2狀態下係配置於該第1下側位置。
  12. 如請求項11之基板處理裝置，其中， 該至少一個致動器，包含第2致動器，該第2致動器構成為於該第1內部空間使該第2腔室在第2上側位置與第2下側位置之間移動；該第2腔室，於該第1狀態下係配置於該第2上側位置，於該第2狀態下係配置於該第2下側位置。
TW110121097A 2020-06-24 2021-06-10 基板處理裝置 TW202203319A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020109076 2020-06-24
JP2020-109076 2020-06-24
JP2021-072755 2021-04-22
JP2021072755A JP2022008057A (ja) 2020-06-24 2021-04-22 基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202203319A true TW202203319A (zh) 2022-01-16

Family

ID=78962664

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110121097A TW202203319A (zh) 2020-06-24 2021-06-10 基板處理裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20210407768A1 (zh)
KR (1) KR20210158796A (zh)
CN (1) CN113838773A (zh)
TW (1) TW202203319A (zh)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6098637A (en) * 1998-03-03 2000-08-08 Applied Materials, Inc. In situ cleaning of the surface inside a vacuum processing chamber
US6730174B2 (en) * 2002-03-06 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Unitary removable shield assembly
US7147749B2 (en) * 2002-09-30 2006-12-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system
US20050205209A1 (en) * 2004-03-18 2005-09-22 Aelan Mosden Replacing chamber components in a vacuum environment
US20080087641A1 (en) * 2006-10-16 2008-04-17 Lam Research Corporation Components for a plasma processing apparatus
KR101155121B1 (ko) * 2009-03-25 2012-06-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 유도 결합 플라즈마 처리 장치의 커버 고정구 및 커버 고정 장치
TW201325326A (zh) * 2011-10-05 2013-06-16 Applied Materials Inc 電漿處理設備及其基板支撐組件
JP7066512B2 (ja) 2018-05-11 2022-05-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210158796A (ko) 2021-12-31
CN113838773A (zh) 2021-12-24
US20210407768A1 (en) 2021-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230326725A1 (en) Plasma processing apparatus
KR100639071B1 (ko) 박막 작성 시스템
US11387080B2 (en) Substrate support and plasma processing apparatus
KR20020013710A (ko) 가열·냉각장치 및 이 장치를 구비한 진공처리장치
CN110904421A (zh) 基板载置机构、成膜装置以及成膜方法
US20210118648A1 (en) Substrate processing system and method for replacing edge ring
TW202203319A (zh) 基板處理裝置
TW202117912A (zh) 基板支持器及電漿處理裝置
CN112735976A (zh) 基板处理装置
US11542592B2 (en) Film forming system and method for forming film on substrate
JP2002158273A (ja) 真空処理装置
JP2022008057A (ja) 基板処理装置
TWI601230B (zh) Substrate processing system
JP7390219B2 (ja) エッジリングの保持方法、プラズマ処理装置、及び基板処理システム
US11610799B2 (en) Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities
JP7482746B2 (ja) 基板処理装置、基板処理システム、及びメンテナンス方法
JP5031960B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
CN113056572A (zh) 真空处理装置
WO2023074260A1 (ja) プラズマ処理システム及びプラズマ処理装置
US11969879B2 (en) Substrate accommodating device and processing system
US20240153747A1 (en) Substrate supporting unit, apparatus for treating substrate including the same, and ring transfer method
JP2002373890A (ja) 基板処理装置
US20230128473A1 (en) Method of transporting workpiece and processing apparatus
US20220238312A1 (en) Showerhead insert for uniformity tuning
CN118140297A (zh) 等离子体处理系统和等离子体处理装置