JPH04136159A - 真空処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、スパッタリング装置やエツチング装置等と
して使用される真空処理装置の改良に関する。

（従来の技術） 従来、液晶表示板等の製造では、スパッタリングにより
ガラス基板面に透明電極材料であるＩ　ｎ２０３−８ｎ
０２　　（インジュームーシンーオキサイド、以下ＩＴ
Ｏと略称する）薄膜が形成され、そのスパッタ成膜には
第３図に示す真空処理装置が使用される。

即ち、処理室ｌは、スパッタリング成膜を真空容器から
なる成膜室として構成され、その処理室１の左右両側の
側壁には、隔離バルブ１１．１２を介して予備排気室と
しての予備室２．３が設けられている。

第３図は、基板４が、ホルダー４ａとともに処理室ｌ内
の支持機構５にセットされた状態を示しているが、基板
４はまず開閉バルブ２１を介して一方の予備室２に搬入
され、排気孔２２により予備排気された後、隔＾トくル
ブ１１から処理室内ｌに搬送され、スパッタ成膜が行わ
れる。

スパッタ成膜後の基板４は、予め排気孔３２により排気
された他方の予備室３に隔離バルブ１２を介して搬送さ
れ、隔離バルブ１２が閉じられた後、図示しない気体導
入口から窒素などの気体が吸入され、大気圧まで昇圧さ
れた後、開閉バルブ３１から外部に取出される。勿論、
基板４を保持したホルダー４ａの一連の搬送動作は各開
閉バルブ２１．３１及び隔離バルブ１１．１２の動作並
びに処理室１及び予備室２．３の吸排気操作と連動する
ものであり、これらは自動的に又は手動により行われる
。

なお、処理室ｌ内には、基板４を加熱する加熱装置４ｂ
が設けられるとともに、熱媒体循環管１３から成膜に必
要なアルゴンガス等を含む気体が流入され、例えば０．
３　　［Ｐａ　（パスカル）］程度の圧力に設定される
。図示しないが設定圧力調節用に圧力監視装置が設けら
れるとともに、処理室ｌ内の放電電極１４には電源１５
からの電圧印加によって、電極１４の上面に載置された
ターゲット１６上の空間に放電電界が形成される。また
、電極１４内には、永久磁石５１が鉄等の磁性体５２上
に設置収納されている。そこで、ターゲット１６がアル
ゴンガス分子によりたたかれスパッタリング作用が起り
、基板４表面にターゲット１６の材料を主成分とした膜
が形成されるものである。

ところで、上記従来の真空処理装置は、中央の処理室ｌ
とこれに隣接して配置された予備室２．３とは夫々独立
した容器で構成され、夫々１個の隔離バルブ１１．１２
を通して互いに連通ずるように組立て構成されている。

しかし、処理室１及び予備室２．３は夫々独立して吸排
気操作されるが、相互間は別容器として夫々独立して構
成されているから、例えば処理室１内のガスは搬入口１
１ａ、ＩＩ出口１２ａの開口部から予備室２．３の外壁
に沿って漏れる欠点があった。このことは、処理室１を
高真空にしようとしたときに大気の進入あることをも意
味するから、吸排気操作の効率を著しく低下させるもの
であった。

また、各容器が溶接により組立てらでいるから、溶接箇
所のコーナ一部分では、処理操作後の洗浄時等でも汚れ
が落ちにくく依然として残存する等の欠点があった。

上記はスパッタリング装置を例に説明したが、処理室を
中央にして左右に予備室及び弁室を構成接続したエツチ
ング装置でも同様である。

また、隔離バルブ１１．１２の取付は位置を、たとえ処
理室１側に変更したとしても、あるいは、双方に同時に
設けたとしても、処理室ｌと予備室２゜３との間に大気
に連なる空隙が僅かでも生じたりすることには変りなく
、この複数の真空容器を隣接して使用する構成では避け
られない問題であり、改善が要望されていた。

（発明の目的） 従来の真空処理装置は、中央の処理室に連なる予備室や
弁室が、夫々独立した容器で構成され、相互の連結部か
ら気密が漏れたり、洗浄時に隙間やコーナーの汚れが残
存する等の欠点があった。

この発明は、上記従来の欠点を解消し、気密漏れを防止
できる真空処理装置を提供することを目的とする。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） この発明は、処理室を中央にして予備室または弁室を配
列構成された真空処理装置において、少なくとも予備室
又は弁室と処理室とを１つの金属ブロックの切削加工に
より形成したことを特徴とする。

（作　用） 上記のように、この発明による真空処理装置は、処理室
及びこれに連なる予備室等を、１つの金属ブロックの切
削加工により構成したので、処理室と予備室等との間は
両者に共通して一体化された側壁となるので、接続構成
部分がなくなり、気密漏れは回避されるとともに、コー
ナ一部分が少なくなるので洗浄が容易となる。

（実施例） 以下、第１図及び第２図を参照し、この発明による真空
処理装置の実施例を説明する。なお、第３図に示した従
来の真空処理装置と同一構成には同一符号を付して詳細
な説明は省略する。

第１図はこの発明による真空処理装置の第１の実施例を
示すもので、特にスパッタリング装置に適応した場合を
説明す断面図である。

即ち、成膜室をなす処理室ｌ及び左右の予備室２．３は
、アルミニューム材からなる１つの金属ブロック６の切
削加工により一体として形成されている。

従って、処理室１と各予備室２．３は共通した単−の金
属ブロック６の切削形成によるから、これら各室間の隔
壁１ａ、　ｌｂは互いに共通した１個の側壁であり、従
来のように大気に接した接続部がなく、気密漏れの恐れ
がなくなった。

また、切削加工はコーナ一部分は丸みを帯びたものとな
るので、スパッタリング処理後の洗浄もやりやすくなり
、汚れが残存するような欠点は解消される。

なお、ｌｃ、　２ａ、　３ａは夫々処理室ｌ、予備室２
，３を覆う上蓋を示し、ｌｌｂ　、　１２ｂは夫々隔離
バルブ１１１２開閉用のシリンダである。

従って、基板４が処理室ｌ内に順次搬送され、スパッタ
処理が行われるが、この処理過程の中で、処理室ｌ、予
備室２，３の各室において一連の吸排気操作が行われて
も、処理室１と各予備室２．３との間に外気に通じる間
隙がないから、処理操作の効率化と高真空化が実現でき
る。

上記第１の実施例は、真空処理装置として、スパッタリ
ング装置の場合を例に説明したが、中央の処理室１に隣
接して一方に搬入搬出用の予備室２を、他方に処理室１
の排気用弁室を構成配置したエツチング装置にも適用さ
れる。

即ち、第２図はこの発明による真空処理装置の第２の実
施例を示す断面図で、エツチング装置に適用した場合を
示し、予備室２．処理室ｌ、及び弁室７が順次配列され
て構成されている。

エツチング処理操作の手順は、周知の通りであるから特
に説明は省略するが、この実施例においても、１個のア
ルミニューム材からなる金属ブロック６を切削加工によ
って、エツチングの処理室ｌ、基板４の搬入搬出用の予
備室２及び弁室７を一体的に形成し、各室間の側壁１ａ
、Ｉｂを共通化したことによって、第１の実施例と同様
に気密性が確保される。この場合、弁室７は隔離バルブ
１２の開閉操作によって、処理室ｌを排気ロア１から排
気処理するように構成されており、　７ａは弁室用上蓋
である。

なお、上記各実施例では、中央の処理室１に連なる左右
の予備室２．３又は弁室７を共に共通にして、１つの金
属ブロック６内に構成したが、場合によっては、いずれ
か一方の予備室２又は３あるいは弁室７と中央の処理室
ｌとのみを共通の切削加工によって形成し、他の予備室
（３又は２）及び弁室７は従来のように独立した容器と
して連結構成するようにしても良い。

いずれにしても、この発明による真空処理装置は、処理
室ｌに隣接する予備室または弁室を１個の共通した金属
ブロックの切削加工によって形成したので、従来の欠点
とされた各室接続部の気密漏れや、洗浄時の汚れ残り等
は解消され、より高い真空度をより容易に実現できる利
点が得られるものである。

［発明の効果］ この発明による真空処理装置は、複数の真空室間をより
気密漏れ等が少なくなるように構成され、特に半導体製
造装置等に好適であり実用上の効果大である。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明による真空処理装置の第１の実施例を
示す断面図、第２図はこの発明による真空処理装置の第
２の実施例を示す断面図、第３図は従来の真空処理装置
を示す断面図である。 １・・・処理室、　　　　ＩＩ、　１２・・・隔壁バル
ブ、Ｉａ　　ｌｂ・・・側壁、　　　１５・・・電源、
１６・・・ターゲット、　　　２．３・・・予備室、４
・・・基板、　　　　　４ａ・・・ホルダー６・・・金
属ブロック、　　７・・・弁室。 代理人　弁理士　大　胡　典　夫

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 処理室を中央にして予備室または弁室を配列構成された
   真空処理装置において、少なくとも予備室又は弁室と処
   理室とを１つの金属ブロックの切削加工により形成した
   ことを特徴とする真空処理装置。