JPH0841643A - プレート状の工作部材を処理するための真空装置用の処理ユニット及び該処理ユニットの製造方法 - Google Patents

プレート状の工作部材を処理するための真空装置用の処理ユニット及び該処理ユニットの製造方法

Info

Publication number
JPH0841643A
JPH0841643A JP7108889A JP10888995A JPH0841643A JP H0841643 A JPH0841643 A JP H0841643A JP 7108889 A JP7108889 A JP 7108889A JP 10888995 A JP10888995 A JP 10888995A JP H0841643 A JPH0841643 A JP H0841643A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
chamber
processing unit
chambers
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7108889A
Other languages
English (en)
Inventor
Peter Mahler
マーラー ペーター
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Balzers und Leybold Deutschland Holding AG
Original Assignee
Leybold AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leybold AG filed Critical Leybold AG
Publication of JPH0841643A publication Critical patent/JPH0841643A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 プレート状の工作部材を処理するための真空
装置用の処理ユニット３，４，５であって、処理ユニッ
トの処理室６乃至１８の壁内に設けられてフラップによ
って圧密に閉鎖可能な貫通孔、工作部材処理にとって必
要な付属装置及び接続部のための開口、並びに処理室を
通して工作部材を搬送する搬送装置２４を備えている形
式のものにおいて、処理ユニットが少ないコストで製造
可能であって、かつ特に複数の処理プロセスのデーター
メモリーのためのインライン式の装置に適するようにす
る。 【構成】 処理ユニットが互いに仕切られた複数の処理
室を有しており、処理室が互いに平行な直線的な２つの
搬送路に沿って上下に若しくは並んで若しくは搬送路の
両端に配置されており、処理ユニットが一体に構成され
ている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プレート状の工作部材
を処理するための真空装置用の処理ユニットであって、
処理室を有しており、処理室壁内に設けられてフラップ
によって圧密に閉鎖可能な貫通孔を備え、工作部材処理
にとって必要な付属装置及び接続部、例えばスパッター
電極、グロー電極、及びエッチング電極、並びに加熱通
路、プロセスガス通路、及び冷却媒体通路を密接に通す
るための開口を備え、かつ処理室を通して工作部材を搬
送する搬送装置を備えている形式のもの、並びに該処理
ユニットの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】６角形平面形状の１つの支持室並びに該
支持室の側壁に堅くフランジ結合された複数の処理室及
び付加室、並びに処理室を通して工作部材を搬送するマ
ニピュレーターを備えた半導体・製造装置は公知である
（ドイツ連邦共和国特許公開第４２１０１１０号明細
書）。
【０００３】さらに、工作部材を処理するための真空装
置は公知であり、工作部材のための少なくとも１つのプ
ロセス室及び中央の分配室を備えており、処理室内に工
作部材がロックゲートを介して搬送機構によって供給さ
れ、かつ処理の後に搬出されるようになっており、この
場合、分配室と少なくとも１つのプロセス室との間に排
気可能な中間室が配置されている（ヨーロッパ特許公開
第０３４３５３０号明細書）。
【０００４】さらに、多角形の中央室の側壁に個別のプ
ロセス室をフランジ接続することは公知であり、この場
合、工作部材が中央室内に配置されたマニピュレーター
によって第１のプロセス室から次のプロセス室に搬送さ
れるように成っている（ヨーロッパ特許公開第０４５２
７７８号明細書）。このような公知の処理ユニットは薄
板片から成っており、薄板片が処理ユニット全体を最小
の溶接継目で組み合わせるように成形されている。
【０００５】公知のすべての処理ユニットの欠点とし
て、個別のプロセス室が複数の薄板片若しくは個別の鋳
造品から組み合わされており、このことは著しい作業に
よる、ひいては費用のかかる製造を意味する。さらに純
然たるモジュール構造が不可能であり、それというのは
異なる被覆方法には異なる処理ユニットが必要であり、
このような処理ユニットは公知の多角形の中央室を根底
にしては実現できず、特に一緒に１つのサブストレート
支持体によって保持された複数のサブストレートを同時
に処理しようとする場合には不可能であるからである。
【０００６】
【発明の課題】本発明の課題は、少ないコストで製造可
能であって、かつ特に複数の処理プロセスのデーターメ
モリーのためのインライン式の装置に適するような処理
ユニットを提供することである。
【０００７】
【発明の手段】前記課題を解決するために本発明の構成
では、処理ユニットが互いに仕切られた複数の処理室、
例えば分配室、中間室、及びプロセス室を有しており、
処理室が互いに平行な直線的な２つの搬送路に沿って上
下に若しくは並んで若しくは搬送路の両端に配置されて
おり、処理ユニットが一体に構成されている。このよう
な処理ユニットを製造するために、本発明に基づく方法
では、圧縮されたアルミニウム製の堅牢な材料ブロック
を数値制御式の工作機械によって所定のパターン(Raste
r)に基づいて切削成形しかつ穿孔して仕上げる。
【０００８】
【実施例】図面に示す装置は３つの処理ユニット(Funkt
ionseinheit)３，４，５を有しており、処理ユニットの
隣接する端壁が互いにねじ結合されている。各処理ユニ
ット３，４，５はそれぞれ複数の処理室６〜１２；１３
〜１５；１６〜１８を備えている。個別の処理室６〜１
８内には、真空装置で行われる処置プロセスに応じてス
パッターカソード（Sputterkatode)１９〜２２若しくは
加熱装置２３が配置されている。さらにすべての処理室
６〜１８内に走行ローラ２４，２４′，・・を回転可能
に支承してあり、走行ローラがサブストレート２５，２
５′，・・の搬送のために役立ち、サブストレートは垂
直に位置するサブストレートホルダー２６に配置されて
いて、モータ駆動可能な走行ローラ２４，２４′，・・
によって矢印方向に処理室６〜１８を通して運動させら
れる。
【０００９】最初の３つの処理室７，８，９が低真空若
しくは高真空を形成するために役立つているのに対し
て、処理室１３は被覆室であり、該被覆室内でサブスト
レート２５，２５′，・・が例えば、ＳｉＯ2で被覆さ
れ、この場合、処理室１３若しくは該処理室の前に位置
する処理室９はロックゲート２７，２８を用いてそのほ
かの処理室から分離されている。同じように、処理室１
２及び１５がロックゲート２９，３０によって分離され
ており、該処理室内でサブストレート２５，２５′，・
・が例えばＡｌで被覆され得る。ロックゲート３１，３
２若しくは３３，３４が入口側の処理室６に対して真空
の段階的な形成若しくは段階的な崩壊を可能にする。処
理室１７は搬送室として構成されていて、サブストレー
トホルダー２６，２６′，・・の移動方向の転向に役立
っている。
【００１０】図示の実施例で使用された３つの処理ユニ
ット３，４，５はそれぞれ堅牢な１つのアルミニウムブ
ロックから製造されており、処理室がブロックの内実の
材料からフライス加工によって形成されている。同じよ
うに、ポンプ３５〜４４の接続部、プロセスガス入口、
冷却水接続部、及び電気的な接続部（図示せず）のため
の開口及び切欠きも内実なアルミニウムブロックからフ
ライス加工若しくは穿孔によって形成されている。有利
には処理ユニット３，４，５は、例えばデーターメモリ
ーのための実質的にすべてのタイプのスパッター装置及
びエッチング装置と一緒に形成できるように構成されて
おり、これらの３つのタイプの処理ユニットがそのつど
の使用例に適した数及び順序で互いに接続される。
【００１１】図面に示してあるように、処理ユニット
３，４，５は異なる長さａ，ｂ，ｃに構成されており、
この場合、処理ユニット３は互いに同じ大きさの全部で
６つの処理室７〜１２を有しているのに対して、処理室
６は２倍の高さであって、上下に配置された両方の処理
室７，１０の切欠きと連通していて、２倍の高さに基づ
き処理室１０から矢印方向で流出するサブストレート２
５，２５′，・・の出口側ロックを可能にする。被覆装
置の端部の長さｃの処理ユニット５は、処理室１６から
２倍の高さの処理室１７を介して処理室１８への（矢印
方向での）サブストレートの転向運動を可能にする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に基づく１つの実施例の縦断面図
【図２】本発明に基づく別の実施例の縦断面図
【図３】本発明に基づくさらに別の実施例の縦断面図
【符号の説明】
３，４，５ 処理ユニット、 ６〜１８ 処理室、
１９乃至２２ スパッターカソード、 ２３ 加熱
装置、 ２４，２４′，２４″，２４′″ 走行ロー
ラ、 ２５，２５′，２５″ サブストレート、
２６ サブストレートホルダー、 ２７乃至３４ ロ
ックゲート、 ３５乃至４４ ポンプ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 プレート状の工作部材を処理するための
    真空装置用の処理ユニットであって、処理室を有してお
    り、処理室壁内に設けられてフラップによって圧密に閉
    鎖可能な貫通孔を備え、工作部材処理にとって必要な付
    属装置及び接続部、例えばスパッター電極、グロー電
    極、及びエッチング電極、並びに加熱通路、プロセスガ
    ス通路、及び冷却媒体通路を密接に通するための開口を
    備え、かつ処理室を通して工作部材を搬送する搬送装置
    を備えている形式のものにおいて、処理ユニットが互い
    に仕切られた複数の処理室、例えば分配室、中間室、及
    びプロセス室を有しており、処理室が互いに平行な直線
    的な２つの搬送路に沿って上下に若しくは並んで若しく
    は搬送路の両端に配置されており、処理ユニットが一体
    に構成されていることを特徴とする、プレート状の工作
    部材を処理するための真空装置用の処理ユニット。
  2. 【請求項２】 個別の処理室を互いに仕切る壁部分が、
    処理しようとする工作部材の、直線的な１つの搬送路に
    沿った通過のための閉鎖可能な貫通孔を備えている請求
    項１記載の処理ユニット。
  3. 【請求項３】 少なくとも１つの処理室の外側に延びる
    壁部分が貫通孔を備えており、該貫通孔が第１の処理ユ
    ニットに隣接の第２の処理ユニットの相応に形成された
    貫通孔に連通しており、この場合、隣接の両方の壁部分
    が互いに圧密に接続されている請求項１又は２記載の処
    理ユニット。
  4. 【請求項４】 第１の入口及び出口ロックゲート・処理
    ユニット（３）、第２の加工・処理ユニット（４）、及
    び第３の転向・処理ユニット（５）を有しており、これ
    らの処理ユニットが互いに接続されて、サブストレート
    （２５，２５′，・・）の処理のための装置を形成して
    おり、この場合、処理ユニット（３，４，５）によって
    取り囲まれた処理室（７乃至１８）が機能に応じて、選
    ばれた処理のために必要な付属装置、例えばエッチング
    電極、白熱電極若しくはスパッター電極（１９乃至２
    ２）を備えている請求項１から３のいずれか１項記載の
    処理ユニット。
  5. 【請求項５】 大きな長さ（ａ）の第１の処理ユニット
    が全部で７つの処理室（６乃至１２）を有しており、そ
    のうちの大きさ及び形状のほぼ同じ６つの処理室（７乃
    至１２）が、ぞれぞれ３つの処理室（７，８，９；１
    ０，１１，１２）を備えた２つの室列を成して上下に若
    しくは並んで位置するように設けられており、第７の処
    理室（６）が２倍の高さの室として両方の室列のそれぞ
    れ第１の処理室（７，１０）の隣接の両方の端面内の両
    方の貫通孔に連通されており、中間の長さ（ｂ）の第２
    の処理ユニットが全部で３つの処理室（１３，１４，１
    ５）を有しており、そのうちの２つの処理室（１３，１
    ４）が第１の室列に配置されており、かつ長い処理室
    （１５）が第１の室列の下側若しくは横の第２の室列に
    配置されており、短い長さ（ｃ）の第３の処理ユニット
    が全部で３つの処理室（１６，１７，１８）を有してお
    り、そのうちの大きさ及び形状の同じ２つの処理室（１
    ６，１８）が上下に若しくは並べて配置されており、か
    つほぼ２倍の高さの第３の処理室（１７）が第３の処理
    ユニットの大きさ及び形状の同じ前記処理室（１６，１
    ８）の隣接の両方の端面内の両方の貫通孔に連通してい
    る請求項１から４のいずれか１項記載の処理ユニット。
  6. 【請求項６】 プレート状の工作部材を処理するための
    真空装置用の処理ユニットの製造方法であって、処理室
    を有しており、処理室壁内に設けられてフラップによっ
    て圧密に閉鎖可能な貫通孔を備え、工作部材処理にとっ
    て必要な付属装置及び接続部、例えばスパッター電極、
    グロー電極、及びエッチング電極、並びに加熱通路、プ
    ロセスガス通路、及び冷却媒体通路を密接に通するため
    の開口を備え、かつ処理室を通して工作部材を搬送する
    搬送装置を備えている形式のものにおいて、圧縮された
    アルミニウム製の堅牢な材料ブロックを数値制御式の工
    作機械によって所定のパターンに基づいて切削成形しか
    つ穿孔して仕上げることを特徴とする、プレート状の工
    作部材を処理するための真空装置用の処理ユニットの製
    造方法。
JP7108889A 1994-05-05 1995-05-02 プレート状の工作部材を処理するための真空装置用の処理ユニット及び該処理ユニットの製造方法 Pending JPH0841643A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE9407482U DE9407482U1 (de) 1994-05-05 1994-05-05 Funktionseinrichtung für eine Vakuumanlage für die Behandlung von scheibenförmigen Werkstücken
DE9407482.8 1994-05-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0841643A true JPH0841643A (ja) 1996-02-13

Family

ID=6908277

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7108889A Pending JPH0841643A (ja) 1994-05-05 1995-05-02 プレート状の工作部材を処理するための真空装置用の処理ユニット及び該処理ユニットの製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5658114A (ja)
JP (1) JPH0841643A (ja)
DE (1) DE9407482U1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007270188A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Hoya Corp 成膜装置

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6152070A (en) * 1996-11-18 2000-11-28 Applied Materials, Inc. Tandem process chamber
US6053687A (en) * 1997-09-05 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Cost effective modular-linear wafer processing
US6213704B1 (en) * 1998-05-20 2001-04-10 Applied Komatsu Technology, Inc. Method and apparatus for substrate transfer and processing
US6176668B1 (en) * 1998-05-20 2001-01-23 Applied Komatsu Technology, Inc. In-situ substrate transfer shuttle
US6215897B1 (en) 1998-05-20 2001-04-10 Applied Komatsu Technology, Inc. Automated substrate processing system
US6517303B1 (en) 1998-05-20 2003-02-11 Applied Komatsu Technology, Inc. Substrate transfer shuttle
US6919001B2 (en) * 2000-05-01 2005-07-19 Intevac, Inc. Disk coating system
WO2002015225A2 (en) * 2000-08-10 2002-02-21 Tokyo Electron Limited Multiple chamber plasma reactor
US6625844B2 (en) 2001-05-18 2003-09-30 Robert E. Savage Modular vacuum system and method
WO2006026886A1 (en) * 2004-09-10 2006-03-16 Oc Oerlikon Balzers Ag Substrate processing system
WO2006050754A2 (en) * 2004-11-09 2006-05-18 Robert Bosch Gmbh Public address system
DE112005003484A5 (de) * 2005-03-31 2008-07-24 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten von Substraten
CN102505115B (zh) * 2007-03-02 2014-09-03 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫) 真空涂覆装置
US20090077804A1 (en) * 2007-08-31 2009-03-26 Applied Materials, Inc. Production line module for forming multiple sized photovoltaic devices
US20100047954A1 (en) * 2007-08-31 2010-02-25 Su Tzay-Fa Jeff Photovoltaic production line
JP5253511B2 (ja) * 2007-10-24 2013-07-31 オーツェー・エリコン・バルザース・アーゲー ワークピース製造方法及び装置
JP4494524B2 (ja) * 2007-11-09 2010-06-30 キヤノンアネルバ株式会社 インライン型ウェハ搬送装置
US8834088B2 (en) 2007-11-12 2014-09-16 Intevac, Inc. Elevator linear motor drive
DE102007058052B4 (de) * 2007-11-30 2013-12-05 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Vakuumbeschichtungsanlage
US20090188603A1 (en) * 2008-01-25 2009-07-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling laminator temperature on a solar cell
TW201027784A (en) * 2008-10-07 2010-07-16 Applied Materials Inc Advanced platform for processing crystalline silicon solar cells
JP5431901B2 (ja) * 2008-12-26 2014-03-05 キヤノンアネルバ株式会社 インライン真空処理装置、インライン真空処理装置の制御方法、情報記録媒体の製造方法
DE102010000001A1 (de) 2010-01-04 2011-07-07 Roth & Rau AG, 09337 Inline-Beschichtungsanlage
TW201137143A (en) * 2010-04-28 2011-11-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Sputtering system
DE102010048909A1 (de) * 2010-10-11 2012-04-12 Ekra Automatisierungssysteme Gmbh Prozessmaschine, insbesondere zum Bearbeiten und/oder Inspizieren von Substraten
US20120225204A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
DE102011085789B4 (de) * 2011-11-04 2015-02-12 Von Ardenne Gmbh Vertikale Durchlaufbeschichtungsanlage zur kontinuierlichen Vakuumbeschichtung von Substraten
US9337014B1 (en) * 2012-03-09 2016-05-10 Alta Devices, Inc. Processing system architecture with single load lock chamber
RU192228U1 (ru) * 2018-08-29 2019-09-09 Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак Технологии" Вакуумная установка для нанесения тонкопленочных покрытий на подложку
RU2705839C1 (ru) * 2019-01-18 2019-11-12 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Вакуумные ионно-плазменные технологии" (ООО НПП "ВИП-технологии") Вакуумная ионно-плазменная установка для нанесения покрытий на поверхность металлических внутрисосудистых стентов, преимущественно из оксинитрида титана

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6431971A (en) * 1987-07-28 1989-02-02 Tokuda Seisakusho Vacuum treatment device
JPH04136159A (ja) * 1990-09-27 1992-05-11 Tokuda Seisakusho Ltd 真空処理装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE243050C (ja) *
US4045435A (en) * 1974-10-09 1977-08-30 Eli Lilly And Company Preparation of cephalosporin ethers
US4358472A (en) * 1978-06-16 1982-11-09 Optical Coating Laboratory, Inc. Multi-layer coating method
US4677738A (en) * 1980-05-19 1987-07-07 Energy Conversion Devices, Inc. Method of making a photovoltaic panel
US4400409A (en) * 1980-05-19 1983-08-23 Energy Conversion Devices, Inc. Method of making p-doped silicon films
US4492181A (en) * 1982-03-19 1985-01-08 Sovonics Solar Systems Apparatus for continuously producing tandem amorphous photovoltaic cells
US4485125A (en) * 1982-03-19 1984-11-27 Energy Conversion Devices, Inc. Method for continuously producing tandem amorphous photovoltaic cells
US4423701A (en) * 1982-03-29 1984-01-03 Energy Conversion Devices, Inc. Glow discharge deposition apparatus including a non-horizontally disposed cathode
US4462332A (en) * 1982-04-29 1984-07-31 Energy Conversion Devices, Inc. Magnetic gas gate
DD243050A1 (de) * 1985-11-27 1987-02-18 Hochvakuum Dresden Veb Rezipient fuer vakuumanlagen
US4701251A (en) * 1986-02-03 1987-10-20 Bvt Limited Apparatus for sputter coating discs
JPS63157870A (ja) * 1986-12-19 1988-06-30 Anelva Corp 基板処理装置
ES2163388T3 (es) * 1988-05-24 2002-02-01 Unaxis Balzers Ag Instalacion de vacio.
EP0452778B1 (en) * 1990-04-20 1995-03-15 Applied Materials, Inc. Pressure vacuum vessel and method of manufacture
US5223113A (en) * 1990-07-20 1993-06-29 Tokyo Electron Limited Apparatus for forming reduced pressure and for processing object
JP2677913B2 (ja) * 1991-05-13 1997-11-17 三菱電機株式会社 半導体製造装置のシール機構および半導体装置の製造方法
US5275709A (en) * 1991-11-07 1994-01-04 Leybold Aktiengesellschaft Apparatus for coating substrates, preferably flat, more or less plate-like substrates
DE9113860U1 (ja) * 1991-11-07 1992-01-23 Leybold Ag, 6450 Hanau, De
JPH0665724A (ja) * 1992-05-20 1994-03-08 Yoichi Murayama インラインプラズマ蒸着装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6431971A (en) * 1987-07-28 1989-02-02 Tokuda Seisakusho Vacuum treatment device
JPH04136159A (ja) * 1990-09-27 1992-05-11 Tokuda Seisakusho Ltd 真空処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007270188A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Hoya Corp 成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE9407482U1 (de) 1994-10-06
US5658114A (en) 1997-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0841643A (ja) プレート状の工作部材を処理するための真空装置用の処理ユニット及び該処理ユニットの製造方法
EP0996765B1 (en) Substrate processing apparatus having a substrate transport with a front end extension and an internal substrate buffer
EP2098609B1 (en) Coating apparatus with rotation module
DE60119119T2 (de) Cluster-Tool mit zwei Entgasungs-/Kühlschleusenkammern
TWI598455B (zh) 傳送腔室氣體淨化裝置、電子設備處理系統及淨化方法
KR20050058265A (ko) 독립적으로 구성될 수 있는 일체화 적재물 잠금부를 가진기판 처리 장치
JPH0621197A (ja) マイクロ回路ウェファー加工装置
JPH0319252A (ja) 多重チャンバ真空式処理装置及び多重チャンバ真空式半導体ウェーハ処理装置
US11776825B2 (en) Chamber for degassing substrates
US5783055A (en) Multi-chamber sputtering apparatus
EP0506328B1 (en) Method for producing dies for extruding ceramic honeycomb bodies
JP3342118B2 (ja) 処理装置
US20020108565A1 (en) Apparatus and method for selectively restricting process fluid flow in semiconductor processing
DE69836253T2 (de) Doppelfensterabgasanlage für waferplasmabearbeitungsvorrichtung
JP2007217762A (ja) 処理装置及び処理方法
EP2098608A1 (en) Coating apparatus with rotation module
JPS60221572A (ja) 連続放電反応処理装置
EP1914423A2 (en) Trap apparatus and trap system
JP2011524628A (ja) 一様な流体流れのための積層壁
JPS63109174A (ja) 枚葉式ｃｖｄ装置
TW202201597A (zh) 基板處理裝置
KR100941934B1 (ko) 상하좌우 독립처리영역을 갖는 이중적재 구현 로드락 챔버
JPS62193129A (ja) 処理装置
KR100455425B1 (ko) 전원공급이 조절되는 열교환기 표면처리장치
JPH11145022A (ja) 半導体製造設備