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Diese
Erfindung betrifft Kammern zum Bearbeiten von Halbleiterwafern.
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HINTERGRUND
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Einzelwaferbearbeitungsmaschinen
werden zunehmend in Halbleiterherstellungsanlagen verwendet. Ein
Grund dafür
liegt darin, um die Regelung der Verfahrensbedingungen zu maximieren.
Verfahrensbedingungen umfassen oft die Temperatur, die Intensität des Strahlungsenergieflusses
(z.B. ultraviolett oder infrarot) und/oder den Fluss atomarer oder molekularer
Spezies (z.B. Ätzmittel),
welche auf den Wafer einwirken. Eine andere Rechtfertigung für den Einsatz
von Einzelwaferbearbeitungsmaschinen besteht darin, die Gleichförmigkeit
der Bearbeitungsbedingungen über
die Oberfläche
des Wafers zu erhöhen.
Dies ist notwendig, so dass jede Prägeplatte, die aus dem Wafer
erzeugt wird, gleiche annehmbare elektrische Leistungsmerkmale aufweist,
unabhängig vom
Teil des Wafers, aus welchem sie ausgeschnitten ist. In dieser Hinsicht
sollte beachtet werden, dass das Gleichförmighalten der Bearbeitungsbedingungen über den
gesamten Wafer schwieriger wird, wenn die Wafergröße gemäß dem anhaltenden Trend
in der Halbleiterindustrie ansteigt.
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Gewisse
Verfahren erfordern die gleichzeitige Anwendung von Strahlungsenergie
und reagierender Spezies auf den Wafer. Zum Beispiel beim Durchführen von
Plasmaveraschen, um verbrauchtes Photoresist zu entfernen, wird
Heizstrahlung (z.B. infrarotes und sichtbares Licht) auf den Wafer
durch ein Fenster in der Kammer aufgebracht und gleichzeitig Sauerstoff,
welcher durch Durchfließenlassen durch
eine Mikrowellenplasmaentladung erregt wurde, über dem Wafer durchgeleitet.
In diesem Verfahren reagiert der Sauerstoff in einem erregten Zustand mit
dem aufgeheizten Photoresist, welches auf dem Wafer getragen wird,
wodurch es durch Oxidieren in gasförmige (z.B. CO2 und
H2O) und flüchtige, niedrigmolekulargewichtige
Produkte, welche aus der Kammer durch eine Abgasöffnung ausgestoßen werden, entfernt
wird. Folglich besteht in diesem Verfahren ein Bedarf, eine gleichmäßige Heizstrahlenintensität über den
Wafer hinweg und einen gleichmäßigen Fluss
von erregten Sauerstoffreaktionsteilnehmern über dem Wafer zu erzielen.
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1 zeigt
eine schematische Darstellung eines Plasmaveraschers gemäß dem Stand
der Technik, wie durch Fusion Systems Corporation aus Rockville,
Maryland, dem Zessionär
der vorliegenden Erfindung, hergestellt. Mit Bezugnahme auf 1 wird
Gas von der Gasversorgung 1 zugeführt und fließt im Kanal 4 durch
den Mikrowellenerreger 2. Der Mikrowellenerreger 2,
wie in der Technik bekannt, kann die Form eines Mikrowellenhohlraums
annehmen, wobei ein Gaskanal 4 durch ihn hindurchgeht. Das
Gas wird in ein Plasma ausgebildet, während es in den Erreger hineinströmt. Die
Mikrowellenleistung vom Mikrowellengenerator 3 wird (z.B.
durch einen Wellenleiter oder durch direkte Magnetronantennenkupplung)
in den Mikrowellenerreger zugeführt,
um das Plasma anzufeuern. Vom Erreger fließt das Gas, welches durch die
Handlung der Plasmaerregung chemisch aktiviert wurde, in die Waferbearbeitungskammer 5.
Die Bearbeitungskammer 5 umfasst eine obere 6a und
eine untere 6b Einlassprallplatte, welche dazu dienen,
den Fluss an reaktivem Gas zu zerstreuen, um ihn gleichförmiger zu
machen. Die Prallplatten 6a und 6b weisen eine
symmetrische Anordnung der Öffnungen
auf, wie auf diesem Gebiet der Technik bekannt. Stromabwärts und
unterhalb der unteren Einlassprallplatte 6b ist der Wafer 7,
welcher der Behandlung unterzogen wird, horizontal angeordnet. Der
Wafer wird durch drei Quarzabstandsbolzen 8 (zwei gezeigt) über der
unteren Wand 9 der Bearbeitungskammer gehalten. Die untere
Wand 9 dient auch als ein Strahlungsenergiefenster, durch welches
Strahlungsheizenergie von Glühlampen 10a und 10b hindurchgeht.
Obwohl nur zwei Lampen 10a und 10b in dieser schematischen
Darstellung gezeigt sind, werden in Wirklichkeit mehrere Lampen,
die in einem Kreis angeordnet sind, verwendet. Die untere Wand 9 kann
aus Quarzglas hergestellt sein und muss von ausreichender Dicke
sein, um den äußeren Umgebungsdruck
auszuhalten, wenn die Kammer unter Vakuum betrieben wird. Die untere
Kammerwand 9 umfasst eine zentrale Öffnung 9a. Der obere Abgasrohrabschnitt 11a ist
ebenfalls aus Quarz hergestellt und ist mit der zentralen Öffnung 9a der
unteren Kammerwand 9 verschmolzen. Der untere Abgasrohrabschnitt 11b ist
mit einem Vakuumpumpensystem 12 verbunden. Die zentrale
Anordnung der zentralen Öffnung 9a ist
wichtig, da sie gemeinsam mit der Anordnung der Prallplatten 6a und 6b dazu beiträgt, einen
symmetrischen Fluss des Prozessgases in der Bearbeitungskammer 5 aufzubauen.
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Jedoch
verursacht die zentrale Anordnung der zentralen Öffnung 9a, welche
die zentrale Anordnung des oberen Abgasrohrabschnitts 11a erfordert, Schwierigkeiten
im Erzielen gleichförmiger
Strahlungsenergieverteilung über
den Wafer 7. Die Anordnung des oberen Abgasrohrabschnitts 11a stört die Anordnung
der Strahlungsenergiequellen und der Optik und verhindert dadurch
die gleichmäßige Verteilung
der Strahlungsenergie auf die Oberfläche des Wafers. Zwei Beispiele,
welche bekannte Wege zum Erzielen gleichförmiger Bestrahlung auf einer
Fläche, in
diesem Fall den Wafer, darstellen, welche durch das Vorhandensein
des oberen Abgasrohrabschnitts 11a in der oben beschriebenen
Bearbeitungsvorrichtung gemäß dem Stand
der Technik ausgeschlossen sind, aber welche gemäß der Erfindung eingesetzt werden
können,
wie unten offenbart wird, sind der vielzonige Flächenarrayilluminatoransatz
mit mehrfacher variabler Steuerung, hierin im Folgenden einfach
als Flächenarray
bezeichnet, und der Ansatz des Verwendens einer besonders gestalteten
Oberfläche
des Umdrehungsreflektors in Verbindung mit einer einzelnen Hochleistungsquelle.
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Der
Flächenarrayansatz
ist in der Bearbeitungskammer gemäß dem Stand der Technik, oben beschrieben,
ausgeschlossen, da es wesentlich ist, dass die zentrale Lampe im
Array direkt oberhalb der Mitte des Wafers angeordnet ist. Dies
kann als Anordnung nicht ermöglicht
werden, da der obere Abschnitt 11a des Abgasrohres durch
diese Stelle hindurchgeht.
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Der
Lösungsansatz
mit der Oberfläche
des Umdrehungsreflektors ist nicht möglich, da die einzelne Hochleistungsquelle,
welche in diesem Lösungsansatz
eingesetzt wird, direkt unter der Mitte des Wafers angeordnet sein
muss und da dies wie im vorherigen Fall des Flächenarrays nicht angeordnet werden
kann.
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US-A-5
158 644 (Cheung et al.) offenbart eine Reaktorkammer, welche einen
Suszeptor umfasst, der auf Tragefingern innerhalb der Kammer angebracht
ist, wobei ein oberer Teil der Kammer die Abgasanschlüsse aufweist.
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US-A-5
275 629 (Ajika et al.) offenbart ein Halbleitervorrichtungsherstellungsgerät, welches eine
Kammer mit zwei Teilen aufweist, die durch Anordnen eines Wafers
auf einem Suszeptor ausgebildet werden, wobei sowohl die obere als
auch die untere Kammer Abgasanschlüsse aufweist.
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PATENT
ABSTRACTS OF JAPAN, Vol. 014, Nr. 502 (E-0997), 2. November 1990
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JP 02 208927 A (Mitsubishi
Electric Corp), 20. August 1990, offenbart eine chemische Dampfablagerungsvorrichtung,
wobei ein Wafer auf einer Heizstufe in einer Bearbeitungskammer
innerhalb der Abgasanschlüsse
angebracht ist.
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Kurzdarstellung
der Erfindung
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Die
Erfindung stellt eine Bearbeitungskammer bereit, wie in Anspruch
1 dargelegt.
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Gemäß einer
Ausführungsform
wird eine Waferbearbeitungskammer, welche ein Waferbehandlungsgas,
das durch die Kammer strömt,
und Strahlungsenergie aufweist, welche in die Kammer eindringt,
mit einem Doppelbodenwandaufbau bereitgestellt, welcher eine obere
und eine untere Bodenwand (hierin im Folgenden "obere und untere Wände") umfasst. Die obere Wand weist eine
zentrale Öffnung
auf. Die Umfangswand der Kammer zwischen der oberen und der unteren
Wand ist mit einer Mehrzahl von Öffnungen
mit hoher Fluidleitfähigkeit und/oder
symmetrischer Anordnung bereitgestellt. Jeder Zweig verbindet einen
Zweig eines Abgasverteilers. Die Zweige weisen eine hohe Fluidleitfähigkeit
und/oder zumindest ungefähr
gleiche Fluidleitfähigkeit
auf, so dass der Abgasfluss durch die Mehrzahl der Öffnungen
gleich ist. Die Anordnung des Abgasverteilers ist derartig, dass
der Raum unter dem Boden der Kammer frei von Hindernissen ist, wodurch
ein Strahlungsheizungssystem in diesem Raum eingebaut werden kann.
Zumindest der ebene Arraytyp oder der achsensymmetrische Reflektortyp, welche
im Hintergrundabschnitt erwähnt
wurden, könnten
eingesetzt werden. Das Vorangehende darf nicht als Einschränkung ausgelegt
werden, im Gegenteil sind zahlreiche andere Wege auf diesem Gebiet
der Technik bekannt, um einen gewissen Grad an Gleichförmigkeit über einem
Wafer zu erzielen. In diesem Zusammenhang sollte darauf hingewiesen werden,
dass in der Praxis kein System perfekte Gleichförmigkeit erzielt. Beide Bodenwände sind
im Wesentlichen transparent für
einen Typ Strahlungsenergie, welcher in die Kammer durch den Doppelbodenwandaufbau
hindurchgeleitet wird. Der Wandaufbau stellt daher eine unbehinderte
Sicht auf den Wafer von der Position der Strahlungsenergiequellen aus
bereit. Gas, welches aus der Kammer ausgestoßen wird, fließt durch
die zentrale Öffnung
in der oberen Wand und aus den Öffnungen
in der Umfangswand zwischen der oberen und der unteren Wand.
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In
einer zusätzlichen
Ausführungsform
der Waferbearbeitungskammer wird ein Reflektorstreifen bereitgestellt, welcher
den Heizwirkungsgrad der Kammer erhöht. Der Reflektorstreifen weist
Abgaslöcher
auf, welche zu den Öffnungen
in der Umfangswand führen,
um einen symmetrischeren Ausgangsfluss und Fluss von Gas über den
Wafer zu erzeugen.
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Es
ist ein Vorteil der Ausführungsformen
dieser Erfindung, eine Waferbearbeitungskammer bereitzustellen,
welche einen verbesserten optischen Zugang zu einem Wafer in der
Kammer ermöglicht.
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Es
ist ein weiterer Vorteil der Ausführungsformen der Erfindung,
eine Waferbearbeitungskammer bereitzustellen, welche verwendet werden
kann, um einen Wafer gleichmäßiger zu
beleuchten.
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Es
ist ein weiterer Vorteil der Ausführungsformen dieser Erfindung,
dass ein symmetrischer Fluss an Prozessgas in der Kammer bereitgestellt
werden kann.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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1 ist
eine schematische Darstellung einer Plasmabearbeitungsmaschine gemäß dem Stand
der Technik.
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2 ist
ein schematischer Schnittaufriss einer Plasmabearbeitungskammer
gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform
dieser Erfindung.
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3 ist
eine perspektivische Ansicht des Bodenwandaufbaus der Plasmabearbeitungskammer,
die in 2 gezeigt ist, gemeinsam mit einem angebauten
Abgasverteiler.
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4 ist
eine Schnittdraufsicht des Bodenwandaufbaus, gezeigt in 3.
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5 ist
eine perspektivische Ansicht des Bodenwandaufbaus einer Plasmabearbeitungskammer
gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der Erfindung.
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6 ist
eine Schnittdraufsicht des Bodenwandaufbaus, gezeigt in 5.
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7 ist
eine auseinander gezogene perspektivische Ansicht einer Plasmabearbeitungskammer,
welche einen Reflektorstreifen aufweist.
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DETAILLIERTE
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Mit
Bezugnahme auf die Figuren wird nun eine Darstellung der bevorzugten
Ausführungsformen
gegeben.
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2, 3 und 4 zeigen
eine bevorzugte Ausführungsform
der Erfindung. Mit Bezugnahme auf diese Figuren ist ersichtlich,
dass die oberen Teile der Kammer gleich jenen in der Bearbeitungskammer
gemäß dem Stand
der Technik, gezeigt in 1, sind und mit gleichen Ziffern
bezeichnet sind. Folglich leitet das Speiserohr 4' Gas vom Mikrowellenerreger
(nicht gezeigt in dieser Figur) in die Bearbeitungskammer 5'. Die Einlassprallplatten 6a' und 6b' bewirken, dass
der Fluss des erregten Prozessgases über dem Wafer, welcher von
Quarzdistanzstehern 8' getragen
wird, zerstreut wird.
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Der
Bodenwandaufbau 36 der Kammer gemäß der Erfindung wird nun beschrieben.
Unter dem Wafer befindet sich die obere Wand 29. Der Wafer wird
durch die zwischengefügten
Distanzsteher 8' auf der
oberen Wand 29 getragen. Die obere Wand 29 ist durchsichtig
für Heizstrahlung,
welche durch sie hindurchgeht. Die obere Wand 29 weist
eine zentrale Öffnung 31 auf,
durch welche der Abgasfluss auf dem Weg aus dem Prozessor 5' hindurchströmt. Die zentrale
Stelle der zentralen Öffnung 31 trägt gemeinsam
mit den Einlassprall platten 6a' und 6b' dazu bei, um einen symmetrischen
und folglich gleichmäßigeren
Fluss an Prozessgas über
den Wafer 7 festzulegen, was wiederum zu einer gleichmäßigeren Bearbeitung
führt.
Die obere Wand 29 muss nicht zu dick sein, da sie nicht
dem vollen Druckunterschied zwischen dem Inneren der Bearbeitungskammer
und dem Umgebungsdruck außerhalb
der Bearbeitungskammer unterworfen ist. Da die obere Wand dünn sein
kann, sind die mengenmäßigen Absorptionsverluste
der Heizstrahlung, welche durch sie hindurchgeht, gering. Unter
der oberen Wand 29 befindet sich die untere Wand 32.
Die untere Wand ist ein einfaches rundes Fenster ohne Behinderung
oder Öffnung und
sie ist ausreichend dick, um dem Unterschied zwischen dem Druck
in der Bearbeitungskammer 5' und
dem Umgebungsdruck standzuhalten. Sie ist ebenfalls transparent
für Heizstrahlung,
welche durch sie hindurch in Richtung des Wafers 7' geht. Sich
erstreckend zwischen den Umfangskanten der oberen und der unteren
Platte 29, 32, befindet sich die Umfangswand 30,
welche dazu dient, den Raum zwischen diesen abzuschließen. Es
gibt drei relativ große
Auslässe
mit hoher Fluidleitfähigkeit 33A, 33B, 33C in
der Umfangswand 30. Das verbrauchte Prozessgas wird nach
dem Hindurchfließen
durch die zentrale Öffnung 31 in
der oberen Platte 29 abgelenkt und strömt aus den Abgasauslässen 33A, 33B, 33C. Kupplungen
(zwei in 2 sichtbar) 34A, 34B, 34C verbinden
mit den Abgasauslässen 33A, 33B, 33C. Die
Kupplungen 34A, 34B, 34C dienen dazu,
um den Fluss von den Abgasauslässen 33A, 33B, 33C in
ein Abgasrohrleitungsmittel, z.B. einen Verteiler zu übergeben,
wie unten beschrieben wird.
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Mit
Bezugnahme insbesondere auf 3 wird eine
perspektivische Ansicht des Bodenwandaufbaus 36 der Plasmabearbeitungskammer 5' gemeinsam mit
einem angebrachten Abgasverteiler 37 gezeigt. Der Abgasverteiler 37 umfasst
drei kurze Abzweigrohre 35A, 35B, 35C,
welche sich jeweils mit Kupplungen 34A, 34B, 34C verbinden.
Die kurzen Abzweigrohre 35A, 35B, 35C sind
mit dem Luftrohr 38 verbunden, welches in einem Bogen von
ungefähr 270
Grad um den unteren Wandaufbau 36 herumläuft. Das
Luftrohr 38 ist seinerseits mit dem Hauptsammlerrohr 39 verbunden.
Das Hauptsammlerrohr ist seinerseits mit einer Vakuumpumpe (nicht
gezeigt) verbunden.
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Dieser
Aufbau des Abgasverteilers lässt
den Raum unterhalb der unteren Platte 32 frei von Hindernissen,
so dass eine Strahlungsleistungsquelle (z.B. Lampensystem) 40, 41 in
jenem Raum angeordnet werden kann und eine ungehinderte Sicht von jener
Position auf den Wafer 7 durch den Bodenwandaufbau 36 erzielt
werden kann.
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Vorzugsweise
wird die Fläche
der zentralen Öffnung
so gewählt,
dass der Druckabfall durch die zentrale Öffnung 31 im Vergleich
zum Druckabfall von unmittelbar hinter der Öffnung bis zur Vakuumpumpe
groß ist.
Die Fluidleitfähigkeit
im Abgaspfad kann dann leicht durch Einstellen der Fläche der
zentralen Öffnung 31 angepasst
werden, so lange die Leitfähigkeit
der letzteren vergleichsweise niedrig gehalten wird. In diesem Fall
ist die Fluidleitfähigkeit
der Abgasauslässe 33A, 33B, 33C,
der Kupplungen 34A, 34B, 34C, der kurzen
Abzweigrohre 35A, 35B, 35C, des Luftrohrs 38 und
des Sammlerrohrs 39 hoch, aber muss nicht genau gleich
sein, um einen im Wesentlichen symmetrischen Fluss von Abgasen durch
die Kammer 5' und
hinaus durch die zentrale Öffnung 31 zu
erzielen.
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Andererseits
kann es, wenn es angestrebt wird, die Gesamtleitfähigkeit
des Systems zwischen der Gasversorgung und dem Vakuumsystem zu maximieren,
notwendig sein, die zentrale Öffnung 31 zu vergrößern, um
ihre Leitfähigkeit
zu erhöhen,
die inneren Durchmesser des Sammlerrohres 39 und des Luftrohres 38 zu
erhöhen,
aber die Leitfähigkeiten der
kurzen Abzweigrohre 35A, 35B, 35C herabzusetzen
und anzupassen (z.B. gleich zu machen). Die letztere Abänderung
verringert die Gesamtsystemleitfähigkeit
etwas, erhält
aber die Symmetrie des Flusses durch die zentrale Öffnung 31.
Die Anpassung kann durch routinehaftes Experimentieren erzielt werden,
wobei die Leitfähigkeiten
der Rohre 35A, 35B, 35C verändert werden,
bis der Fluss des Prozessgases in der Kammer als symmetrisch beobachtet
wird, was durch Vergleichen der Veraschungsrate für Abschnitte
des Wafers in nächster
Nähe zu den
drei Rohren beurteilt wird. Eine niedrige Veraschungsrate würde einen
niedrigen Fluss auf jener Seite anzeigen und die Leitfähigkeit
des Rohres auf jener Seite müsste
dann relativ zu den anderen erhöht
werden.
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In
jedem Fall muss die Leitfähigkeit
und die Anordnung der drei Abgasauslässe 33A, 33B, 33C nicht
symmetrisch sein. Da die Anordnung der Abgasauslässe 33A, 33B, 33C nicht
symmetrisch sein muss, können
sie auf drei Seiten der Bearbeitungskammer 5' angeordnet sein, was die vierte
Seite geeignet macht, um die Anordnung einer Kammertüre (nicht
gezeigt) zu ermöglichen
und/oder auf andere weise Zugang zur Kammer auf der vierten Seite
bereitzustellen.
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Ein
Strahlungsleistungsabgabesystem, welches eine Quelle von Strahlungsenergie,
wie eine Mikrowellen betriebene, elektrodenlose Lampe, umfasst,
und eine Oberfläche
eines Umdrehungsreflektors sind angeordnet, um den Wafer 7,
welcher in der Bearbeitungskammer 5' angeordnet ist, durch die obere
Platte 29 und die untere Platte 32 gleichmäßig zu bestrahlen.
Die US-Patentschrift 4,683,525, erteilt an Camm, lehrt eine Oberfläche eines
Umdrehungsreflektors, welche in der Lage ist, eine relativ gleichförmige Intensität über eine
ebene Fläche
zu erzielen.
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5 und 6 stellen
eine alternative Ausführungsform
der Erfindung dar. 5 zeigt einen alternativen Bodenwandaufbau,
einen alternativen Abgasluftraum und eine alternative Strahlungsenergiequelle.
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In
dieser Ausführungsform
sind drei Abgasauslässe 43A, 43B, 43C symmetrisch
in 120 Grad zueinander auf der Umfangswand 30 angeordnet. Diese
Auslässe
sind mit drei gleich langen Abzweigrohren 45A, 45B, 45C verbunden,
welche zu einem Hauptsammlerrohr 46 zusammenlaufen und
sich zu diesem verbinden, welches seinerseits mit einer Vakuumpumpe
(nicht gezeigt) verbunden ist. Die symmetrische Anordnung der Pumpenauslässe 43A, 43B, 43C und
die gleichen Leitfähigkeiten
der Abzweigrohre 45A, 45B, 45C erlauben
den Einsatz von Abzweigrohren von niedrigerer Leitfähigkeit,
während
trotzdem ein relativ symmetrischer Fluss an Abgas an der zentralen Öffnung 31 erzielt
wird. Das Vorhandensein eines zentralen Abgasflusses an der zentralen Öffnung 31 trägt zum Vorhandensein
eines symmetrischen und folglich gleichförmigeren Flusses an Prozessgas
innerhalb der Bearbeitungskammer 5' bei.
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Die
Strahlungsenergiequelle 50 in dieser Ausführungsform
umfasst ein Planar-Array von Lampen 51, welche zum Beispiel
Wolframhalogenlampen sein können.
In dem Planar-Array ist eine Lampe zentral angeordnet. Außerdem können die
Lampen in getrennt elektrisch versorgte Gruppen getrennt werden
und die Stromversorgung der unterschiedlichen Gruppen kann so gesteuert
werden, um ein gleichmäßiges radiales
Temperaturprofil über
den Wafer hinweg zu erzeugen. Die genauen Techniken zum Steuern
der Lampen in solch einer Anordnung sind auf diesem Gebiet der Technik
gut bekannt.
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7 zeigt
eine auseinander gezogene Ansicht einer alternativen bevorzugten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. Diese Ausführungsform umfasst einen Streifen 52,
welcher entlang des Umfangs innerhalb der vertikalen Umfangswand 30 eingebaut
ist, wobei er sich zwischen der oberen Platte 29 und der
unteren Platte 32 erstreckt und die Abgasauslässe 33A, 33B und 33C abdeckt. Die
Abgaslöcher 54 erstrecken
sich um den Umfang des Streifens 52. Eine Lampenquelle
wie ein Planar-Array ist direkt unter der Kammer aus 7 auf eine ähnliche
Weise, wie in 5 gezeigt, positioniert.
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In
der Ausführungsform
aus 7 ist die Wand 30 nach außen konkav
geformt, um einen Umfangsdurchgang zwischen der Wand 30 und
dem Streifen 52 zu erzeugen. Folglich kann Gas, welches durch
ein beliebiges der Abgaslöcher 54 im
Streifen 52 austritt, aus einem der Abgasauslässe 33A, 33B und 33C durch
den Umfangsdurchgang entweichen. Die Abgaslöcher 54 fördern einen
symmetrischen Fluss des austretenden Gases aus der Kammer und unterstützen folglich
einen symmetrischeren Fluss des Gases, durch Rückdruck, über dem Wafer 7.
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Der
Streifen 52 kann auch aus einem Wärme reflektierenden Material,
zum Beispiel Alzak oder goldplattiertes Aluminium, hergestellt sein.
In diesem Fall wird der Heizwirkungsgrad der Kammer erhöht, da Wärme zurück in Richtung
des Inneren der Kammer reflektiert wird, welche anderenfalls teilweise
in der Wand 30 absorbiert würde.