KR100331673B1 - 웨이퍼플라즈마프로세서용이중윈도우배기장치 - Google Patents

Abstract

본 발명에는 웨이퍼를 균일하게 가열하기 위해 외부 복사 에너지원을 이용하는 플라즈마 애싱 챔버가 제동된다. 이 애싱 챔버에는 이중 판 윈도우를 구비하는데, 이 윈도우를 통하여 복사 열과 배기 가스가 서로 간섭하지 않고 유동한다.

Description

웨이퍼 플라즈마 프로세서용 이중 윈도우 배기장치{DOUBLE WINDOW EXHAUST ARRANGEMENT FOR WAFER PLASMA PROCESSOR}

반도체 제조 설비에서 매엽식 웨이퍼 처리 장치가 점점 많이 사용되고 있다. 그 이유 중 하나는 공정 조건들에 대한 제어를 극대화할 수 있기 때문이다. 공정 조건들로는 대개 온도, 복사 에너지(적외선 또는 자외선)의 강도, 및/또는 웨이퍼에 충돌하는 원자/분자종(species)(식각액)의 플럭스가 있다. 매엽식 웨이퍼 처리 장치를 이용하는 또 다른 이유는 웨이퍼 표면에 대한 공정 조건들을 보다 균일하게 조성할 수 있기 때문이다. 이러한 균일성은 웨이퍼로부터 만들어진 각 다이(die)들이 웨이퍼의 어떤 부분에서 절단되었는지와 무관하게 허용 가능하고 전기적인 성능 특성이 유사하도록 하기 위해 필요하다. 이에 관하여, 반도체 산업의 지속적인 추세에 따라 웨이퍼의 크기가 커지고 있기 때문에 웨이퍼 전체에 대한 공정 조건들을 균일하게 유지하는 것이 더욱 어렵게 되었음을 주지해야 한다.

일부 공정에서는 웨이퍼에 복사 에너지와 반응 종(reacting species)을 동시에 적용할 필요가 있다. 예를 들면, 이미 사용된 포토레지스트를 제거하기 위한 전도 플라즈마 애싱(ashing)에서, 가열 복사(예를 들면, 적외선 및 가시광선)가 챔버의 윈도우를 통해 웨이퍼에 적용됨과 동시에 마이크로파 플라즈마 방전을 지나서 여기된(excited) 산소가 웨이퍼 위를 통과한다. 이 공정에서, 여기된 상태의 산소가 웨이퍼 위에 있는 가열된 포토레지스트와 반응함으로써, 포토레지스트를 가스 형태(예를 들어, CO₂및 H₂O) 및 휘발성 저분자 중량 생성물(low molecular weight products)로 산화시켜 배기 오리피스를 통해 챔버로부터 배기시켜 제거한다. 따라서, 이 공정에서는 가열 복사 강도와 여기된 산소 반응제의 플럭스가 웨이퍼에 대하여 균일해야 할 필요가 있다.

도 1은 본 발명의 양수인인 메릴랜드주 록필시(Maryland, Rockville)의 후숀 시스템 사(Fusion Systems Corporation)에 의해 제조된 선행 기술의 플라즈마 애셔(asher)의 개략적인 대표도이다. 도 1을 참고하면, 가스가 가스 공급부(1)로부터 공급되어 마이크로파 여자기(2)를 통해 도관(4)에 흐른다. 업계에 공지된 바와 같이, 마이크로파 여자기(2)는 그것을 통과하는 가스 도관(4)과의 마이크로파 공동형(microwave cavity)일 수 있다. 가스가 여자기로 유입되면 가스는 플라즈마가 된다. 마이크로파 에너지는 (예를 들면, 도파관(waveguide) 또는 다이렉트 마그네트론 안테나 커플링(direct magnetron antenna coupling)에 의해) 마이크로파 발생기(3)로부터 마이크로파 여자기로 공급되어 플라즈마에 에너지를 공급한다. 플라즈마 여기의 작용에 의해 화학적으로 활성화된 가스가 여자기로부터 웨이퍼 처리실(5)에 공급된다. 처리실(5)은 상부 흡입 배플판(6a) 및 하부 흡입 배플판(6b)을 포함하는데, 이들은 반응 가스가 보다 균일해지도록 반응 가스의 흐름을 분사하는 역할을 한다. 선행 기술에 공지되어 있는 바와 같이, 배플판들(6a, 6b)은 대칭인 오리피스들을 포함한다. 하류쪽에 그리고 하부 흡입 배플판(6b) 아래에 처리할 웨이퍼(7)가 수평으로 위치되어 있다. 웨이퍼는 3개의 석영 스탠드오프(standoff)(8)(두 개만 보임)에 의해 처리실의 하부벽(9) 위쪽에 지지된다. 하부벽(9)은 복사 에너지 윈도우 역할을 하는데, 복사 열 에너지가 백열 전구(10a, 10b)로부터 이 윈도우를 통과한다. 비록 도면에 백열 전구(10a, 10b)가 두 개만 개략적으로 도시되어 있지만, 실질적으로는 원으로 배열된 백열 전구들이 이용된다. 하부벽(9)의 재질은 석영 유리일 수 있으나, 처리실이 진공 상태일 때 외부의 주위 압력을 견딜 수 있도록 하부벽의 두께는 충분해야 한다. 하부 챔버 벽(9)에는 중앙 오리피스(9A)가 형성되어 있다. 상부 배기 도관부(11a)도 석영 재질이며, 하부 챔버 벽(9)의 중앙 오리피스(9A)에 연결되어 있다. 하부 배기 도관부(11b)는 진공 펌프 시스템(12)에 연결되어 있다. 중앙 오리피스(9A)의 중앙위치는 배플판(6a, 6b)의 구조와 함께 처리실(5)의 처리 가스의 대칭적인 흐름을 조성하는데 기여하므로 중요하다.

그러나, 중앙 오리피스(9A)의 중앙 위치는 상부 배기 도관부(11a)의 중앙 위치를 필요로 하기 때문에 웨이퍼(7)에 대하여 복사 에너지를 균일하게 분배하는데 어려움이 있다. 상부 배기 도관부(11a)의 위치는 복사 에너지원 및 광학 장치의 배치를 방해하여 웨이퍼의 표면에 대한 복사 에너지의 균일한 분배를 방해한다.평면(여기서는 웨이퍼) 위에 균일하게 조사하는 공지된 방법들 중 대표적인 두 가지 예는 다중 변수 제어(multiple variable control)이다. 본 발명에 따르면 사용될 수 있으나, 이들 예들은 위에서 설명한 공정 장치 안에 상부 배기 도관부(11a) 때문에 적용할 수 없다. 다중 변수 제어는 멀티죤 플래너 어레이 조명기 접근(multizone planar array illuminator approach)(이하, 간단히 '플래너 어레이'라 칭함) 및 단일 고 에너지원과 연동하는 주문형으로 설계된 회전 반사기의 표면 접근이다.

플래너 어레이 접근은 필수적으로 어레이의 중앙 램프가 웨이퍼의 중앙 바로 아래에 위치되어야 하기 때문에, 위에서 설명한 선행 기술의 처리실에서 배제되었다. 그 이유는 배기관의 상부(11a)가 이 위치를 통과하므로 배치될 수 없기 때문이다.

회전 반사기 표면의 접근은 이 방법에서 사용되는 단일 고 에너지원이 웨이퍼의 중앙 바로 아래에 배치되어야만 하기 때문에 배제되었으며, 이것은 앞의 플래너 어레이가 배치될 수 없는 것과 마찬가지 이유 때문이다.

본 발명은 반도체 웨이퍼를 처리하는 챔버에 관한 것이다.

본 발명은 1997년 1월 30일에 출원된 미합중국 특허출원 제08/790,554호의 일부 계속 출원이다.

도 1은 선행기술의 플라즈마 공정 장치의 개략도.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 플라즈마 처리실의 개략 단면도.

도 3은 부착된 배기 매니폴드와 함께 도 2에 도시된 플라즈마 처리실의 바닥 벽 어샘블리의 사시도.

도 4는 도 3에 도시된 바닥벽 어샘블리의 단면 평면도.

도 5는 본 발명의 제2실시예에 의한 플라즈마 처리실의 바닥벽 어샘블리의 사시도.

도 6은 도 5에 도시된 바닥벽 어샘블리의 단면 평면도.

도 7은 반사기 벨트를 지닌 플라즈마 처리실의 분해 사시도.

본 발명에 따르면, 웨이퍼 처리 가스가 처리실을 관통하여 흐르고 복사 에너지가 처리실 안으로 조사되는 웨이퍼 처리실에 이중 바닥벽 어샘블리가 포함되는데, 이 어샘블리는 상부 및 하부 바닥벽(이후, "상부벽 및 하부벽"이라 칭함)을 포함한다. 상부벽은 중앙 오리피스를 가진다. 상부벽과 하부벽 사이의 처리실 주변벽은 유체 컨덕턴스가 크거나/크고 대칭적으로 배열된 다수의 오리피스들이 형성되어있다. 각 분기(branch)는 배기 매니폴드의 분기들에 연결된다. 분기들은 유체 컨덕턴스가 크거나/크고 유체 컨덕턴스가 적어도 거의 동일하여 다수의 오리피스를 통한 배기 유동이 동일할 것이다. 배기 매니폴드는 처리실 바닥의 아래 공간이 장애물로부터 자유롭고 장애물이 없도록 배치된다. 이렇게 하여 복사열 시스템이 이 공간에 설치될 수 있도록 한다. 적어도 배경 기술에서 설명된 플래너 어레이 형태 또는 선대칭 반사기 형태가 이용될 수 있다. 상기한 것은 제한하는 의미로 이해되면 안되며, 반면에, 웨이퍼에 대한 일정 수준의 균일성을 얻기 위한 기타 여러 방법이 공지되어 있다. 이와 관련하여 주지해야 할 것은 어떠한 시스템도 실질적으로 완벽한 균일성을 성취할 수 없었다는 것이다. 양 바닥벽은 이중 바닥벽 어샘블리를 통해 챔버로 통하는 형태의 복사 에너지에 대해 실질적으로 투명하다. 따라서, 이 바닥벽 어샘블리는 복사 에너지원의 위치로부터 웨이퍼로 방해받지 않는 경로를 제공한다. 이 챔버로부터 배기될 가스는 상부벽의 중앙 오리피스를 통해, 그리고 상부벽과 하부벽 사이의 주변벽에 있는 오리피스들 밖으로 흐른다.

웨이퍼 처리실의 또 다른 실시예에는 처리실의 가열 효율을 증가시키는 반사기 벨트가 마련되어 있다. 반사기 벨트는 주변벽의 오리피스들로 향하는 배기 구멍들을 포함하여 보다 대칭적인 배출 유동 및 웨이퍼 상의 유동을 조성한다.

본 발명의 이점은 처리실 안에 있는 웨이퍼를 보다 용이하게 관찰할 수 있는 웨이퍼 처리실을 제공한다는 것이다.

본 발명의 또 다른 이점은 웨이퍼를 균일하게 조명하는데 이용될 수 있는 웨이퍼 처리실을 제공한다는 것이다.

본 발명의 또 다른 이점은 처리실 안의 처리 가스가 대칭적으로 흐를 수 있다는 것이다.

도면을 참고하여 바람직한 실시예를 설명할 것이다.

도 2, 도 3 및 도 4는 본 발명의 바람직한 실시예를 나타낸다. 이들 도면들을 참고하여 보면, 처리실의 상부는 도 1에 도시된 선행 기술의 처리실과 동일하다는 것을 알 수 있으며, 이들은 동일한 참조 번호를 사용하였다. 따라서, 흡입 파이프(4')는 가스를 마이크로파 여자기(도면에 도시하지 않음)로부터 처리실(5')로 안내한다. 흡입 배플판(6a', 6b')은 석영 스탠드오프(8') 위에 지지된 웨이퍼 위에 여기된 처리 가스의 흐름을 확산시키는 역할을 한다.

본 발명에 따르는 처리실의 바닥벽 어샘블리(36)를 이제 설명할 것이다. 웨이퍼 아래에는 상부벽(29)이 있다. 웨이퍼는 상부벽(29) 상의 석영 스탠드오프(8')에 의해 지지되어 있다. 상부벽(29)은 이를 통과하는 가열 복사에 대해 투명하다. 상부벽(29)은 배기 흐름이 처리기(5')에서 벗어나는 과정에 통과하는 중앙 오리피스(31)를 지닌다. 이 중앙 오리피스(31)의 중앙 위치는 흡입 배플판들(6a', 6b')과 함께 웨이퍼(7) 위의 처리 가스가 대칭적으로 그래서 보다 균일하게 흐르도록 하는데 기여하는데, 이렇게 하여 보다 균일한 공정이 가능하게 된다. 처리실 내부의 압력과 처리실 외부의 주위 압력의 압력차 전부가 상부벽(29)에 작용하지 않기 때문에, 상부벽(29)은 너무 두꺼울 필요가 없다. 상부벽이 얇게 구성할 수 있기 때문에, 이를 통과하는 가열 복사의 벌크 흡수 손실(bulk absorption loss)이 작아질 것이다. 상부벽(29) 아래에는 하부벽(32)이 있다. 하부벽은 어떠한 방해도 받지 않고 어떠한 오리피스도 없는 단순한 원형 윈도우이고, 처리실(5')의 압력과 대기 압력의 차이를 지탱할 수 있을 정도로 충분한 두께를 갖는다. 또한, 웨이퍼(7')를 향해 통과하는 가열 복사에 대하여 투명하다. 상부벽(29)과 하부벽(32)의 주변 가장자리에 뻗어 있는 것은 원주벽(30)이고, 그 원주벽(30)은 이들 사이의 공간을 폐쇄하는 역할을 한다. 원주벽(30)에는 유체 컨덕턴스가 상대적으로 큰 3개의 배기 포트(33A, 33B, 33C)가 있다. 사용된 처리 가스는 상부벽(29)의 중앙 오리피스(31)를 통과한 후 분산되어 배기 포트(33A, 33B, 33C)들 밖으로 유동된다. 커플러(34A, 34B, 34C)(도 2에서 두개가 보임)는 배기 포트(33A, 33B, 33C)에 연결되어 있다. 이 커플러(34A, 34B, 34C)는 유동을 배기 포트(33A, 33B, 33C)로부터 배기 도관 수단(예를 들면, 아래에 설명되어 있듯이 매니폴드)으로 통과시키는 역할을 한다.

특히, 도 3에 배기 매니폴드(37)가 부착된 플라즈마 처리실(5')의 바닥벽 어샘블리(36)의 사시도가 도시되어 있다. 배기 매니폴드(37)는 커플러(34A, 34B, 34C)에 각기 연결된 3개의 짧은 분기관(35A, 35B, 35C)을 포함한다. 이 짧은 분기관(35A, 35B, 35C)은 플리넘관(plenum pipe)(38)에 연결되어 있는데, 이 플리넘관은 바닥벽 어샘블리(36) 주위로 약 270도의 원호로 뻗어 있다. 플리넘관(38)은 주 수집관(main collector pipe)(39)에 연결되어 있다. 주 수집관은 진공펌프(도시되어 있지 않음)에 연결되어 있다.

배기 매니폴드의 이러한 설계는 하부판(32) 아래의 공간에 장애가 없도록 하며, 이렇게 함으로써 복사 에너지원(40, 41)(예: 램프 시스템)이 이 공간에 설치될 수 있고, 이러한 바닥벽 어샘블리(36)에 의해 그 위치에서부터 웨이퍼(7)로의 조사(radiation)가 방해받지 않을 수 있다.

바람직하게는, 중앙 오리피스(31)에 의한 압력 강하가 중앙 오리피스를 금방 지난후로부터 진공 펌프에서의 압력 강하에 비해 상대적으로 크도록 중앙 오리피스의 면적이 정해질 것이다. 컨덕턴스가 상대적으로 작게 유지되는 한도에서 중앙 오리피스(31)의 면적을 조절함으로써 배기 통로 내의 유체 컨덕턴스가 쉽게 조절될 수 있다. 이 경우, 처리실(5')을 통과하는 그리고 중앙 오리피스(31) 밖으로 배출된 배기 가스가 거의 대칭적으로 유동하도록, 배기 포트(33A, 33B, 33C), 커플러(34A, 34B, 34C), 짧은 분기관(35A, 35B, 35C), 플리넘관(38) 및 수집관(39)의 컨덕턴스가 정확하게 같을 필요는 없지만 크다.

한편, 가스 공급부와 진공 시스템 사이의 시스템 전체 컨덕턴스를 최대화하는 것이 요구되는 경우, 중앙 오리피스(31)를 확대하여 그 컨덕턴스를 증가시키고, 수집관(39)과 플리넘관(38)의 내부 직경을 증가시킬 필요가 있다. 그러나, 짧은 분기관(35A, 35B, 35C)의 컨덕턴스는 감소하도록 조절한다.(예:동일하게 조절) 마지막 변경은 전체 시스템의 컨덕턴스를 다소 감소시키지만 중앙 오리피스(31)를 통과하는 유동의 대칭성을 유지한다. 3개의 파이프에 가장 인접한 웨이퍼의 부분들에 대한 애싱 비율(ashing rate)을 비교·판단함으로써, 처리실 내 처리 가스가 대칭인 유동이 관찰될 때까지, 분기관(35A, 35B, 35C)의 컨덕턴스를 변화시키는 루틴 실험에 의해 수정이 이루어질 것이다. 낮은 애싱 비율은 그 측면에 유동량이 적다는 것을 의미하며, 그 측면의 파이프 컨덕턴스는 다른 것에 비해 증가될 것이다.

어느 경우에 있어서도, 3개의 배기 포트(33A, 33B, 33C)의 컨덕턴스 및 위치가 대칭일 필요는 없다. 배기 포트(33A, 33B, 33C)의 배치가 대칭일 필요가 없으므로 이들은 처리실(5')의 3개 측면에 배치될 수 있고, 네번째 측면은 개방된 상태로 두어 처리실의 문(도시하지 않음)이 배치될 수 있도록 하고/하거나 그렇지 않으면 네번째 측면을 통한 처리실로의 접근을 제공한다.

마이크로파를 에너지원으로 하는 무전극 램프(electrodeless lamp)와 같은 복사 에너지원 및 회전 반사기의 표면을 포함하는 복사 에너지 시스템은 상부판(29)과 하부판(32)을 통해 처리실(5')에 위치한 웨이퍼(7)를 균일하게 조사하도록 배치되어 있다. 평면에 대해 상대적으로 균일한 강도를 얻을 수 있는 회전 반사기의 표면을 개시한 캠(Camm)이 발명한 미합중국 특허 제4,683,625호를 참고로여기에 포함시켰다.

도 5 및 도 6은 본 발명의 또 다른 실시예를 나타낸다. 도 5는 본 발명의 또 다른 바닥벽 어샘블리, 배기 플리넘 및 복사 에너지원을 나타낸다.

본 실시예에서, 3개의 배기 포트(43A, 43B, 43C)는 주변벽(30) 상에 120도로 대칭적으로 배치되어 있다. 이들 배기 포트들은 길이가 같은 3개의 분기관(45A, 45B, 45C)에 연결되어 있고, 이 분기관은 진공펌프(도시되지 않음)에 연결된 주 수집관(46)에 수렴되도록 연결되어 있다. 펌프 포트(43A, 43B, 43C)의 구성이 대칭이고 분기관(45A, 45B, 45C)의 컨덕턴스가 동일하기 때문에, 중앙 오리피스(31)에서 배기되는 가스가 여전히 비교적 대칭으로 유동하게 하면서도 컨덕턴스가 작은 분기관들을 사용할 수 있게 된다. 중앙 오리피스(31)에서 중앙 배기 가스 흐름을 얻는 것은 대칭에 기여하여, 처리실(5') 내에서의 처리 가스 흐름이 더 균일하게 된다.

이 실시예의 복사 에너지원(50)은 (예를 들어, 텅스텐 할로겐 램프일 수 있는) 램프들(51)의 플래너 어레이를 포함한다. 이 플래너 어레이에서, 램프 하나가 중앙에 배치된다. 이에 더하여, 램프들은 동력 그룹들로 나눠질 수 있고, 웨이퍼 위의 온도의 반경방향 프로파일이 균일해지도록, 다른 그룹들의 에너지가 제어될 수 있다. 이러한 구성에서 램프들을 제어하는 정확한 기술들은 공지되어 있다.

도 7은 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예의 분해도이다. 본 실시예는 상부판(29)과 하부판(32) 사이에 뻗어 있는 수직 원주벽(30)에 원주방향으로 설치된 배기 포트(33A, 33B, 33C)들을 덮는 벨트(52)를 포함한다. 배기 구멍(54)들은 벨트(52)의 원주 둘레에 형성되어 있다. 플래너 어레이와 같은 램프 소스는 도 5에도시된 바와 같은 유사한 방식으로 도 7의 챔버 바로 아래에 배치된다.

도 7의 실시예에서, 벽(30)의 형상은 벽(30)과 벨트(52)간의 원주 통로를 생성하도록 바깥 방향으로 형성되어 오목하다. 따라서, 벨트(52)의 배기 구멍(54)들 중 하나에서 나온 가스는 원주 통로를 통해 배기 포트들(33A, 33B, 33C) 중 하나의 밖으로 배출될 수 있다. 배기 구멍(54)들은 처리실 밖으로의 배출 가스의 대칭적 흐름을 촉진하여, 웨이퍼(7)에 대한 배압(backpressure)에 의해 가스의 대칭적인 흐름을 도와준다.

벨트(52)는 예를 들어 알작 알루미늄(Alzak aluminum) 또는 금도금 알루미늄과 같은 열 반사 재료로 되어 있다. 이와 다른 경우엔 벽(30)에 흡수되지만, 이 경우 이 열이 처리실의 안쪽으로 다시 반사하기 때문에 처리실의 가열 효율이 증가한다.

본 발명의 사상 및 범위로부터 벗어남이 없이 그 분야의 숙련자에게는 상기 실시예의 변형이 이루어질 수 있음을 알 수 있을 것이다.

Claims (14)

1. 가스로 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 처리실에 있어서,

   제1벽;

   상기 제1벽에 형성된 배기 오리피스;

   상기 처리실 외부의 대기 압력에 대한 장벽을 형성하는 제2벽;

   상기 제1벽과 상기 제2벽 사이에 배치된, 상기 제1벽과 제2벽의 주변의 제3벽과;

   상기 제2벽으로부터 먼 쪽에 있는 상기 제1벽의 표면에 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 수단;

   상기 주변벽에 있는 적어도 하나의 배기 포트; 및

   상기 적어도 하나의 배기 포트에 연결된 배기 도관 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리실.
2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼는 복사 에너지 형태로도 또한 처리되고, 상기 제1벽과 제2벽은 상기 유형의 복사 에너지에 대해 실질적으로 투명한 것을 특징으로 하는 처리실.
3. 제2항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼를 지지하는 수단은 상기 제1벽에 놓여있는 다수의 스탠드오프로 구성되는 것을 특징으로 하는 처리실.
4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 적어도 하나의 배기 포트는 상기 챔버내 가스의 대칭적인 흐름을 촉진하도록 구성된, 상기 제3벽의 둘레에 형성된 다수의 포트로 구성되는 것을 특징으로 하는 처리실.
5. 제4항에 있어서, 상기 배기 포트들은 상기 배기 도관 수단에 연결되고, 상기 포트들과 상기 도관 수단은 상기 제1벽에 있는 상기 배기 오리피스에 비해 높은 유체 컨덕턴스를 갖는 것을 특징으로 하는 처리실.
6. 제5항에 있어서, 상기 배기 포트들은 모두 상대적으로 커서 상기 주변벽의 상당한 부분을 차지하는 것을 특징으로 하는 처리실.
7. 제6항에 있어서, 상기 배기 포트들은 모두 그 형상이 주변벽의 원주방향으로 뻗어 있는 것을 특징으로 하는 처리실.
8. 제7항에 있어서, 상기 배기 오리피스는 상기 제1벽의 중앙 부근에 위치하는 것을 특징으로 하는 처리실.
9. 제8항에 있어서, 상기 배기 도관 수단은 상기 다수의 포트에 연결된 다수의 분기관을 지닌 배기 매니폴드를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리실.
10. 제9항에 있어서, 상기 다수의 분기관은 동일한 유체 컨덕턴스를 갖는 것을 특징으로 하는 처리실.
11. 제4항에 있어서, 상기 제1벽과 상기 제2벽은 실질적으로 서로 평행한 것을 특징으로 하는 처리실.
12. 제4항에 있어서, 상기 처리실은 상기 포트들과 연통하는 다수의 개구부를 가지며 상기 제3벽 안에 원주방향으로 배치된 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리실.
13. 제12항에 있어서, 상기 제3벽 안에 원주방향으로 배치된 상기 수단은 상기 제3벽의 전체 원주 둘레로 뻗어 있으며, 상기 개구부는 또한 상기 전체 원주 둘레로 뻗어 있는 것을 특징으로 처리실.
14. 제13항에 있어서, 상기 유형의 복사 에너지는 열 에너지이고, 상기 제3벽 안에 원주방향으로 배치된 상기 수단은 열 반사 수단인 것을 특징으로 하는 처리실.