KR910020836A - 광화학 증착 및 급속열처리 장치용 진공 반응로 - Google Patents
광화학 증착 및 급속열처리 장치용 진공 반응로 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 측단면도, 제2도는 본 발명의 정단면도, 제3도는 본 발명의 반응로 벽을 나타낸 평면도.
Claims (9)
- 실제로 반응이 내부에서 일어나는 반응로벽(1)과, 반응로벽(1)의 상단에 힌지(15)로 고정되며 광화학 반응에 필요한 자외광을 공급하는 자외광 노광로(20)와, 반응로벽(1)의 하단에 고정구(10)와 힌지(17)에 의해 결합되며 기판의 가열을 위한 적외광을 공급하는 적외광 가열부(40)들로 구성됨을 특징으로 하는 광화학 증착 및 급속열처리 장치용 진공반응로.
- 제1항에 있어서, 반응로벽(1)은 파이로미터 온도검출창(2b)이 구비된 적외광 도입창(2)과 가스유출 구멍(5a) 및 파이로미터 온도검출 구멍(5b)이 형성된 적외광 그물창(5)과, 3개의 기판(18) 지지용 석영핀(7a)이 중앙원형 구멍(7b)의 하단에 형성된 적외광 차단용 불투명 석영판(7)을 중앙에 아래로 터 차례로 설치하고, 뒷벽의 두 요홈부(1a), (1b)에는 제4가스분사기(6)와 제1가스분사기(8)를 내설하면서 앞벽의 게이트 밸브(10)의 앞에는 불투명 석영판(11)을 설치하며 그 아래에는 배기용 다기관(12)이 구비된 배기용 플랜지(13)를 설치하 구성됨을 특징으로하는 광화학증착 및 급속열처리 장치용 진공반응로.
- 제2항에 있어서, 적외광 그물창(5)이 급속열화학 증착시 적외광 도입창(2)에 반응물 증착을 억제하도록 한 광화학 증착 및 급속열처리 장치용 진공 반응로.
- 제1항에 있어서, 자외광 노광부(20)는 가스유출 구멍(23a)이 구비된 자외광 그물창(23)의 바로 위의 뒷벽 요홈부(21a)에 제2가스분사기(24)를 설치하면서 그 위에 자외광 입창(24)를 설치한 자외광 도입창 고정구(21)와, 자외광 도입창 고정구(21)의 위에 결합되며 제3가스분사기(29)와 다수의 저압 수은램프(31)가 내설되고 배기관(32)과 전력선 연결부(33)가 설치된 윗벽 내면에 자외광 반사구(34)를 설치한 자외광 노광로(28)로 이루어짐을 특징으로 하는 광화학 증착 및 급속열처리 장치용 진공반응로.
- 제4항에 있어서, 자외선 반사구(34)는 알루미늄을 경면 연마하고 특수처리하여 제조한 광화학 증착 및 급속열처리 장치용 진공반응로.
- 제4항에 있어서, 제3가스분사기(29)는 질소를 공급하면서 산소에 의한 자외광 흡수를 방지하면서 저온 수은 램프(31)를 냉각시키도록 한 광화학 증착 및 급속 열처리장치용 진공 반응로.
- 제1항에 있어서, 적외광 가열부(40)는 냉각수 통로(42)와 압축공기 분출구(43)가 천공되고 내면에 반사경(44)이 구비된 적외광 반사판(45)의 위쪽에는 다수의 텅스텐 할로겐 램프(47) 직각으로 교차되게 설치하고 반응로벽(1)과의 사이에는 공기토출구(40a)를 구비하여서 됨을 특징으로 하는 광화학 증착 및 급속열처리 장치용 진공반응로.
- 제7항에 있어서, 텅스텐 할로겐 램프(47)를 다수개로 직각으로 교차되게 배열하여 기판(18)의 가열 및 냉각속도를 조절하면서 온도의 균일도를 높이도록 한 광화학 증착 및 급속열처리 장치용 진공반응로.
- 제7항에 있어서, 압축공기 분출구(43)로 통해 공급되는 압축공기는 텅스텐 할로겐 램프(47)를 냉각시킨후 공기토출구(40a)로 배출되도록 구성한 광화학 장치 및 급속 열처리 장치용 진공반응로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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|---|---|---|---|
| KR1019900007230A KR920008036B1 (ko) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 광화학 증착 및 급속열처리 장치용 진공 반응로 |
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|---|---|---|---|
| KR1019900007230A KR920008036B1 (ko) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 광화학 증착 및 급속열처리 장치용 진공 반응로 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| KR910020836A true KR910020836A (ko) | 1991-12-20 |
| KR920008036B1 KR920008036B1 (ko) | 1992-09-21 |
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ID=19299209
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019900007230A KR920008036B1 (ko) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 광화학 증착 및 급속열처리 장치용 진공 반응로 |
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| Country | Link |
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| KR (1) | KR920008036B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100351453B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2002-09-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의 ｓｅｇ 형성방법 |
| KR100543711B1 (ko) * | 2004-06-19 | 2006-01-20 | 삼성전자주식회사 | 열처리장치 |
-
1990
- 1990-05-21 KR KR1019900007230A patent/KR920008036B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR100351453B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2002-09-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의 ｓｅｇ 형성방법 |
| KR100543711B1 (ko) * | 2004-06-19 | 2006-01-20 | 삼성전자주식회사 | 열처리장치 |
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| KR920008036B1 (ko) | 1992-09-21 |
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