DE3634129A1 - Verfahren und reaktor zum chemischen aufdampfen - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich allgemein auf das chemische Ablagern eines von einem Gas mitgeführten oder getragenen Materials auf ein festes Substrat, und insbesondere auf einen Reaktor für die chemische Dampfabscheidung oder das chemische Aufdampfen, der eine axiale Symmetrie aufweist.

Es ist bekannt, eine chemische Dampfabscheidung von Materialien, z. B. eine epitaxiale chemische Dampfabscheidung, dadurch herbeizuführen, daß ein Gas, das die Reaktionsstoffe enthält, über ein festes Substrat geleitet wird. Das Gas enthält das Material, das auf dem Substrat niedergeschlagen oder abgeschieden werden soll. Das feste Substrat muß im allgemeinen auf erhöhter Temperatur gehalten werden, damit die Reaktion mit der Oberfläche unterstützt und aufrechterhalten wird. Die Abscheidung kann typischerweise in einem Behälter durchgeführt werden, der die Gasströmung über ein Substrat hinweg, das auf einem nachstehend als Basis bezeichneten Suszeptor angeordnet worden ist, oder, typischer, über eine Vielzahl von Substraten auf einem Suszeptor hinweg, verursacht.

Bei den bekannten Reaktoren für das chemische Aufdampfen können verschiedene Probleme auftreten. Es ist typisch, daß die Abscheidereaktion mit dem Substrat Dampfabscheidungsmaterialien aus dem Gasfluß entfernt und zu einer Änderung der Konzentration des Reaktionsmittels in dem Gas führt. Da das Gas gezwungen wird, über ein Scheibensubstrat hinweg zu strömen, kann die Konzentrationsänderung zu einer ungleichmäßigen abgeschiedenen Schicht führen. Diese Ungleichförmigkeit von Abscheidungsschichten kann für eine Vielzahl von Substraten, aber auch über ein einzelnes Substrat hinweg auftreten. Darüber hinaus haben derzeit benutzte Systeme eine begrenzte Kapazität hinsichtlich der Schaffung einer gleichmäßigen Temperatur für eine Vielzahl von Substraten oder auch für ein einzelnes Substrat. Die Gleichförmigkeit der Temperatur wird typischerweise dadurch geschaffen, daß dem Substrat eine große thermische Masse zugeordnet ist. Die große thermische Masse und die damit verbundene thermische Trägheit können Ungleichförmigkeiten in der Temperaturverteilung des Substrats herabsetzen. Die große thermische Masse begrenzt jedoch die Geschwindigkeit, mit welcher das Substrat auf thermisches Gleichgewicht gebracht werden kann, und kann demzufolge einen nachteiligen Effekt auf die für die Bearbeitung der Substrate erforderliche Zeit haben. Die große thermische Masse kann daher direkt die Produktivität betreffen.

Des weiteren können die Reaktoren für chemisches Aufdampfen, die gegenwärtig für die epitaxiale Abscheidung benützt werden, eine Selbstdotierung ermöglichen, d. h. eine Dotierung des Abscheide- oder Niederschlagsmaterials, die von Dotiermittel herrührt, das von der entgegengesetzten Seite des typischerweise hoch dotierten Substrats abdampft. Bei den bekannten Reaktoren mußte große Sorgfalt auf die Abdichtung der entgegengesetzten Seite des Substrats angewendet werden, um die Autodotierung zu verhindern.

Es wurde versucht, die Produktivität von Reaktoren zum chemischen Aufdampfen dadurch zu erhöhen, daß die Reaktoren hinsichtlich ihrer Abmessungen vergrößert wurden, um mehr Substratmaterial aufnehmen zu können. Diese Vergrößerung führte zu einer erhöhten Verunreinigung des Substrats mit Partikeln. Die Partikelsubstanz stammte von unerwünschten Materialablagerungen an den Reaktorwänden, Ablagerungen, die sich von den Wänden lösen und in die Abscheidezone gelangen können.

Bei typischen chemischen Aufdampfsystemen können die Zusammensetzung des gasförmigen Materials, die Temperatur und die Selbstdotierung gesteuert werden, doch suchte man nach einer zusätzlichen Steuerung des Abscheide- oder Aufdampfprozesses.

Kürzlich wurde die Möglichkeit der Anwendung einer axial symmetrischen Gasströmung über jedes Substrat zur Schaffung eines zufriedenstellenderen chemischen Dampfabscheideprozesses untersucht. Mit der axial symmetrischen Strömung und passenden Randbedingungen ist eine gleichmäßigere Niederschlagsschicht zu erzielen. Die Abscheidung auf einer einzelnen Scheibe (wafer) erlaubt eine Flexibilität in der Methode des Erhitzens, womit Heiz- und Kühlzeiten herabgesetzt werden können. Der axial symmetrische Gasfluß hat den zusätzlichen Vorteil, daß die Selbstdotierung, d. h. die unerwünschte Dotierung der abgeschiedenen oder niedergeschlagenen Schicht durch Atome aus dem hoch dotierten Substrat, vermindert werden kann. Hinzu kommt, daß es die axial symmetrische Gasströmung erlaubt, größere Substrate zu verwenden, was zu Einscheiben-Reaktoren führt. Die Einscheiben-Reaktoren zeigten die Tendenz, die Verunreinigung von Abscheideregionen auf dem Substrat mit Partikeln zu reduzieren.

Es bestand daher ein Bedürfnis für einen chemischen Aufdampf- oder Dampfabscheide-Reaktor, der sich der Vorteile einer axial symmetrischen Gasströmung bedienen und zusätzlich eine gleichmäßige Beheizung bewirken kann, so daß dem Substrat eine kleine thermische Masse zugeordnet werden kann.

Ein Ziel der Erfindung besteht daher darin, einen verbesserten Reaktor für die chemische Dampfabscheidung oder das chemische Aufdampfen zu schaffen.

Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, einen Reaktor zum chemischen Aufdampfen für ein axial symmetrisches Substrat zu schaffen.

Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, einen Prozess der chemischen Dampfabscheidung zu schaffen, der eine axial symmetrische Geometrie hat.

Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, eine Vorrichtung und ein Verfahren zum gleichmäßigen Erhitzen eines Substrats mit Kreisgeometrie zu schaffen.

Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, einen Reaktor für die chemische Dampfabscheidung zu schaffen, der eine Vorrichtung aufweist, die fähig ist, eine zusätzliche Steuerung des Abscheideprozesses herbeizuführen.

Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, einen Aufdampfreaktor zu schaffen, bei dem die Gasströmung, die das Reaktionsmaterial über das Substrat führt, eine aixale Symmetrie aufweist.

Die vorstehenden und weitere Ziele der Erfindung werden gemäß der Erfindung durch eine Vorrichtung erreicht, die eine kreisförmige Reaktionskammer für das chemische Aufdampfen von Materialien auf ein im wesentlichen kreisförmiges Substrat aufweist. Das kreisförmige Substrat wird auf einer Basis von einem Säulenfuß oder Ständer getragen. Gas, das das auf dem Substrat abzuscheidende Material führt, wird durch eine Vorrichtung, die in einem steuerbaren Abstand von dem Substrat angeordnet ist, mit im wesentlichen gleichförmiger Geschwindigkeit senkrecht gegen die Substratoberfläche gerichtet. Das Gas wird zu einem im wesentlichen axial symmetrischen Fluß über die Oberfläche des Substrats gezwungen. Für die Beheizung des Substrats und der zugehörigen Apparatur auf eine gleichmäßige Temperatur ist eine Strahlungs-Heizvorrichtung vorgesehen. Die von der Heizvorrichtung geschaffene gleichmäßige Temperatur läßt es zu, daß das Substrat und der zugehörige Apparat eine verhältnismäßig kleine thermische Masse haben. Die kleine thermische Masse erlaubt es, daß das thermische Gleichgewicht rasch für eine gewählte Substrattemperatur erreicht wird. Der das Substrat tragende Ständer kann zur weiteren Vergleichmäßigung der Temperatur und der Abscheidung gedreht werden. Zur Verringerung der Selbstdotierung der abgeschiedenen Schicht kann eine zusätzliche Gasströmung eingeführt werden.

Die vorstehenden und weitere Merkmale der Erfindung ergeben sich in näheren Einzelheiten aus der nachstehenden Erörterung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung. In der Zeichnung zeigt:

Fig. 1 die Kammern eines erfindungsgemäßen Dampfabscheidereaktors, schematisch in auseinandergezogener Anordnung dargestellt,

Fig. 2 eine schematische Querschnittsansicht der Kammern des erfindungsgemäßen Dampfabscheidereaktors,

Fig. 3 eine schematische Querschnittsansicht der erfindungsgemäßen Reaktorkammer, die weitere Einzelheiten der bevorzugten Ausführungsform wiedergibt, und

Fig. 4 eine Querschnittsansicht des säulenfußförmigen Ständers für die Schaffung einer zusätzlichen Gasströmung zum Vermindern der Selbstdotierung des auf dem Substrat niedergeschlagenen Materials.

Die Fig. 1 zeigt in auseinandergezogener perspektivischer schematischer Darstellung die Vorrichtung, die die Reaktorkammern für die chemische Dampfabscheidung oder das chemische Aufdampfen aufweist. Die Reaktorkammervorrichtung weist eine obere und eine untere Heizkammer 60 auf. Den beiden Heizkammern ist eine Vielzahl von Strahlungs- Heizelementen 50 zugeordnet. Die Heizelemente sind typischerweise langgestreckte Lampen, und die einzelnen Kammern können bei der bevorzugten Ausführungsform rechteckig sein. Selbstverständlich können auch andere Kammergeometrien zur Anwendung gelangen. Die Lampen sind durch Öffnungen in den Kammerwandungen hindurch eingesetzt und im wesentlichen parallel zu den anderen darin befindlichen Lampen sowie in einer Ebene parallel zu dem Substrat 10 angeordnet. Die obere und die untere Kammer sind im wesentlichen so angeordnet, daß sich die Lampenanordnung einer jeden Kammer unter einem rechten Winkel zu der anderen Lampenanordnung erstreckt. Das Substrat 10 und die zugehörige Aufnahmebasis 15 sind in dem Reaktor von einem säulenfußartigen Ständer 80 getragen. Das Gas 11, das die auf dem Substrat 10 abzuscheidenden Materialien mit sich führt, wird mittels einer Vorrichtung 70 in den Reaktor eingebracht. Die Vorrichtung 70 besteht im allgemeinen aus Quarz (damit die Wärmestrahlung durchgelassen wird) und weist eine Kammer auf, in die das Gas 11 eingeführt wird. Die Vorrichtung 70 hat eine der Substratoberfläche zugewendete und im wesentlichen parallel zu dieser ausgerichtete Oberfläche. Die Oberfläche weist eine Vielzahl von Öffnungen auf, die es ermöglichen, daß das Gas in einem im wesentlichen gleichförmigen Fluß zum Substrat hin austritt.

Die Fig. 2 zeigt den Reaktor für die chemische Dampfabscheidung im Querschnitt. Die Lampen 50 in den beiden Heizkammern 60 ergeben eine gleichmäßige Beheizung des Substrats 10 und der zugehörigen Basis 15. In Fig. 2 sind die Lampen 50 nicht in zueinander senkrechter Anordnung dargestellt, damit zwei Heizlampenanordnungen zu erkennen sind. Bei der unteren Heizlampenanordnung richten Parabol- Reflektoren die Strahlungsenergie zur Basis 15 und zum zugehörigen Substrat 10. Bei der oberen Kammer 60 in Fig. 2 sind den äußeren Heizlampen 50 Parabol-Reflektoren zugeordnet. Die inneren Heizlampen befinden sich vor einem ebenen Bereich 52. Der ebene Bereich und die Parabol-Reflektoren sind mit hochgradig reflektierendem Material überzogen, um die Strahlung auf die Substrat-Basis-Kombination zu richten. Die Substrat/Basis-Kombination wird von einem säulenfußartigen Ständer 80 getragen, und die Basis des Ständers erstreckt sich durch eine Heizkammer 60 (in Fig. 2 nicht dargestellt). Die Vorrichtung 70 zum Zuführen des das abzuscheidende Material enthaltenden Gases zum Substrat weist einen Einlaß für die Aufnahme des Gases 11 und eine Vielzahl von Öffnungen 74, die das Gas gleichförmig zum Substrat 10 hin richten, auf. Bei der im einzelnen nicht dargestellten Vorrichtung 90 handelt es sich um eine Vorrichtung zum Abziehen des Gases aus der Abscheidekammer in solcher Weise, daß die axiale Symmetrie des Gasflusses erhalten bleibt. Die Vorrichtung 90 kann eine Vielzahl von Öffnungen aufweisen, wobei die Hauptfunktion darin besteht, den Gasfluß zu steuern. Die Vorrichtung 90 schafft auch eine Wärmeverlustquelle, die die Gleichförmigkeit der Temperatur über die Substrat/Basis- Kombination hinweg beinhaltet. Die Fig. 3 zeigt eine detailliertere Ausführung der Reaktorkammer. Die Kammern 60 enthalten Lampen 50, die elektrisch und mechanisch durch Kupplungseinrichtungen 51 an die übrige Vorrichtung angeschlossen sind und denen ein reflektierender Bereich gemäß Fig. 2 zugeordnet sein kann. Die Vorrichtung 70 weist eine erste Materialplatte 72 und eine zweite Materialplatte 71 auf. Die Materialplatte 71 erstreckt sich im wesentlichen parallel zum Substrat 10 und ist mit einer Vielzahl von Öffnungen versehen, die das Gas 11 zum Substrat hin richten. Das Substrat 10 ist von einem Ständer 80 getragen. Das Gas wird gezwungen, an einer Vielzahl von Leitplatten 91 vorbeizuströmen, um einen axial symmetrischen Fluß aufrechtzuerhalten. Das Substrat und der obere Teil des Ständers sind im wesentlichen von der Platte 71, der Platte 75 und Außenflächen 76 umschlossen, um den Gasfluß einzuschränken. Das Gas kann ebenfalls durch eine Vielzahl von Öffnungen aus der Einfassung abgezogen werden. Das Gehäuse 8 ist mit den Heizkammern 60 gekoppelt und weist eine zusätzliche, nicht dargestellte Vorrichtung für den Anschluß an die oberen und unteren Teile der Reaktorkomponenten und zum Tragen der inneren Einfassungsvorrichtung auf.

Die Fig. 4 zeigt eine Möglichkeit zum Verhindern einer Selbstdotierung des Niederschlags oder der abgeschiedenen Schicht. Das Gas 11 fließt in axial symmetrischer Strömung auswärts zu den Kanten des Substrats 10. Das Substrat 10 ist mit Hilfe von Abstandshaltern 60 oberhalb der Basis 15 abgestützt. Die Basis ist mittels Zwischenstücken 81 und durch die vertikalen Wände des Ständers 80 über dem letzteren gehalten. Durch einen Kanal im Ständer 80 und durch eine Öffnung 83 in der Basis 15 strömt ein Gas 13 zu dem Raum zwischen der Basis und dem Substrat. Diese radial auswärts gerichtete Strömung führt in Verbindung mit der radial auswärts gerichteten Strömung des Trägergases 11 unerwünschte Dotieratome des Substrats vom Abscheideteil des Substrats weg.

Arbeitsweise der bevorzugten Ausführungsform:

Der Aufbau des Reaktors zum chemischen Aufdampfen ist so getroffen, daß die vorteilhaften Wirkungen eines axial symmetrischen Flusses des Trägergases über ein Substrat ausgenützt werden. Diese Gestaltung des Gasflusses, die auch als Stagnationspunkt-Fluß bezeichnet wird, ergibt die Vorteile einer radialen Gleichförmigkeit der Konzentration der Abscheidematerialien in der Nähe des Substrats, einer radialen Gleichförmigkeit der Temperatur-Isothermen im Gas oberhalb der Substratoberfläche und einer radialen Gleichförmigkeit der Geschwindigkeiten der chemischen Reaktionen im Gas und auf der Substratoberfläche.

Die Vorrichtung 70, welche bei der bevorzugten Ausführungsform aus Materialplatten mit Öffnungen in der dem Substrat nächsten Platte bestehen kann, ergibt eine brauchbare Technik zum Einbringen der axial symmetrischen Gasströmung in die Kammer. Bei der bevorzugten Ausführungsform sind die Öffnungen an den Ecken von gleichseitigen Dreiecken angeordnet. Es ist eine Vorrichtung, z. B. die Leitplatte 91 vorgesehen, die sicherstellt, daß das Abziehen des Trägergases den axial symmetrischen Gasfluß nicht merklich stört. Die Vorrichtung 70 ist typischerweise aus einem Material hergestellt, das fähig ist, einen großen Teil der Strahlung zu der Basis/Substrat-Kombination zu übertragen. In ähnlicher Weise sind die Heizkammern so ausgeführt, daß die axiale Symmetrie der Abscheidung unterstützt und eine gleichförmige Temperatur über dem Substrat aufrechterhalten wird. In den Heizkammern befinden sich eine Vielzahl von Lampen 50. Die Wände der Kammern 53 sowie der reflektierende Bereich 52 und die Parabol-Reflektoren 51 sind mit einem hochgradig reflektierenden Material überzogen, um den thermischen Wirkungsgrad zu begünstigen und den Bereich von virtuellen Wärmequellen zu vergrößern, die von dem resultierenden Substrat zu sehen sind. Unter Bezugnahme beispielsweise auf Fig. 2 ist zu erkennen, daß die Kante des Substrats nicht der gleichen Strahlung ausgesetzt ist wie der übrige Teil des Substrats, und zwar mangels Heizquellen in der Richtung des Bereichs 90. Zur Kompensation dieser kühleren Umgebung können die äußersten Heizlampen mit zusätzlicher Leistung betrieben werden, wodurch die Strahlungsheizung in dem Bereich vergrößert wird. Zur Kompensation der größeren Wärmeverluste des äußeren Substratbereichs können auch die Stellungen der Heizelemente verändert werden, indem die äußersten Heizlampenanordnungen neigbar eingerichtet werden, oder die Heizkammern gut über das Substrat hinaus erstreckt werden. Die Seiten der Heizkammern können mit hochgradig reflektierendem Material versehen werden, was, vom Substrat aus gesehen, wegen der reflektierten Strahlung den Effekt zusätzlicher Wärmequellen ergibt. Um die sich aus der Verwendung von diskreten Heizquellen ergebende Struktur zu mildern, ist die Ausrichtung der Heizlampen bezüglich der Ausrichtung der Heizlampen in der anderen Kammer gedreht. Zur weiteren Herabsetzung einer verbleibenden thermischen Struktur kann der das Substrat tragende Ständer gedreht werden.

Die Fig. 4 zeigt eine Ausführungsform der Erfindung, bei der eine Gasströmung 13 zum Vermindern der Selbstdotierung eingesetzt werden kann. Die Gasströmungen der Gase 11 und 13 bewirken, daß Dotiermaterialien, die von der Unterseite des Substrats abgedampft sind, von der die Niederschlagsmaterialien empfangenden Substratoberfläche weggeführt werden. Der Ständer besteht typischerweise aus einem Material, das für einen großen Teil des Spektrums der Heizstrahlung transparent ist.

Eine dünnere Gestaltung oder Eliminierung der das Substrat tragenden Basis kann die Masse reduzieren, die zum Erreichen des thermischen Gleichgewichts aufgeheizt werden muß. Durch Verminderung der thermischen Masse können in einer gegebenen Zeit mehr Substrate behandelt und eine größere Produktivität erzielt werden.

Die Substrate können in passender Weise relativ zu der Platte, durch welche das Trägergas eingebracht wird, auf- oder abbewegt werden. Diese Flexibilität der Anordnung ergibt eine zusätzliche Steuerung der Abscheidekonditionen.

Eine weitere Ungleichförmigkeitsquelle ist das Strahlungsfeld, das die Basis/Substrat-Kombination aufgrund der Absorbtionscharakteristiken und der Temperatur der Vorrichtung 70, des Ständers und irgendwelcher anderer struktureller Teile, die zwischen den Strahlungsquellen und der Basis/Substrat-Kombination eingefügt werden müssen, empfindet. Es muß den sich im Strahlungsfeld ergebenden Strömungen Rechnung getragen werden, die sich aus dem Vorhandensein dieser Elemente ergeben, sowie dem sich aus der Absorbtion und Emission von Strahlung ergebenden thermischen Einfluß der strukturellen Teile.

An den dargestellten und beschriebenen Ausführungsbeispielen können vielerlei Abwandlungen vorgenommen werden, ohne daß der Rahmen der Erfindung überschritten wird.

Claims (19)

1. Reaktor für die chemische Dampfabscheidung auf ein beheiztes Substrat, mit einer Substrateinrichtung, die eine kreisrunde Gestaltung hat, gekennzeichnet durch eine Heizvorrichtung zum gleichförmigen Aufheizen der Substrateinrichtung und eine Gasströmungseinrichtung zum Schaffen eines axial symmetrischen Gasflusses über die Substrateinrichtung hinweg.

2. Reaktor nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Tragvorrichtung zum Tragen der Substrateinrichtung, wobei es die Tragvorrichtung ermöglicht, einen Abstand zwischen der Gasströmungseinrichtung und der Substrateinrichtung zu steuern.

3. Reaktor nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Trageinrichtung zum Tragen des Substrats, wobei die Tragvorrichtung fähig ist, das Substrat zu drehen.

4. Reaktor nach Anspurch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gasströmungseinrichtung eine Vorrichtung aufweist, die das Gas mit gleichförmiger Geschwindigkeit senkrecht zu einer Oberfläche des Substrats gerichtet einführt.

5. Reaktor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizvorrichtung eine erste und eine zweite Kammer aufweist, wobei mindestens eine der Kammern eine Vielzahl von Heizlampen enthält.

6. Reaktor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein Teil der Innenwände der Kammern mit einem hochgradig reflektierenden Material überzogen ist.

7. Reaktor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die axial symmetrische Gasströmung die Konfiguration einer Stagnationspunkt-Gasströmung ermöglicht.

8. Reaktor nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Kammer mit einer Vielzahl von Öffnungen, die im wesentlichen eine axiale Symmetrie bezüglich der Substrateinrichtung aufweisen und von dieser im wesentlichen gleich weit entfernt sind, wobei die Heizeinrichtung eine Vielzahl von Heizlampen aufweist, die eine im wesentlichen gleichmäßige Temperatur in der Substrateinrichtung herbeiführen, und wobei mindestens eine Öffnung im wesentlichen symmetrisch um einen Umfang der kreisförmigen Substrateinrichtung herum angeordnet ist.

9. Reaktor nach Anspurch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Kammer aus einem Material gefertigt ist, das strahlungsdurchlässig ist.

10. Reaktor nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch eine Öffnungseinrichtung unterhalb der Substrateinrichtung zum Einführen einer zweiten Gasströmung zu der Substrateinrichtung.

11. Reaktor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizlampen oberhalb und/oder unterhalb der Substrateinrichtung angeordnet sind.

12. Reaktor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Substrateinrichtung von einer Basis getragen ist.

13. Reaktor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Kammer und die mindestens eine Öffnung so gestaltet sind, daß eine Stagnationspunkt-Gasströmung geschaffen wird.

14. Reaktor nach Anspurch 8, gekennzeichnet durch eine erste Heizkammer, die auf einer ersten Seite der Substrateinrichtung angeordnet ist, und eine zweite Heizkammer, die auf einer zweiten Seite der Substrateinrichtung angeordnet ist, wobei die erste und die zweite Heizkammer eine Vielzahl von Heizlampen aufweisen und die Heizlampen der ersten Heizkammer im wesentlichen senkrecht zu den Heizlampen der zweiten Heizkammer angeordnet sind.

15. Reaktor nach Anspurch 8, gekennzeichnet durch Mittel zum Drehen der Substrateinrichtung.

16. Verfahren zur chemischen Dampfabscheidung unter Verwendung des Reaktors nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein gleichmäßiges Substrat gebildet wird, das Substrat gleichmäßig auf eine vorbestimmte Temperatur erhitzt wird und an dem Substrat ein Gas vorbeigeleitet wird, wobei die Gasströmung eine axiale Symmetrie aufweist und das Gas Materialien zum Abscheiden auf dem Substrat enthält.

17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat gedreht wird.

18. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß eine zweite Gasströmung eingebracht und an einer zweiten Oberfläche des Substrats vorbeigeführt wird, um die Selbstdotierung zu vermindern.

19. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß der Verfahrensschritt des Vorbeileitens eines Gases das Erzeugen einer Stagnationspunkt-Gasströmung bezüglich des Substrats umfaßt.