DE2536174B2 - Verfahren zum Herstellen von polykristallinen Siliciumschichten für Halbleiterbauelemente und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von polykristallinen Siliciumschichten für Halbleiterbauelemente und Vorrichtung zur Durchführung des VerfahrensInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Diese Verfahren zur Herstellung polykristalliner Siliciumschichten für Halbleiterbauelemente unter Verwendung
eines Trägerkörpers aus Graphit sind aus der deutschen Auslegeschrift 12 23951 zu entnehmen. Die
polykristalline Siliciumschicht wird im Anschluß an die Abscheidung durch Aufschmelzen bei einer Temperatur,
die etwas über dem Schmelzpunkt des Halbleitermaterials, jedoch unterhalb des Schmelzpunktes des
Trägerwerkstoffes liegt und durch Abkühlen auf Normaltemperatur in den einkristallinen Zustand
übergeführt. In den auf diese Weise hergestellten Halbleiterkörpern werden mittels anschließender Diffusions-
und Ätzprozesse ein oder mehrere pn-Übergänge erzeugt, welche mit elektrischen Anschlüssen versehen
werden.
Ein ähnliches Herstellverfahren für Halbleiterbauelemente ist auch aus der deutschen Offenlegungsschrift
19 01819 bekannt. Bei diesem Verfahren wird die
polykristalline Anordnung zu einer integrierten Schaltung mehrerer Halbleiterbauelemente über einem
gemeinsamen, elektrisch isolierenden Substrat weiterverarbeitet.
Die Aufgabe, die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegt, besteht in der Herstellung einer
polykristallinen Siliciumschicht für solche Halbleiterbauelemente, wie z. B. für Solarzellen, bei deren
Herstellung die Überführung der polykristallinen Schicht in die einkristalline Struktur nicht unbedingt
erforderlich ist. Dadurch kann der technische und zeitliche Aufwand erheblich reduziert werden, da z. B.
der zur Erzielung der einkristallinen Struktur notwendige Temperprozeß entfällt
Die erfindungsgemäße Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs genannten Art durch die im
kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 beanspruchten Maßnahmen gelöst.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird durch Vorrichtungen, welche in F i g. 1 und 2 dargestellt sind,
durchgeführt. Dabei zeigt F i g. 1 eine Anordnung, bei der der aus Graphit bestehende Trägerkörper 21 die
Form einer gasundurchlässigen Folie hat, die entweder unmittelbar oder mittelbar über ein dünnes Blech aus
einem hitzebeständigen Metall einen evakuierten Raum
20 begrenzt. In diesem evakuierten Raum 20 wird ein Elektronenstrahl 30 erzeugt und auf die Graphitfolie
zum Auftreffen gebracht. Die dadurch bedingte Auftreffstelle 31 lokaler, hoher Erhitzung wird auf der
anderen Seite der Graphitfolie zur Abscheidung ausgenutzt. Die Fig.2 stellt eine Vorrichtung dar, in
welcher ein Laserstrahl bei der Siliciumabscheidung zur Anwendung gelangt.
In dem in F i g. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel bildet die Graphitfolie 21 die mittlere Wand eines durch einen
Metallkasten gebildeten Reaktions- und Vakuumgefäßes 22, in dessen Vakuumteil 20 eine Glühkathode 23 zur
Erzeugung des Elektronenstrahles 30 montiert ist. Die zur Bündelung und Ablenkung des Elektronenstrahles
30 erforderlichen Mittel 25 sind bekannt. Sie sind im Beispielsfalle lediglich durch eine elektrostatische Linse
25 angedeutet und werden mit Hilfe einer steuerbaren elektrischen Spannungsquelle 26 mit Spannung beaufschlagt
Die Folie 23 ist vakuumdicht mit dem Rand des Reaktion*- und Vakuumgefäßes 22 verbunden. Das
Vakuumgefäß 22 bzw. dessen Vakuumteil 20 ist durch eine Vakuumpumpe 27 evakuierbar. Die Auftreffstelle
des Elektronenstrahles 30 ist mit 31 bezeichnet. Er stellt bei genügender Intensität und Energie des Elektronenstahles
(kinetische Energie der in ihm geführten Elektronen) eine Stelle lokaler Erhitzung dar, während
die Nachbarstelliin dank der raschen Verteilung des Stromes in der Folie abseits der Auftreffstelle 31 relativ
kühl sind. Da die Außenseite der Folie 21 an einen mit Reaktionsgas erfüllten Reaktionsraum 28 angrenzt,
findet an dieser — und zwar begrenzt an die der Auftreffstelle 31 unmittelbar gegenüberliegenden Stelle
32 der Folienaußenseite — Siliciumabscheidung statt.
Man kann nun einerseits den Reaktionsraum 28 über die Einlaß- und Auslaßstelle 29 mit dem Reaktionsgas
versorgen, zum anderen kann man die Auftreffstelle 31 des Elektronenstruhles 30 durch programmierte Steuerung
der Spannung der Spannungsquelle 26 nach Belieben über die: Innenseite der Folie 21 führen. So ist
z. B. möglich, daß die Auftreffstelle 31 bzw. der Auftreffleck die Folie nur innerhalb von einzelnen,
durch nicht von der Auftreffstelle getroffene Zwischenräume getrennten Feldern beschreibt, so daß die
abgeschiedene Siliiciumschicht im vornherein in kleinere Scheiben unterteilt ist.
In Fig.2 wird der sich in einem mit transparenten
Wänden ausgestalteten Reaktionsgefäß 22 aus Grapnit
an einem über einen Hohlspiegel 34 und einem Laser 35 gelieferten Fokussierungsfleck, der Auftreffstelle 31 der
Laserstrahlung lokal auf hohe Temperatur erhitzt, so daß das gleichzeitig auf die erhitzte Auftreffstelle 31 an
der Oberfläche des Trägerkörpers 21 einwirkende Reaktionsgas Gelegenheit erhält, an der Auftreffstelle
31 das gewünschte polykristalline Silicium abzuscheiden. Ähnlich wie die Auftreffstelle 31 des Elektronen-Strahls
30 bei der anhand der F i g. 1 besprochenen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens
wird auch hier die Auftreffstelle 31 sukzessive über den Träger 21 geführt und dessen Oberfläche mit der
abgeschiedenen Siliciumschicht versehen. Die Pfeile 29
ίο sollen die Strömungsrichtung des Reaktionsgases
anzeigen.
Durch das Verfahren ist die Möglichkeit gegeben, Siliciumschichten für die Weiterverarbeitung zu Halbleiterbauelementen
in möglichst feinkristalliner Form und in hoher Reinheit großflächig herzustellen. Der
band- oder plattenförmige Trägerkörper 21 aus Graphit kann dabei für die auf ihm abgeschiedene Siliciumschicht
als weitere Elektrode verwendet werden oder auch von der Siliciumschicht abgetrennt und letztere an
der vorher von dem Trägerkörper eingenommenen Oberflächenseite mit einer Elektrode versehen werden.
Durch das Verfahren wird auch ermöglicht, daß eine
Vielzahl von einander gleichen Halbleiterbauelementen aus einer einzigen scheibenförmigen Siliciumschicht
hergestellt wird, denn die in F i g. 1 und 2 beschriebenen Verfahrensweisen gestatten die Anwendung großflächiger
Trägerkörper aus Graphit, die die Größe der normalerweise zur Verfügung stehenden Substratscheiben
aus einkristallinem Silicium um ein Vielfaches
3ü übertreffen können. So wird verständlich, daß die sonst üblichen Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl
gleicher Halbleiterbauelemente aus einem einzigen scheibenförmigen Siliciumkristall hier in großem Maßstab
angewendet werden können.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (7)
1. Verfahren zum Herstellen von polykristallinen Siliciumschichten für Halbleiterbauelemente, bei
dem auf der ebenen Oberfläche eines erhitzten, band- oder plattenförmigen Trägerkörpers aus
Graphit eine Siliciumschicht aus einem aus Siliciumhalogenid und/oder Silan enthaltenden und mit
Wasserstoff und/oder Inertgas gemischten Reaktionsgas pyrolytisch abgeschieden und an der dem
Trägerkörper gegenüberliegenden Oberflächenseite mit mindestens einer Elektrode versehen wird,
dadurch gekennzeichnet, daß bei der Abscheidung die mit der Siliciumschicht zu versehende
Oberfläche lokal der Einwirkung einer energiereichen Strahlung derart ausgesetzt wird,
daß sich die Auftreffstelle der energiereichen Strahlung lokal auf die für die Abscheidung von
Silicium aus dem Reaktionsgas erforderliche Temperatur erhitzt, und daß die Auftreffstelle der
energiereichen Strahlung über die Oberfläche des Trägerkörpers derart bewegt wird, daß sich an der
Oberfläche des Trägerkörpers die Siliciumschicht in der gewünschten Form abscheidet.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als energiereiche Strahlung Elektronenstrahlen
oder Laserstrahlen verwendet werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der aus Graphit bestehende
Trägerkörper als weitere Elektrode für die auf ihm abgeschiedene Siliciumschicht verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper von der
Siliciumschicht abgetrennt und an der vorher von dem Trägerkörper eingenommenen Oberflächenseite
eine Elektrode angebracht wird.
5. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen
folienförmigen, als Raumteiler in einem Reaktionsund Vakuumgefäß (22) angeordneten Trägerkörper
(21), der an einer Seite in Kontakt mit einem zur thermischen Abscheidung von Silicium befähigten,
über Düsen in den Reaktionsraum (28) einströmenden Reaktionsgas steht, an der anderen Seite
hingegen als Begrenzung eines evakuierten Raumes
(20) dient, weiterhin gekennzeichnet durch einen in dem evakuierten Raum (20) auf den Trägerkörper
(21) punktförmig auftreffenden, von einer Glühkathode (23) ausgehenden Elektronenstrahl (30) und
durch Mittel (25, 26) zur sukzessiven Bewegung der Auftreffstelle (31) des Elektronenstrahls (30) über
den folienförmigen Trägerkörper (21) (F i g. 1).
6. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch t, gekennzeichnet durch ein mit je
einer Gaseinlaß- und Gasauslaßöffnung versehenes, aus transparentem Material bestehendes, den
Reaktionsraum (28) umschließendes Reaktionsgefäß (22), durch einen in diesem befindlichen plattenförmigen
Trägerkörper aus Graphit (21), durch eine außerhalb des Reaktionsraumes (28) angebrachte
Laserstrahlquelle (35) und einen den Laserstrahl auf den Trägerkörper (21) punktförmig fokussierenden
Hohlspiegel (34) und durch Mittel zur sukzessiven Bewegung der Auftreffstelle (31) des Laserstrahles
über dem plattenförmigen Trägerkörper (21) aus Graphit (F ig. 2).
7. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel (25, 26) zur
sukzessiven Bewegung der Auftreffstelle (31) eine programmierbar gesteuerte, elektrische Spannungsquelle (26) umfassen.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3340584A1 (de) * | 1982-11-12 | 1984-05-17 | Rca Corp., New York, N.Y. | Halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen des bauelements |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4609771A (en) * | 1984-11-02 | 1986-09-02 | Sovonics Solar Systems | Tandem junction solar cell devices incorporating improved microcrystalline p-doped semiconductor alloy material |
EP1211293A3 (de) | 2000-11-30 | 2004-01-14 | Kansai Paint Co., Ltd. | Härtbare wässrige Harzzusammensetzung |
JP2003096388A (ja) | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Kansai Paint Co Ltd | 水性塗料用樹脂組成物 |
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JP5230979B2 (ja) | 2006-08-28 | 2013-07-10 | Ntn株式会社 | 駆動力正逆切替装置 |
EP1983018B1 (de) | 2007-04-20 | 2011-02-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Vernetzbare Organopolysiloxan-Zusammensetzungen |
DE102012012088A1 (de) | 2012-06-18 | 2013-12-19 | Jean-Paul Theis | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterdünnschichten auf Fremdsubstraten |
JP5990277B2 (ja) | 2012-11-16 | 2016-09-07 | 旭化成株式会社 | セミカルバジド組成物、セミカルバジド組成物の製造方法、水系樹脂組成物及び複合体 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3335038A (en) * | 1964-03-30 | 1967-08-08 | Ibm | Methods of producing single crystals on polycrystalline substrates and devices using same |
BE666629A (de) * | 1964-08-04 | |||
US3558374A (en) * | 1968-01-15 | 1971-01-26 | Ibm | Polycrystalline film having controlled grain size and method of making same |
DE1900116C3 (de) * | 1969-01-02 | 1978-10-19 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen hxxochreiner, aus Silicium bestehender einkristalliner Schichten |
-
1975
- 1975-08-13 DE DE19752536174 patent/DE2536174C3/de not_active Expired
-
1976
- 1976-08-13 JP JP51096887A patent/JPS5943816B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3340584A1 (de) * | 1982-11-12 | 1984-05-17 | Rca Corp., New York, N.Y. | Halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen des bauelements |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2536174A1 (de) | 1977-03-17 |
JPS5222878A (en) | 1977-02-21 |
DE2536174C3 (de) | 1983-11-03 |
JPS5943816B2 (ja) | 1984-10-24 |
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Legal Events
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