JPH0319252A - 多重チャンバ真空式処理装置及び多重チャンバ真空式半導体ウェーハ処理装置 - Google Patents
多重チャンバ真空式処理装置及び多重チャンバ真空式半導体ウェーハ処理装置Info
- Publication number
- JPH0319252A JPH0319252A JP2121039A JP12103990A JPH0319252A JP H0319252 A JPH0319252 A JP H0319252A JP 2121039 A JP2121039 A JP 2121039A JP 12103990 A JP12103990 A JP 12103990A JP H0319252 A JPH0319252 A JP H0319252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- vacuum
- chambers
- processing
- robot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000000926 separation method Methods 0.000 title 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 101
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 113
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 26
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 claims 4
- 238000003491 array Methods 0.000 claims 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 abstract description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は一般に半導体ウェーハ処理に関し、単一ウェー
ハ、カセット・ツー・カセット、ロボット真空処理に関
する。
ハ、カセット・ツー・カセット、ロボット真空処理に関
する。
汚染を減少させ且つ処理量を増大させるため、最近開発
された多くの単一ウェーハ処理チャンバは、カセットロ
ードロツタと複数／多重真空処理チャンバとの間でウェ
ーハを移送するウェーハ移送ロボットを備えた装置構或
を用いている。（１１個々の処理チャンバ相互間の及び
（２）ロボットチャンバとロードロックチャンバとの間
の出入りは、処理チャンバをロボットから、及びロボッ
トをロードロックチャンバから選択的に隔離するスリッ
トバルブを介して行われる。との構或は、処理チャンバ
においてまたはロードロックチャンバにおいてウェーハ
をロードまたはアンロードしながら他の１つまたは複数
のチャンバ内で処理を行うことを可能にし、また、ロボ
ットチャンバを介する一つの処理チャンバから他のチャ
ンバへの真空ウェーハ移送におけるランダムアクセスを
可能にする．セミコンダクタ・インタチショナル（Ｓｅ
ｍｉｃｏｎｄ−ｕｃｔｏｒ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａ
ｌ）誌、１９８５年１０月号、４８〜６０頁に所載の論
文「乾式エッチング装置二大形ウェーハに対する促進」
において、とのような装置、特に４チャンバ乾式エッチ
ング装置が開示されてあり、との装置においては、五角
形状ハウジング内のロボットが、とのロボットハウジン
グに取りつけられた４つのプラズマエンチングチャンバ
及びカセット・ロード／アンロード・ロンクチャンバに
対して働く． とのような最新の装置によって提供される真空隔離は向
上したのであるが、一般にかかる装置においては、高真
空処理、例えばスパッタリングのような物理的蒸着に対
して商業的に許容される処理量を提供することが困難で
ある。特に、処理チャンバまたはそのロードロックチャ
ンバを、これにウェーハをロードした後に、その基礎真
空度に排気するのに要する時間が過大である。
された多くの単一ウェーハ処理チャンバは、カセットロ
ードロツタと複数／多重真空処理チャンバとの間でウェ
ーハを移送するウェーハ移送ロボットを備えた装置構或
を用いている。（１１個々の処理チャンバ相互間の及び
（２）ロボットチャンバとロードロックチャンバとの間
の出入りは、処理チャンバをロボットから、及びロボッ
トをロードロックチャンバから選択的に隔離するスリッ
トバルブを介して行われる。との構或は、処理チャンバ
においてまたはロードロックチャンバにおいてウェーハ
をロードまたはアンロードしながら他の１つまたは複数
のチャンバ内で処理を行うことを可能にし、また、ロボ
ットチャンバを介する一つの処理チャンバから他のチャ
ンバへの真空ウェーハ移送におけるランダムアクセスを
可能にする．セミコンダクタ・インタチショナル（Ｓｅ
ｍｉｃｏｎｄ−ｕｃｔｏｒ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａ
ｌ）誌、１９８５年１０月号、４８〜６０頁に所載の論
文「乾式エッチング装置二大形ウェーハに対する促進」
において、とのような装置、特に４チャンバ乾式エッチ
ング装置が開示されてあり、との装置においては、五角
形状ハウジング内のロボットが、とのロボットハウジン
グに取りつけられた４つのプラズマエンチングチャンバ
及びカセット・ロード／アンロード・ロンクチャンバに
対して働く． とのような最新の装置によって提供される真空隔離は向
上したのであるが、一般にかかる装置においては、高真
空処理、例えばスパッタリングのような物理的蒸着に対
して商業的に許容される処理量を提供することが困難で
ある。特に、処理チャンバまたはそのロードロックチャ
ンバを、これにウェーハをロードした後に、その基礎真
空度に排気するのに要する時間が過大である。
本発明の目的は、装置のチャンバを、これにウェーハを
ロードした後、その基礎真空度に排気するのに要する時
間を最小限にするように構威した半導体ウェーハのよう
なワークピースに対する処理装置を提供することにある
。本発明の他の目的は、装置内にあるウェーハを、これ
が高真空領域に入る前に、予備クリーニング及びその他
後処理することにより、汚染を減らし及び処理量を増加
させることにある。本発明の更に他の目的は、極めて高
い真空度のチャンバに対する、例えば、スパッタリング
に対して用いられるもののような物理的蒸気処理チャン
バに対し、排気時間を最小限にし、従って処理量を増加
させるようにした前記種の装置を提供することにある。
ロードした後、その基礎真空度に排気するのに要する時
間を最小限にするように構威した半導体ウェーハのよう
なワークピースに対する処理装置を提供することにある
。本発明の他の目的は、装置内にあるウェーハを、これ
が高真空領域に入る前に、予備クリーニング及びその他
後処理することにより、汚染を減らし及び処理量を増加
させることにある。本発明の更に他の目的は、極めて高
い真空度のチャンバに対する、例えば、スパッタリング
に対して用いられるもののような物理的蒸気処理チャン
バに対し、排気時間を最小限にし、従って処理量を増加
させるようにした前記種の装置を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、別々の隔離可能ウェーハ移送
通路を提供することにより、処理能力及び処理量が増大
した真空処理装置提供することにある。
通路を提供することにより、処理能力及び処理量が増大
した真空処理装置提供することにある。
本発明の一つの態様はワークピース移送装置及びその動
作方法に関するものであり、ワークピースをロード及び
アンロードするための第１及び第２のロボット手段をそ
れぞれ内部に含んでいる第１及び第２のの真空チャンバ
と、前記チャンバ相互間に別々の移送通路を提供するた
め、゛前記第１及び第２のロボット内蔵チャンバを相互
接続する１対の通路とを備えている． 本発明の他の態様は多段真空隔離式処理装置及びその動
作方法に関するものであり、少なくとも真空ロードロッ
クチャンバを含む複数の隔離可能連通領域と、真空ワー
クピース処置チャンバ及び中間ワークピース移送領域と
、前記領域内に基礎真空度を、及び装置を横切って領域
から領域までの真空勾配を確立するため、前記隔離可能
領域と連通ずる真空手段とを備えている．好ましくは、
前記ワークピース移送領域は、ワークピースをロード及
びアンロードするため、第１及び第２のロボット手段を
内部にそれぞれ含んでいる第１及び第２のの移送領域と
、前記第１及び第２のロボット内蔵チャンバ間に別々の
移送通路を提供するため、前記チャンバを相互接続する
１対の通路とを具備する。第１及び第２のワークピース
処理チャンバまたはかかるチャンバの群を設けて前記第
１及び第２のロボット内蔵チャンバとそれぞれ連通させ
てもよい。これら第１及び第２の処理チャンバは前記ロ
ボット内蔵チャンバ及び通路によって互いに隔離され、
従って、異なる真空度における処理及び／又は両立し難
いガス化学作用の使用のために用いることができ、相互
汚染がない。
作方法に関するものであり、ワークピースをロード及び
アンロードするための第１及び第２のロボット手段をそ
れぞれ内部に含んでいる第１及び第２のの真空チャンバ
と、前記チャンバ相互間に別々の移送通路を提供するた
め、゛前記第１及び第２のロボット内蔵チャンバを相互
接続する１対の通路とを備えている． 本発明の他の態様は多段真空隔離式処理装置及びその動
作方法に関するものであり、少なくとも真空ロードロッ
クチャンバを含む複数の隔離可能連通領域と、真空ワー
クピース処置チャンバ及び中間ワークピース移送領域と
、前記領域内に基礎真空度を、及び装置を横切って領域
から領域までの真空勾配を確立するため、前記隔離可能
領域と連通ずる真空手段とを備えている．好ましくは、
前記ワークピース移送領域は、ワークピースをロード及
びアンロードするため、第１及び第２のロボット手段を
内部にそれぞれ含んでいる第１及び第２のの移送領域と
、前記第１及び第２のロボット内蔵チャンバ間に別々の
移送通路を提供するため、前記チャンバを相互接続する
１対の通路とを具備する。第１及び第２のワークピース
処理チャンバまたはかかるチャンバの群を設けて前記第
１及び第２のロボット内蔵チャンバとそれぞれ連通させ
てもよい。これら第１及び第２の処理チャンバは前記ロ
ボット内蔵チャンバ及び通路によって互いに隔離され、
従って、異なる真空度における処理及び／又は両立し難
いガス化学作用の使用のために用いることができ、相互
汚染がない。
好ましくは、本発明装置は、ワークピースを供給し及び
受け取るため、ロボット内蔵チャンバの第１のものと連
通している第１及び第２の真空ロードロックチャンバを
有す。との双対ロードロツタにおいては、ワークピース
のローディング及びアンローディングのために一方を（
外気に対して）開放し、一方、装置の残部は真空となっ
ておって内部でワークピースを移送し及び／又はワーク
ピースを処理していることができるので、処理量が増加
する。
受け取るため、ロボット内蔵チャンバの第１のものと連
通している第１及び第２の真空ロードロックチャンバを
有す。との双対ロードロツタにおいては、ワークピース
のローディング及びアンローディングのために一方を（
外気に対して）開放し、一方、装置の残部は真空となっ
ておって内部でワークピースを移送し及び／又はワーク
ピースを処理していることができるので、処理量が増加
する。
本発明の更に他の８様においては、一方のロボット内蔵
チャンバまたは移送ステーションから他方へ移送する前
にワークピースを処理するため、一方または両方の通路
は内部にチャンバを含んでいる．例えば、かかるチャン
バを用い、半導体ウェーハが高真空移送ステーションに
入る前に該ウェーハを予備クリーニングすることができ
る．との前処理隔離は、移送ステーシッン及び処理ステ
ーションの汚染を減らし、真空排気時間を減らし、従っ
て処理量を増加させる． 本発明の更に他の態様は多段真空装置であり、複数の半
導体ウェーハ処理チャンバと、ウェーハを供給し及び受
け取るため、好ましくは２つのロードロックチャンバを
具備するウェーハ・ロード／アンロード・ステーション
と、前記ロード／アンロード・ステーションと前記処理
チャンバとの間に介在してこれらの間に一連の移送通路
を提供する複数のチャンバと、前記チャンバを選択的に
密封して相隣るチャンバを互いに隔離するため、前記移
送通路に沿って配置されて相隣るチャンバ間に介在する
スリットバルブとを備えている．また、隔離された各チ
ャンバ内に選択された基礎真空度を、及び装置を横切っ
てチャンバからチャンバまで真空勾配を確立するため、
真空装置が真空チャンバと連通し、これにより、前記チ
ャンバをその選択された基礎真空度を排気するのに要す
る時間を最小限にする。
チャンバまたは移送ステーションから他方へ移送する前
にワークピースを処理するため、一方または両方の通路
は内部にチャンバを含んでいる．例えば、かかるチャン
バを用い、半導体ウェーハが高真空移送ステーションに
入る前に該ウェーハを予備クリーニングすることができ
る．との前処理隔離は、移送ステーシッン及び処理ステ
ーションの汚染を減らし、真空排気時間を減らし、従っ
て処理量を増加させる． 本発明の更に他の態様は多段真空装置であり、複数の半
導体ウェーハ処理チャンバと、ウェーハを供給し及び受
け取るため、好ましくは２つのロードロックチャンバを
具備するウェーハ・ロード／アンロード・ステーション
と、前記ロード／アンロード・ステーションと前記処理
チャンバとの間に介在してこれらの間に一連の移送通路
を提供する複数のチャンバと、前記チャンバを選択的に
密封して相隣るチャンバを互いに隔離するため、前記移
送通路に沿って配置されて相隣るチャンバ間に介在する
スリットバルブとを備えている．また、隔離された各チ
ャンバ内に選択された基礎真空度を、及び装置を横切っ
てチャンバからチャンバまで真空勾配を確立するため、
真空装置が真空チャンバと連通し、これにより、前記チ
ャンバをその選択された基礎真空度を排気するのに要す
る時間を最小限にする。
本発明の更に他の態様は多重チャンバ多段真空式半導体
ウェーハ処理装置であり、複数の半導体ウェーハ処理チ
ャンバと、ウェーハを供給し及び受け取るため、好まし
くは２つのロードロックチャンバを具備するウェーハロ
ード／アンロード・ステーションと、第１及び第２のの
ウェーハ移送チャンバを含むチャンバハウジングとを備
えており、前記第１及び第２ののウェーハ移送チャンバ
は、前記第１のウェーハ移送チャンバから第１の中間処
理チャンバを介して前記第２０ウェーハ移送チャンバに
至る第１の通路に沿い、及び前記第２のウェーハ移送チ
ャンバから第２の中間処理チャンバを介して前記第１の
ウェーハ移送チャンバに至る第２の通路に沿って互いに
連通ずる。前記ロード／アンロード・ステーションは前
記第１のウェーハ移送チャンバと連通し、前記半導体ウ
ェーハ処理チャンバは前記第２のウェーハ移送チャンハ
ト連通し、ロード／アンロード・ステーションから処理
チャンバに至る装置通路を形戒する。
ウェーハ処理装置であり、複数の半導体ウェーハ処理チ
ャンバと、ウェーハを供給し及び受け取るため、好まし
くは２つのロードロックチャンバを具備するウェーハロ
ード／アンロード・ステーションと、第１及び第２のの
ウェーハ移送チャンバを含むチャンバハウジングとを備
えており、前記第１及び第２ののウェーハ移送チャンバ
は、前記第１のウェーハ移送チャンバから第１の中間処
理チャンバを介して前記第２０ウェーハ移送チャンバに
至る第１の通路に沿い、及び前記第２のウェーハ移送チ
ャンバから第２の中間処理チャンバを介して前記第１の
ウェーハ移送チャンバに至る第２の通路に沿って互いに
連通ずる。前記ロード／アンロード・ステーションは前
記第１のウェーハ移送チャンバと連通し、前記半導体ウ
ェーハ処理チャンバは前記第２のウェーハ移送チャンハ
ト連通し、ロード／アンロード・ステーションから処理
チャンバに至る装置通路を形戒する。
本発明の更に他の態様は真空中でワークピースを移送す
る方法であり、選択されたワークピースを第１の真空チ
ャンバから第２の真空チャンバへこれらチャンバを相互
接続する第１の通路に沿って移送する段階と、選択され
たワークピースを前記第２のチャンバから前記第１のチ
ャンバへこれらチャンバを相互接続する第２の通路に沿
って送り返す段階とを有す．詳述すると、移送チャンバ
はロボットチャンバであり、その各々は１つまたは一群
の真空処理チャンバと連通しており、そして、前記相互
接続通路と共に一つの群の処理チャンバを他の群の処理
チャンバから効果的に隔離する。
る方法であり、選択されたワークピースを第１の真空チ
ャンバから第２の真空チャンバへこれらチャンバを相互
接続する第１の通路に沿って移送する段階と、選択され
たワークピースを前記第２のチャンバから前記第１のチ
ャンバへこれらチャンバを相互接続する第２の通路に沿
って送り返す段階とを有す．詳述すると、移送チャンバ
はロボットチャンバであり、その各々は１つまたは一群
の真空処理チャンバと連通しており、そして、前記相互
接続通路と共に一つの群の処理チャンバを他の群の処理
チャンバから効果的に隔離する。
本発明の更に他の態様はワークピースを真空装置を通し
て移送する方法であり、ワークピースをロードロックス
テーションにおいてロードする段階と、前記ワークピー
スの選択された処理のため、前記ワークピースを、との
装置内で、真空度が高くなる隔離領域から真空処理チャ
ンバへ順々に移送する段階と、前記選択された処理が完
了したら前記ウェーハを前記ロードロックステーション
へ送り返す段階とを有す。
て移送する方法であり、ワークピースをロードロックス
テーションにおいてロードする段階と、前記ワークピー
スの選択された処理のため、前記ワークピースを、との
装置内で、真空度が高くなる隔離領域から真空処理チャ
ンバへ順々に移送する段階と、前記選択された処理が完
了したら前記ウェーハを前記ロードロックステーション
へ送り返す段階とを有す。
以下、本発明をその実施例について図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の多段真空式半導体装置２０の，平面図
である。との装置は、４つの室を形戒するハウジング２
２、一端にあるロボット式バッファチャンバ２４、他端
にある移送ロボットチャンバ２８、並びに中間処理チャ
ンバ２６及び２７を有す。１つまたは複数のロードロッ
クチャンバ２１を用いる場合もあるが、好ましくは、２
つのかかるチャンバをバッファチャンバに取り付け、出
入口３６及び付属のスリッドバルブ３８を介してバッツ
ァロボットチャンバの内部と連通させる。複数の真空処
理チャンバ３４（図には５つのチャンバを示してある）
が移送ロボットステーションの周辺に取り付けられてい
る．（本発明明細書においては「複数」とは２つまたは
それ以上の数を意味する。）チャンバ３４は、エッチン
グ及び／又はデポジションを含む種々の処理に利用する
ことができる。出入口は、付属の出入口３６及びゲート
バルブ即ちスリットバルブ３８により、各チャンバに及
びチャンバ相互間に設けられている。
である。との装置は、４つの室を形戒するハウジング２
２、一端にあるロボット式バッファチャンバ２４、他端
にある移送ロボットチャンバ２８、並びに中間処理チャ
ンバ２６及び２７を有す。１つまたは複数のロードロッ
クチャンバ２１を用いる場合もあるが、好ましくは、２
つのかかるチャンバをバッファチャンバに取り付け、出
入口３６及び付属のスリッドバルブ３８を介してバッツ
ァロボットチャンバの内部と連通させる。複数の真空処
理チャンバ３４（図には５つのチャンバを示してある）
が移送ロボットステーションの周辺に取り付けられてい
る．（本発明明細書においては「複数」とは２つまたは
それ以上の数を意味する。）チャンバ３４は、エッチン
グ及び／又はデポジションを含む種々の処理に利用する
ことができる。出入口は、付属の出入口３６及びゲート
バルブ即ちスリットバルブ３８により、各チャンバに及
びチャンバ相互間に設けられている。
ロボットチャンバ２４及び２８は中間処理チャンバ２６
及び２７介して互いに連通ずる。詳述すると、中間処理
チャンバ２６は、移送ロボットチャンバ２８をバフファ
ロボットチャンバ２４に接続する通路３０に沿って配置
されている。同様に、第２の中間処理チャンバ２７は、
ロボット２８及び２４を接続する別個の通路３２に沿っ
て配置されている．２つのロボットまたは移送チャンバ
間のこれら別々の通路があるので、ウェーハ処理にとの
装置を用いながらローディングまたはアンローディング
に１つの通路を用いることができ、従って処理量を増す
ことができる。チャンバ２６及び２７を、チャンバ３４
内での処理前のウェー八の前処理（例えばプラズマエッ
チクリーニング及び／又は加熱）に、またはチャンバ３
４内での処理の後のウェーハの後処理（例ばえば冷却〉
に専用としてもよい。或いはまた、チャンバ２６及び２
７の一方または両方を前処理及び後処理の両方に用いて
もよい。
及び２７介して互いに連通ずる。詳述すると、中間処理
チャンバ２６は、移送ロボットチャンバ２８をバフファ
ロボットチャンバ２４に接続する通路３０に沿って配置
されている。同様に、第２の中間処理チャンバ２７は、
ロボット２８及び２４を接続する別個の通路３２に沿っ
て配置されている．２つのロボットまたは移送チャンバ
間のこれら別々の通路があるので、ウェーハ処理にとの
装置を用いながらローディングまたはアンローディング
に１つの通路を用いることができ、従って処理量を増す
ことができる。チャンバ２６及び２７を、チャンバ３４
内での処理前のウェー八の前処理（例えばプラズマエッ
チクリーニング及び／又は加熱）に、またはチャンバ３
４内での処理の後のウェーハの後処理（例ばえば冷却〉
に専用としてもよい。或いはまた、チャンバ２６及び２
７の一方または両方を前処理及び後処理の両方に用いて
もよい。
好ましくは、ハウジング２２をモノリスとする。
即ち、ハウジングをｌ枚のアルミニウムのような材料を
機械加工またはその他加工して作って、４つのチャンバ
空洞２４、２６、２７及び２８並びに相互接続通路３０
及び３２を形成する。モノリス構造を用いると、ウェー
ハ移送のための個々のチャンバの整合が容易となり、ま
た個々のチャンバのシーリングの困難がなくなる。
機械加工またはその他加工して作って、４つのチャンバ
空洞２４、２６、２７及び２８並びに相互接続通路３０
及び３２を形成する。モノリス構造を用いると、ウェー
ハ移送のための個々のチャンバの整合が容易となり、ま
た個々のチャンバのシーリングの困難がなくなる。
装置２０を通るウェーハ移送の一般的な動作を示すと次
の通りである。先ず、チャンバ２４内のＲθバッファロ
ボット４０がｐセットＰ−ドロック２１からウェーハを
摘み上げてチャンバ２６へ移送する。とのチャンバは、
図示の例ではウェーハの面をエンチクリーニングする．
チャンバ２８内のＲｅ移送ロボット４２が予備クリーニ
ングチャンバ２６からウェーハを摘み上げ、これを、好
ましくは高真空の処理チャンバ３４のうちの選択された
一つへ移送する。処理後、移送ロボット４２は、とのウ
ェーハを、更に処理するために、他のチャンバ３４のう
ちの１つまたはそれ以上のチャンバへ選択に移送する。
の通りである。先ず、チャンバ２４内のＲθバッファロ
ボット４０がｐセットＰ−ドロック２１からウェーハを
摘み上げてチャンバ２６へ移送する。とのチャンバは、
図示の例ではウェーハの面をエンチクリーニングする．
チャンバ２８内のＲｅ移送ロボット４２が予備クリーニ
ングチャンバ２６からウェーハを摘み上げ、これを、好
ましくは高真空の処理チャンバ３４のうちの選択された
一つへ移送する。処理後、移送ロボット４２は、とのウ
ェーハを、更に処理するために、他のチャンバ３４のう
ちの１つまたはそれ以上のチャンバへ選択に移送する。
次いで、とのランダムアクセス型移送能力を用い，移送
ロボット４２はウェーハを中間処理チャンバ２７へ移送
する。
ロボット４２はウェーハを中間処理チャンバ２７へ移送
する。
とのチャンバは、図示の例では、冷却チャンバである．
冷却処理の後、バッファロボット４０はチャンバ２７か
らウェーハを取り出して適当するカセットロードロック
チャンバ２ｌへ戻す．前述から解るように、装置２０は
、各チャンバ段（主処理チャンバ３４／移送ロボットチ
ャンバ２４／中間処理チャンバ２６、２７／バッファロ
ボットチャンバ２４／ロードロックチャンバ２１）を他
の全てのチャンバから隔離することができるように設計
されている．カセットロードロック２１を除き、チャン
バまたは段のどれも処理中は外気と通じていない。また
、ウェーハ移送中、相隣る２つのチャンバだけは何時で
も連通していることが必要である。その結果、真空度の
変動、特にウェーハ移送中の真空度低下を、真空排気装
置５０（第１図）を用いて最小限にし、との半導体処理
装置をカセットロードロック２１から真空処理チャンバ
３４まで横切る真空勾配を提供することができる。との
装置を横切って多段真空が与えられ、真空度はカセット
ロードロフク２１から処理チャンバ３４まで順々に高く
なる。従って、チャンバ３４にウェーハをロードした後
、とのチャンバをその基礎真空度まで排気するに要する
時間は最小限となり、長い排気時間を必要とせずに、従
ってとの装置の処理量に悪影響を与えることなしに、極
めて高い真空度を処理チャンバ３４内に用いることが．
できる。また、高真空に入る前にウェーハを予備クリー
ニング及び／又は予備加熱することができるから、装置
の汚染が少なく、また処理量が増加する． 中間段チャンバ２６及び２７によって提供される真空隔
離、処理量及び処理多様性が増強されるほかに、前述し
たステーションまたはチャンバ４４及び４６をバンファ
ロボットチャンバ２４に取り付け、追加の処理隔離、順
応性及び処理増大を提供することができる。例えば、チ
ャンバ４４を、処理前にウェーハを平らに方向づけする
のに用いるオリエンタとすることができる。或いはまた
、ロードロックチャンバ２１内のウェーハのカセット全
体を、処理用チャンバへの移送の準備として一度に一つ
ずつ方向づけすることができる．チャンバ４６をまた前
処理に専用とすることもできる。或いはまた、チャンバ
４４及び４６の一方または両方を、後処理用に、前処理
及び後処理の両方用に、または処理自体用に用いること
もできる。これらチャンバ４４及び４６は、介在する個
別的隔離バッファチャンバ２４、移送通路即ちチャンバ
２６及び２７並びに移送チャンバ２８により、処理チャ
ンバ３４から極めて効果的に隔離される．即ち、チャン
バ４４及び４６を、処理チャンバ３４の群に対して異な
る（及び／又は両立し難い）化学作用及び／又は異なる
（一般により低い）圧力を必要とする処理に対して便利
に用いることができる。例えば、高度の隔離能力がある
ので、チャンバ３４内で腐食性ガスの化学作用を用いる
ことが容易となり、チャンバ４４、４６内の雰囲気及び
処理に悪影響を与えることがない。
冷却処理の後、バッファロボット４０はチャンバ２７か
らウェーハを取り出して適当するカセットロードロック
チャンバ２ｌへ戻す．前述から解るように、装置２０は
、各チャンバ段（主処理チャンバ３４／移送ロボットチ
ャンバ２４／中間処理チャンバ２６、２７／バッファロ
ボットチャンバ２４／ロードロックチャンバ２１）を他
の全てのチャンバから隔離することができるように設計
されている．カセットロードロック２１を除き、チャン
バまたは段のどれも処理中は外気と通じていない。また
、ウェーハ移送中、相隣る２つのチャンバだけは何時で
も連通していることが必要である。その結果、真空度の
変動、特にウェーハ移送中の真空度低下を、真空排気装
置５０（第１図）を用いて最小限にし、との半導体処理
装置をカセットロードロック２１から真空処理チャンバ
３４まで横切る真空勾配を提供することができる。との
装置を横切って多段真空が与えられ、真空度はカセット
ロードロフク２１から処理チャンバ３４まで順々に高く
なる。従って、チャンバ３４にウェーハをロードした後
、とのチャンバをその基礎真空度まで排気するに要する
時間は最小限となり、長い排気時間を必要とせずに、従
ってとの装置の処理量に悪影響を与えることなしに、極
めて高い真空度を処理チャンバ３４内に用いることが．
できる。また、高真空に入る前にウェーハを予備クリー
ニング及び／又は予備加熱することができるから、装置
の汚染が少なく、また処理量が増加する． 中間段チャンバ２６及び２７によって提供される真空隔
離、処理量及び処理多様性が増強されるほかに、前述し
たステーションまたはチャンバ４４及び４６をバンファ
ロボットチャンバ２４に取り付け、追加の処理隔離、順
応性及び処理増大を提供することができる。例えば、チ
ャンバ４４を、処理前にウェーハを平らに方向づけする
のに用いるオリエンタとすることができる。或いはまた
、ロードロックチャンバ２１内のウェーハのカセット全
体を、処理用チャンバへの移送の準備として一度に一つ
ずつ方向づけすることができる．チャンバ４６をまた前
処理に専用とすることもできる。或いはまた、チャンバ
４４及び４６の一方または両方を、後処理用に、前処理
及び後処理の両方用に、または処理自体用に用いること
もできる。これらチャンバ４４及び４６は、介在する個
別的隔離バッファチャンバ２４、移送通路即ちチャンバ
２６及び２７並びに移送チャンバ２８により、処理チャ
ンバ３４から極めて効果的に隔離される．即ち、チャン
バ４４及び４６を、処理チャンバ３４の群に対して異な
る（及び／又は両立し難い）化学作用及び／又は異なる
（一般により低い）圧力を必要とする処理に対して便利
に用いることができる。例えば、高度の隔離能力がある
ので、チャンバ３４内で腐食性ガスの化学作用を用いる
ことが容易となり、チャンバ４４、４６内の雰囲気及び
処理に悪影響を与えることがない。
本実施例においては、バッファロボット４０は、メイダ
ン（Ｍａｙｄａｎ）等にかかる発明の名称「多チャンバ
型統合処理装置Ｊ （Ｍｕｌｔｉ−Ｃｈａｍｂｅｒ Ｉ
ｎｔｅｇｒａ−ｔｅｄ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｓｙｓｔｅｍ
）なる許可済みの米国特許出願第２８３，０１５号に開
示されている双対４バーリンクロボットである．との米
国特許出願の内容については本明細書に参照として説明
する。とのロボットは、一部は、折り畳んだ極めて小形
化した構造及び踏み跡を、比較的長い到達距離と、従っ
て、カセットロードロフク２１、バッファ段処理チャン
バ４４、４６、及び中間段処理チャンバ２６、２７を援
助する能力と組合せているので、バッファチャンバ２４
内での使用に好ましいものである。
ン（Ｍａｙｄａｎ）等にかかる発明の名称「多チャンバ
型統合処理装置Ｊ （Ｍｕｌｔｉ−Ｃｈａｍｂｅｒ Ｉ
ｎｔｅｇｒａ−ｔｅｄ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｓｙｓｔｅｍ
）なる許可済みの米国特許出願第２８３，０１５号に開
示されている双対４バーリンクロボットである．との米
国特許出願の内容については本明細書に参照として説明
する。とのロボットは、一部は、折り畳んだ極めて小形
化した構造及び踏み跡を、比較的長い到達距離と、従っ
て、カセットロードロフク２１、バッファ段処理チャン
バ４４、４６、及び中間段処理チャンバ２６、２７を援
助する能力と組合せているので、バッファチャンバ２４
内での使用に好ましいものである。
移送ロボット４２の実施例を第２図、第３図及び第４図
に示す．とのロボットによって与えられる主な特徴とし
ては、第１に、長い到達距離、第２に、物理的蒸着のよ
うな処理において用いられる極めて高い真空内でのギヤ
及び他の可動部品の数の最小限化、第３に、とのような
高い真空環境に対する効果的なシーリングがある．ロボ
ット４２は、ロボット空洞のベースプレートに密封的に
取り付けられた支持板４６を具備している．電磁結合式
同心軸駆動装置４８が、真空のロボットチャンバ２８の
外部でベースプレートに取りつけられておって回転式駆
動手段を有している．との駆動手段は同心軸（図示せず
）に電磁結合され、ロボットのＲθ移動を行う。スライ
ド５０が一方の同心軸に取り付けられており、との軸と
共に逆回転させられてθ移動をロボットに伝える．一端
部にウェーハ保持ポケット５４を有するウェーハアーム
５２が、その他端部において、ビボフトア一ム５６及び
５８を具備するリンケージ装置を介して、電磁結合駆動
装置の第２の同心軸（図示せず）に取り付けられている
。との第２の軸が反対方向に回転するとリンク５６及び
５８が回転させられ、これにより、第３図に示す引っ込
み位置と第４図に示す伸張位置との間のアーム５４のＲ
並進運動が行われる。
に示す．とのロボットによって与えられる主な特徴とし
ては、第１に、長い到達距離、第２に、物理的蒸着のよ
うな処理において用いられる極めて高い真空内でのギヤ
及び他の可動部品の数の最小限化、第３に、とのような
高い真空環境に対する効果的なシーリングがある．ロボ
ット４２は、ロボット空洞のベースプレートに密封的に
取り付けられた支持板４６を具備している．電磁結合式
同心軸駆動装置４８が、真空のロボットチャンバ２８の
外部でベースプレートに取りつけられておって回転式駆
動手段を有している．との駆動手段は同心軸（図示せず
）に電磁結合され、ロボットのＲθ移動を行う。スライ
ド５０が一方の同心軸に取り付けられており、との軸と
共に逆回転させられてθ移動をロボットに伝える．一端
部にウェーハ保持ポケット５４を有するウェーハアーム
５２が、その他端部において、ビボフトア一ム５６及び
５８を具備するリンケージ装置を介して、電磁結合駆動
装置の第２の同心軸（図示せず）に取り付けられている
。との第２の軸が反対方向に回転するとリンク５６及び
５８が回転させられ、これにより、第３図に示す引っ込
み位置と第４図に示す伸張位置との間のアーム５４のＲ
並進運動が行われる。
以上、本発明をその実施例について説明したが、当業者
には解るように、本発明の範囲内で種々の代替及び偏光
を行うことが可能である。
には解るように、本発明の範囲内で種々の代替及び偏光
を行うことが可能である。
第１図は本発明にかかる多段真空多重チャンバ式半導体
ウェーハ処理装置の平面図、第２図は第１図の装置に用
いられる電磁結合式回転駆動ロボットの実施例の斜視図
、 第３図及び第４図は引っ込み位置にある場合（第３図）
と伸張位置にある場合（第４図）とのロボットアームを
示すロボット及び付属のリンケージの平面図である。 ２ｌ・・・ロードロックチャンバ ２４ ・ ２６． ２８ ・ ３０， ３ ４ ・ ３８ ・ ４０ ・ ４２ ・ ４４． −５ ０ ・ ２７ ３２ ４６ バフファロボットチャンバ ・・・中間処理チャンバ 移送ロボットチャンバ ・・・通路 真空処理チャンバ スリットバルブ バッファロボット 移送ロボット ・・・チャンバ 真空排気装置 ＦＩＧ．３ ＦＩＧ． ４
ウェーハ処理装置の平面図、第２図は第１図の装置に用
いられる電磁結合式回転駆動ロボットの実施例の斜視図
、 第３図及び第４図は引っ込み位置にある場合（第３図）
と伸張位置にある場合（第４図）とのロボットアームを
示すロボット及び付属のリンケージの平面図である。 ２ｌ・・・ロードロックチャンバ ２４ ・ ２６． ２８ ・ ３０， ３ ４ ・ ３８ ・ ４０ ・ ４２ ・ ４４． −５ ０ ・ ２７ ３２ ４６ バフファロボットチャンバ ・・・中間処理チャンバ 移送ロボットチャンバ ・・・通路 真空処理チャンバ スリットバルブ バッファロボット 移送ロボット ・・・チャンバ 真空排気装置 ＦＩＧ．３ ＦＩＧ． ４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １． 少なくとも真空ロードロックチャンバ、真空ワー
クピース処理チャンバ及び中間ワークピース移送領域を
含む複数の隔離可能連通領域と、前記隔離可能領域内の
基礎真空度及び領域から領域まで装置を横切る真空勾配
を確立するため、前記隔離可能領域と連通する真空手段
とを備えて成る多段真空隔離式処理装置。 ２． 第１及び第２の真空チャンバと、前記第１及び第
２の真空チャンバ間に別々のワークピース移送通路を提
供するため、前記第１及び第２の真空チャンバを相互接
続する１対の通路とを備えて成るワークピース移送装置
。 ３． ワークピースをロード及びアンロードするため、
内部にそれぞれの第１及び第２のロボット手段を含んで
いる第１及び第２の真空チャンバと、前記真空チャンバ
間に別々の移送通路を提供するため、前記第１及び第２
のロボット内臓真空チャンバをそれぞれ相互接続する第
１及び第２の通路とを備えて成るワークピース移送装置
。 ４． 真空チャンバ及び通路を互いに隔離するためのバ
ルブ手段を更に備えている請求項３記載のワークピース
移送装置。 ５． 第１の真空チャンバにウェーハを供給し及びこれ
からウェーハを受け取るため、前記第１の真空チャンバ
と連通している第１及び第２の真空ロードロックチャン
バを更に備えている請求項４記載のワークピース移送装
置。 ６． 第１及び第２の通路の少なくとも一方は、ロボッ
ト内蔵真空チャンバの一方から他方への移送の前にワー
クピースを処理するため、内部に処理チャンバを更に含
んでいる請求項３または５記載のワークピース移送装置
。 ７． 第１及び第２のロボット内蔵真空チャンバとそれ
ぞ連通している少なくとも第１及び第２のワークピース
処理チャンバと、第１及び第２のの真空処理チャンバを
その付属のロボット内蔵チャンバから隔離するためのバ
ルブ手段とを更に備えており、もって、前記第１の真空
処理チャンバ内の雰囲気が、介在するチャンバ及び通路
を介して、前記第２の真空処理チャンバ内の雰囲気から
隔離されるようになっている請求項６記載のワークピー
ス移送装置。 ８． 少なくとも複数の半導体ウェーハ処理チャンバと
、 ウェーハを供給し及び受け取るためのウェーハ・ロード
／アンロード・ステーションと、 前記ロード／アンロード・ステーションと前記処理チャ
ンバとの間に介装されてこれらの間に１対の移送通路を
提供する少なくとも複雑のチャンバと、 前記移送通路に沿って配置され、相隣るチャンバ間に介
装され、前記相隣るチャンバの一方を他方から選択的に
隔離するために前記相隣るチャンバを選択的に密封する
バルブ手段と、 隔離可能真空チャンバ内に選択された基礎真空度を及び
装置を横切手チャンバからチャンバへの真空勾配を確立
するため、前記隔離可能真空チャンバと連通する真空手
段とを備えて成る多重チャンバ多段真空式半導体ウェー
ハ処理装置。 ９． 処理ステーションはデポジション及びエッチング
から選択される請求項８記載の多重チャンバ多段真空式
半導体ウェーハ処理装置。 １０． 処理チャンバは少なくとも物理的蒸着チャンバ
を含んでいる請求項９記載の多重チャンバ多段真空式半
導体ウェーハ処理装置。 １１． 少なくとも複数の半導体ウェーハ処理チャンバ
と、 前記処理ステーション内で処理するためのウェーハを供
給し及び前記処理チャンバからウェーハを受け取るウェ
ーハ・ロード／アンロード・ステーションと、 第１及び第２のウェーハ移送チャンバを含むチャンバハ
ウジングとを備えて成り、前記第１及び第２ののウェー
ハ移送チャンバは、第１の中間処理チャンバを介して前
記第１のウェーハ移送チャンバから前記第２のウェーハ
移送チャンバに至る第１の通路に沿い、及び前記第２の
ウェーハ移送チャンバから第２の中間処理チャンバを介
して前記第１のウェーハ移送チャンバに至る第２の通路
に沿って互に連通し、前記ロード／アンロード・ステー
ションは前記第１のウェーハ移送チャンバに取り付けら
れてこれと連通し、前記半導体ウェーハ処理チャンバは
前記第２のウェーハ移送チャンバに取り付けられてこれ
と連通することを特徴とする多重チャンバ多段真空式半
導体ウェーハ処理装置。 １２． 第１の中間チャンバは半導体ウェーハのクリー
ニングを行うようになっている請求項１１記載の多重チ
ャンバ多段真空式半導体ウェーハ処理装置。 １３． 第２の中間チャンバはウェーハ冷却チャンバで
ある請求項１１記載の多重チャンバ多段真空式半導体ウ
ェーハ処理装置。 １４． 中間チャンバは処理チャンバ内での処理の前ま
たは後にウェーハを処理するようになっている請求項１
１記載の多重チャンバ多段真空式半導体ウェーハ処理装
置。 １５． 第１及び第２のウェーハ移送チャンバは、（１
）ローディング及びアンローディング・ステーションと
中間チャンバとの間でウェーハを反復移送すること、及
び（２）処理チャンバの個別のもの相互間及び前記処理
チャンバと前記中間チャンバとの間でウェーハを反復移
送することをそれぞれ行うため、各々が内部に取付けら
れたロボットを有している請求項１１記載の多重チャン
バ多段真空式半導体ウェーハ処理装置。 １６． 第２または移送ステーション内のロボットは、
水平反復回転のため、チャンバ内に取り付けられたスラ
イドと、反復滑動移動するように前記スライド上に取り
付けられたウェーハ保持アームと、１対の同軸的軸とを
具備し、前記軸の第１のものは反復Θ回転を前記スライ
ドに伝達するために前記スライドの接続されており、第
２の軸は、前記軸の反復回転運動を前記ウェーハアーム
の可逆Ｒ並進運動に転換するため、リンク手段を介して
前記ウェーハアームに接続されている請求項１５記載の
多重チャンバ多段真空式半導体ウェーハ処理装置。 １７． （１） 複数の真空処理チャンバと、（２）
ウェーハを装置に差し入れ及びこれから取り出すための
ウェーハ整列ロードロックチャンバ手段と、 （３） 前記ロードロックチャンバ手段と前記処理チャ
ンバとの間に介装されてこれらの間に一連の移送通路を
提供する複数の（混合使用）真空処理移送ステーション
と、 （４） 戦記移送通路に沿って配置されて相隣るチャン
バ間に介装され、前記相隣るチャンバを互に隔離するた
めに前記チャンバを選択的に密封することによって前記
チャンバの隔離真空ステーションの一連のアレイを形成
するバルブ手段と、（５） 別々の前記隔離真空段内に
選択された基礎真空度を、及び装置を横切ってチャンバ
からチャンバへの真空勾配を確立するための真空手段と
を備えて成り、もって各チャンバをその選択された基礎
真空度に排気するのに要する時間を減少させることを特
徴とする多段真空式半導体ウェーハ処理装置。 １８． （１） 第１の比較的小さいロボットチャンバ
と第２の比較的大きいロボットチャンバとを含むチャン
バハウジングを備え、前記ロボットチャンバは、前記第
１のロボットチャンバから第１の中間チャンバを介して
前記第２のロボットチャンバに至る第１の通路に沿い、
及び前記第２のロボットチャンバから第２の中間チャン
バを介して前記第１のロボットチャンバに至る第２の通
路に沿って１対の中間チャンバを介して互に連通し、更
に、（２） 前記第１のロボットチャンバに取り付けら
れたロードロック手段と、 （３） 前記第２のロボットチャンバに取り付けられた
少なくとも複数の真空処理チャンバとを備え、（４）
前記第１のロボットチャンバは、前記ロードロック手段
と前記中間チャンバとの間でウェーハを反復移送するた
め、内部に取りつけられたロボットを有し、 （５） 前記第２のロボットチャンバは、前記処理チャ
ンバ相互間で及び前記処理チャンバと前記中間チャンバ
との間でウェーハを反復移送するため、内部に取り付け
られたロボットを有しており、更に、 （６） （ａ）個々の前記処理チャンバと前記第２の
ロボットチャンバとの間、（ｂ）前記第２のロボットチ
ャンバと２つの前記中間チャンバとの間、（ｃ）２つの
前記中間チャンバと前記第１のロボットチャンバとの間
、及び（ｄ）前記第１のロボットチャンバと前記ロード
ロック手段との間にあってこれらの間にあってこれらの
間に連通を提供するための出入口と、 （７） 前記出入口を選択的に開放及び閉鎖するための
バルブ手段と、 （８） 前記ロードロック手段内の比較的低い真空度及
び前記処理チャンバ内の比較的高い真空度をもって装置
内に多段真空を選択的に提供するための真空手段と、 （９） 前記真空処理チャンバ内の処理を制御し、並び
にウェーハを、前記ロードロック手段から前記第１通路
を介して選択された真空処理チャンバへ、及び選択され
た真空処理チャンバから前記第２の通路を介して前記ロ
ードロック手段へ選択的に移送するためのコンピュータ
ー手段とを備えて成る多段真空式半導体ウェーハ処理装
置。 １９． バルブ手段は真空チャンバまたは段を選択的に
隔離し、真空手段は、各チャンバ内に選択された基礎真
空度を、及び装置を横切るチャンバからチャンバまでの
真空勾配を確立し、もって各チャンバをその選択された
基礎真空度に排気するのに要する時間を減少させる請求
項１８記載の多段真空式半導体ウェーハ処理装置。 ２０． 真空内ワークピースを移送する方法において、
選択さたワークピースを第１の真空チャンバから第２の
真空チャンバまで、これらチャンバを相互接続する第１
の通路に沿って移送する段階と、選択されたウェーハを
前記第２のチャンバから前記第１のチャンバまでこれら
チャンバを相互接続する第２の通路を介して送り返す段
階とを有するワークピース移送方法。 ２１． 移送チャンバはロボットチャンバであり、その
各々は１つまたはそれ以上の真空処理チャンバと連通し
ている請求項２０記載のワークピース移送方法。 ２２． ワークピースを真空装置を通じて移送する方法
において、ワークピースを真空ロードロックステーショ
ンにロードする段階と、前記ワークピースを、前記装置
内で、真空度が高くなる隔離された領域を通じて、前記
ワークピースの選択された処理のために真空処理チャン
バへ順々に移送する段階と、前記選択された処理が完了
したら前記ワークピースを前記ロードロックステーショ
ンへ送り返す段階とを有するワークピース移送方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US35500889A | 1989-05-19 | 1989-05-19 | |
| US355008 | 1989-05-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319252A true JPH0319252A (ja) | 1991-01-28 |
| JPH0793348B2 JPH0793348B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=23395873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12103990A Expired - Lifetime JPH0793348B2 (ja) | 1989-05-19 | 1990-05-10 | 多重チャンバ真空式処理装置及び多重チャンバ真空式半導体ウェーハ処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (2) | EP0684630A2 (ja) |
| JP (1) | JPH0793348B2 (ja) |
| KR (1) | KR0165112B1 (ja) |
| DE (1) | DE69028440T2 (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996025760A1 (fr) * | 1995-02-15 | 1996-08-22 | Hitachi, Ltd. | Procede et machine de fabrication de semiconducteurs |
| KR19980042483A (ko) * | 1996-11-18 | 1998-08-17 | 조셉제이.스위니 | 직렬식 처리 챔버 |
| US5971701A (en) * | 1996-02-09 | 1999-10-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus for transferring articles with a bearing-less joint and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2000254480A (ja) * | 1998-12-23 | 2000-09-19 | Applied Materials Inc | 統合ポンプ装置を有する処理装置 |
| JP2001519598A (ja) * | 1997-10-08 | 2001-10-23 | エーケーティー株式会社 | モジュラ基板処理システム |
| US6446353B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-09-10 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| KR100375135B1 (ko) * | 2000-10-13 | 2003-03-08 | 주식회사 에버테크 | 웨이퍼 프로세스 방법 |
| JP2003077976A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Tokyo Electron Ltd | 処理システム |
| WO2005006426A1 (ja) * | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Tokyo Electron Limited | 高圧熱処理装置 |
| US7018162B2 (en) | 2003-03-10 | 2006-03-28 | Tokyo Electron Limited | Articulated carrying device |
| USRE39756E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-08-07 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| USRE39775E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-08-21 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| JP2008199008A (ja) * | 2001-05-21 | 2008-08-28 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び移載装置 |
| KR100866094B1 (ko) * | 2008-04-28 | 2008-10-30 | 주식회사 싸이맥스 | 독립적으로 구동하는 적층식 이중 아암 로봇 |
| WO2009034869A1 (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Tokyo Electron Limited | 真空処理システムおよび基板搬送方法 |
| WO2013145050A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置および基板処理システム |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5259881A (en) * | 1991-05-17 | 1993-11-09 | Materials Research Corporation | Wafer processing cluster tool batch preheating and degassing apparatus |
| JP2595132B2 (ja) * | 1990-11-26 | 1997-03-26 | 株式会社日立製作所 | 真空処理装置 |
| US5643366A (en) * | 1994-01-31 | 1997-07-01 | Applied Materials, Inc. | Wafer handling within a vacuum chamber using vacuum |
| DE19628102A1 (de) * | 1996-07-12 | 1998-01-15 | Bayerische Motoren Werke Ag | Vakuumbeschichtungsanlage mit einer Beschichtungskammer und zumindest einer Quellenkammer |
| US6517303B1 (en) | 1998-05-20 | 2003-02-11 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Substrate transfer shuttle |
| US6206176B1 (en) | 1998-05-20 | 2001-03-27 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Substrate transfer shuttle having a magnetic drive |
| US6213704B1 (en) | 1998-05-20 | 2001-04-10 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Method and apparatus for substrate transfer and processing |
| US6176668B1 (en) | 1998-05-20 | 2001-01-23 | Applied Komatsu Technology, Inc. | In-situ substrate transfer shuttle |
| DE19922167A1 (de) * | 1999-05-12 | 2000-11-16 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
| US6440261B1 (en) * | 1999-05-25 | 2002-08-27 | Applied Materials, Inc. | Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing |
| US6298685B1 (en) | 1999-11-03 | 2001-10-09 | Applied Materials, Inc. | Consecutive deposition system |
| EP1126508A3 (en) * | 2000-02-16 | 2005-03-30 | Applied Materials, Inc. | Processing apparatus having integrated pumping system |
| KR100367455B1 (ko) * | 2000-03-21 | 2003-01-14 | 일진나노텍 주식회사 | 탄소나노튜브 합성용 다중 진공챔버 플라즈마화학기상증착장치 및 이 장치를 이용한 탄소나노튜브 합성방법 |
| KR20020071393A (ko) * | 2001-03-06 | 2002-09-12 | 주식회사 아이피에스 | 자동연속 웨이퍼가공시스템 및 그를 이용한 웨이퍼가공방법 |
| KR20020072449A (ko) * | 2001-03-10 | 2002-09-16 | 주식회사 아이피에스 | 자동연속 웨이퍼가공시스템 및 그를 이용한 웨이퍼가공방법 |
| KR20020076039A (ko) * | 2001-03-27 | 2002-10-09 | 주식회사 아이피에스 | 자동연속 웨이퍼가공시스템 및 그를 이용한 웨이퍼가공방법 |
| JP2002324829A (ja) * | 2001-07-13 | 2002-11-08 | Tokyo Electron Ltd | 処理システム |
| US7316966B2 (en) | 2001-09-21 | 2008-01-08 | Applied Materials, Inc. | Method for transferring substrates in a load lock chamber |
| US7207766B2 (en) | 2003-10-20 | 2007-04-24 | Applied Materials, Inc. | Load lock chamber for large area substrate processing system |
| US20060045668A1 (en) * | 2004-07-19 | 2006-03-02 | Grabowski Al W | System for handling of wafers within a process tool |
| US7845891B2 (en) | 2006-01-13 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Decoupled chamber body |
| US7665951B2 (en) | 2006-06-02 | 2010-02-23 | Applied Materials, Inc. | Multiple slot load lock chamber and method of operation |
| US7845618B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Valve door with ball coupling |
| TWI532114B (zh) * | 2009-11-12 | 2016-05-01 | Hitachi High Tech Corp | Vacuum processing device and operation method of vacuum processing device |
| US20130192761A1 (en) * | 2012-01-31 | 2013-08-01 | Joseph Yudovsky | Rotary Substrate Processing System |
| CN104752152B (zh) * | 2013-12-29 | 2018-07-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种沟槽刻蚀方法及刻蚀装置 |
| CN107942918B (zh) * | 2017-12-22 | 2023-04-18 | 大连华锐重工集团股份有限公司 | 自适应式干式真空机械泵电控系统及控制方法 |
| CN109161867B (zh) * | 2018-10-11 | 2023-08-08 | 中国科学技术大学 | 可分离式真空互联系统 |
| US11637030B2 (en) | 2019-06-18 | 2023-04-25 | Kla Corporation | Multi-stage, multi-zone substrate positioning systems |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0244951B1 (en) * | 1986-04-04 | 1994-02-02 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for handling and processing wafer like materials |
| US4715764A (en) * | 1986-04-28 | 1987-12-29 | Varian Associates, Inc. | Gate valve for wafer processing system |
| WO1987007309A1 (en) * | 1986-05-19 | 1987-12-03 | Novellus Systems, Inc. | Deposition apparatus with automatic cleaning means and method of use |
| JPS63157870A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-30 | Anelva Corp | 基板処理装置 |
| ATE102397T1 (de) * | 1986-12-19 | 1994-03-15 | Applied Materials Inc | Integriertes bearbeitungssystem mit vielfachkammer. |
-
1990
- 1990-05-10 JP JP12103990A patent/JPH0793348B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-18 DE DE69028440T patent/DE69028440T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-05-18 EP EP95112690A patent/EP0684630A2/en not_active Withdrawn
- 1990-05-18 EP EP90109477A patent/EP0398365B1/en not_active Revoked
- 1990-05-19 KR KR1019900007201A patent/KR0165112B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6588121B2 (en) | 1990-08-29 | 2003-07-08 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| USRE39775E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-08-21 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| US7367135B2 (en) | 1990-08-29 | 2008-05-06 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| USRE39823E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-09-11 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| USRE39824E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-09-11 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| USRE39776E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-08-21 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| USRE39756E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-08-07 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| US6446353B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-09-10 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| US6457253B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-10-01 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| US6460270B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-10-08 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| US6968630B2 (en) | 1990-08-29 | 2005-11-29 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| US6467187B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-10-22 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| US6904699B2 (en) | 1990-08-29 | 2005-06-14 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| US6470596B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-10-29 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| US6473989B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-11-05 | Hitachi, Ltd. | Conveying system for a vacuum processing apparatus |
| US6484415B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-11-26 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| US6487794B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-12-03 | Hitachi, Ltd. | Substrate changing-over mechanism in vacuum tank |
| US6487791B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-12-03 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| US6499229B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-12-31 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| US6505415B2 (en) | 1990-08-29 | 2003-01-14 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| US6463678B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-10-15 | Hitachi, Ltd. | Substrate changing-over mechanism in a vaccum tank |
| US6886272B2 (en) | 1990-08-29 | 2005-05-03 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| US6467186B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-10-22 | Hitachi, Ltd. | Transferring device for a vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| US6880264B2 (en) | 1990-08-29 | 2005-04-19 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| KR100382292B1 (ko) * | 1995-02-15 | 2003-07-22 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 반도체장치의제조방법및반도체제조장치 |
| US5981399A (en) * | 1995-02-15 | 1999-11-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for fabricating semiconductor devices |
| WO1996025760A1 (fr) * | 1995-02-15 | 1996-08-22 | Hitachi, Ltd. | Procede et machine de fabrication de semiconducteurs |
| US6077027A (en) * | 1996-02-09 | 2000-06-20 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus for transferring articles with a bearing-less joint and method for manufacturing semiconductor device |
| US5971701A (en) * | 1996-02-09 | 1999-10-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus for transferring articles with a bearing-less joint and method for manufacturing semiconductor device |
| US7655092B2 (en) | 1996-11-18 | 2010-02-02 | Applied Materials, Inc. | Tandem process chamber |
| KR19980042483A (ko) * | 1996-11-18 | 1998-08-17 | 조셉제이.스위니 | 직렬식 처리 챔버 |
| JP2001519598A (ja) * | 1997-10-08 | 2001-10-23 | エーケーティー株式会社 | モジュラ基板処理システム |
| JP2000254480A (ja) * | 1998-12-23 | 2000-09-19 | Applied Materials Inc | 統合ポンプ装置を有する処理装置 |
| KR100375135B1 (ko) * | 2000-10-13 | 2003-03-08 | 주식회사 에버테크 | 웨이퍼 프로세스 방법 |
| JP4668286B2 (ja) * | 2001-05-21 | 2011-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP2008199008A (ja) * | 2001-05-21 | 2008-08-28 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び移載装置 |
| JP2003077976A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Tokyo Electron Ltd | 処理システム |
| US7018162B2 (en) | 2003-03-10 | 2006-03-28 | Tokyo Electron Limited | Articulated carrying device |
| WO2005006426A1 (ja) * | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Tokyo Electron Limited | 高圧熱処理装置 |
| WO2009034869A1 (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Tokyo Electron Limited | 真空処理システムおよび基板搬送方法 |
| KR100866094B1 (ko) * | 2008-04-28 | 2008-10-30 | 주식회사 싸이맥스 | 독립적으로 구동하는 적층식 이중 아암 로봇 |
| WO2013145050A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置および基板処理システム |
| GB2514974A (en) * | 2012-03-30 | 2014-12-10 | Canon Anelva Corp | Plasma processing apparatus and substrate processing system |
| JP5654712B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2015-01-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0793348B2 (ja) | 1995-10-09 |
| DE69028440D1 (de) | 1996-10-17 |
| DE69028440T2 (de) | 1997-02-20 |
| EP0398365B1 (en) | 1996-09-11 |
| EP0398365A2 (en) | 1990-11-22 |
| EP0684630A3 (ja) | 1996-01-03 |
| KR0165112B1 (ko) | 1999-02-01 |
| KR900019192A (ko) | 1990-12-24 |
| EP0684630A2 (en) | 1995-11-29 |
| EP0398365A3 (en) | 1991-06-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0319252A (ja) | 多重チャンバ真空式処理装置及び多重チャンバ真空式半導体ウェーハ処理装置 | |
| US5186718A (en) | Staged-vacuum wafer processing system and method | |
| KR100676029B1 (ko) | 진공 처리 시스템 | |
| JP4821074B2 (ja) | 処理システム | |
| US6729824B2 (en) | Dual robot processing system | |
| US6071055A (en) | Front end vacuum processing environment | |
| JP2665202B2 (ja) | 半導体ウェハ処理装置 | |
| KR101887110B1 (ko) | 빠른 교환 로봇을 가진 컴팩트 기판 운송 시스템 | |
| TWI408766B (zh) | Vacuum processing device | |
| JP2001135705A (ja) | 半導体ウェーハ処理のためのデュアルバッファチャンバクラスタツール | |
| JP3215643B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS63252439A (ja) | 多チャンバの統合処理システム | |
| JP4256551B2 (ja) | 真空処理システム | |
| TW201123340A (en) | Vacuum processing system and vacuum processing method of semiconductor processing substrate | |
| JPH0533529B2 (ja) | ||
| JPH07321178A (ja) | 搬送装置およびその搬送装置を有するマルチチャンバ装置 | |
| US20020137346A1 (en) | Workpiece distribution and processing in a high throughput stacked frame | |
| JP2553074B2 (ja) | ウエ−フア−状材料の運搬方法および装置 | |
| US7585141B2 (en) | Load lock system for ion beam processing | |
| JPH098094A (ja) | 真空処理装置 | |
| EP0797240A2 (en) | Reduced footprint semiconductor processing system | |
| US9117859B2 (en) | Compact processing apparatus | |
| US6030459A (en) | Low-pressure processing device | |
| KR100342298B1 (ko) | 웨이퍼 가공을 위한 클러스터 툴 | |
| JP3237401B2 (ja) | 真空処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081009 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091009 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091009 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101009 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101009 Year of fee payment: 15 |