JPS60221572A - 連続放電反応処理装置 - Google Patents
連続放電反応処理装置Info
- Publication number
- JPS60221572A JPS60221572A JP5645084A JP5645084A JPS60221572A JP S60221572 A JPS60221572 A JP S60221572A JP 5645084 A JP5645084 A JP 5645084A JP 5645084 A JP5645084 A JP 5645084A JP S60221572 A JPS60221572 A JP S60221572A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- tray
- clean room
- discharge reaction
- continuous discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
との−発明は放電反応をオリ用して、複数の基板の表面
上に膜堆積、エツチング、その他の処理を連続的に施す
、連続放電反応処理装置の改良に関する。以下これを放
電反応処理装置の一梅の薄膜形成装置の一つであるスパ
ッタリング装置で代表させて説明する。
上に膜堆積、エツチング、その他の処理を連続的に施す
、連続放電反応処理装置の改良に関する。以下これを放
電反応処理装置の一梅の薄膜形成装置の一つであるスパ
ッタリング装置で代表させて説明する。
従来の連続薄膜形成装！（インライン装置と呼ばれる）
は、そのブロック図を第１図に示すように直線的に構成
されている。即ち基板（図示せず）をのせた大気中のト
レイ５を、ゲートパルプ６を開いて仕込室１内に左方か
ら挿入し、仕込室内を所定ガス、所定ガス圧に調整し、
その後仕込室１から仕切パルプ４′ｆ：通って成膜室２
内ヘトレイ５が搬送され、この間に薄膜形成処理が施さ
れる。
は、そのブロック図を第１図に示すように直線的に構成
されている。即ち基板（図示せず）をのせた大気中のト
レイ５を、ゲートパルプ６を開いて仕込室１内に左方か
ら挿入し、仕込室内を所定ガス、所定ガス圧に調整し、
その後仕込室１から仕切パルプ４′ｆ：通って成膜室２
内ヘトレイ５が搬送され、この間に薄膜形成処理が施さ
れる。
成膜工程を終了したトレイ５は、仕切パルプ４“全通っ
てすでに所定ガス、所定ガス圧に調整されている取出室
３に搬送され、最後はゲートパルプ６゜を通って右方の
大気中に取出される。トレイ５の進行は完全に直線的で
ある。矢印１０は操作者の立つ装置正面を示す。この種
の連続放電反応処理装置では大気中のちシが基板上に付
着するとピンホール等の原因になるので、通常処理はク
リーンルーム内にて行なわれる。
てすでに所定ガス、所定ガス圧に調整されている取出室
３に搬送され、最後はゲートパルプ６゜を通って右方の
大気中に取出される。トレイ５の進行は完全に直線的で
ある。矢印１０は操作者の立つ装置正面を示す。この種
の連続放電反応処理装置では大気中のちシが基板上に付
着するとピンホール等の原因になるので、通常処理はク
リーンルーム内にて行なわれる。
第２図は従来のインラインスパッタリング装置をクリー
ンルーム内に設置した状態を示す。従来の装置ではトレ
イの挿入、取出しのスペース８゜８“を左右に設ける必
要があり、従ってこれらのスペースも含めて装置本体１
，２．３をクリーンルーム内に置かねはならないため、
長大なりリーンルームを袂している。
ンルーム内に設置した状態を示す。従来の装置ではトレ
イの挿入、取出しのスペース８゜８“を左右に設ける必
要があり、従ってこれらのスペースも含めて装置本体１
，２．３をクリーンルーム内に置かねはならないため、
長大なりリーンルームを袂している。
第３図は従来のインラインスパッタリング装置の別の例
を示す。この装置では大気中にブラフ’）ホーム９，９
°が置かれ、トレイはいったん図の５１位置でプラット
ホーム上に載置され、プラットホーム上を５の位置にま
で移動したのち、左方からゲートバルブ６を通って、仕
込室１内に搬送されている。この装置も長大なりリーン
ルームを必要とする点では第１図と変らない。しかるに
周知のように、超清浄な雰囲気が要求されるクリーンル
ームはその製作コストが非常に高く、できるだけ面積の
小さいことが望しい。本発明はこの問題の解決を目的と
する。以下実施例によ９図を用いて本発明を説明する。
を示す。この装置では大気中にブラフ’）ホーム９，９
°が置かれ、トレイはいったん図の５１位置でプラット
ホーム上に載置され、プラットホーム上を５の位置にま
で移動したのち、左方からゲートバルブ６を通って、仕
込室１内に搬送されている。この装置も長大なりリーン
ルームを必要とする点では第１図と変らない。しかるに
周知のように、超清浄な雰囲気が要求されるクリーンル
ームはその製作コストが非常に高く、できるだけ面積の
小さいことが望しい。本発明はこの問題の解決を目的と
する。以下実施例によ９図を用いて本発明を説明する。
第４図に本発明の連続薄膜形成装置のブロック図を示す
。本発明の装置が従来装置と違う点は、ゲートバルブ６
．６°が仕込室１．取出室３の正面側に設置されている
ことであシ、スペース８．８“が正面側に回ってトレイ
５をこれらの室の正面側から出し入れできるようになっ
ている点である。
。本発明の装置が従来装置と違う点は、ゲートバルブ６
．６°が仕込室１．取出室３の正面側に設置されている
ことであシ、スペース８．８“が正面側に回ってトレイ
５をこれらの室の正面側から出し入れできるようになっ
ている点である。
本装置をクリーンルームに設置する場合、クリーンルー
ムの面積はかなシ小さくなる。更には第５図に示すよう
に装置本体１，２．３をクリーンルームの壁で仕切られ
た外側に置くことも可能になる。２＠５図と第２図を比
較すると、−見して明らかなように、第５図の場合はク
リーンルーム内で装置の専有するスペースは、トレイ挿
入・取出のスペース８，８°のみとなる。装置本体分の
スペースが省略できる訳である。従って非常にコストの
高いクリーンルームを最大限に有効に利用することとな
シ、その経済的な効果は著るしい。
ムの面積はかなシ小さくなる。更には第５図に示すよう
に装置本体１，２．３をクリーンルームの壁で仕切られ
た外側に置くことも可能になる。２＠５図と第２図を比
較すると、−見して明らかなように、第５図の場合はク
リーンルーム内で装置の専有するスペースは、トレイ挿
入・取出のスペース８，８°のみとなる。装置本体分の
スペースが省略できる訳である。従って非常にコストの
高いクリーンルームを最大限に有効に利用することとな
シ、その経済的な効果は著るしい。
本発明は以上説明した通シであって、以上のような機構
を用いた連続放電反応処理装置は、クリーンルームの面
積を著るしく小格くすることができる。更にその設置法
を第５図のようにすることにより、トレイ上の基板を取
扱うため超清浄な雰囲気を必要とするスペースを挿入・
取出しスペースのみにもすることができ、高価なりリー
ンルームを極小にまで節約し、クリーンル−ム内でのち
多発生原因の大巾な低減を可能にするものである羊純な
装置の構成法の変更であるが、極めて大きい効果をもつ
もので、工業的に有為な発明ということができる。
を用いた連続放電反応処理装置は、クリーンルームの面
積を著るしく小格くすることができる。更にその設置法
を第５図のようにすることにより、トレイ上の基板を取
扱うため超清浄な雰囲気を必要とするスペースを挿入・
取出しスペースのみにもすることができ、高価なりリー
ンルームを極小にまで節約し、クリーンル−ム内でのち
多発生原因の大巾な低減を可能にするものである羊純な
装置の構成法の変更であるが、極めて大きい効果をもつ
もので、工業的に有為な発明ということができる。
第１図と第３図はそれぞれ従来の連続放電反応処理装置
のブロック図。第２図は第１図の装置をクリーンルーム
内に設置した図。第４図は本発明仕切バルブ、５・・・
トレイ、６，６°・・・ゲートノくルフ゛７・・・クリ
ーンルームの壁、８・・・スペース特許出願人 日電ア
ネルバ株式会社 ＦＩＧ、２
のブロック図。第２図は第１図の装置をクリーンルーム
内に設置した図。第４図は本発明仕切バルブ、５・・・
トレイ、６，６°・・・ゲートノくルフ゛７・・・クリ
ーンルームの壁、８・・・スペース特許出願人 日電ア
ネルバ株式会社 ＦＩＧ、２
Claims (1)
- 直線状に配置された仕込室，処理室，取出室をそなえ、
基板を直線移動させながら放電反応を利用して複数の基
板表面上に連続的に処理を行う連続放電反応処理装置に
おいて、該複数枚の基板をセットし九トレイを該仕込室
に挿入する方向と処理後の該トレイを該取出室から取出
す方向が互に平行で、かつその方向が、該仕込室から該
処理室を通過し該取出室に至る該トレイの移動の方向と
直交していることを特徴とする連続放電反応処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5645084A JPS60221572A (ja) | 1984-03-24 | 1984-03-24 | 連続放電反応処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5645084A JPS60221572A (ja) | 1984-03-24 | 1984-03-24 | 連続放電反応処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60221572A true JPS60221572A (ja) | 1985-11-06 |
Family
ID=13027432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5645084A Pending JPS60221572A (ja) | 1984-03-24 | 1984-03-24 | 連続放電反応処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60221572A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03124022A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-27 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| US5058526A (en) * | 1988-03-04 | 1991-10-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Vertical load-lock reduced-pressure type chemical vapor deposition apparatus |
| US5065698A (en) * | 1988-04-11 | 1991-11-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Film forming apparatus capable of preventing adhesion of film deposits |
| US5186718A (en) * | 1989-05-19 | 1993-02-16 | Applied Materials, Inc. | Staged-vacuum wafer processing system and method |
| US5327624A (en) * | 1986-07-16 | 1994-07-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for forming a thin film on a semiconductor device using an apparatus having a load lock |
| US6312525B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-11-06 | Applied Materials, Inc. | Modular architecture for semiconductor wafer fabrication equipment |
| US6440261B1 (en) | 1999-05-25 | 2002-08-27 | Applied Materials, Inc. | Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing |
| US6841200B2 (en) | 1999-11-30 | 2005-01-11 | Applied Materials, Inc. | Dual wafer load lock |
| US9390970B2 (en) | 1997-11-26 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing a diffusion barrier layer and a metal conductive layer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5392391A (en) * | 1977-11-11 | 1978-08-14 | Canon Inc | Continuous evaporating apparatus |
-
1984
- 1984-03-24 JP JP5645084A patent/JPS60221572A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5392391A (en) * | 1977-11-11 | 1978-08-14 | Canon Inc | Continuous evaporating apparatus |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5327624A (en) * | 1986-07-16 | 1994-07-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for forming a thin film on a semiconductor device using an apparatus having a load lock |
| US5058526A (en) * | 1988-03-04 | 1991-10-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Vertical load-lock reduced-pressure type chemical vapor deposition apparatus |
| US5065698A (en) * | 1988-04-11 | 1991-11-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Film forming apparatus capable of preventing adhesion of film deposits |
| US5112185A (en) * | 1988-04-14 | 1992-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for replacing a deposit shield in an evacuated film forming chamber |
| US5186718A (en) * | 1989-05-19 | 1993-02-16 | Applied Materials, Inc. | Staged-vacuum wafer processing system and method |
| JPH03124022A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-27 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| US6312525B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-11-06 | Applied Materials, Inc. | Modular architecture for semiconductor wafer fabrication equipment |
| US9390970B2 (en) | 1997-11-26 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing a diffusion barrier layer and a metal conductive layer |
| US6440261B1 (en) | 1999-05-25 | 2002-08-27 | Applied Materials, Inc. | Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing |
| US6841200B2 (en) | 1999-11-30 | 2005-01-11 | Applied Materials, Inc. | Dual wafer load lock |
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