JPH03124022A

JPH03124022A - 処理装置

Info

Publication number: JPH03124022A
Application number: JP26145289A
Authority: JP
Inventors: Nobuaki Ooya; 亘晃大矢
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1989-10-06
Filing date: 1989-10-06
Publication date: 1991-05-27

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、多機能型の処理装置に関する。

（従来の技術）微細なパターンの形成などを連続して高速処理すること
、異なる工程間での自然酸化膜の発生防止などからマル
チチャンバが使用されている。

このマルチチャンバによる処理装置たとえばプラズマエ
ツチング装置は、プラズマエツチング処理室と、該プラ
ズマエツチング処理室内に所要の被処理体、たとえば導
電性薄膜上にレジストマスクが設けられた基板を搬入す
るための予備室、また処理後の基板を搬出するための予
備室とから構成されている。すなわち、処理サイクルを
速くするとともに塵埃の侵入を避けるために、真空引き
可能な移送室（ロードロツタ室）がゲートバルブを介し
て各処理室に分離連設され、これらは一体に１１Ｍ成さ
れている。前記予備室内に配設された、たとえば先端部
に基板搭載部を有する屈伸可能な搬送アームにより、別
に設けたゲートバルブを通って室外のクリーンベンチに
あるポジショニングテーブルから、被処理基板を前記プ
ラズマエツチング処理室内に水平配置した平行平板電極
の下側の電極上に移送、載置して、該処理室を真空引き
しエツチングガスを導入しかつ排出しながら前記電極間
に高周波電圧を印加して上記被処理基板上の露出した導
電性薄膜をエツチングする装置であり、処理ガスや処理
条件を変えることによりアッシングも行なえるようにし
たものも知られている。

（発明が解決しようとする課題）しかし、最近の技術進歩により各工程の機能向上がめざ
ましく、さらに多品種少量生産により各処理装置の入れ
換えが激しい。このような処置を現在は、各向上した機
能の各製造装置について開発したものを入れ換え無塵搬
送車で連絡するシステムとなっている。これではトータ
ルの製造工程で見ると、各製造装置間で塵埃と自然酸化
膜発生がついて廻り、高集積度の６４Ｍ以上となると抜
本的改革が必要とされる。

本発明は、かかる従来の難点を解消すべくなされたもの
で、各処理単位で適宜選択的に組み合せを可能とする処
理装置を提供することを目的とする。

［発明の構成］（課題を解決するための手段）本発明は被処理体に所要の処理を施す複数個の処理室と
、該各処理室の前記披処理体搬入搬出部にゲートバルブ
を介して配設された移送手段を内装した被処理体移送室
とを具備し、前記処理室を他の処理機能を有する処理室
と着脱、交換可能に構成し、もしくは被処理体の移送手段を内装する真空移送室と、
該真空移送室の前記彼処理体搬入搬出部にゲートバルブ
を介してそれぞれ配設された所定の処理機能を有する処
理室と、該処理室の外側にゲートバルブを介してそれぞ
れ配設された移送手段を内装した被処理体移送室とを具
備し、前記処理室を他の処理機能を有する処理室と着脱
、交換可能に構成したことを特徴とする。

（作用）本発明においては、処置ｉ１ｉ位の処理室に被処理体の
搬入、搬出用ゲートバルブを設け、所要する処理機能を
有する処理室に適宜着脱、交換し得る構成を成している
。したがって、被処理体の移送手段を内装した移送室は
必要に応じて変更するが常設されるものとし、変更を要
求される処置の処理室のみ着脱、交換することによって
所望の処理ライン達成し得るように構成したものである
。

（実施例）次に本発明の実施例について説明する。

第１図は本発明に係る処理装置の一構成例を概略的に示
すもので、処理室たとえばプラズマエツチング室１と、
前記処理室１の被処理体である半導体ウェハの搬入、搬
出路の両側にそれぞれゲートバルブ４ａ、４ｂを介して
接続、配置された移送手段５を内袋した真空引き可能な
移送室２．３と、前記真空引き可能な移送室２．３にも
上記ウェハの様人、搬出系にゲートバルブ８ａ、８ｂを
設け、このゲートバルブ８ａ、８ｂを介してそれぞれ接
続、配置されたポジショニングテーブルＧａ、７ａを内
装したクリーンベンチ６．７とで構成されている。つま
り、処理室１、移送室２，３、クリーンベンチ６．７な
どはそれぞれ独立に、巷説自在に構成されている。

しかして、前記真空引き可能な移送室２．３は、たとえ
ば第２図に斜視的に示すように構成されている。すなわ
ち、アルミのブロックを繰り抜いて形成した真空容器本
体２ａ（３ａ）ならびにその上部開口を密閉する開閉自
在の覆蓋２ｂ（３ｂ）からなる真空室２ｃ（３ｃ）と、
この真空室２ｃ（３ｃ）の中央に配置された基板搬送用
の伸縮自在の搬送手段５とから主として構成されている
。また真空室２ｃ（３ｃ）の７・Ｉ向する側壁には、そ
れぞれ偏平なアーム通過孔２ｄ、２ｅ（３ｄ、３ｅ）が
穿設されている。このアーム通過孔２ｄ、２ｅ（３ｄ、
３ｅ）には、図示しないゲートバルブ（第１図の４ａ、
８ａと４ｂ、８ｂ）が設けられ、この真空室２ｃ（３ｃ
）を気密に閉鎖できるようにされている。さらにこれら
のアーム通過孔２ｄ、２ｃ　（３ｄ、３ｅ）のある側壁
と隣接する側壁内面には、屈曲した搬送手段５先端の軌
跡に沿ってそれぞれ円弧状の四部２ｒ（３ｆ’）が形成
されており（図では一方だけ示している）、この四部２
ｆ（３ｒ）の下側には、真空ポンプに連通ずる吸気用の
透孔２ｇ（３ｇ）が穿設されている。

一方、前記搬送手段５は、回転軸により枢動可能とされ
た２つの関節部で連結された３つのアム５ａ、５ｂ、５
ｃからなり、第１アーム５ａの基端部は真空室２ｃ（３
ｃ）の中央に突設された図示しない２重回転軸の外軸に
固定され、先端の第３アーム５ｃには基板９の搭載部Ａ
か形成されている。しかして、２重回転軸および搬送手
段５の各関節部の回転軸には図示しないプーリーか軸装
され、各プーリ間には複数のガイドローラーを介してベ
ルトが掛ｊす渡されて、２重回転軸の内軸の回転により
各関節部が回転するように構成されている。そして２重
回転軸の外軸と内軸とは各アーム５ａ、５ｂ、５ｃか第
３図に示す動きをするよう別々にその回転が制御される
。

第３図は、搬送手段５が第１のアーム通過孔２ｄから伸
び出して、図示を省略したポジショニングテーブルに載
置されたｕ阪９を搭載した状態から第２のアーム通過孔
２ｅから伸び出して）Ｊ、＋ｆｉ　９を隣接する図示し
ない処理室内に挿入するまでの動きを示したものであり
、次のように動作する。すなわち、回転軸の回転により
最大伸長位置で基板９を搭載した状態から第１アーム５
ａは図で反時＝１方向に等速度で回転し、第２アーム５
ｂは時計方向に第１アーム５ａの２倍の角速度で回転し
、第３アーム５ｃは第１アーム５ａと同方向に同一角速
度で回転する。したがって、搬送手段５は、同図（ａ）
の状態から同図（ｂ）　、　（ｃ）に示すように、第１
アーム５ａと第２アーム５ｂの関節部が屈曲しつつ第３
アーム５ｃが同一直線上を後退する。このときアーム通
過孔２ｄのゲートバルブ８ａは開放され、アーム通過孔
２ｅ側のゲートバルブ４ａは閉鎖されており、真空室本
体２ｃ内は大気圧とされている。

このようにして第１アーム５ａの回転軸から第３アーム
５ｃの先端までの距離がほぼ第１アーム５ａの長さと等
しくなったところで、内軸の回転が一ロー停止し、同図
（ｄ）、（ｅ）に示すように、この状態を維持したまま
　＋８０’回転する。このときアーム通過孔２ｄ側のゲ
ートバルブ８ａが閉鎖され、かつ真空室本体ｌａ内が真
空引きされてゲートバルブ４ａを介してアーム通過孔２
ｅと接続された処理室］の真空度より低い真空度とされ
る。しかる後、アーム通過孔２ｅ側のゲートバルブ４ａ
が開放され、２重回転軸の外軸と内軸がこれまでと反対
側に回転され、同図（「）に示すようにアーム通過孔２
ｃから第３アム５ｃが伸び出していき、基板９が真空状
態の処理室１内に送入され所要の処理を施される。

次にこのエツチング装置の動作について説明する。この
エツチング装置においては、先ず移送室２．３の真空室
が大気圧の状態でクリーンベンチ６（７）のポジショニ
ングテ＝プル６ａ（７ａ）にインデクサから、例えばレ
ジストを塗布したガラス基板が供給される。このガラス
基板は移送室２（３）の搬送手段５によりその真空室２
ｃ（３ｃ）内に取り込まれ、この状態でゲートバルブ８
ａ（８ｂ）が閉鎖されて真空室２ｃ（３ｃ）が処理室１
の真空度より高い真空度に真空引きされる。

次いでゲートバルブ４ａ＜４ｂ）が開放され搬送アーム
５ａ、５ｂ、５ｃが伸長して処理室１内の対向電極１ａ
、ｔｂの下部電極ｌａ上にガラス基数が搭載され、搬送
アーム５ａ、５ｂ、５ｅは再び移送室２（３）の真空室
２ｃ（３ｃ）内に引き込まれてゲートバルブ４ａ（４ｂ
）が閉鎖され、プラズマエツチング処理が行なわれる。

そして移送室３（２）の真空処理室３ｃ（２ｃ）が真空
引きされ、処理室１でガラス基板のプラズマエツチング
処理が終了するとゲートバルブ４ｂ（４ａ）が開放され
、移送室３（２）の搬送手段５（搬送アーム５ａ、５ｂ
、５ｃ）が処理室１内に挿入されてガラス基板が移送室
３（２）の真空室３ｃ（２ｃ）内に取り込まれて再びゲ
ートバルブ４ｂ（４ａ）が閉じられる。しかる後移送室
３（２）の出口側のゲートバルブ８ｂ（８ａ）が開放さ
れて、このガラス基板がクリーンベンチ７（６）のポジ
ショニングテーブル７ａ（Ｇａ）上に載置され、図示し
ないコンベア装置により搬出される。

上記のように所要の処理室として、プラズマエツチング
室（装置）を設置することにより所定のプラズマエツチ
ング処理を行い得る。しかして、本発明に係る処理装置
は、上記処理室が別の処理機能を有する処理室と着脱、
交換が可能に構成しである。つまり、プラズマエツチン
グ室（装置）のみを、たとえばポリシリコン膜形成処理
室、パッシベーション膜形成処理室、プラズマ重合によ
るレジスト膜形成処理室、もしくは電子線描画処理室な
どと着脱、交換し、他の移送室などの搬送乃至移送系を
固定的に設置、兼用しながら、所望の処理を上記と同様
に行い得る。また、移送室は兼用し、エツチング室をプ
ラズマエツチャーから超ＬＳＩ対応のＥＣＲエツチング
室に変更したり、ＣＶＤに変更したりするシステムに変
更することもできる。

なお、以上の実施例では、処理室としてたとえばプラズ
マエツチング装置−台（−基）を配設た例について説明
したか、本発明はかかる実施例に限定されるものではな
く、さらに、洗浄液塗布室、ベーキング室、レジスト塗
布室、現像処理室、エツチング室、ＣＶＤ室などを所望
するシステムに組みおわせで構成することもできる。さ
らにまた、所望する処理室について、用途性能（たとえ
ば１Ｍ対応から４Ｍ対応処理室）への変更などいずれの
組み合せも可能で、前記例示のものに限定されないことは勿論である。

［発明の効果］以上説明したように、本発明に係る処理装置によれば、
所定の処理機能を有する各処理室に被処理体の搬入、搬
出のためのゲートバルブを設は亡脱、交換可能に構成さ
れている。すなわち、処理の目的や種類によって処理室
を所望の処理室に任意に置換し得る構成を採っている。

このため、台の処理装置でありながら、多種の処理機能
を備えていることになり、専用の処理装置を複数種設置
した場合と実質的には同じことになる。ここで−台の処
理装置で所要の各種処理をなし古ることは、処理装置の
設置スペースの低減化乃至活用の点でも実用上多くの利点をもたらすものと言える。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る処理装置の一例について概略的に
構成を示す側面図、第２図は第１図に示した処理装置の
移送室の構成を示す斜視図、第３図は第２図に示した移
送室か内装する搬送手段の動作を示す説明図である。１・・・・・・処理室ｌａ、ｌｂ・・・対向電極２．３・・・移送室４ａ、４ｂ、８ａ、８ｂ−・・ゲートバルブ５・・・・
・・搬送手段５ａ、５ｂ、５ｃ・・・・・・搬送アーム６．７・・・
クリーンベンチ６ａ、　７ａ・・・ポジショニングテーブル９・・・・
・・基板

Claims

【特許請求の範囲】

（１）被処理体に所要の処理を施す複数個の処理室と、
該各処理室の前記被処理体搬入搬出部にゲートバルブを
介して配設された移送手段を内装した被処理体移送室と
を具備し、前記処理室を他の処理機能を有する処理室と着脱、交換
可能に構成したことを特徴とする処理装置。
（２）被処理体の移送手段を内装する真空移送室と、該
真空移送室の前記被処理体搬入搬出部にゲートバルブを
介してそれぞれ配設された所定の処理機能を有する処理
室と、該処理室の外側にゲートバルブを介してそれぞれ
配設された移送手段を内装した被処理体移送室とを具備
し、前記処理室を他の処理機能を有する処理室と着脱、交換
可能に構成したことを特徴とする処理装置。