JPS6086819A - 分子線エピタキシ装置 - Google Patents
分子線エピタキシ装置Info
- Publication number
- JPS6086819A JPS6086819A JP19424683A JP19424683A JPS6086819A JP S6086819 A JPS6086819 A JP S6086819A JP 19424683 A JP19424683 A JP 19424683A JP 19424683 A JP19424683 A JP 19424683A JP S6086819 A JPS6086819 A JP S6086819A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- substrates
- carry
- beam epitaxy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、分子線エピタキシ装置に係υ、特に多数の基
板を供給して、その表面に高品質の薄膜をエピタキシャ
ル成長せしめるのに好適な分子線エピタキシ装置に係る
。
板を供給して、その表面に高品質の薄膜をエピタキシャ
ル成長せしめるのに好適な分子線エピタキシ装置に係る
。
分子線エピタキシ装置では、基板に良質の膜を成長させ
るために、残留ガスの圧力が１０”’ｐｏｒｒ以下の超
高真空が要求される。このような超高真空を維持するに
は、真空槽を大気に開放する頻度を極力少なくすること
が望ましく、複数枚の基板を同時に真空槽内に搬入し、
基板面へ膜の成長を終了後、まとめて同時に大気中に搬
出する方法が一般的である。
るために、残留ガスの圧力が１０”’ｐｏｒｒ以下の超
高真空が要求される。このような超高真空を維持するに
は、真空槽を大気に開放する頻度を極力少なくすること
が望ましく、複数枚の基板を同時に真空槽内に搬入し、
基板面へ膜の成長を終了後、まとめて同時に大気中に搬
出する方法が一般的である。
第１図は、従来の分子線エピタキシ装置の一例であり、
複数枚の基板が収納可能な予備室ｌと搬送路２、分析室
３、成長室４で構成されている。
複数枚の基板が収納可能な予備室ｌと搬送路２、分析室
３、成長室４で構成されている。
各室はゲートパルプ５，６．６’で仕切られており、予
備室１は到達圧力が１０−’Ｔｏｒｒ以下、搬送路２は
１Ｏ−８Ｔｏｒｒ以下、分析室３、成長室４は１０”’
ｌ’ｏ ｒ ｒ以下になっている。上述の理由により、
複数枚の基板をまとめて同時に予備室１に挿填し、１０
−’Ｔｏｒｒ程度の圧力まで排気後、ゲートパルプ５を
開き全ての基板を搬送路２に搬入する。次にゲートパル
プ６．６”ｋ介して基板をそれぞれの目的に合わせて分
析室３、成長室４へ移送し、所定の処理を施した後再び
搬送路２に送シ出す。全ての基板の処理が終了後、まと
めて予備室１へ移送し、大気へ取り出す。一般に、分子
線エピタキシによる腺の成長速度は極めて遅く、一枚の
基板成長に数時間を要する。そこで、複数枚の基板を処
理するには、少なくとも半日以上の時間を要し、従来の
方法では、この間に処理した基板を大気中に取り出して
評価した９、別の処理をすることが困難でおった。
備室１は到達圧力が１０−’Ｔｏｒｒ以下、搬送路２は
１Ｏ−８Ｔｏｒｒ以下、分析室３、成長室４は１０”’
ｌ’ｏ ｒ ｒ以下になっている。上述の理由により、
複数枚の基板をまとめて同時に予備室１に挿填し、１０
−’Ｔｏｒｒ程度の圧力まで排気後、ゲートパルプ５を
開き全ての基板を搬送路２に搬入する。次にゲートパル
プ６．６”ｋ介して基板をそれぞれの目的に合わせて分
析室３、成長室４へ移送し、所定の処理を施した後再び
搬送路２に送シ出す。全ての基板の処理が終了後、まと
めて予備室１へ移送し、大気へ取り出す。一般に、分子
線エピタキシによる腺の成長速度は極めて遅く、一枚の
基板成長に数時間を要する。そこで、複数枚の基板を処
理するには、少なくとも半日以上の時間を要し、従来の
方法では、この間に処理した基板を大気中に取り出して
評価した９、別の処理をすることが困難でおった。
一方、エピタキシャル成長後の基板あるいは、基板を保
持して基板とともに搬送されるモリブデン製の板（以後
、これをサセプタと呼ぶ）には、成長室内において照射
される分子が堆積した余分なフレーク（薄片）が付着し
ていることが多い。
持して基板とともに搬送されるモリブデン製の板（以後
、これをサセプタと呼ぶ）には、成長室内において照射
される分子が堆積した余分なフレーク（薄片）が付着し
ていることが多い。
成長後の基板を再び予備室１ｔで戻して取り出す従来の
搬送方式では、装置を長時間連続して運転すると、上記
のフレークが予備室１および搬送路ｚ中の基板移載用の
棚等に付着した。このため、後続して装置内に投入され
る未処理の基板の表面にこれらのフレークか付着し、エ
ピタキシャル膜を損うことがあった。これを避けるため
に、装置の運転を定期的に一時停止し、フレークが付着
する可能性のある部材２ｉｉ−酸等で洗浄する必要がめ
った。しかし、このような装置の稼動の一時停止と大気
開放は、再び運転全開始して超高真空を達成する筐での
時間を含めて、装置の稼動率を低下させ、分子線エピタ
キシ技術の工業化のための大きなあい路となってきた。
搬送方式では、装置を長時間連続して運転すると、上記
のフレークが予備室１および搬送路ｚ中の基板移載用の
棚等に付着した。このため、後続して装置内に投入され
る未処理の基板の表面にこれらのフレークか付着し、エ
ピタキシャル膜を損うことがあった。これを避けるため
に、装置の運転を定期的に一時停止し、フレークが付着
する可能性のある部材２ｉｉ−酸等で洗浄する必要がめ
った。しかし、このような装置の稼動の一時停止と大気
開放は、再び運転全開始して超高真空を達成する筐での
時間を含めて、装置の稼動率を低下させ、分子線エピタ
キシ技術の工業化のための大きなあい路となってきた。
本発明は、上記の点に着目してなされたものであり、エ
ピタキシャル成長のための処理工程を効率よく行なわし
むる分子線エピタキシ装置を提供することを目的とする
ものである。
ピタキシャル成長のための処理工程を効率よく行なわし
むる分子線エピタキシ装置を提供することを目的とする
ものである。
上記の目的を達成するため、本発明では、基板の導入の
ための予備室とは別に、基板ｔｌ−１枚ずつ取シ出すこ
とが可能な搬出室と搬出機構を設け、基板の導入と搬出
の機能をそれぞれ独立した真空室で行なう方式の分子線
エピタキシ装置を開発した。
ための予備室とは別に、基板ｔｌ−１枚ずつ取シ出すこ
とが可能な搬出室と搬出機構を設け、基板の導入と搬出
の機能をそれぞれ独立した真空室で行なう方式の分子線
エピタキシ装置を開発した。
以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
第２図は、本発明による分子線エピタキシ装置の構成の
一実施例を示す。予備室１１、搬送路１２、分析室１３
、成長室１４は、第１図に示す従来の分子線エピタキシ
装置と同様の性能を有し、それぞれゲートパルプ１５で
仕切られている。搬送路１２には、ゲートパルプ１６ｉ
介して搬出室１７及び搬出機構１８が設けられている。
一実施例を示す。予備室１１、搬送路１２、分析室１３
、成長室１４は、第１図に示す従来の分子線エピタキシ
装置と同様の性能を有し、それぞれゲートパルプ１５で
仕切られている。搬送路１２には、ゲートパルプ１６ｉ
介して搬出室１７及び搬出機構１８が設けられている。
搬出室１７は、基板が一枚だけ収納できる大きさでめ９
、真空排気装置１９により容易に１０−”ｌ’ｏｒｒ以
下の圧力を得ることが出来る。
、真空排気装置１９により容易に１０−”ｌ’ｏｒｒ以
下の圧力を得ることが出来る。
複数の基板が予備室１１から投入され、順次、分析室１
３、成長室１４等で所定の処理が施される。本装置によ
れば、所定の処理が終った基板を、他の基板の処理が行
なわれている間に、大気中に取り出すことが可能である
。すなわち、成長を終えた基板が搬送路１２へ移送され
、一方、未処理の基板が分析室１３又は成長室１４に移
送された時点でゲートパルプ１５を閉じる。次いで、ゲ
ートパルプ１６を開き、搬出機構１８によシ処理済みの
基板を搬出室１７に移送し、再びゲートパルプ１６１に
閉じた後に、搬出室１７ｔ−大気開放して前記基板を取
シ出すことができる。この結果、処理済みの基板を速か
に装置外に搬出し、更に、必要に応じて別の処理を施す
ことが可能になシ、分子線エピタキシの工程を一連の基
板処理の流れに効率曳く組み込むことが可能になった。
３、成長室１４等で所定の処理が施される。本装置によ
れば、所定の処理が終った基板を、他の基板の処理が行
なわれている間に、大気中に取り出すことが可能である
。すなわち、成長を終えた基板が搬送路１２へ移送され
、一方、未処理の基板が分析室１３又は成長室１４に移
送された時点でゲートパルプ１５を閉じる。次いで、ゲ
ートパルプ１６を開き、搬出機構１８によシ処理済みの
基板を搬出室１７に移送し、再びゲートパルプ１６１に
閉じた後に、搬出室１７ｔ−大気開放して前記基板を取
シ出すことができる。この結果、処理済みの基板を速か
に装置外に搬出し、更に、必要に応じて別の処理を施す
ことが可能になシ、分子線エピタキシの工程を一連の基
板処理の流れに効率曳く組み込むことが可能になった。
第３図に搬出機構の一例を示す。真空隔壁２１の内側に
設けた移動軸２２と、外部に設けたスライダ２３とを磁
気的に結合し、スライダ２３の移動に伴い、移動軸２２
が直線運動を行なうようになっている。移動軸２ｚの先
端には基板ホルダ２４が設けられ、搬出室１７に常置し
てるる。搬送路１２にめる基板を大気中に取シ出すには
、ゲ−トバルプ１６を開き、スライダ２３ｔ−駆動して
基板ホルダ２４を搬送路１２内に挿入し、基板を移載後
、再び搬出室１７に移動させる。次に、ゲートバルブ１
６を閉じ、搬出室１７會大気開放して、基板を取り出す
。
設けた移動軸２２と、外部に設けたスライダ２３とを磁
気的に結合し、スライダ２３の移動に伴い、移動軸２２
が直線運動を行なうようになっている。移動軸２ｚの先
端には基板ホルダ２４が設けられ、搬出室１７に常置し
てるる。搬送路１２にめる基板を大気中に取シ出すには
、ゲ−トバルプ１６を開き、スライダ２３ｔ−駆動して
基板ホルダ２４を搬送路１２内に挿入し、基板を移載後
、再び搬出室１７に移動させる。次に、ゲートバルブ１
６を閉じ、搬出室１７會大気開放して、基板を取り出す
。
第４図は、本発明の他の実施例を示すもので、前述の如
き搬出機構を搬送路側に設置したものである。この場合
は、第３図における基板ホルダ２４が搬送路１２に常置
され、基板は搬出機構１８によシ搬送路１２から搬出室
１７に移載される。この方法は、基板を大気中に取シ出
すさいに搬送機構１８が大気にさらされることがないた
め、搬送路１２１に、第３図の方法よシ清浄に保持する
ことが出来、搬送路１２の中にある他の基板の汚染を最
小限にとどめることが出来る。
き搬出機構を搬送路側に設置したものである。この場合
は、第３図における基板ホルダ２４が搬送路１２に常置
され、基板は搬出機構１８によシ搬送路１２から搬出室
１７に移載される。この方法は、基板を大気中に取シ出
すさいに搬送機構１８が大気にさらされることがないた
め、搬送路１２１に、第３図の方法よシ清浄に保持する
ことが出来、搬送路１２の中にある他の基板の汚染を最
小限にとどめることが出来る。
以上述べた実施例によれば、次のような効果がある。
（１）基板の導入と搬出の機能を、それぞれ独立した真
空室で行なう方式とすることにより、多数枚の基板を装
置内に導入し、その一部を処理している間に、他の処理
済の基板金一枚ずつ搬出することが可能である。
空室で行なう方式とすることにより、多数枚の基板を装
置内に導入し、その一部を処理している間に、他の処理
済の基板金一枚ずつ搬出することが可能である。
（２） 上記（１）のようにして取シ出した基板を、更
に、必要に応じて他の処理に送ることが可能なので、分
子線エピタキシの工程を一連の基板処理の流れに、効率
良く組み込むことが可能になった。
に、必要に応じて他の処理に送ることが可能なので、分
子線エピタキシの工程を一連の基板処理の流れに、効率
良く組み込むことが可能になった。
（３）未処理の基板を積載する棚には、処理済みの基板
が積載されないので、フレークの付着によるエピタキシ
ャル成長膜の欠陥の発生が防げる。
が積載されないので、フレークの付着によるエピタキシ
ャル成長膜の欠陥の発生が防げる。
（４）未処理の基板を積載する棚に、フレークが１寸着
しないので、これを洗浄する必要が無くなる。
しないので、これを洗浄する必要が無くなる。
これに伴い、装置上定期的に停止して、真空室を大気に
さらす回数が減シ、装置の長期連続運転々＼名名ｉｓす
゛フτこ。
さらす回数が減シ、装置の長期連続運転々＼名名ｉｓす
゛フτこ。
以上詳述し罠ように、本発明によれば、基板の導入と搬
出の機能を独立した真空室で行なうように構成すること
によシ、分子線エピタキシャル成長のための工程を効率
よく行なうことが可能となった。
出の機能を独立した真空室で行なうように構成すること
によシ、分子線エピタキシャル成長のための工程を効率
よく行なうことが可能となった。
第１図は従来の分子線エピタキシ装置の構成を示す平面
図、第２図は本発明の分子線エピタキシ装置の一実施例
を示す平面図、第３図は搬出機構の一例を示す断面図、
第４図は本発明の他の実施例を示す図である。 １．１１・・・予備室、２．１２・・・搬送路、３．１
３・・・分析室、４，１４・・・成長室、５，６．６’
。 １５．１６・・・ゲートパルプ、１７・・・搬出室、１
８・・・搬出機構、１９・・・真空排気装置、２１・・
・真空隔壁、２２・・・移動軸、２３・・・スライダ、
２４・・・基板第１図 第 ３ 口
図、第２図は本発明の分子線エピタキシ装置の一実施例
を示す平面図、第３図は搬出機構の一例を示す断面図、
第４図は本発明の他の実施例を示す図である。 １．１１・・・予備室、２．１２・・・搬送路、３．１
３・・・分析室、４，１４・・・成長室、５，６．６’
。 １５．１６・・・ゲートパルプ、１７・・・搬出室、１
８・・・搬出機構、１９・・・真空排気装置、２１・・
・真空隔壁、２２・・・移動軸、２３・・・スライダ、
２４・・・基板第１図 第 ３ 口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数の基板を供給して、該基板の表面にエピタキシ
ャル成長を施すように構成した分子線エピタキシ装置に
おいて、前記基板の導入のための真空室と前記基板を取
シ出すための真空室とを独立して設けたことを特徴とす
る分子線エピタキシ装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の装置において、前記導
入室には複数の基板を同時に投入できる如く構成し、か
つ、前記搬出室には前記基板を１枚ずつ取り出し可能な
搬出機構を設けて構成したこと′ｆ、特徴とする分子線
エピタキシ装置。 ３、特許請求の範囲第１項一＆たは第２項記載の装置に
おいて、前記搬出室の到達圧力が１Ｏ−８Ｔｃ）ｒｒ以
下である如く構成したことを特徴とする分子ｍエピタキ
シ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19424683A JPS6086819A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 分子線エピタキシ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19424683A JPS6086819A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 分子線エピタキシ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086819A true JPS6086819A (ja) | 1985-05-16 |
Family
ID=16321412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19424683A Pending JPS6086819A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 分子線エピタキシ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086819A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4824518A (en) * | 1985-03-29 | 1989-04-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for the production of semiconductor devices |
| JPH01171723A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Mitsubishi Metal Corp | 押出材定寸切断装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57145312A (en) * | 1981-01-27 | 1982-09-08 | Instruments Sa | Semiconductor producing material treating facility |
| JPS57170519A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-20 | Western Electric Co | Device and method for coating molecle beam |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP19424683A patent/JPS6086819A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57145312A (en) * | 1981-01-27 | 1982-09-08 | Instruments Sa | Semiconductor producing material treating facility |
| JPS57170519A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-20 | Western Electric Co | Device and method for coating molecle beam |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4824518A (en) * | 1985-03-29 | 1989-04-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for the production of semiconductor devices |
| JPH01171723A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Mitsubishi Metal Corp | 押出材定寸切断装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2699045B2 (ja) | 基板取扱い処理システム | |
| US6332280B2 (en) | Vacuum processing apparatus | |
| US4664062A (en) | Apparatus for manufacturing semiconductors | |
| US6328858B1 (en) | Multi-layer sputter deposition apparatus | |
| JPS6386867A (ja) | ウェ−ハ処理装置 | |
| JPS605509A (ja) | 分子線エピタキシ装置 | |
| DE3788973T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Handhabung und Behandlung von scheibenartigen Materialien. | |
| US20030003767A1 (en) | High throughput hybrid deposition system and method using the same | |
| JPH04206547A (ja) | 装置間搬送方法 | |
| JPS6086819A (ja) | 分子線エピタキシ装置 | |
| JPS61170568A (ja) | 連続真空処理装置 | |
| JPH0258325A (ja) | 半導体薄膜気相成長装置 | |
| JPS61101490A (ja) | 分子線結晶成長方法と装置 | |
| JPS60221572A (ja) | 連続放電反応処理装置 | |
| JPS60113428A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS631035A (ja) | 減圧処理方法及び装置 | |
| JPH01135015A (ja) | 半導体ウエハ処理装置 | |
| JPH0252449A (ja) | 基板のロード・アンロード方法 | |
| JPH01120811A (ja) | 半導体ウエハ処理装置 | |
| JPH09143674A (ja) | 成膜装置及びその使用方法 | |
| USRE39775E1 (en) | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors | |
| JPS6027114A (ja) | 真空成膜装置に於ける除塵方法 | |
| JPS6128030B2 (ja) | ||
| JPS62230977A (ja) | 薄膜製造装置 | |
| JPS6317253Y2 (ja) |